Результат пошуку "IRF3415" : 46

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF3415PBF IRF3415PBF
Код товару: 34305
1 Додати до обраних Обраний товар
IR irf3415pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 43 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,042 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415 IRF3415 International Rectifier info-tirf3415.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.97 грн
10+94.56 грн
50+74.47 грн
100+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.50 грн
131+107.78 грн
500+86.76 грн
1000+77.10 грн
2000+66.27 грн
5000+58.29 грн
10000+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.70 грн
10+146.99 грн
100+105.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.31 грн
10+110.18 грн
100+75.21 грн
500+56.54 грн
1000+52.03 грн
2000+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.79 грн
10+154.02 грн
100+107.45 грн
500+83.40 грн
1000+71.17 грн
2000+63.42 грн
5000+58.12 грн
10000+55.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+215.70 грн
97+146.99 грн
134+105.60 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415SPBF IRF3415SPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 8949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+91.66 грн
500+82.50 грн
1000+76.07 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.53 грн
10+109.80 грн
100+74.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+218.37 грн
95+148.61 грн
134+106.08 грн
500+101.28 грн
800+64.61 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3415S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.37 грн
10+148.61 грн
100+106.08 грн
500+101.28 грн
800+64.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.98 грн
10+98.72 грн
25+97.74 грн
100+80.11 грн
250+73.43 грн
500+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.90 грн
1600+52.45 грн
2400+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+98.72 грн
145+97.74 грн
170+83.07 грн
250+79.31 грн
500+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415S IR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b T0-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3415 AUIRF3415 International Rectifier IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+119.27 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415
Код товару: 23681
Додати до обраних Обраний товар
IR IRF3415.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 43 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,042 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+23.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3415 AUIRF3415
Код товару: 62937
Додати до обраних Обраний товар
IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415L IRF3415L Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF International Rectifier/Infineon irf3415pbf_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 43 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2400 @ 25, Qg, нКл = 200 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415S IRF3415S Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415SPBF IRF3415SPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRR IRF3415STRR Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRRPBF IRF3415STRRPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF International Rectifier irf3415pbf.pdf MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415S International Rectifier irf3415spbf.pdf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF Infineon irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3415 AUIRF3415 Infineon Technologies auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3415PBF Infineon/IR Транзистор польовий IRF3415PBF Infineon/IR Infineon/IR Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO220AB Udss=150V; Id=43A; Pdmax=200W; Rds=0,042 Ohm   Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1-1616917-6 TE Connectivity / Raychem MOSFETs 52700126=TRANSISTOR MOSFET IRF3415PBF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF
Код товару: 34305
1 Додати до обраних Обраний товар
irf3415pbf-datasheet.pdf
IRF3415PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 43 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,042 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415 description info-tirf3415.pdf
IRF3415
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+136.97 грн
10+94.56 грн
50+74.47 грн
100+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
92+154.50 грн
131+107.78 грн
500+86.76 грн
1000+77.10 грн
2000+66.27 грн
5000+58.29 грн
10000+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+215.70 грн
10+146.99 грн
100+105.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.31 грн
10+110.18 грн
100+75.21 грн
500+56.54 грн
1000+52.03 грн
2000+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+237.79 грн
10+154.02 грн
100+107.45 грн
500+83.40 грн
1000+71.17 грн
2000+63.42 грн
5000+58.12 грн
10000+55.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+215.70 грн
97+146.99 грн
134+105.60 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415SPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 8949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
385+91.66 грн
500+82.50 грн
1000+76.07 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.53 грн
10+109.80 грн
100+74.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+218.37 грн
95+148.61 грн
134+106.08 грн
500+101.28 грн
800+64.61 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF Infineon_IRF3415S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+218.37 грн
10+148.61 грн
100+106.08 грн
500+101.28 грн
800+64.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+115.98 грн
10+98.72 грн
25+97.74 грн
100+80.11 грн
250+73.43 грн
500+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+89.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+58.90 грн
1600+52.45 грн
2400+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+98.72 грн
145+97.74 грн
170+83.07 грн
250+79.31 грн
500+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919
IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415S irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
Виробник: IR
T0-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3415 IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF3415
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
173+119.27 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415
Код товару: 23681
Додати до обраних Обраний товар
description IRF3415.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 43 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,042 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+23.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3415
Код товару: 62937
Додати до обраних Обраний товар
IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8
AUIRF3415
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415L irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415L
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415pbf_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 43 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2400 @ 25, Qg, нКл = 200 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415S irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415S
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415SPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRRPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415S irf3415spbf.pdf
Виробник: International Rectifier
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3415 auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8
AUIRF3415
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3415PBF Infineon/IR
Транзистор польовий IRF3415PBF Infineon/IR
Виробник: Infineon/IR
Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO220AB Udss=150V; Id=43A; Pdmax=200W; Rds=0,042 Ohm   Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1-1616917-6
Виробник: TE Connectivity / Raychem
MOSFETs 52700126=TRANSISTOR MOSFET IRF3415PBF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.