Результат пошуку "6n90" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
6N90
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOTF6N90 AOTF6N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF6N90-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.35 грн
6+ 66.47 грн
17+ 48.83 грн
45+ 46.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOTF6N90 AOTF6N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF6N90-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 984 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+96.42 грн
5+ 82.83 грн
17+ 58.6 грн
45+ 55.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQAF6N90 FQAF6N90 Fairchild Semiconductor FAIRS42345-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+87.8 грн
Мінімальне замовлення: 222
FQP6N90C ON-Semicoductor fqpf6n90c-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+112.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQPF6N90C ON-Semicoductor fqpf6n90c-d.pdf N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+86.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS media-3320142.pdf Discrete Semiconductor Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 566-575 дні (днів)
1+4162.89 грн
10+ 3730.52 грн
20+ 3135.84 грн
S29GL256N90FAIR10A S29GL256N90FAIR10A Spansion FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: S29GL256N - PARALLEL NOR MIRRORB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1408.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+223.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.77 грн
10+ 349.3 грн
100+ 282.58 грн
500+ 235.73 грн
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5-1850275.pdf MOSFET N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.47 грн
10+ 388.63 грн
25+ 273.47 грн
100+ 272.82 грн
250+ 242.87 грн
500+ 207.71 грн
1000+ 195.34 грн
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics std6n90k5-1850595.pdf MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.08 грн
10+ 149.76 грн
100+ 104.18 грн
250+ 99.62 грн
500+ 87.25 грн
1000+ 74.23 грн
2500+ 70.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.9 грн
5000+ 70.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.34 грн
10+ 134.63 грн
100+ 107.17 грн
500+ 85.1 грн
1000+ 72.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics stf16n90k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+460.17 грн
3+ 301.83 грн
8+ 284.87 грн
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics stf16n90k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+552.21 грн
3+ 376.12 грн
8+ 341.84 грн
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics stf16n90k5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.77 грн
10+ 349.3 грн
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics stf16n90k5-1652728.pdf MOSFET N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.47 грн
10+ 388.63 грн
25+ 336.63 грн
100+ 279.33 грн
500+ 248.08 грн
1000+ 207.71 грн
2000+ 195.34 грн
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+142.98 грн
50+ 110.48 грн
100+ 90.9 грн
500+ 72.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics stf6n90k5-1850574.pdf MOSFET 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+155.73 грн
10+ 123.55 грн
100+ 88.55 грн
250+ 85.95 грн
500+ 74.23 грн
1000+ 62.96 грн
2000+ 59.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
STI6N90K5 STI6N90K5 STMicroelectronics sti6n90k5-1850818.pdf MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.36 грн
10+ 133.29 грн
100+ 94.41 грн
250+ 82.69 грн
1000+ 67.07 грн
2000+ 63.62 грн
5000+ 61.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
STI6N90K5 STI6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339602.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.37 грн
50+ 120.69 грн
100+ 99.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP6N90K5 STP6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339586.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+147.21 грн
50+ 113.74 грн
100+ 93.59 грн
500+ 74.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP6N90K5 STP6N90K5 STMicroelectronics stp6n90k5-1851557.pdf MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+159.53 грн
10+ 126.55 грн
100+ 91.16 грн
500+ 76.83 грн
1000+ 66.42 грн
2000+ 61.14 грн
5000+ 59.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU6N90K5 STU6N90K5 STMicroelectronics stu6n90k5-1852077.pdf MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.43 грн
10+ 96.6 грн
100+ 73.58 грн
250+ 65.76 грн
500+ 62.96 грн
1000+ 56.71 грн
3000+ 54.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
STU6N90K5 STU6N90K5 STMicroelectronics STU6N90K5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.23 грн
75+ 104.68 грн
150+ 86.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW6N90K5 STW6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339608.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.02 грн
30+ 139.65 грн
120+ 114.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW6N90K5 STW6N90K5 STMicroelectronics stw6n90k5-1851957.pdf MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.75 грн
10+ 128.79 грн
100+ 99.62 грн
250+ 88.55 грн
600+ 80.09 грн
1200+ 75.53 грн
3000+ 73.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMK6N90D1B WMK6N90D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.1 грн
11+ 33.37 грн
43+ 18.65 грн
116+ 17.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
WMK6N90D1B WMK6N90D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 399 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.72 грн
10+ 41.58 грн
43+ 22.38 грн
116+ 21.16 грн
2000+ 20.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
WML6N90D1 WML6N90D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.19 грн
10+ 47.68 грн
23+ 35.34 грн
62+ 33.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
WML6N90D1 WML6N90D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+68.63 грн
10+ 59.42 грн
23+ 42.4 грн
62+ 40.13 грн
2000+ 39.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML6N90D1B WML6N90D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.1 грн
11+ 33.37 грн
43+ 18.65 грн
116+ 17.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
WML6N90D1B WML6N90D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 326 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.72 грн
10+ 41.58 грн
43+ 22.38 грн
116+ 21.16 грн
2000+ 20.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
XR-A6N9-0204D XR-A6N9-0204D Quantic X-Microwave Signal Conditioning Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5369.22 грн
10+ 5159.98 грн
CAT28C256N-90
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA6N90 FQA6N90.pdf
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA6N90C_F109 FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N90 fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N90 FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N90 FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP6N90 FSC FQP6N90.pdf 09+ SOT23-..
