Результат пошуку "2sa19" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 104
Мінімальне замовлення: 46
Мінімальне замовлення: 105
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 20000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 92
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 106
Мінімальне замовлення: 92
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 68
Мінімальне замовлення: 69
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 98
Мінімальне замовлення: 58
Мінімальне замовлення: 77
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 33
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 44
Мінімальне замовлення: 46
Мінімальне замовлення: 109
Мінімальне замовлення: 159
Мінімальне замовлення: 159
Мінімальне замовлення: 385
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1930 Код товару: 15193 |
Toshiba |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220F fT: 200 MHz Uке, В: 180 V Uкб, В: 180 V Iк, А: 2 А h21,max: 320 |
у наявності: 323 шт
|
|
|||||||||||||||||||
2SA1930-Q/2SC5171-Q Код товару: 174703 |
Toshiba |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220FP fT: 200 MHz Uке, В: 180 V Uкб, В: 180 V Iк, А: 2 A Примітка: Пара NPN/PNP |
у наявності: 17 шт
|
|
|||||||||||||||||||
2SA1941-O(S1,X,S) Код товару: 184918 |
Toshiba |
Транзистори > Біполярні PNP fT: 30 MHz Uке, В: 140 V Uкб, В: 140 V Iк, А: 10 A |
у наявності: 8 шт
очікується:
60 шт
|
|
|||||||||||||||||||
2SA1943 Код товару: 26295 |
Toshiba |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-3P fT: 30 MHz Uке, В: 230 V Uкб, В: 230 V Iк, А: 15 A h21,max: 160 |
у наявності: 85 шт
|
|
|||||||||||||||||||
2SA1972 Код товару: 37256 |
Toshiba |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92L fT: 35 MHz Uке, В: 400 V Uкб, В: 400 V Iк, А: 0,5 A h21,max: 450 |
у наявності: 80 шт
|
|
|||||||||||||||||||
2SC5198 + 2SA1941 пара (транзистор біполярний NPN) Код товару: 36709 |
Toshiba |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3P fT: 30 MHz Uceo,V: 140 V Ucbo,V: 140 V Ic,A: 10 А h21: 160 Примітка: Пара Монтаж: THT |
у наявності: 86 шт
|
|
|||||||||||||||||||
2SC5200 + 2SA1943 (TTC5200 + TTC1943) пара транзисторів Код товару: 1075 |
Toshiba |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3P fT: 30 MHz Uceo,V: 230 V Ucbo,V: 230 V Ic,A: 15 A h21: 160 Монтаж: THT |
у наявності: 11 пара
очікується:
60 пара
|
|
|||||||||||||||||||
2SA1900T100Q | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 50V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1900T100Q | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 50V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1907 | Sanken Electric Company, Ltd. | Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1907 | Sanken Electric Company, Ltd. | Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1909 | Sanken Electric Company, Ltd. | Trans GP BJT PNP 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1930 | YZPST |
Transistor PNP; 320; 2W; 180V; 2A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SA1930,Q(J; 2SA1930(Q,M); TCSA1930; 2SA1930 YZPST T2SA1930 YZP кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1930-Q/2SC5171-Q | Toshiba |
PNP 180V 2A 2W 200MHz 2SA1930+2SC5171 KIT=SET T2SA1930/2sc5171 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1937(Q) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1940 | Toshiba |
PNP 120V 8A 80W 2SA1940 T2SA1940 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1941 | EVVO |
Description: TRANS PNP 140V 10A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PS Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 100 W |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1941-O | Toshiba |
PNP 140V 10A SET with 2SC5198-O 2SA1941-O T2SA1941 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 149 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1941-O(Q) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1941-O(Q) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SA1941-O(Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W |
на замовлення 2244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1941-O(Q) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1941-R(Q) | Toshiba | 2SA1941-R(Q) |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1941/2SC5198; Транзисторная пара; Корпус: TO-247 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2SA1942-O(Q) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 160V 12A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1942-R(Q) | Toshiba | Trans GP BJT PNP |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943 | EVVO |
Description: TRANS PNP 230V 15A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 28MHz Supplier Device Package: TO-3PL Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 180 W |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943 | Minos |
Transistor PNP; Bipolar; 7V; 180W; 230V; 17A; 28MHz; -55°C~150°C; 2SA1943 T2SA1943o MIN кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943 | SPTECH |
Transistor PNP; Bipolar; 5V; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C~150°C; 2SA1943 T2SA1943o SPT кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943-O(Q) | TOSHIBA |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 230V; 15A; 150W; TO3PL Mounting: THT Case: TO3PL Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 230V Collector current: 15A Type of transistor: PNP Power dissipation: 150W Polarisation: bipolar Frequency: 30MHz |
на замовлення 2628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943-O(Q) | Toshiba | Биполярный транзистор - [TO-3P[2-21F1A]]; PNP-15A/-230V Audio |
на замовлення 43 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943-O(Q) | TOSHIBA |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 230V; 15A; 150W; TO3PL Mounting: THT Case: TO3PL Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 230V Collector current: 15A Type of transistor: PNP Power dissipation: 150W Polarisation: bipolar Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2628 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943-O(Q) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1943-O(Q) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-3PL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943-O(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 230V 15A TO3P Packaging: Tray Package / Case: TO-3PL Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(L) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 6881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943-O(Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A |
на замовлення 751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943-O(S1,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943-O(S1,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC= Packaging: Tube Package / Case: TO-3PL Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(L) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943-OQ | Toshiba | Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943-OQ | Toshiba | Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943-OQ | Toshiba | Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943-OQ | Toshiba | Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943; PNP; 230V; 15A; 150W; корпус: TO264 (2-21F1A); ISC |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2SA1943N(S1,E,S) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1943N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943N(S1,E,S) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ |
на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943N(S1,E,S) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 230V 15A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943N(S1,E,S) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SA1943OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP 250V 15A 150W |
на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1943OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 17A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943OTU | onsemi |
Description: TRANS PNP 250V 17A TO264-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-264-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 8905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SA1943OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1943RTU | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 17A, 2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: HPM F2 Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1952TLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1952TLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SA1952TLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 1706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
2SA1930 Код товару: 15193 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220F
fT: 200 MHz
Uке, В: 180 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 2 А
h21,max: 320
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220F
fT: 200 MHz
Uке, В: 180 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 2 А
h21,max: 320
у наявності: 323 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 38 грн |
10+ | 34.2 грн |
100+ | 31.7 грн |
2SA1930-Q/2SC5171-Q Код товару: 174703 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220FP
fT: 200 MHz
Uке, В: 180 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 2 A
Примітка: Пара NPN/PNP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220FP
fT: 200 MHz
Uке, В: 180 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 2 A
Примітка: Пара NPN/PNP
у наявності: 17 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 220 грн |
2SA1941-O(S1,X,S) Код товару: 184918 |
у наявності: 8 шт
очікується:
60 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 55 грн |
10+ | 49.5 грн |
2SA1943 Код товару: 26295 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3P
fT: 30 MHz
Uке, В: 230 V
Uкб, В: 230 V
Iк, А: 15 A
h21,max: 160
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3P
fT: 30 MHz
Uке, В: 230 V
Uкб, В: 230 V
Iк, А: 15 A
h21,max: 160
у наявності: 85 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 115 грн |
10+ | 108 грн |
2SA1972 Код товару: 37256 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92L
fT: 35 MHz
Uке, В: 400 V
Uкб, В: 400 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 450
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92L
fT: 35 MHz
Uке, В: 400 V
Uкб, В: 400 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 450
у наявності: 80 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
10+ | 15.9 грн |
2SC5198 + 2SA1941 пара (транзистор біполярний NPN) Код товару: 36709 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
fT: 30 MHz
Uceo,V: 140 V
Ucbo,V: 140 V
Ic,A: 10 А
h21: 160
Примітка: Пара
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
fT: 30 MHz
Uceo,V: 140 V
Ucbo,V: 140 V
Ic,A: 10 А
h21: 160
Примітка: Пара
Монтаж: THT
у наявності: 86 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 112 грн |
10+ | 105 грн |
2SC5200 + 2SA1943 (TTC5200 + TTC1943) пара транзисторів Код товару: 1075 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
fT: 30 MHz
Uceo,V: 230 V
Ucbo,V: 230 V
Ic,A: 15 A
h21: 160
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
fT: 30 MHz
Uceo,V: 230 V
Ucbo,V: 230 V
Ic,A: 15 A
h21: 160
Монтаж: THT
у наявності: 11 пара
очікується:
60 пара
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 240 грн |
10+ | 222 грн |
2SA1900T100Q |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 50V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.06 грн |
10+ | 34.43 грн |
100+ | 23.83 грн |
500+ | 18.69 грн |
2SA1900T100Q |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 50V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 17.6 грн |
2000+ | 15.09 грн |
2SA1907 |
Виробник: Sanken Electric Company, Ltd.
Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
104+ | 115.67 грн |
221+ | 54.15 грн |
2SA1907 |
Виробник: Sanken Electric Company, Ltd.
Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
46+ | 263.94 грн |
48+ | 252.6 грн |
50+ | 242.98 грн |
100+ | 226.35 грн |
250+ | 203.23 грн |
2SA1909 |
Виробник: Sanken Electric Company, Ltd.
