Результат пошуку "IRF3415" : 44

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF3415PBF IRF3415PBF
Код товару: 34305
IR irf3415pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
1+55 грн
10+ 49.5 грн
IRF3415 Infineon description Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.53 грн
10+ 81.39 грн
12+ 67.15 грн
33+ 63.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+131.48 грн
3+ 111.57 грн
10+ 97.67 грн
12+ 80.58 грн
33+ 76.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 9797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.92 грн
10+ 127.1 грн
100+ 92.03 грн
500+ 77.32 грн
1000+ 61.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineon-irf3415-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+110.08 грн
120+ 94.73 грн
141+ 80.52 грн
Мінімальне замовлення: 103
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3415_DataSheet_v01_01_EN-3362758.pdf MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 5273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.78 грн
10+ 121.31 грн
100+ 84 грн
250+ 80.74 грн
500+ 70.32 грн
1000+ 59.97 грн
2000+ 58.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineon-irf3415-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+178.49 грн
72+ 157.38 грн
100+ 142.99 грн
200+ 136.02 грн
500+ 110.52 грн
Мінімальне замовлення: 64
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.05 грн
10+ 110.35 грн
100+ 87.85 грн
500+ 69.76 грн
1000+ 59.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineon-irf3415-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+110.47 грн
10+ 95.06 грн
100+ 80.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.53 грн
500+ 65.59 грн
1000+ 59.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+170.81 грн
72+ 158.33 грн
100+ 132.43 грн
200+ 121.22 грн
500+ 101.96 грн
1600+ 80.36 грн
3200+ 76 грн
6400+ 74.6 грн
Мінімальне замовлення: 67
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.36 грн
1600+ 65.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3415S_DataSheet_v01_01_EN-3362826.pdf MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.29 грн
10+ 132.54 грн
100+ 91.16 грн
250+ 90.51 грн
500+ 84 грн
800+ 62.96 грн
4800+ 61.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.57 грн
10+ 129.29 грн
100+ 101.53 грн
500+ 65.59 грн
1000+ 59.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.58 грн
1600+ 63.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+155.13 грн
10+ 130.05 грн
25+ 65.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+146.5 грн
10+ 117.34 грн
100+ 93.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF3415S IR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3415S IR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b T0-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3415S IR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3415STR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3415STRR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRF3415 AUIRF3415 International Rectifier IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 198
IRF3415
Код товару: 23681
IR IRF3415.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
AUIRF3415 AUIRF3415
Код товару: 62937
IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF3415 IRF3415 Infineon / IR Infineon_IRF3415_DataSheet_v01_01_EN-3362758.pdf description MOSFET
товар відсутній
IRF3415L IRF3415L Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineon-irf3415-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF3415S IRF3415S Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF3415SPBF IRF3415SPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF3415STRR IRF3415STRR Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF3415STRRPBF IRF3415STRRPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
AUIRF3415 AUIRF3415 Infineon Technologies auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
1-1616917-6 TE Connectivity / Raychem MOSFET 52700126=TRANSISTOR MOSFET IRF3415PBF
товар відсутній
NTE2950 NTE Electronics nte2950.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; Idm: 330A; 350W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 350W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF3415PBF
Код товару: 34305
irf3415pbf-datasheet.pdf
IRF3415PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+55 грн
10+ 49.5 грн
IRF3415 description
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.53 грн
10+ 81.39 грн
12+ 67.15 грн
33+ 63.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+131.48 грн
3+ 111.57 грн
10+ 97.67 грн
12+ 80.58 грн
33+ 76.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3415PBF INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 9797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+170.92 грн
10+ 127.1 грн
100+ 92.03 грн
500+ 77.32 грн
1000+ 61.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3415PBF infineon-irf3415-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
103+110.08 грн
120+ 94.73 грн
141+ 80.52 грн
Мінімальне замовлення: 103
IRF3415PBF Infineon_IRF3415_DataSheet_v01_01_EN-3362758.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 5273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.78 грн
10+ 121.31 грн
100+ 84 грн
250+ 80.74 грн
500+ 70.32 грн
1000+ 59.97 грн
2000+ 58.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3415PBF infineon-irf3415-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
64+178.49 грн
72+ 157.38 грн
100+ 142.99 грн
200+ 136.02 грн
500+ 110.52 грн
Мінімальне замовлення: 64
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.05 грн
10+ 110.35 грн
100+ 87.85 грн
500+ 69.76 грн
1000+ 59.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3415PBF infineon-irf3415-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+110.47 грн
10+ 95.06 грн
100+ 80.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF3415STRLPBF infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF3415STRLPBF infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3415STRLPBF INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+101.53 грн
500+ 65.59 грн
1000+ 59.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF3415STRLPBF infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+170.81 грн
72+ 158.33 грн
100+ 132.43 грн
200+ 121.22 грн
500+ 101.96 грн
1600+ 80.36 грн
3200+ 76 грн
6400+ 74.6 грн
Мінімальне замовлення: 67
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3415STRLPBF infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+71.36 грн
1600+ 65.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3415STRLPBF Infineon_IRF3415S_DataSheet_v01_01_EN-3362826.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.29 грн
10+ 132.54 грн
100+ 91.16 грн
250+ 90.51 грн
500+ 84 грн
800+ 62.96 грн
4800+ 61.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3415STRLPBF INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+174.57 грн
10+ 129.29 грн
100+ 101.53 грн
500+ 65.59 грн
1000+ 59.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3415STRLPBF infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+68.58 грн
1600+ 63.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3415STRLPBF infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+155.13 грн
10+ 130.05 грн
25+ 65.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+146.5 грн
10+ 117.34 грн
100+ 93.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919
IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF3415S irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3415S irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
Виробник: IR
T0-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3415S irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3415STR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3415STRR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRF3415 IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF3415
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
198+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 198
IRF3415
Код товару: 23681
description IRF3415.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
AUIRF3415
Код товару: 62937
IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8
AUIRF3415
товар відсутній
IRF3415 description Infineon_IRF3415_DataSheet_v01_01_EN-3362758.pdf
IRF3415
Виробник: Infineon / IR
MOSFET
товар відсутній
IRF3415L irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415L
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF3415PBF infineon-irf3415-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF3415S irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415S
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF3415SPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF3415STRR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF3415STRRPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
AUIRF3415 auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8
AUIRF3415
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
1-1616917-6
Виробник: TE Connectivity / Raychem
MOSFET 52700126=TRANSISTOR MOSFET IRF3415PBF
товар відсутній
NTE2950 nte2950.pdf
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; Idm: 330A; 350W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 350W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній