Результат пошуку "Fr5305" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR5305PBF IRFR5305PBF
Код товару: 2560
Додати до обраних Обраний товар

IR irfr5305pbf.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 357 шт
236 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
56 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR
Код товару: 185048
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 331 шт
259 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
1+40.00 грн
10+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FR5305 IR 04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305 AUIRFR5305 Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305 Infineon auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+110.47 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.98 грн
10+163.09 грн
100+114.06 грн
500+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.49 грн
10+170.46 грн
100+119.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305 JSMicro Semiconductor Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305 SLKOR Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305T HXY MOSFET Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR Infineon e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR UMW e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR Infineon e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 28965 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR Infineon e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR UMW e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR Infineon e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 11406 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR JGSEMI e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR UMW e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR Infineon e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.52 грн
10+55.58 грн
20+47.58 грн
100+35.55 грн
200+32.78 грн
500+30.40 грн
3000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.43 грн
10+69.26 грн
20+57.10 грн
100+42.66 грн
200+39.33 грн
500+36.48 грн
3000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 17698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.75 грн
10+74.82 грн
100+53.84 грн
500+40.05 грн
1000+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 6694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.25 грн
10+80.41 грн
100+50.47 грн
500+40.36 грн
1000+37.39 грн
3000+33.14 грн
6000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 17650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.79 грн
6000+32.16 грн
9000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.79 грн
10+54.79 грн
25+47.50 грн
100+38.79 грн
500+31.04 грн
1000+28.42 грн
2000+26.13 грн
4000+23.99 грн
6000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8059 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.55 грн
10+68.27 грн
25+57.00 грн
100+46.55 грн
500+37.24 грн
1000+34.11 грн
2000+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.20 грн
4000+26.92 грн
6000+25.82 грн
10000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 40141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.35 грн
10+66.35 грн
100+44.21 грн
500+32.58 грн
1000+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 37326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.95 грн
10+62.58 грн
100+42.56 грн
500+33.44 грн
1000+30.55 грн
2000+27.97 грн
4000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRFR5305TR UMWIRFR5305TR UMW e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.95 грн
10+62.31 грн
100+41.37 грн
500+30.40 грн
1000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IRFR5305TRPBF Infineon Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+73.32 грн
10+54.47 грн
100+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFR5305TRPBF; -31A; -55V; 110W; 0,065R; P-MOSFET; Корпус: DPAK; INFINEON (шт)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305 IR TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305 IR 07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305 IR 08+ SOD-323
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305/PBF
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff IRFR5305PBF Транзисторы
на замовлення 109 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF International Rectifier/Infineon irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRL IRFR%2CU5305.pdf
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF International Rectifier/Infineon infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А; 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK
на замовлення 321 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description P-ch. DPAK TO-252
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HYG450P06LA1D HUAYI Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF
Код товару: 4177
Додати до обраних Обраний товар

IR irfr5305.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+31.00 грн
10+27.80 грн
100+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305 AUIRFR5305 Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E00F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr5305.pdf?ci_sign=8ba5a50746c52b1d874a77eb183958227fbf42c2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -110A
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305CPBF IRFR5305CPBF Infineon Technologies IRFR%20U5305.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRL IRFR5305TRL Infineon Technologies IRFR%2CU5305.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRR IRFR5305TRR Infineon Technologies IRFR%2CU5305.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRRPBF IRFR5305TRRPBF Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRFR5305TR UMWIRFR5305TR UMW e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF
Код товару: 2560
Додати до обраних Обраний товар

irfr5305pbf.pdf
IRFR5305PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 357 шт
236 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
56 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR
Код товару: 185048
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 331 шт
259 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FR5305
Виробник: IR
04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305 auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305 auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
Виробник: Infineon
MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+110.47 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.98 грн
10+163.09 грн
100+114.06 грн
500+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.49 грн
10+170.46 грн
100+119.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305T
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 28965 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 11406 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFR5305TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.52 грн
10+55.58 грн
20+47.58 грн
100+35.55 грн
200+32.78 грн
500+30.40 грн
3000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFR5305TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.43 грн
10+69.26 грн
20+57.10 грн
100+42.66 грн
200+39.33 грн
500+36.48 грн
3000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 17698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.75 грн
10+74.82 грн
100+53.84 грн
500+40.05 грн
1000+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 6694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.25 грн
10+80.41 грн
100+50.47 грн
500+40.36 грн
1000+37.39 грн
3000+33.14 грн
6000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 17650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.79 грн
6000+32.16 грн
9000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFR5305TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.79 грн
10+54.79 грн
25+47.50 грн
100+38.79 грн
500+31.04 грн
1000+28.42 грн
2000+26.13 грн
4000+23.99 грн
6000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFR5305TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8059 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.55 грн
10+68.27 грн
25+57.00 грн
100+46.55 грн
500+37.24 грн
1000+34.11 грн
2000+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.20 грн
4000+26.92 грн
6000+25.82 грн
10000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 40141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.35 грн
10+66.35 грн
100+44.21 грн
500+32.58 грн
1000+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 37326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.95 грн
10+62.58 грн
100+42.56 грн
500+33.44 грн
1000+30.55 грн
2000+27.97 грн
4000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRFR5305TR e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf
UMWIRFR5305TR
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.95 грн
10+62.31 грн
100+41.37 грн
500+30.40 грн
1000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+73.32 грн
10+54.47 грн
100+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFR5305TRPBF; -31A; -55V; 110W; 0,065R; P-MOSFET; Корпус: DPAK; INFINEON (шт)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305
Виробник: IR
TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305
Виробник: IR
07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305
Виробник: IR
08+ SOD-323
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305/PBF
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305PBF Транзисторы
на замовлення 109 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRL IRFR%2CU5305.pdf
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А; 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK
на замовлення 321 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
P-ch. DPAK TO-252
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HYG450P06LA1D
Виробник: HUAYI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF
Код товару: 4177
Додати до обраних Обраний товар

description irfr5305.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+31.00 грн
10+27.80 грн
100+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305 auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E00F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr5305.pdf?ci_sign=8ba5a50746c52b1d874a77eb183958227fbf42c2
AUIRFR5305TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -110A
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305CPBF IRFR%20U5305.pdf
IRFR5305CPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRL IRFR%2CU5305.pdf
IRFR5305TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRR IRFR%2CU5305.pdf
IRFR5305TRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRRPBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305TRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRFR5305TR e8a4361fd043418e9bcb7badd84f5b9f.pdf
UMWIRFR5305TR
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]