Результат пошуку "HGTG30N60A4" : 10

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Код товару: 42509
FAIR/ON HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 9 шт
1+540 грн
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
ON HGTG30N60A4D.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 5 шт
1+220 грн
HGTG30N60A4D Fairchaild hgtg30n60a4d-d.pdf description IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор HGTG30N60A-4G, TO-247-3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
SKW30N60HS (аналог HGTG30N60A4D) SKW30N60HS (аналог HGTG30N60A4D)
Код товару: 73560
Infineon skw30n60hs.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Ic 25: 41 A
Ic 100: 30 A
Pd 25: 250 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 20/250
товар відсутній
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4 onsemi / Fairchild HGTG30N60A4_D-2314761.pdf IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товар відсутній
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4 ON Semiconductor hgtg30n60a4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4 onsemi hgtg30n60a4-d.pdf Description: IGBT 600V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товар відсутній
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D ON Semiconductor hgtg30n60a4d-d.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D onsemi hgtg30n60a4d-d.pdf description Description: IGBT 600V 75A 463W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товар відсутній
HGTG30N60A4
Код товару: 42509
HGTG30N60A4.pdf
HGTG30N60A4
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 9 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+540 грн
HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 5 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+220 грн
HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор HGTG30N60A-4G, TO-247-3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
SKW30N60HS (аналог HGTG30N60A4D)
Код товару: 73560
skw30n60hs.pdf
SKW30N60HS (аналог HGTG30N60A4D)
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Ic 25: 41 A
Ic 100: 30 A
Pd 25: 250 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 20/250
товар відсутній
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4_D-2314761.pdf
HGTG30N60A4
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товар відсутній
HGTG30N60A4 hgtg30n60a4-d.pdf
HGTG30N60A4
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HGTG30N60A4 hgtg30n60a4-d.pdf
HGTG30N60A4
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товар відсутній
HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 75A 463W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товар відсутній