Результат пошуку "IRF1407" : 42

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF1407PBF IRF1407PBF
Код товару: 24062 		IR IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 46 шт
1+66 грн
10+ 59.4 грн
IRF1407 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+99.78 грн
10+ 91.63 грн
100+ 80.67 грн
500+ 71.21 грн
1000+ 52.31 грн
2000+ 48.31 грн
5000+ 47.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1407PBF ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1407PBF - IRF1407 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+106.57 грн
Мінімальне замовлення: 227
IRF1407PBF IRF1407PBF International Rectifier IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+90.15 грн
Мінімальне замовлення: 237
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies Infineon_IRF1407_DataSheet_v01_01_EN-3363080.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.14 грн
10+ 158.61 грн
100+ 112.59 грн
500+ 95.7 грн
1000+ 80.92 грн
2000+ 75.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+107.39 грн
124+ 98.63 грн
141+ 86.82 грн
500+ 76.64 грн
1000+ 56.31 грн
2000+ 52 грн
5000+ 51.47 грн
Мінімальне замовлення: 114
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 description Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 11811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.5 грн
50+ 144.24 грн
100+ 118.68 грн
500+ 94.24 грн
1000+ 79.97 грн
2000+ 75.97 грн
5000+ 71.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.66 грн
10+ 154.72 грн
100+ 126.3 грн
500+ 99.69 грн
1000+ 78.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1407PBF; 130A; 75V; 330W; 0.0078R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+697.2 грн
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.3 грн
10+ 158.67 грн
100+ 126.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+188.3 грн
10+ 155.24 грн
25+ 153.69 грн
100+ 110.6 грн
250+ 101.38 грн
500+ 68.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.78 грн
10+ 150.63 грн
100+ 104.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+183.02 грн
68+ 182 грн
100+ 143.36 грн
200+ 137.26 грн
500+ 94.41 грн
Мінімальне замовлення: 67
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies Infineon_irf1407spbf_DS_v01_02_EN-1731972.pdf MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.57 грн
10+ 158.61 грн
100+ 109.78 грн
500+ 98.52 грн
800+ 78.81 грн
2400+ 74.59 грн
4800+ 72.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+202.79 грн
73+ 167.19 грн
74+ 165.51 грн
100+ 119.1 грн
250+ 109.18 грн
500+ 74.25 грн
Мінімальне замовлення: 61
IRF1407L IR Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1407S IR Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1407S IR Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1407S IR Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP75NF75 STP75NF75 STMicroelectronics stb75nf75-1850359.pdf MOSFETs N-Ch 75 Volt 80 Amp
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.67 грн
10+ 113.3 грн
100+ 83.74 грн
500+ 82.33 грн
1000+ 81.63 грн
5000+ 80.22 грн
10000+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1407S IRF1407S
Код товару: 52433 		Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF
Код товару: 107266 		irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1407L IRF1407L Infineon Technologies Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407LPBF IRF1407LPBF Infineon Technologies 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1407S IRF1407S Infineon Technologies 000409.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1407S IRF1407S Infineon Technologies Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407SPBF IRF1407SPBF Infineon Technologies irf1407spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1407STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1407STRR IRF1407STRR Infineon Technologies Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407STRRPBF IRF1407STRRPBF Infineon Technologies irf1407spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1407STRRPBF IRF1407STRRPBF Infineon Technologies irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF1407PBF
Код товару: 24062		 description IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8
IRF1407PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 46 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+66 грн
10+ 59.4 грн
IRF1407 description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF1407PBF description infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+99.78 грн
10+ 91.63 грн
100+ 80.67 грн
500+ 71.21 грн
1000+ 52.31 грн
2000+ 48.31 грн
5000+ 47.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1407PBF description IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1407PBF - IRF1407 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
227+106.57 грн
Мінімальне замовлення: 227
IRF1407PBF description IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
237+90.15 грн
Мінімальне замовлення: 237
IRF1407PBF description Infineon_IRF1407_DataSheet_v01_01_EN-3363080.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.14 грн
10+ 158.61 грн
100+ 112.59 грн
500+ 95.7 грн
1000+ 80.92 грн
2000+ 75.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1407PBF description infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
114+107.39 грн
124+ 98.63 грн
141+ 86.82 грн
500+ 76.64 грн
1000+ 56.31 грн
2000+ 52 грн
5000+ 51.47 грн
Мінімальне замовлення: 114
IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 11811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.5 грн
50+ 144.24 грн
100+ 118.68 грн
500+ 94.24 грн
1000+ 79.97 грн
2000+ 75.97 грн
5000+ 71.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1407PBF description infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1407PBF description INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+218.66 грн
10+ 154.72 грн
100+ 126.3 грн
500+ 99.69 грн
1000+ 78.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1407PBF; 130A; 75V; 330W; 0.0078R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+697.2 грн
IRF1407STRLPBF INFN-S-A0002297173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1407STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+216.3 грн
10+ 158.67 грн
100+ 126.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1407STRLPBF 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+188.3 грн
10+ 155.24 грн
25+ 153.69 грн
100+ 110.6 грн
250+ 101.38 грн
500+ 68.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1407STRLPBF irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.78 грн
10+ 150.63 грн
100+ 104.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1407STRLPBF 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+183.02 грн
68+ 182 грн
100+ 143.36 грн
200+ 137.26 грн
500+ 94.41 грн
Мінімальне замовлення: 67
IRF1407STRLPBF Infineon_irf1407spbf_DS_v01_02_EN-1731972.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.57 грн
10+ 158.61 грн
100+ 109.78 грн
500+ 98.52 грн
800+ 78.81 грн
2400+ 74.59 грн
4800+ 72.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1407STRLPBF 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
61+202.79 грн
73+ 167.19 грн
74+ 165.51 грн
100+ 119.1 грн
250+ 109.18 грн
500+ 74.25 грн
Мінімальне замовлення: 61
IRF1407L Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
Виробник: IR
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1407S Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1407S Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
Виробник: IR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1407S Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP75NF75 stb75nf75-1850359.pdf
STP75NF75
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 75 Volt 80 Amp
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.67 грн
10+ 113.3 грн
100+ 83.74 грн
500+ 82.33 грн
1000+ 81.63 грн
5000+ 80.22 грн
10000+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1407S
Код товару: 52433		 Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
IRF1407S
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1407STRLPBF
Код товару: 107266		 irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
IRF1407STRLPBF
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1407L Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
IRF1407L
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407LPBF 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf
IRF1407LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1407PBF description infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1407PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1407S 000409.pdf
IRF1407S
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1407S Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
IRF1407S
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407SPBF irf1407spbf.pdf
IRF1407SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1407STRLPBF irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1407STRLPBF irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407STRLPBF 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1407STRLPBF 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1407STRR Infineon-irf1407spbf-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
IRF1407STRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407STRRPBF irf1407spbf.pdf
IRF1407STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1407STRRPBF irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
IRF1407STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407STRLPBF irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній