Результат пошуку "IRF1407" : 28
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 116
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 255
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 255
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 60
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 268
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1407PBF Код товару: 24062
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 75 V Idd,A: 130 A Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160 Монтаж: THT |
у наявності: 88 шт
88 шт - склад
|
|
||||||||||||
| IRF1407 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF1407-HXY | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; IRF1407 HXY MOSFET TIRF1407 HXY кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF1407-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1407; SP001564238; IRF1407-ML MOSLEADER TIRF1407 MOS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IRF1407PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 160nC |
на замовлення 273 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC |
на замовлення 471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF1407PBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF1407STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF1407L | IR |
08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF1407S | IR |
07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
STP75NF75 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 75 Volt 80 Amp |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407S Код товару: 52433
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IRF1407STRLPBF Код товару: 107266
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF1407PBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 130, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 160, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF1407PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK Polarisation: unipolar Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 7.8mΩ Drain current: 70A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 200W Drain-source voltage: 75V Pulsed drain current: 520A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вкількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF1407PBF | International Rectifier |
T0220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF1407STR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF1407STRLPBF : IRF1407STRRPBF IRF1407SPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF1407PBF Код товару: 24062
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 88 шт
88 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 50.00 грн |
| 10+ | 46.50 грн |
| IRF1407 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 63.51 грн |
| IRF1407-HXY |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; IRF1407 HXY MOSFET TIRF1407 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; IRF1407 HXY MOSFET TIRF1407 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 54.38 грн |
| IRF1407-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1407; SP001564238; IRF1407-ML MOSLEADER TIRF1407 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1407; SP001564238; IRF1407-ML MOSLEADER TIRF1407 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 51.83 грн |
| IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 220.13 грн |
| 10+ | 110.19 грн |
| 25+ | 96.74 грн |
| 50+ | 90.01 грн |
| 100+ | 87.48 грн |
| IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 217.68 грн |
| 10+ | 101.91 грн |
| 100+ | 92.94 грн |
| 500+ | 71.84 грн |
| 1000+ | 64.99 грн |
| IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 116+ | 112.43 грн |
| IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.87 грн |
| 10+ | 110.90 грн |
| 100+ | 83.16 грн |
| 500+ | 68.48 грн |
| 1000+ | 62.47 грн |
| 2000+ | 59.75 грн |
| IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 255+ | 127.20 грн |
| 500+ | 114.27 грн |
| 1000+ | 105.58 грн |
| 10000+ | 90.77 грн |
| IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 343.18 грн |
| 50+ | 170.02 грн |
| 100+ | 153.20 грн |
| 500+ | 119.30 грн |
| IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 255+ | 127.20 грн |
| 500+ | 114.27 грн |
| 1000+ | 105.58 грн |
| IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 217.99 грн |
| IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 268+ | 120.74 грн |
| 500+ | 108.88 грн |
| 1000+ | 100.21 грн |
| IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 216.87 грн |
| 10+ | 141.05 грн |
| 100+ | 96.20 грн |
| 500+ | 77.98 грн |
| IRF1407L |
![]() |
Виробник: IR
08+
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF1407S |
![]() |
Виробник: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STP75NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 75 Volt 80 Amp
MOSFETs N-Ch 75 Volt 80 Amp
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 243.77 грн |
| 10+ | 125.37 грн |
| 100+ | 87.35 грн |
| 500+ | 68.48 грн |
| IRF1407S Код товару: 52433
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1407STRLPBF Код товару: 107266
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 130, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 160, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 130, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 160, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 7.8mΩ
Drain current: 70A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 75V
Pulsed drain current: 520A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 7.8mΩ
Drain current: 70A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 75V
Pulsed drain current: 520A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1407STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. в
кількість в упаковці: 800 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. в
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
T0220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
T0220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1407STR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1407STRLPBF : IRF1407STRRPBF IRF1407SPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.









