Результат пошуку "IRF3415" : 13
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3415PBF Код товару: 34305
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 150 V Idd,A: 43 A Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200 Монтаж: THT |
у наявності: 53 шт
44 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||
| IRF3415 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF3415PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 133.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRF3415PBF |
IRF3415PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 96 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3415S | IR |
TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRF3415S | IR |
07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRF3415S | IR |
T0-263 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRF3415STR |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF3415STRR |
|
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF3415 Код товару: 23681
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 150 V Idd,A: 43 A Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||
|
AUIRF3415 Код товару: 62937
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. |
| IRF3415PBF Код товару: 34305
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 53 шт
44 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| 10+ | 49.50 грн |
| 100+ | 44.70 грн |
| IRF3415 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 58.48 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.42 грн |
| 10+ | 103.95 грн |
| 50+ | 87.21 грн |
| 100+ | 82.26 грн |
| 250+ | 78.29 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3415S |
![]() |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3415S |
![]() |
Виробник: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3415S |
![]() |
Виробник: IR
T0-263
T0-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3415 Код товару: 23681
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |




