Результат пошуку "IRF1407" : 43

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1407PBF IRF1407PBF
Код товару: 24062
Додати до обраних Обраний товар

IR infineon-irf1407-datasheet-en.pdf IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 132 шт
117 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+66.00 грн
10+59.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407-HXY HXY MOSFET Transistor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; IRF1407 HXY MOSFET TIRF1407 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1407; SP001564238; IRF1407-ML MOSLEADER TIRF1407 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.78 грн
10+78.75 грн
25+72.39 грн
50+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.93 грн
10+98.14 грн
25+86.87 грн
50+82.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies Infineon-IRF1407-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.99 грн
10+85.36 грн
100+68.27 грн
500+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+121.71 грн
500+109.33 грн
1000+101.02 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.19 грн
50+33.14 грн
100+32.96 грн
500+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF International Rectifier IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+104.11 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+30.94 грн
403+30.78 грн
500+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.32 грн
10+97.66 грн
100+90.81 грн
500+67.54 грн
1000+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+121.71 грн
500+109.33 грн
1000+101.02 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+121.71 грн
500+109.33 грн
1000+101.02 грн
10000+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 9627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.48 грн
50+79.64 грн
100+74.73 грн
500+56.63 грн
1000+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF; 130A; 75V; 330W; 0.0078R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+294.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.47 грн
10+130.22 грн
100+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.74 грн
1600+56.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+89.17 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 9721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.91 грн
10+111.29 грн
100+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies Infineon_irf1407spbf_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.52 грн
10+122.07 грн
100+78.66 грн
500+77.89 грн
800+56.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407L IR Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407S IR Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407S IR Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407S IR Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF1407PBF 130A 75V N-ch TO-220
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4+152.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF1407PBF 130A 75V N-ch TO-220
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4+152.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP75NF75 STP75NF75 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf MOSFETs N-Ch 75 Volt 80 Amp
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.03 грн
10+86.07 грн
1000+68.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407S IRF1407S
Код товару: 52433
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF
Код товару: 107266
Додати до обраних Обраний товар

infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407L IRF1407L Infineon Technologies Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407S IRF1407S Infineon Technologies Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRR IRF1407STRR Infineon Technologies Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRPBF IRF1407STRRPBF Infineon Technologies irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF
Код товару: 24062
Додати до обраних Обраний товар

description infineon-irf1407-datasheet-en.pdf IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 132 шт
117 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+66.00 грн
10+59.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407 description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407-HXY
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; IRF1407 HXY MOSFET TIRF1407 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1407; SP001564238; IRF1407-ML MOSLEADER TIRF1407 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.78 грн
10+78.75 грн
25+72.39 грн
50+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.93 грн
10+98.14 грн
25+86.87 грн
50+82.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description Infineon-IRF1407-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.99 грн
10+85.36 грн
100+68.27 грн
500+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
255+121.71 грн
500+109.33 грн
1000+101.02 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+33.19 грн
50+33.14 грн
100+32.96 грн
500+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
203+104.11 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+30.94 грн
403+30.78 грн
500+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.32 грн
10+97.66 грн
100+90.81 грн
500+67.54 грн
1000+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
255+121.71 грн
500+109.33 грн
1000+101.02 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
255+121.71 грн
500+109.33 грн
1000+101.02 грн
10000+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineon-irf1407-datasheet-en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 9627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.48 грн
50+79.64 грн
100+74.73 грн
500+56.63 грн
1000+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF; 130A; 75V; 330W; 0.0078R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+294.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF INFN-S-A0002297173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1407STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.47 грн
10+130.22 грн
100+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.74 грн
1600+56.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
139+89.17 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 9721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.91 грн
10+111.29 грн
100+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF Infineon_irf1407spbf_DS_v01_02_EN.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.52 грн
10+122.07 грн
100+78.66 грн
500+77.89 грн
800+56.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407L Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
Виробник: IR
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407S Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
Виробник: IR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407S Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407S Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF1407PBF 130A 75V N-ch TO-220
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+152.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF1407PBF 130A 75V N-ch TO-220
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+152.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP75NF75 ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf
STP75NF75
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 75 Volt 80 Amp
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.03 грн
10+86.07 грн
1000+68.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407S
Код товару: 52433
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
IRF1407S
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF
Код товару: 107266
Додати до обраних Обраний товар

infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf
IRF1407STRLPBF
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407L Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
IRF1407L
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407S Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
IRF1407S
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRR Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
IRF1407STRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRPBF irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
IRF1407STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.