Результат пошуку "IRLS" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 63
Мінімальне замовлення: 49
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 96
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 39
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 32
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 53
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 28
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 40V 380A 1.4mOhm 120nC |
на замовлення 1123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 344000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V |
на замовлення 6997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V |
на замовлення 3182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC |
на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3034TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL | International Rectifier |
N-MOSFET 240A 60V 380W 0.0019Ω IRLS3036 TIRLS3036 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 380W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 380W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 641 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V |
на замовлення 5499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7 |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V |
на замовлення 2007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl |
на замовлення 6165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS4030TRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C~175°C; Substitute: IRLS4030; IRLS4030TRL; IRLS4030-GURT; IRLS4030TRL obsolete; IRLS4030 TIRLS4030 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 190A 3.9mOhm 93nC-7 |
на замовлення 1847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS4030TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V |
на замовлення 2788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRLS3034TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 123.46 грн |
IRLS3034TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 380A 1.4mOhm 120nC
MOSFET MOSFT 40V 380A 1.4mOhm 120nC
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 235.76 грн |
10+ | 204.13 грн |
25+ | 173.41 грн |
100+ | 151.56 грн |
250+ | 144.73 грн |
800+ | 114.7 грн |
2400+ | 109.92 грн |
IRLS3034TRL7PP |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 281.07 грн |
10+ | 201.42 грн |
50+ | 185.34 грн |
100+ | 157.17 грн |
250+ | 143.76 грн |
IRLS3034TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 223.11 грн |
10+ | 193.11 грн |
25+ | 186 грн |
100+ | 164.79 грн |
250+ | 109.39 грн |
IRLS3034TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 344000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 142.18 грн |
IRLS3034TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 113.89 грн |
IRLS3034TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 146.34 грн |
1600+ | 120.66 грн |
2400+ | 113.61 грн |
5600+ | 102.29 грн |
IRLS3034TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 100.36 грн |
IRLS3034TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 322.08 грн |
44+ | 273.22 грн |
58+ | 207.41 грн |
100+ | 199.04 грн |
200+ | 174.5 грн |
500+ | 147.01 грн |
IRLS3034TRL7PP |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 157.17 грн |
250+ | 143.76 грн |
IRLS3034TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 240.27 грн |
58+ | 207.97 грн |
60+ | 200.31 грн |
100+ | 177.46 грн |
250+ | 117.81 грн |
IRLS3034TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 242.23 грн |
10+ | 195.99 грн |
100+ | 158.54 грн |
IRLS3034TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 3182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 214.17 грн |
10+ | 173.31 грн |
100+ | 140.24 грн |
IRLS3034TRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 249.67 грн |
10+ | 186.1 грн |
IRLS3034TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
63+ | 190.46 грн |
73+ | 165.53 грн |
100+ | 157.55 грн |
200+ | 150.96 грн |
500+ | 129.1 грн |
IRLS3034TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
49+ | 245.7 грн |
59+ | 205.49 грн |
63+ | 192.25 грн |
100+ | 157.46 грн |
250+ | 136.32 грн |
500+ | 111.04 грн |
IRLS3034TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 232.58 грн |
10+ | 193.14 грн |
25+ | 158.39 грн |
100+ | 135.18 грн |
250+ | 127.67 грн |
500+ | 120.16 грн |
800+ | 103.09 грн |
IRLS3034TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 119.11 грн |
IRLS3034TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 241.9 грн |
52+ | 232.68 грн |
100+ | 224.79 грн |
250+ | 210.18 грн |
500+ | 189.32 грн |
IRLS3034TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 129.45 грн |
1600+ | 106.73 грн |
2400+ | 100.5 грн |
IRLS3034TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 128.27 грн |
IRLS3034TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 228.15 грн |
10+ | 190.81 грн |
25+ | 178.52 грн |
100+ | 146.21 грн |
250+ | 126.59 грн |
500+ | 103.11 грн |
IRLS3034TRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 186.1 грн |