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF6N90 FAIRCHIL FQPF6N90.pdf 09+ SOP
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GL256N90FFIR1 SPANSION BGA 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFM6N90 IXY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN26N90 IXYS 97526.pdf description MODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN26N90 IXYS 97526.pdf description
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN26N90 IXYS 97526.pdf description 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LH52256N-90L
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LH52256N-90L 09+
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LH52256N-90LL
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LH52256N90L SHARP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LH52256N90LL SHARP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTH6N90
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTM6N90 MOTOROLA
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S29GL256N90
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S29GL256N90FFIR10 SPANSION BGA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S29GL256N90FFIR10 SPANSION 06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S29GL256N90FFIR10 SPANSION 06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S29GL256N90FFIR10A SPANSION BGA
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
6N90
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOTF6N90 AOTF6N90-DTE.pdf
AOTF6N90
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.35 грн
6+ 66.47 грн
17+ 48.83 грн
45+ 46.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOTF6N90 AOTF6N90-DTE.pdf
AOTF6N90
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 984 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.42 грн
5+ 82.83 грн
17+ 58.6 грн
45+ 55.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQAF6N90 FAIRS42345-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQAF6N90
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
222+87.8 грн
Мінімальне замовлення: 222
FQP6N90C fqpf6n90c-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+112.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQPF6N90C fqpf6n90c-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+86.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
IXFN56N90P media-3320142.pdf
IXFN56N90P
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 566-575 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4162.89 грн
10+ 3730.52 грн
20+ 3135.84 грн
S29GL256N90FAIR10A FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
S29GL256N90FAIR10A
Виробник: Spansion
Description: S29GL256N - PARALLEL NOR MIRRORB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+1408.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
STB16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+223.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
STB16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+431.77 грн
10+ 349.3 грн
100+ 282.58 грн
500+ 235.73 грн
STB16N90K5 stb16n90k5-1850275.pdf
STB16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+469.47 грн
10+ 388.63 грн
25+ 273.47 грн
100+ 272.82 грн
250+ 242.87 грн
500+ 207.71 грн
1000+ 195.34 грн
STD6N90K5 std6n90k5-1850595.pdf
STD6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.08 грн
10+ 149.76 грн
100+ 104.18 грн
250+ 99.62 грн
500+ 87.25 грн
1000+ 74.23 грн
2500+ 70.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
STD6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+75.9 грн
5000+ 70.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
STD6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.34 грн
10+ 134.63 грн
100+ 107.17 грн
500+ 85.1 грн
1000+ 72.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N90K5 stf16n90k5.pdf
STF16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+460.17 грн
3+ 301.83 грн
8+ 284.87 грн
STF16N90K5 stf16n90k5.pdf
STF16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+552.21 грн
3+ 376.12 грн
8+ 341.84 грн
STF16N90K5 stf16n90k5.pdf
STF16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+431.77 грн
10+ 349.3 грн
STF16N90K5 stf16n90k5-1652728.pdf
STF16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+469.47 грн
10+ 388.63 грн
25+ 336.63 грн
100+ 279.33 грн
500+ 248.08 грн
1000+ 207.71 грн
2000+ 195.34 грн
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+142.98 грн
50+ 110.48 грн
100+ 90.9 грн
500+ 72.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N90K5 stf6n90k5-1850574.pdf
STF6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.73 грн
10+ 123.55 грн
100+ 88.55 грн
250+ 85.95 грн
500+ 74.23 грн
1000+ 62.96 грн
2000+ 59.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
STI6N90K5 sti6n90k5-1850818.pdf
