Результат пошуку "6n90" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
6N90
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF6N90 AOTF6N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8BAA50&compId=AOTF6N90-DTE.pdf?ci_sign=861ca4cb0801b52350bbdacac4dd2a977cd30a6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.29 грн
6+74.14 грн
17+58.20 грн
45+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF6N90 AOTF6N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8BAA50&compId=AOTF6N90-DTE.pdf?ci_sign=861ca4cb0801b52350bbdacac4dd2a977cd30a6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.14 грн
5+92.39 грн
17+69.84 грн
45+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF6N90 FQAF6N90 Fairchild Semiconductor FAIRS42345-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+117.38 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N90C ON-Semicoductor fqpf6n90c-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+121.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90C ON-Semicoductor fqpf6n90c-d.pdf N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G6N90F G6N90F Goford Semiconductor G6N90F.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.18 грн
10+76.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P Littelfuse Inc. DS100066BIXFN56N90P.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4237.85 грн
10+3117.55 грн
100+3028.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS media-3320142.pdf MOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4786.68 грн
10+4041.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FAIR10A S29GL256N90FAIR10A Spansion FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: S29GL256N - PARALLEL NOR MIRRORB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1456.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Category: Transistors - Unclassified
Description: STB16N90K5
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+286.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+185.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.69 грн
10+239.72 грн
100+218.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.08 грн
10+292.20 грн
100+220.41 грн
500+208.93 грн
1000+186.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+90.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.33 грн
10+158.42 грн
100+101.02 грн
500+84.95 грн
1000+81.12 грн
2500+68.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.21 грн
10+137.68 грн
100+95.33 грн
500+75.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3600D2&compId=stf16n90k5.pdf?ci_sign=a82ebb5f88800b0f4883325b42addc07ac87f8c1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.43 грн
3+327.65 грн
8+310.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3600D2&compId=stf16n90k5.pdf?ci_sign=a82ebb5f88800b0f4883325b42addc07ac87f8c1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+528.51 грн
3+408.30 грн
8+372.14 грн
100+358.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics stf16n90k5.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.26 грн
10+265.79 грн
100+183.68 грн
500+164.54 грн
1000+140.05 грн
2000+132.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.12 грн
10+121.18 грн
11+87.69 грн
30+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+195.74 грн
10+151.00 грн
11+105.23 грн
30+99.49 грн
1000+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.31 грн
50+93.62 грн
100+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf MOSFETs 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.93 грн
10+148.74 грн
100+92.60 грн
500+78.06 грн
1000+66.12 грн
2000+62.83 грн
5000+60.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI6N90K5 STI6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339602.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.36 грн
10+146.98 грн
100+91.84 грн
500+76.46 грн
1000+65.28 грн
2000+62.07 грн
5000+60.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N90K5 STU6N90K5 STMicroelectronics STU6N90K5.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.43 грн
10+140.82 грн
100+87.25 грн
500+73.70 грн
1000+67.81 грн
3000+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N90K5 STU6N90K5 STMicroelectronics STU6N90K5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.75 грн
75+86.30 грн
150+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5 STW6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339608.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.14 грн
30+83.49 грн
120+82.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5 STW6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339608.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.22 грн
10+176.02 грн
100+117.09 грн
600+86.48 грн
1200+80.36 грн
5400+78.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK6N90D1B WMK6N90D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.95 грн
12+34.20 грн
43+22.00 грн
117+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WML6N90D1 WML6N90D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+58.38 грн
10+48.87 грн
23+41.69 грн
62+39.38 грн
250+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WML6N90D1B WML6N90D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.95 грн
12+34.20 грн
43+22.00 грн
117+20.81 грн
500+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XR-A6N9-0204D XR-A6N9-0204D Quantic X-Microwave Signal Conditioning Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11817.14 грн
10+9911.86 грн
25+8411.61 грн
50+8207.27 грн
100+6739.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP6N90C 6A 900V N-ch TO-220
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
6+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CAT28C256N-90
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA6N90 FQA6N90.pdf
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA6N90C_F109 FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N90 fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N90 FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N90 FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N90 FSC FQP6N90.pdf 09+ SOT23-..
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90 FAIRCHIL FQPF6N90.pdf 09+ SOP
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GL256N90FFIR1 SPANSION BGA 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM6N90 IXY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF description MODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF description
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF description 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N-90L
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N-90L 09+
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N-90LL
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N90L SHARP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N90LL SHARP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTH6N90
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTM6N90 MOTOROLA
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10 SPANSION BGA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10 SPANSION 06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10 SPANSION 06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10A SPANSION BGA
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
6N90
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF6N90 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8BAA50&compId=AOTF6N90-DTE.pdf?ci_sign=861ca4cb0801b52350bbdacac4dd2a977cd30a6e
AOTF6N90
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.29 грн
6+74.14 грн
17+58.20 грн
45+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF6N90 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8BAA50&compId=AOTF6N90-DTE.pdf?ci_sign=861ca4cb0801b52350bbdacac4dd2a977cd30a6e
AOTF6N90
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.14 грн
5+92.39 грн
17+69.84 грн
45+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF6N90 FAIRS42345-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQAF6N90
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+117.38 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N90C fqpf6n90c-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+121.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90C fqpf6n90c-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+101.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G6N90F G6N90F.pdf
G6N90F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.18 грн
10+76.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P DS100066BIXFN56N90P.pdf
IXFN56N90P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4237.85 грн
10+3117.55 грн
100+3028.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P media-3320142.pdf
IXFN56N90P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4786.68 грн
10+4041.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FAIR10A FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
S29GL256N90FAIR10A
Виробник: Spansion
Description: S29GL256N - PARALLEL NOR MIRRORB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+1456.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: Transistors - Unclassified
Description: STB16N90K5
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+286.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
STB16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+185.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
STB16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.69 грн
10+239.72 грн
100+218.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
STB16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.08 грн
10+292.20 грн
100+220.41 грн
500+208.93 грн
1000+186.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+90.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
STD6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.33 грн
10+158.42 грн
100+101.02 грн
500+84.95 грн
1000+81.12 грн
2500+68.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
STD6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.21 грн
10+137.68 грн
100+95.33 грн
500+75.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
STD6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3600D2&compId=stf16n90k5.pdf?ci_sign=a82ebb5f88800b0f4883325b42addc07ac87f8c1
STF16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.43 грн
3+327.65 грн
8+310.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3600D2&compId=stf16n90k5.pdf?ci_sign=a82ebb5f88800b0f4883325b42addc07ac87f8c1
STF16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.51 грн
3+408.30 грн
8+372.14 грн
100+358.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 stf16n90k5.pdf
STF16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.26 грн
10+265.79 грн
100+183.68 грн
500+164.54 грн
1000+140.05 грн
2000+132.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.12 грн
10+121.18 грн
11+87.69 грн
30+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.74 грн
10+151.00 грн
11+105.23 грн
30+99.49 грн
1000+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.31 грн
50+93.62 грн
100+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.93 грн
10+148.74 грн
100+92.60 грн
500+78.06 грн
1000+66.12 грн
2000+62.83 грн
5000+60.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI6N90K5 en.DM00339602.pdf
STI6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.36 грн
10+146.98 грн
100+91.84 грн
500+76.46 грн
1000+65.28 грн
2000+62.07 грн
5000+60.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N90K5 STU6N90K5.pdf
STU6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.43 грн
10+140.82 грн
100+87.25 грн
500+73.70 грн
1000+67.81 грн
3000+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N90K5 STU6N90K5.pdf
STU6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.75 грн
75+86.30 грн
150+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5 en.DM00339608.pdf
STW6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.14 грн
30+83.49 грн
120+82.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5 en.DM00339608.pdf
STW6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.22 грн
10+176.02 грн
100+117.09 грн
600+86.48 грн
1200+80.36 грн
5400+78.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK6N90D1B
WMK6N90D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.95 грн
12+34.20 грн
43+22.00 грн
117+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WML6N90D1
WML6N90D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.38 грн
10+48.87 грн
23+41.69 грн
62+39.38 грн
250+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WML6N90D1B
WML6N90D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.95 грн
12+34.20 грн
43+22.00 грн
117+20.81 грн
500+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XR-A6N9-0204D
XR-A6N9-0204D
Виробник: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11817.14 грн
10+9911.86 грн
25+8411.61 грн
50+8207.27 грн
100+6739.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP6N90C 6A 900V N-ch TO-220
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CAT28C256N-90
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA6N90 FQA6N90.pdf
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA6N90C_F109
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N90
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N90
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N90
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N90 FQP6N90.pdf
Виробник: FSC
09+ SOT23-..
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90 FQPF6N90.pdf
Виробник: FAIRCHIL
09+ SOP
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GL256N90FFIR1
Виробник: SPANSION
BGA 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM6N90
Виробник: IXY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90 description media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90 description media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90 description media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N-90L
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N-90L
09+
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N-90LL
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N90L
Виробник: SHARP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N90LL
Виробник: SHARP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTH6N90
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTM6N90
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10
Виробник: SPANSION
BGA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10
Виробник: SPANSION
06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10
Виробник: SPANSION
06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10A
Виробник: SPANSION
BGA
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]