IRLS3036TRL |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 240A 60V 380W 0.0019Ω IRLS3036 TIRLS3036
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 240A 60V 380W 0.0019Ω IRLS3036 TIRLS3036
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 130.62 грн |
IRLS3036TRL7PP |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 232.06 грн |
5+ | 194.15 грн |
6+ | 151.48 грн |
15+ | 142.94 грн |
IRLS3036TRL7PP |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 641 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 278.47 грн |
5+ | 241.94 грн |
6+ | 181.77 грн |
15+ | 171.53 грн |
IRLS3036TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 348.01 грн |
41+ | 297.15 грн |
50+ | 294.16 грн |
200+ | 235.58 грн |
1600+ | 148.68 грн |
IRLS3036TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 143.34 грн |
2400+ | 135.3 грн |
IRLS3036TRL7PP |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 140.92 грн |
IRLS3036TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 94.78 грн |
IRLS3036TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 262.91 грн |
10+ | 212.78 грн |
100+ | 172.13 грн |
IRLS3036TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
96+ | 124.92 грн |
IRLS3036TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 172.89 грн |
10+ | 159.93 грн |
25+ | 157.33 грн |
100+ | 139.07 грн |
250+ | 103.57 грн |
IRLS3036TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 259.66 грн |
10+ | 218.26 грн |
25+ | 187.75 грн |
100+ | 156.34 грн |
250+ | 155.66 грн |
800+ | 125.62 грн |
2400+ | 118.79 грн |
IRLS3036TRL7PP |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 245.84 грн |
10+ | 173.85 грн |
100+ | 140.92 грн |
IRLS3036TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 132.23 грн |
2400+ | 124.81 грн |
IRLS3036TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 158.89 грн |
1600+ | 131.01 грн |
2400+ | 123.36 грн |
IRLS3036TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 150.52 грн |
1600+ | 124.11 грн |
IRLS3036TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 263.78 грн |
10+ | 221.18 грн |
25+ | 125.11 грн |
IRLS3036TRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 145.79 грн |
250+ | 131.95 грн |
IRLS3036TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
39+ | 312.11 грн |
46+ | 263.25 грн |
83+ | 145.58 грн |
100+ | 131.73 грн |
IRLS3036TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 131.9 грн |
IRLS3036TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 249.62 грн |
10+ | 201.54 грн |
100+ | 163.07 грн |
IRLS3036TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 85.22 грн |
IRLS3036TRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 296.39 грн |
10+ | 219.8 грн |
50+ | 189.17 грн |
100+ | 145.79 грн |
250+ | 131.95 грн |
IRLS3036TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRLS3036TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 402 грн |
32+ | 384.73 грн |
50+ | 370.07 грн |
100+ | 344.75 грн |
250+ | 309.53 грн |
500+ | 289.06 грн |
IRLS3036TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 6165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 268.42 грн |
10+ | 222.97 грн |
25+ | 173.41 грн |
100+ | 157.71 грн |
250+ | 152.93 грн |
500+ | 144.05 грн |
800+ | 120.16 грн |
IRLS3036TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 378.01 грн |
34+ | 361.77 грн |
50+ | 347.98 грн |
100+ | 324.17 грн |
250+ | 291.05 грн |
500+ | 271.81 грн |
IRLS3036TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 121.68 грн |
IRLS4030TRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C~175°C; Substitute: IRLS4030; IRLS4030TRL; IRLS4030-GURT; IRLS4030TRL obsolete; IRLS4030 TIRLS4030
кількість в упаковці: 2 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C~175°C; Substitute: IRLS4030; IRLS4030TRL; IRLS4030-GURT; IRLS4030TRL obsolete; IRLS4030 TIRLS4030
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 153.23 грн |
IRLS4030TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 132.22 грн |
IRLS4030TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 166.9 грн |
IRLS4030TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
53+ | 227.59 грн |
IRLS4030TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 200.7 грн |
1600+ | 165.48 грн |
IRLS4030TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 190A 3.9mOhm 93nC-7
MOSFET MOSFT 100V 190A 3.9mOhm 93nC-7
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 300.28 грн |
10+ | 265.37 грн |
25+ | 228.71 грн |
100+ | 204.13 грн |
250+ | 202.08 грн |
500+ | 173.41 грн |
800+ | 150.2 грн |
IRLS4030TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 180.93 грн |
IRLS4030TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
28+ | 434.76 грн |
30+ | 406.84 грн |
50+ | 309.12 грн |
100+ | 297.12 грн |
200+ | 259.08 грн |
500+ | 218.8 грн |
IRLS4030TRL7PP |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 382.93 грн |
10+ | 277.24 грн |
100+ | 230.52 грн |
500+ | 157.17 грн |
IRLS4030TRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 333.07 грн |
10+ | 268.82 грн |
100+ | 217.43 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]