Результат пошуку "BSS84" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1475 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 580 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 639 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS84 Код товару: 10019
Додати до обраних
Обраний товар
|
ON/ JCST |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 50 В Струм стоку Id, А: 0,13 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 40/ - Монтаж: SMD |
на замовлення: 120 шт
|
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 Код товару: 187507
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
UMW |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 50 В Струм стоку Id, А: 0,13 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 73/0,9 Монтаж: SMD |
у наявності: 2491 шт
на замовлення: 3 шт
|
|
||||||||||||||||||
|
BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Код товару: 188580
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSCJ |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 50 В Струм стоку Id, А: 0,13 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,7 Ом Монтаж: SMD |
у наявності: 3139 шт
|
|
|||||||||||||||||||
|
BSS84P Код товару: 122858
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Id, А: 0,17 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 15/1 Монтаж: SMD |
у наявності: 573 шт
|
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.36W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Case: SOT23 Gate charge: 1.3nC Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
на замовлення 21767 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS84 | Fairchild/ON Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BSS84 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | onsemi |
MOSFETs SOT-23 P-CH ENHANCE |
на замовлення 429841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 33336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 33336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 174 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | YY |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YYкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | HT SEMI |
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMIкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | YFW |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 cкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | SLKOR |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLKкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | AnBon |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANBкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | LMSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 LMSEMI TBSS84 LMSкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXYкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | MERRY |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 MERRY TBSS84 MERкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5997 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | GALAXY |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GALкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | REALCHIP |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS84AK,215; BSS84 SOT23 REALCHIP TBSS84 REAкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSMкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | Createk Microelectronics |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 200mA; 720mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 CREATEK TBSS84 CREкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 UMW TBSS84 UMWкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | YFW |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 cкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | SHIKUES |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHKкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | HT SEMI |
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMIкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | YFW |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 cкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | SLKOR |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLKкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 580 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | AnBon |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANBкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 216 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | LGE |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 SOT23 LGE TBSS84 LGEкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 11987 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 B84 | JUXING |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JUXING TBSS84 JUXкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS84,215 | NXP |
SOT-23 Транзистори |
на замовлення 51 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSS84,215 | NXP |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXPкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2047 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84,215 | NXP |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXPкількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84,215 | NXP |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXPкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 543 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84,215 | NXP |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXPкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1197 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84,215-CN | CHIPNOBO |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84,215-CN CHIPNOBO TBSS84 CNBкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS84-7-F | Diodes INC. |
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 639 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BSS84-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 6957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 6957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84-7-F | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BSS84-7-F - MOSFET, P CHANNEL, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3, FULL REELtariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
BSS84-7-F | DIODES/ZETEX |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-7-F; BSS84-13-F; BSS84-7-F TBSS84 DIODESкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2602 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84-F2-0000HF | YY |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YYкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84-PD | NextGen Components |
Description: MOSFET P-CH -60V -0.17A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 30 V |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84-TD | TDSEMIC |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84-TD TDSEMIC TBSS84 TDSкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84-TP | Micro Commercial Components |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS8402DW-7-F | Vishay Semiconductor |
Транзистор польовий N+P, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,25, Udss, В = 60, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 @ 250 мкА, Id2 = 115 мА,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BSS8402DW-7-F | DIODES/ZETEX |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BSS8402DW-7-F | DIODES/ZETEX |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BSS8402DWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V Type of transistor: N/P-MOSFET Drain-source voltage: 60/-50V Drain current: 0.115/-0.13A Power dissipation: 0.2W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10/13.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Case: SOT363 Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Application: automotive industry Kind of package: 13 inch reel; tape |
на замовлення 4906 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84AHZGT116 | Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL SPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84AHZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84AHZGT116 | Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL SPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84AHZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84AK,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSS84 Код товару: 10019
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON/ JCST
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 0,13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 40/ -
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 0,13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 40/ -
Монтаж: SMD
на замовлення: 120 шт
- 120 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.40 грн |
| BSS84 Код товару: 187507
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: UMW
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 0,13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 73/0,9
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 0,13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 73/0,9
Монтаж: SMD
у наявності: 2491 шт
- 2224 шт - склад
- 190 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 52 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 3 шт
- 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.50 грн |
| BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Код товару: 188580
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: JSCJ
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 0,13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,7 Ом
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 0,13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,7 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 3139 шт
- 2770 шт - склад
- 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 90 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 79 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 13+ | 1.60 грн |
| 100+ | 1.35 грн |
| BSS84P Код товару: 122858
