Результат пошуку "50jr22" : 9

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895A3D659C47F53D5&compId=GT50JR22.pdf?ci_sign=026d365175e456f12f7385da2d4d267b6f3fba95 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22 Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.36 грн
25+255.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba GT50JR22_datasheet_en_20140106-1272565.pdf IGBTs IGBT for Soft Switching Apps
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.74 грн
25+304.60 грн
100+264.14 грн
250+214.07 грн
500+195.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT GT50JR22 600V 44А 115Вт TO-3PN
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+120.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22
Код товару: 108218
Додати до обраних Обраний товар

Toshiba gt50jr22-datasheet.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 0,25/0,33
товару немає в наявності
1+160.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S)
Код товару: 152398
Додати до обраних Обраний товар

GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSI063R0250JR22 BSI063R0250JR22 Vishay Sfernice bsi.pdf Description: RES WW AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895A3D659C47F53D5&compId=GT50JR22.pdf?ci_sign=026d365175e456f12f7385da2d4d267b6f3fba95 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895A3D659C47F53D5&compId=GT50JR22.pdf?ci_sign=026d365175e456f12f7385da2d4d267b6f3fba95
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+451.36 грн
25+255.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22_datasheet_en_20140106-1272565.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: Toshiba
IGBTs IGBT for Soft Switching Apps
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+525.74 грн
25+304.60 грн
100+264.14 грн
250+214.07 грн
500+195.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT GT50JR22 600V 44А 115Вт TO-3PN
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+120.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22
Код товару: 108218
Додати до обраних Обраний товар

gt50jr22-datasheet.pdf
Виробник: Toshiba
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 0,25/0,33
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+160.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S)
Код товару: 152398
Додати до обраних Обраний товар

GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSI063R0250JR22 bsi.pdf
BSI063R0250JR22
Виробник: Vishay Sfernice
Description: RES WW AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895A3D659C47F53D5&compId=GT50JR22.pdf?ci_sign=026d365175e456f12f7385da2d4d267b6f3fba95
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.