Результат пошуку "60n06" : > 120
Вид перегляду :
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NTB60N06L | ON |
 07+ SOT-263 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTB60N06L | ON |
SOT-263 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTB60N06LT4G |
|
на замовлення 520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| NTB60N06T4 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTB60N06T4 | ON | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTB60N06T4G | ON |
TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTP60N06 |
|
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| NTP60N06G |
|
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| NTP60N06L |
|
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| NTP60N06LG |
|
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| P60N06 | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| P60N06 | ST | TO-220 03+ |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| PHB60N06LT |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| PHD60N06 |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| PHP60N06T |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| RFG60N06 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| RFP60N06 |
на замовлення 440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SMM60N06 |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SMP60N06-18 |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SMP60N0618 | SILICONIX | 9718 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SMW60N06-18 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SPU060N06L |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SSS60N06A |
на замовлення 2344 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SSW60N06 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| ST60N06-14 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| STB60N06-14 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| STB60N06-14 | ST | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| STB60N06HDT4 |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| STP60N06 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| STP60N06-14 |
на замовлення 18530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| STP60N06-16 |
на замовлення 18530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| STP60N06FI |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SUB60N06 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SUB60N06-14 |
на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SUB60N06-18 | VISHAY | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SUB60N06-18 | VISHAY | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SUB60N0618 | SIL |
на замовлення 125 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SUM60N06-15 |
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SUP60N06 | VISHAY | 09+ |
на замовлення 3998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SUP60N06-08 |
на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SUP60N06-12P-E3 |
|
на замовлення 1014 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SUP60N06-12P-GE3 |
|
на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SUP60N06-14 |
на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SUP60N06-18 | VISHAY |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SUP60N06-18 | VISHAY | 09+ |
на замовлення 3998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| TD60N06KOF | EUPEC | 05+ |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| TT60N06KOF | EUPEC | 05+ |
на замовлення 470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
MTP60N06HD Код товару: 98093 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
|
SUP60N06-18 (мікросхеми різні) Код товару: 47627 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||
|
|
60N06 | Goford Semiconductor |
Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|
|
|
DI060N06PQ | Diotec Semiconductor |
Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|
| IAUC60N06S5L073ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||
| IAUC60N06S5L073ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||
 |
IAUC60N06S5L073ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_)40V 60V) |
товар відсутній |
|
| IAUC60N06S5N074ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||
|
|
IAUC60N06S5N074ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|
 |
IAUC60N06S5N074ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_)40V 60V) |
товар відсутній |
|
|
|
IPA060N06NM5SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Pulsed drain current: 224A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|
|
|
IPA060N06NM5SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Pulsed drain current: 224A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| IPA060N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 56A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V |
товар відсутній |
| SUP60N06-18 (мікросхеми різні) Код товару: 47627 |
товар відсутній
| 60N06 |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V
Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V
товар відсутній
| DI060N06PQ |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
товар відсутній
| IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
| IAUC60N06S5N074ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IAUC60N06S5N074ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
| IPA060N06NM5SXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 224A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 224A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IPA060N06NM5SXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 224A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 224A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| IPA060N06NM5SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 56A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 56A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V
товар відсутній