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 0,17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 15/1
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 0,17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 15/1
Монтаж: SMD
у наявності: 573 шт
- 347 шт - склад
- 42 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 50 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 84 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 2.80 грн |
| 100+ | 2.40 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Gate charge: 1.3nC
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Gate charge: 1.3nC
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 21767 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 23.98 грн |
| 28+ | 15.33 грн |
| 50+ | 10.74 грн |
| 100+ | 9.20 грн |
| 500+ | 6.56 грн |
| 1000+ | 5.73 грн |
| 1500+ | 5.31 грн |
| 3000+ | 4.68 грн |
| 6000+ | 4.18 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.35 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.22 грн |
| 20+ | 15.96 грн |
| 50+ | 11.52 грн |
| 100+ | 9.43 грн |
| 500+ | 7.00 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-23 P-CH ENHANCE
MOSFETs SOT-23 P-CH ENHANCE
на замовлення 429841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 33336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.88 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 33336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.76 грн |
| 6000+ | 5.01 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.95 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.01 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: YY
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.87 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: HT SEMI
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMI
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMI
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.78 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.90 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.99 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: AnBon
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1.29 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: LMSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 LMSEMI TBSS84 LMS
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 LMSEMI TBSS84 LMS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.67 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.16 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: MERRY
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 MERRY TBSS84 MER
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 MERRY TBSS84 MER
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.67 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: GALAXY
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.08 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: REALCHIP
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS84AK,215; BSS84 SOT23 REALCHIP TBSS84 REA
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS84AK,215; BSS84 SOT23 REALCHIP TBSS84 REA
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.98 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.87 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: Createk Microelectronics
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 200mA; 720mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 CREATEK TBSS84 CRE
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 200mA; 720mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 CREATEK TBSS84 CRE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.93 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 UMW TBSS84 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 UMW TBSS84 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1.22 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.90 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: SHIKUES
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.10 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: HT SEMI
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMI
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMI
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.78 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.90 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.99 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: AnBon
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1.29 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: LGE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 SOT23 LGE TBSS84 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 SOT23 LGE TBSS84 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 11987 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.87 грн |
| BSS84 B84 |
![]() |
Виробник: JUXING
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JUXING TBSS84 JUX
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JUXING TBSS84 JUX
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.95 грн |
| BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NXP
SOT-23 Транзистори
SOT-23 Транзистори
на замовлення 51 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 15.29 грн |
| BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NXP
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXP
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.35 грн |
| BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NXP
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXP
кількість в упаковці: 20 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXP
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 30.11 грн |
| BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NXP
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXP
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 543 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.35 грн |
| BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NXP
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXP
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.35 грн |
| BSS84,215-CN |
![]() |
Виробник: CHIPNOBO
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84,215-CN CHIPNOBO TBSS84 CNB
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84,215-CN CHIPNOBO TBSS84 CNB
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.84 грн |
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes INC.
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.68 грн |
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 6957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 6957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BSS84-7-F - MOSFET, P CHANNEL, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3, FULL REEL
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
directShipCharge: 25
Description: MULTICOMP PRO - BSS84-7-F - MOSFET, P CHANNEL, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3, FULL REEL
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-7-F; BSS84-13-F; BSS84-7-F TBSS84 DIODES
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-7-F; BSS84-13-F; BSS84-7-F TBSS84 DIODES
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 1.69 грн |
| BSS84-F2-0000HF |
![]() |
Виробник: YY
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.87 грн |
| BSS84-PD |
![]() |
Виробник: NextGen Components
Description: MOSFET P-CH -60V -0.17A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 30 V
Description: MOSFET P-CH -60V -0.17A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 30 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12000+ | 4.19 грн |
| BSS84-TD |
![]() |
Виробник: TDSEMIC
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84-TD TDSEMIC TBSS84 TDS
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84-TD TDSEMIC TBSS84 TDS
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.65 грн |
| BSS84-TP |
![]() |
Виробник: Micro Commercial Components
Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 3.58 грн |
| BSS8402DW-7-F |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductor
Транзистор польовий N+P, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,25, Udss, В = 60, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 @ 250 мкА, Id2 = 115 мА,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор польовий N+P, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,25, Udss, В = 60, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 @ 250 мкА, Id2 = 115 мА,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.42 грн |
| BSS8402DW-7-F |
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW
кількість в упаковці: 20 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 30.11 грн |
| BSS8402DW-7-F |
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW
кількість в упаковці: 20 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 30.11 грн |
| BSS8402DWQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Drain-source voltage: 60/-50V
Drain current: 0.115/-0.13A
Power dissipation: 0.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10/13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
Kind of package: 13 inch reel; tape
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Drain-source voltage: 60/-50V
Drain current: 0.115/-0.13A
Power dissipation: 0.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10/13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 21.49 грн |
| 36+ | 12.16 грн |
| 100+ | 10.79 грн |
| 500+ | 10.71 грн |
| BSS84AHZGT116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.23 грн |
| BSS84AHZGT116 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84AHZGT116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.62 грн |
| 14+ | 22.20 грн |
| 50+ | 16.05 грн |
| 100+ | 13.17 грн |
| 500+ | 9.87 грн |
| BSS84AHZGT116 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84AK,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 12.01 грн |
| 44+ | 7.01 грн |
| 63+ | 4.96 грн |
| 100+ | 4.04 грн |
| 500+ | 2.93 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]