Trans GP BJT PNP 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
Trans GP BJT PNP 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
105+ | 114.67 грн |
110+ | 109.69 грн |
112+ | 107.69 грн |
200+ | 102.88 грн |
500+ | 93.48 грн |
2SA1930 |
Виробник: YZPST
Transistor PNP; 320; 2W; 180V; 2A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SA1930,Q(J; 2SA1930(Q,M); TCSA1930; 2SA1930 YZPST T2SA1930 YZP
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor PNP; 320; 2W; 180V; 2A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SA1930,Q(J; 2SA1930(Q,M); TCSA1930; 2SA1930 YZPST T2SA1930 YZP
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.66 грн |
2SA1930-Q/2SC5171-Q |
Виробник: Toshiba
PNP 180V 2A 2W 200MHz 2SA1930+2SC5171 KIT=SET T2SA1930/2sc5171
кількість в упаковці: 10 шт
PNP 180V 2A 2W 200MHz 2SA1930+2SC5171 KIT=SET T2SA1930/2sc5171
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 223.36 грн |
2SA1937(Q) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold
Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20000+ | 37.33 грн |
2SA1940 |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 101.51 грн |
2SA1941 |
Виробник: EVVO
Description: TRANS PNP 140V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PS
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
Description: TRANS PNP 140V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PS
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 145.57 грн |
10+ | 116.32 грн |
100+ | 92.59 грн |
2SA1941-O |
на замовлення 149 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 65.74 грн |
2SA1941-O(Q) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
92+ | 130.91 грн |
100+ | 125.05 грн |
250+ | 120.04 грн |
2SA1941-O(Q) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SA1941-O(Q) |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
Bipolar Transistors - BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 171.5 грн |
10+ | 140.48 грн |
100+ | 96.62 грн |
250+ | 89.03 грн |
500+ | 81.44 грн |
1000+ | 69.01 грн |
4000+ | 64.25 грн |
2SA1941-O(Q) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
106+ | 113.68 грн |
114+ | 105.7 грн |
134+ | 89.45 грн |
200+ | 81.54 грн |
2SA1941-R(Q) |
Виробник: Toshiba
2SA1941-R(Q)
2SA1941-R(Q)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
92+ | 130.91 грн |
100+ | 125.05 грн |
2SA1941/2SC5198; Транзисторная пара; Корпус: TO-247 |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 183.48 грн |
2SA1942-O(Q) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 160V 12A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
Trans GP BJT PNP 160V 12A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
68+ | 176.97 грн |
71+ | 170.23 грн |
100+ | 164.46 грн |
250+ | 153.77 грн |
500+ | 138.51 грн |
2SA1942-R(Q) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP
Trans GP BJT PNP
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
69+ | 175.9 грн |
71+ | 169.19 грн |
2SA1943 |
Виробник: EVVO
Description: TRANS PNP 230V 15A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 28MHz
Supplier Device Package: TO-3PL
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 180 W
Description: TRANS PNP 230V 15A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 28MHz
Supplier Device Package: TO-3PL
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 180 W
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 147.81 грн |
10+ | 118.69 грн |
100+ | 94.45 грн |
2SA1943 |
Виробник: Minos
Transistor PNP; Bipolar; 7V; 180W; 230V; 17A; 28MHz; -55°C~150°C; 2SA1943 T2SA1943o MIN
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor PNP; Bipolar; 7V; 180W; 230V; 17A; 28MHz; -55°C~150°C; 2SA1943 T2SA1943o MIN
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 80.12 грн |
2SA1943 |
Виробник: SPTECH
Transistor PNP; Bipolar; 5V; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C~150°C; 2SA1943 T2SA1943o SPT
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor PNP; Bipolar; 5V; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C~150°C; 2SA1943 T2SA1943o SPT
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 95.73 грн |
2SA1943-O(Q) |
Виробник: TOSHIBA
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 230V; 15A; 150W; TO3PL
Mounting: THT
Case: TO3PL
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 230V
Collector current: 15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Frequency: 30MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 230V; 15A; 150W; TO3PL
Mounting: THT
Case: TO3PL
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 230V
Collector current: 15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Frequency: 30MHz
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 185.03 грн |
5+ | 155.28 грн |
7+ | 123.65 грн |
19+ | 116.46 грн |
500+ | 115.02 грн |
2SA1943-O(Q) |
Виробник: Toshiba
Биполярный транзистор - [TO-3P[2-21F1A]]; PNP-15A/-230V Audio
Биполярный транзистор - [TO-3P[2-21F1A]]; PNP-15A/-230V Audio
на замовлення 43 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.98 грн |
10+ | 92.06 грн |
2SA1943-O(Q) |
Виробник: TOSHIBA
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 230V; 15A; 150W; TO3PL
Mounting: THT
Case: TO3PL
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 230V
Collector current: 15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 230V; 15A; 150W; TO3PL
Mounting: THT
Case: TO3PL
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 230V
Collector current: 15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 222.04 грн |
