Результат пошуку "Fr5305" : 56

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR5305PBF IRFR5305PBF
Код товару: 2560
2 Додати до обраних Обраний товар
IR irfr5305pbf.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 598 шт
  • 459 шт - склад
  • 42 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 65 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR
Код товару: 185048
Додати до обраних Обраний товар
Infineon Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 40 шт
  • 40 шт - склад
1+40.00 грн
10+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FR5305 IR 04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305 AUIRFR5305 Infineon info-tauirfr5305.pdf MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+120.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Infineon Technologies Infineon_AUIRFR5305TR_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
на замовлення 7753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.57 грн
10+168.12 грн
100+117.54 грн
500+90.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL International Rectifier/Infineon Infineon-AUIRFR5305-DataSheet-vNA-EN.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200, Qg, нКл = 63, Rds = 65 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 110, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 40 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+243.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.19 грн
10+175.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies auirfr5305.pdf MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
на замовлення 423251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305 IRFR5305 JSMicro Semiconductor TIRFR5305_JSM_JSMICRO_0002.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305 IRFR5305 SLKOR TIRFR5305_SLK_SLKOR_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF International Rectifier/Infineon irfr5305pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 2 Од. вим: ш
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+24.99 грн
150+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305T IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR UMW TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR UMW TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20513 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR UMW TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR JGSEMI info-tirfr5305.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.43 грн
10+68.49 грн
20+61.27 грн
100+48.09 грн
200+43.53 грн
500+38.64 грн
1000+36.07 грн
3000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF International Rectifier/Infineon irfr5305pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.64 грн
6000+30.18 грн
9000+29.05 грн
15000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 16718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.76 грн
10+76.19 грн
100+51.05 грн
500+37.79 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 30829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.47 грн
10+61.69 грн
25+52.07 грн
100+41.04 грн
200+36.81 грн
500+32.34 грн
1000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF Infineon IRFR5305PBF-IRFU5305PBF.pdf description P-ch. DPAK TO-252 Транзистори
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
13+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 32142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.41 грн
4000+25.28 грн
6000+24.23 грн
10000+21.62 грн
14000+20.96 грн
20000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 34452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.84 грн
10+63.05 грн
100+41.86 грн
500+30.74 грн
1000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRFR5305TR UMWIRFR5305TR UMW 22fc38bf31ffa65079289e5fa6f3ec60.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.39 грн
10+64.17 грн
100+42.63 грн
500+31.33 грн
1000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFR5305PBF -31A -55V P-ch DPAK
на замовлення 23 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
23+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305 IR 07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305/PBF
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff IRFR5305PBF Транзисторы
на замовлення 109 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRL IRFR%2CU5305.pdf
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AKS1048 AKS1048 AKYGA SEMI Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 50W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 50W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.4Ω
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.25 грн
13+32.58 грн
100+24.67 грн
500+21.79 грн
1000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HYG450P06LA1D HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF
Код товару: 4177
Додати до обраних Обраний товар
IR irfr5305.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+31.00 грн
10+27.80 грн
100+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305 AUIRFR5305 Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305CPBF IRFR5305CPBF Infineon Technologies IRFR%20U5305.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRL IRFR5305TRL Infineon Technologies IRFR%2CU5305.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF International Rectifier/Infineon IRF5305.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRR IRFR5305TRR Infineon Technologies IRFR%2CU5305.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRRPBF IRFR5305TRRPBF Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRFR5305TR UMWIRFR5305TR UMW 22fc38bf31ffa65079289e5fa6f3ec60.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Інтегральна мікросхема AUIRFR5305TRL Infineon/IR Інтегральна мікросхема AUIRFR5305TRL Infineon/IR Infineon/IR ІМС MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms Інтегральні мікросхеми
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFR5305TRPBF Infineon Транзистор польовий IRFR5305TRPBF Infineon Infineon Транз. Пол. ВП P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm IRFR5305PBF.pdf Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305 International Rectifier auirfr5305.pdf P-ch. DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF International Rectifier IRFR5305PBF-IRFU5305PBF.pdf P-ch. DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF
