Результат пошуку "3080k" : 26
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SCT3080KLGC11 | ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
SCT3080KLGC11 | ROHM - Japan |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
SCT3080KLHRC11 | ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SCT3080KRC14 | ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SCT3080KRC15 | ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SCT3080KRHRC15 | ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SCT3080KW7TL | ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
BDX-703080KW |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
NCE3080K Код товару: 211602
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
1330-80K | Delevan |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
M1330-80K | Delevan |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
MIL1330-80K | Delevan |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MKP1848H53080KK2 | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MKP1848H63080KY2 | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MKP1848H63080KY5 | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
SCT3080KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Power dissipation: 165W Case: TO247 On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT3080KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Power dissipation: 165W Case: TO247 On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT3080KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Pulsed drain current: 77A Power dissipation: 165W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT3080KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Pulsed drain current: 77A Power dissipation: 165W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT3080KW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 159W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT3080KW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 159W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
BDJ2GA3MEFJ-LBH2 | ROHM Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
EP3CLS70F780I7N | Altera |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
SCT3080KLGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1590.20 грн |
10+ | 1079.02 грн |
100+ | 932.16 грн |
SCT3080KLGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM - Japan
SiC-N-Ch 1200V 31A 165W 0,104T TO247 SCT3080KLGC11 : Rohm SCT3080KLGC11 TSCT3080klgc11
кількість в упаковці: 2 шт
SiC-N-Ch 1200V 31A 165W 0,104T TO247 SCT3080KLGC11 : Rohm SCT3080KLGC11 TSCT3080klgc11
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 1057.45 грн |
SCT3080KLHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
SiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1748.24 грн |
10+ | 1402.02 грн |
450+ | 1218.39 грн |
SCT3080KRC14 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1428.59 грн |
10+ | 875.71 грн |
100+ | 695.67 грн |
SCT3080KRC15 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1108.95 грн |
10+ | 833.47 грн |
100+ | 588.53 грн |
450+ | 573.99 грн |
SCT3080KRHRC15 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 80mohm 3rd Gen TO-247-4L
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 80mohm 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1141.98 грн |
10+ | 858.11 грн |
100+ | 632.15 грн |
450+ | 589.29 грн |
900+ | 525.01 грн |
SCT3080KW7TL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 30A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 30A N-CH SIC
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1458.95 грн |
10+ | 1098.38 грн |
1000+ | 812.00 грн |
NCE3080K Код товару: 211602
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
1330-80K |
![]() |
Виробник: Delevan
RF Inductors - SMD 330uH 10% 7ohm Unshielded SMT Ind
RF Inductors - SMD 330uH 10% 7ohm Unshielded SMT Ind
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
M1330-80K |
![]() |
Виробник: Delevan
RF Inductors - SMD M83446/25-13F, Surface Mount, Inductor, 330 uH , +/- 10%
RF Inductors - SMD M83446/25-13F, Surface Mount, Inductor, 330 uH , +/- 10%
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MIL1330-80K |
![]() |
Виробник: Delevan
RF Inductors - SMD M83446/33-13F, Surface Mount, Unshielded Inductor, 330 uH , +/- 10%
RF Inductors - SMD M83446/33-13F, Surface Mount, Unshielded Inductor, 330 uH , +/- 10%
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MKP1848H53080KK2 |
![]() |
Виробник: Vishay
Film Capacitors MKP1848H 3 F 10 800V=
Film Capacitors MKP1848H 3 F 10 800V=
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MKP1848H63080KY2 |
![]() |
Виробник: Vishay
Film Capacitors MKP1848H 30 F 10 800V=
Film Capacitors MKP1848H 30 F 10 800V=
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MKP1848H63080KY5 |
![]() |
Виробник: Vishay
Film Capacitors MKP1848H 30 F 10 800V=
Film Capacitors MKP1848H 30 F 10 800V=
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3080KLGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3080KLGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3080KLHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3080KLHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3080KW7TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT3080KW7TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BDJ2GA3MEFJ-LBH2 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
LDO Voltage Regulators 300mA 14-4.5 Vin LDO Industrial HTSOP-J8
LDO Voltage Regulators 300mA 14-4.5 Vin LDO Industrial HTSOP-J8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EP3CLS70F780I7N |
![]() |
Виробник: Altera
FPGA - Field Programmable Gate Array
FPGA - Field Programmable Gate Array
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.