5+ | 193.5 грн |
7+ | 148.38 грн |
19+ | 139.75 грн |
500+ | 138.03 грн |
2SA1943-O(Q) |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1943-O(Q) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-3PL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1943-O(Q) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-3PL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 241.55 грн |
10+ | 170.32 грн |
100+ | 136.26 грн |
2SA1943-O(Q) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 230V 15A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
Description: TRANS PNP 230V 15A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 6881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 195.59 грн |
10+ | 158.01 грн |
25+ | 149.15 грн |
100+ | 119.98 грн |
300+ | 113.31 грн |
500+ | 106.65 грн |
1000+ | 89.82 грн |
2400+ | 84.57 грн |
4900+ | 83.62 грн |
2SA1943-O(Q) |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A
Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.82 грн |
10+ | 152.38 грн |
50+ | 131.12 грн |
100+ | 118.7 грн |
200+ | 109.04 грн |
1000+ | 103.52 грн |
2SA1943-O(S1,F |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 214.17 грн |
10+ | 175.4 грн |
100+ | 118.7 грн |
250+ | 111.11 грн |
500+ | 102.83 грн |
1000+ | 90.41 грн |
2500+ | 86.96 грн |
2SA1943-O(S1,F |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
Description: PB-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.86 грн |
2SA1943-OQ |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
98+ | 122.65 грн |
107+ | 112.68 грн |
110+ | 109.69 грн |
2SA1943-OQ |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
58+ | 208.52 грн |
72+ | 166.64 грн |
74+ | 157.69 грн |
100+ | 127.07 грн |
200+ | 116.99 грн |
300+ | 110.09 грн |
500+ | 102.63 грн |
2SA1943-OQ |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
77+ | 156.42 грн |
80+ | 150.46 грн |
2SA1943-OQ |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 193.63 грн |
10+ | 156.37 грн |
25+ | 154.74 грн |
50+ | 146.43 грн |
100+ | 117.99 грн |
200+ | 108.63 грн |
300+ | 102.22 грн |
500+ | 95.3 грн |
2SA1943; PNP; 230V; 15A; 150W; корпус: TO264 (2-21F1A); ISC |
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 227.92 грн |
2SA1943N(S1,E,S) |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1943N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1943N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 198.19 грн |
10+ | 155.61 грн |
100+ | 126.97 грн |
2SA1943N(S1,E,S) |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 173.91 грн |
10+ | 123.81 грн |
100+ | 95.93 грн |
500+ | 91.1 грн |
1000+ | 84.89 грн |
2500+ | 67.01 грн |
2SA1943N(S1,E,S) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 230V 15A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
Description: TRANS PNP 230V 15A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 159.76 грн |
25+ | 123.79 грн |
100+ | 101.84 грн |
2SA1943N(S1,E,S) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SA1943OTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 241.85 грн |
10+ | 237.85 грн |
25+ | 215.78 грн |
100+ | 196.71 грн |
2SA1943OTU |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP 250V 15A 150W
Bipolar Transistors - BJT PNP 250V 15A 150W
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 346.22 грн |
10+ | 332.54 грн |
25+ | 239.48 грн |
100+ | 211.18 грн |
375+ | 191.86 грн |
1125+ | 169.77 грн |
2SA1943OTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
33+ | 363.28 грн |
35+ | 350.68 грн |
42+ | 288.93 грн |
2SA1943OTU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1943OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SA1943OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 411.09 грн |
10+ | 294.19 грн |
100+ | 223.74 грн |
500+ | 196.26 грн |
1000+ | 169.88 грн |
2SA1943OTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 337.33 грн |
10+ | 325.63 грн |
25+ | 268.3 грн |
2SA1943OTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 253.55 грн |
2SA1943OTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
44+ | 273.31 грн |
2SA1943OTU |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 250V 17A TO264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
Description: TRANS PNP 250V 17A TO264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 8905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 341.91 грн |
25+ | 260.84 грн |
100+ | 223.59 грн |
500+ | 186.51 грн |
1000+ | 159.7 грн |
2000+ | 150.38 грн |
2SA1943OTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SA1943OTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
46+ | 260.46 грн |
47+ | 256.15 грн |
52+ | 232.38 грн |
100+ | 211.85 грн |
2SA1943RTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 17A, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: HPM F2
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 17A, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: HPM F2
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
109+ | 190.91 грн |
2SA1952TLQ |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
159+ | 75.54 грн |
166+ | 72.17 грн |
2SA1952TLQ |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
159+ | 75.54 грн |
166+ | 72.17 грн |
250+ | 69.27 грн |
500+ | 64.38 грн |
1000+ | 57.67 грн |
2SA1952TLQ |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
385+ | 31.11 грн |
398+ | 30.11 грн |
403+ | 29.72 грн |
500+ | 28.17 грн |
1000+ | 25.73 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]