STI6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.36 грн
10+ 133.29 грн
100+ 94.41 грн
250+ 82.69 грн
1000+ 67.07 грн
2000+ 63.62 грн
5000+ 61.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
STI6N90K5 en.DM00339602.pdf
STI6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.37 грн
50+ 120.69 грн
100+ 99.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP6N90K5 en.DM00339586.pdf
STP6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+147.21 грн
50+ 113.74 грн
100+ 93.59 грн
500+ 74.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP6N90K5 stp6n90k5-1851557.pdf
STP6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.53 грн
10+ 126.55 грн
100+ 91.16 грн
500+ 76.83 грн
1000+ 66.42 грн
2000+ 61.14 грн
5000+ 59.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU6N90K5 stu6n90k5-1852077.pdf
STU6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.43 грн
10+ 96.6 грн
100+ 73.58 грн
250+ 65.76 грн
500+ 62.96 грн
1000+ 56.71 грн
3000+ 54.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
STU6N90K5 STU6N90K5.pdf
STU6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.23 грн
75+ 104.68 грн
150+ 86.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW6N90K5 en.DM00339608.pdf
STW6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.02 грн
30+ 139.65 грн
120+ 114.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW6N90K5 stw6n90k5-1851957.pdf
STW6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.75 грн
10+ 128.79 грн
100+ 99.62 грн
250+ 88.55 грн
600+ 80.09 грн
1200+ 75.53 грн
3000+ 73.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMK6N90D1B
WMK6N90D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.1 грн
11+ 33.37 грн
43+ 18.65 грн
116+ 17.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
WMK6N90D1B
WMK6N90D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 399 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.72 грн
10+ 41.58 грн
43+ 22.38 грн
116+ 21.16 грн
2000+ 20.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
WML6N90D1
WML6N90D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+57.19 грн
10+ 47.68 грн
23+ 35.34 грн
62+ 33.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
WML6N90D1
WML6N90D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+68.63 грн
10+ 59.42 грн
23+ 42.4 грн
62+ 40.13 грн
2000+ 39.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML6N90D1B
WML6N90D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.1 грн
11+ 33.37 грн
43+ 18.65 грн
116+ 17.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
WML6N90D1B
WML6N90D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 326 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.72 грн
10+ 41.58 грн
43+ 22.38 грн
116+ 21.16 грн
2000+ 20.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
XR-A6N9-0204D
XR-A6N9-0204D
Виробник: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5369.22 грн
10+ 5159.98 грн
CAT28C256N-90
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA6N90 FQA6N90.pdf
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA6N90C_F109
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N90
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N90
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB6N90
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP6N90 FQP6N90.pdf
Виробник: FSC
09+ SOT23-..
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF6N90 FQPF6N90.pdf
Виробник: FAIRCHIL
09+ SOP
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GL256N90FFIR1
Виробник: SPANSION
BGA 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFM6N90
Виробник: IXY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN26N90 description 97526.pdf
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN26N90 description 97526.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN26N90 description 97526.pdf
Виробник: IXYS
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LH52256N-90L
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LH52256N-90L
09+
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LH52256N-90LL
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LH52256N90L
Виробник: SHARP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LH52256N90LL
Виробник: SHARP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTH6N90
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTM6N90
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S29GL256N90
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S29GL256N90FFIR10
Виробник: SPANSION
BGA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S29GL256N90FFIR10
Виробник: SPANSION
06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S29GL256N90FFIR10
Виробник: SPANSION
06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S29GL256N90FFIR10A
Виробник: SPANSION
BGA
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]