Код товару: 2560
2 Додати до обраних Обраний товар
irfr5305pbf.pdf
IRFR5305PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 598 шт
  • 459 шт - склад
  • 42 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 65 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR
Код товару: 185048
Додати до обраних Обраний товар
Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 40 шт
  • 40 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+40.00 грн
10+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FR5305
Виробник: IR
04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305 info-tauirfr5305.pdf
AUIRFR5305
Виробник: Infineon
MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+120.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR Infineon_AUIRFR5305TR_DataSheet_v01_00_EN.pdf
AUIRFR5305TR
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
на замовлення 7753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.57 грн
10+168.12 грн
100+117.54 грн
500+90.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL Infineon-AUIRFR5305-DataSheet-vNA-EN.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200, Qg, нКл = 63, Rds = 65 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 110, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 40 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+243.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.19 грн
10+175.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf
AUIRFR5305TRL
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
на замовлення 423251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305 TIRFR5305_JSM_JSMICRO_0002.pdf
IRFR5305
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305 TIRFR5305_SLK_SLKOR_0001.pdf
IRFR5305
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 2 Од. вим: ш
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+24.99 грн
150+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305T TIRFR5305_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf
IRFR5305T
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf
IRFR5305TR
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf
IRFR5305TR
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20513 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf
IRFR5305TR
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.43 грн
10+68.49 грн
20+61.27 грн
100+48.09 грн
200+43.53 грн
500+38.64 грн
1000+36.07 грн
3000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.64 грн
6000+30.18 грн
9000+29.05 грн
15000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 16718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.76 грн
10+76.19 грн
100+51.05 грн
500+37.79 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 30829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.47 грн
10+61.69 грн
25+52.07 грн
100+41.04 грн
200+36.81 грн
500+32.34 грн
1000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description IRFR5305PBF-IRFU5305PBF.pdf
Виробник: Infineon
P-ch. DPAK TO-252 Транзистори
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 32142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+28.41 грн
4000+25.28 грн
6000+24.23 грн
10000+21.62 грн
14000+20.96 грн
20000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 34452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.84 грн
10+63.05 грн
100+41.86 грн
500+30.74 грн
1000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRFR5305TR 22fc38bf31ffa65079289e5fa6f3ec60.pdf
UMWIRFR5305TR
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.39 грн
10+64.17 грн
100+42.63 грн
500+31.33 грн
1000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFR5305PBF -31A -55V P-ch DPAK
на замовлення 23 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305
Виробник: IR
07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305/PBF
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305PBF Транзисторы
на замовлення 109 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRL IRFR%2CU5305.pdf
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AKS1048
AKS1048
Виробник: AKYGA SEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 50W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 50W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.4Ω
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+56.25 грн
13+32.58 грн
100+24.67 грн
500+21.79 грн
1000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HYG450P06LA1D THYG450p06la1d_0001.pdf
HYG450P06LA1D
Виробник: HUAYI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF
Код товару: 4177
Додати до обраних Обраний товар
description irfr5305.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+31.00 грн
10+27.80 грн
100+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305 auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305CPBF IRFR%20U5305.pdf
IRFR5305CPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRL IRFR%2CU5305.pdf
IRFR5305TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description IRF5305.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRR IRFR%2CU5305.pdf
IRFR5305TRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRRPBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305TRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRFR5305TR 22fc38bf31ffa65079289e5fa6f3ec60.pdf
UMWIRFR5305TR
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Інтегральна мікросхема AUIRFR5305TRL Infineon/IR
Інтегральна мікросхема AUIRFR5305TRL Infineon/IR
Виробник: Infineon/IR
ІМС MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms Інтегральні мікросхеми
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFR5305TRPBF Infineon
Транзистор польовий IRFR5305TRPBF Infineon
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ВП P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm IRFR5305PBF.pdf Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305 auirfr5305.pdf
Виробник: International Rectifier
P-ch. DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF IRFR5305PBF-IRFU5305PBF.pdf
Виробник: International Rectifier
P-ch. DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.