Результат пошуку "6n90" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
6N90 WXDH Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2.3Ohm; 6A; 120W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP6NK90Z; 6N90 DONGHAI TDH6n90
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
6N90
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF6N90 AOTF6N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8BAA50&compId=AOTF6N90-DTE.pdf?ci_sign=861ca4cb0801b52350bbdacac4dd2a977cd30a6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.25 грн
6+73.28 грн
17+57.52 грн
45+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF6N90 AOTF6N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8BAA50&compId=AOTF6N90-DTE.pdf?ci_sign=861ca4cb0801b52350bbdacac4dd2a977cd30a6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.90 грн
5+91.32 грн
17+69.02 грн
45+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF6N90 FQAF6N90 Fairchild Semiconductor FAIRS42345-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+115.81 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N90C ON-Semicoductor fqpf6n90c-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+110.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90C ON-Semicoductor fqpf6n90c-d.pdf N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G6N90F G6N90F Goford Semiconductor G6N90F.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.74 грн
10+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS DS100066BIXFN56N90P.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4181.21 грн
10+3075.94 грн
100+2987.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN56N90P-Datasheet.PDF MOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4520.99 грн
10+3994.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FAIR10A S29GL256N90FAIR10A Spansion FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: S29GL256N - PARALLEL NOR MIRRORB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1727.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.86 грн
10+226.17 грн
100+188.35 грн
500+183.81 грн
1000+177.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+183.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.66 грн
10+220.62 грн
100+216.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.86 грн
10+149.62 грн
100+90.77 грн
500+76.40 грн
1000+68.99 грн
2500+62.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.65 грн
10+135.84 грн
100+94.04 грн
500+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3600D2&compId=stf16n90k5.pdf?ci_sign=a82ebb5f88800b0f4883325b42addc07ac87f8c1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.08 грн
3+307.30 грн
5+295.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3600D2&compId=stf16n90k5.pdf?ci_sign=a82ebb5f88800b0f4883325b42addc07ac87f8c1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+491.82 грн
2+383.92 грн
3+368.75 грн
5+354.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics stf16n90k5.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.13 грн
10+251.40 грн
100+199.69 грн
500+186.08 грн
1000+132.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+186.68 грн
10+92.98 грн
11+86.67 грн
30+81.95 грн
50+78.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+224.02 грн
10+115.86 грн
11+104.01 грн
30+98.33 грн
50+94.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf MOSFETs 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.33 грн
10+100.91 грн
100+70.88 грн
500+61.88 грн
1000+58.40 грн
2000+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.65 грн
50+90.31 грн
100+85.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI6N90K5 STI6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339602.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.15 грн
10+132.22 грн
100+81.69 грн
500+68.99 грн
1000+59.23 грн
2000+56.35 грн
5000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N90K5 STP6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339586.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.27 грн
10+132.22 грн
100+81.69 грн
500+68.99 грн
1000+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N90K5 STU6N90K5 STMicroelectronics STU6N90K5.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.74 грн
10+130.48 грн
100+80.94 грн
500+67.62 грн
1000+58.17 грн
3000+55.22 грн
6000+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N90K5 STU6N90K5 STMicroelectronics STU6N90K5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.47 грн
75+90.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5 STW6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339608.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.80 грн
10+93.95 грн
100+76.40 грн
600+75.49 грн
3000+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5 STW6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339608.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.92 грн
30+82.73 грн
120+78.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK6N90D1B WMK6N90D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.16 грн
12+34.20 грн
43+21.83 грн
117+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WML6N90D1 WML6N90D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+58.55 грн
10+48.77 грн
23+41.29 грн
62+39.00 грн
250+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WML6N90D1B WML6N90D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+59.40 грн
11+37.35 грн
43+21.98 грн
116+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XR-A6N9-0204D XR-A6N9-0204D Quantic X-Microwave RF Development Tools Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5820.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP6N90C 6A 900V N-ch TO-220
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
6+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CAT28C256N-90
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA6N90 FQA6N90.pdf
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA6N90C_F109 FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N90 fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N90 FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N90 FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N90 FSC FQP6N90.pdf 09+ SOT23-..
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90 FAIRCHIL FQPF6N90.pdf 09+ SOP
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GL256N90FFIR1 SPANSION BGA 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM6N90 IXY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF description MODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF description
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF description 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N-90L
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N-90L 09+
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N-90LL
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N90L SHARP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N90LL SHARP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTH6N90
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTM6N90 MOTOROLA
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10 SPANSION BGA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10 SPANSION 06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10 SPANSION 06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10A SPANSION BGA
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
6N90
Виробник: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2.3Ohm; 6A; 120W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP6NK90Z; 6N90 DONGHAI TDH6n90
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
6N90
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF6N90 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8BAA50&compId=AOTF6N90-DTE.pdf?ci_sign=861ca4cb0801b52350bbdacac4dd2a977cd30a6e
AOTF6N90
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.25 грн
6+73.28 грн
17+57.52 грн
45+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF6N90 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D8BAA50&compId=AOTF6N90-DTE.pdf?ci_sign=861ca4cb0801b52350bbdacac4dd2a977cd30a6e
AOTF6N90
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.90 грн
5+91.32 грн
17+69.02 грн
45+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF6N90 FAIRS42345-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQAF6N90
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+115.81 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N90C fqpf6n90c-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+110.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90C fqpf6n90c-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+101.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G6N90F G6N90F.pdf
G6N90F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.74 грн
10+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P DS100066BIXFN56N90P.pdf
IXFN56N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4181.21 грн
10+3075.94 грн
100+2987.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN56N90P-Datasheet.PDF
IXFN56N90P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4520.99 грн
10+3994.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FAIR10A FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
S29GL256N90FAIR10A
Виробник: Spansion
Description: S29GL256N - PARALLEL NOR MIRRORB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1727.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
STB16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.86 грн
10+226.17 грн
100+188.35 грн
500+183.81 грн
1000+177.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
STB16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+183.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
STB16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.66 грн
10+220.62 грн
100+216.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
STD6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.86 грн
10+149.62 грн
100+90.77 грн
500+76.40 грн
1000+68.99 грн
2500+62.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
STD6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
STD6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.65 грн
10+135.84 грн
100+94.04 грн
500+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3600D2&compId=stf16n90k5.pdf?ci_sign=a82ebb5f88800b0f4883325b42addc07ac87f8c1
STF16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.08 грн
3+307.30 грн
5+295.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3600D2&compId=stf16n90k5.pdf?ci_sign=a82ebb5f88800b0f4883325b42addc07ac87f8c1
STF16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.82 грн
2+383.92 грн
3+368.75 грн
5+354.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 stf16n90k5.pdf
STF16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.13 грн
10+251.40 грн
100+199.69 грн
500+186.08 грн
1000+132.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.68 грн
10+92.98 грн
11+86.67 грн
30+81.95 грн
50+78.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.02 грн
10+115.86 грн
11+104.01 грн
30+98.33 грн
50+94.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.33 грн
10+100.91 грн
100+70.88 грн
500+61.88 грн
1000+58.40 грн
2000+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.65 грн
50+90.31 грн
100+85.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI6N90K5 en.DM00339602.pdf
STI6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.15 грн
10+132.22 грн
100+81.69 грн
500+68.99 грн
1000+59.23 грн
2000+56.35 грн
5000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP6N90K5 en.DM00339586.pdf
STP6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.27 грн
10+132.22 грн
100+81.69 грн
500+68.99 грн
1000+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N90K5 STU6N90K5.pdf
STU6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.74 грн
10+130.48 грн
100+80.94 грн
500+67.62 грн
1000+58.17 грн
3000+55.22 грн
6000+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N90K5 STU6N90K5.pdf
STU6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.47 грн
75+90.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5 en.DM00339608.pdf
STW6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.80 грн
10+93.95 грн
100+76.40 грн
600+75.49 грн
3000+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW6N90K5 en.DM00339608.pdf
STW6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.92 грн
30+82.73 грн
120+78.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK6N90D1B
WMK6N90D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.16 грн
12+34.20 грн
43+21.83 грн
117+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WML6N90D1
WML6N90D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.55 грн
10+48.77 грн
23+41.29 грн
62+39.00 грн
250+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WML6N90D1B
WML6N90D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.40 грн
11+37.35 грн
43+21.98 грн
116+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XR-A6N9-0204D
XR-A6N9-0204D
Виробник: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5820.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP6N90C 6A 900V N-ch TO-220
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CAT28C256N-90
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA6N90 FQA6N90.pdf
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA6N90C_F109
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N90
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N90
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N90
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N90 FQP6N90.pdf
Виробник: FSC
09+ SOT23-..
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90 FQPF6N90.pdf
Виробник: FAIRCHIL
09+ SOP
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GL256N90FFIR1
Виробник: SPANSION
BGA 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM6N90
Виробник: IXY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90 description media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90 description media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90 description media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N-90L
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N-90L
09+
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N-90LL
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N90L
Виробник: SHARP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH52256N90LL
Виробник: SHARP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTH6N90
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTM6N90
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10
Виробник: SPANSION
BGA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10
Виробник: SPANSION
06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10
Виробник: SPANSION
06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFIR10A
Виробник: SPANSION
BGA
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]