Результат пошуку "IRF1407" : 36
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 255
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 255
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 255
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 139
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 167
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 151
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF1407PBF Код товару: 24062
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() ![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 75 V Idd,A: 130 A Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160 Монтаж: THT |
у наявності: 149 шт
134 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ 7 шт - РАДІОМАГ-Львів 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRF1407 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1407-HXY | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; IRF1407 HXY MOSFET TIRF1407 HXY кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1407-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1407; SP001564238; IRF1407-ML MOSLEADER TIRF1407 MOS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 160nC |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 160nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 123 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 11100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF1407PBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 3557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF1407PBF; 130A; 75V; 330W; 0.0078R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF1407L | IR |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF1407S | IR |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF1407S | IR |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF1407S | IR |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
Транзистор польовий IRF1407PBF 130A 75V N-ch TO-220 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
STP75NF75 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF1407S Код товару: 52433
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF Код товару: 107266
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF1407STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF1407STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRF1407PBF Код товару: 24062
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() ![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 149 шт
134 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 66.00 грн |
10+ | 59.40 грн |
IRF1407 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 58.19 грн |
IRF1407-HXY |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; IRF1407 HXY MOSFET TIRF1407 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; IRF1407 HXY MOSFET TIRF1407 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 49.82 грн |
IRF1407-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1407; SP001564238; IRF1407-ML MOSLEADER TIRF1407 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1407; SP001564238; IRF1407-ML MOSLEADER TIRF1407 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 47.48 грн |
IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 205.19 грн |
10+ | 144.29 грн |
13+ | 75.73 грн |
35+ | 71.75 грн |
IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 246.23 грн |
10+ | 179.81 грн |
13+ | 90.88 грн |
35+ | 86.10 грн |
IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
255+ | 120.55 грн |
500+ | 108.29 грн |
1000+ | 100.06 грн |
10000+ | 86.02 грн |
IRF1407PBF | ![]() |
![]() ![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
255+ | 120.55 грн |
500+ | 108.29 грн |
1000+ | 100.06 грн |
IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 217.21 грн |
10+ | 191.45 грн |
100+ | 90.15 грн |
500+ | 72.55 грн |
1000+ | 65.42 грн |
IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
255+ | 120.55 грн |
500+ | 108.29 грн |
1000+ | 100.06 грн |
IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 213.40 грн |
10+ | 185.70 грн |
25+ | 83.42 грн |
100+ | 75.08 грн |
500+ | 65.82 грн |
1000+ | 64.29 грн |
2000+ | 64.21 грн |
IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
139+ | 88.39 грн |
175+ | 70.23 грн |
183+ | 67.31 грн |
500+ | 61.00 грн |
1000+ | 55.21 грн |
IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 84.03 грн |
10+ | 81.96 грн |
25+ | 65.12 грн |
100+ | 60.18 грн |
500+ | 52.37 грн |
1000+ | 49.14 грн |
IRF1407PBF; 130A; 75V; 330W; 0.0078R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт) |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 700.56 грн |
IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 201.75 грн |
10+ | 148.53 грн |
100+ | 110.75 грн |
500+ | 98.85 грн |
IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
167+ | 73.69 грн |
IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 63.26 грн |
IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 68.43 грн |
10+ | 64.37 грн |
25+ | 63.72 грн |
100+ | 57.61 грн |
250+ | 52.85 грн |
500+ | 46.03 грн |
IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 68.22 грн |
IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
151+ | 81.32 грн |
152+ | 80.75 грн |
500+ | 77.79 грн |
IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 167.86 грн |
10+ | 124.10 грн |
100+ | 81.89 грн |
500+ | 80.36 грн |
800+ | 59.31 грн |
IRF1407L |
![]() |
Виробник: IR
08+
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF1407S |
![]() |
Виробник: IR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF1407S |
![]() |
Виробник: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF1407S |
![]() |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Транзистор польовий IRF1407PBF 130A 75V N-ch TO-220 |
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 56.72 грн |
STP75NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 75 Volt 80 Amp
MOSFETs N-Ch 75 Volt 80 Amp
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 245.54 грн |
10+ | 115.30 грн |
100+ | 95.66 грн |
500+ | 88.01 грн |
2000+ | 72.02 грн |
IRF1407S Код товару: 52433
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF1407STRLPBF Код товару: 107266
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.