Результат пошуку "IRF530N" : 42
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 271
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 258
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 231
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 315
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 155
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 241
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF530NPBF Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 10,5 Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 Монтаж: THT |
у наявності: 860 шт
788 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ 11 шт - РАДІОМАГ-Львів 21 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Одеса 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NS Код товару: 117672
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 90 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 Монтаж: SMD |
у наявності: 10 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||||||||||
IRF530N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF530N | Infineon |
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF530N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 90mΩ Gate charge: 24.7nC |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 90mΩ Gate charge: 24.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 63578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 62027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 63578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 62027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF530NS | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF530NS | JSMSEMI |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 45600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 9214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 45600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 12080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF530NPBF | IR |
![]() |
на замовлення 37 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF530NPBF/IR | IR | 08+; |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF530NSTRR |
на замовлення 440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
IRF530NSTRRPBF | IR |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
HIRF530N | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 17A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; HIRF530N HXY MOSFET TIRF530n HXY кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF530NSTRLPBF 17A 100V N-ch D2PAK |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PHAIRF530N.127 | PHI | 07+; |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF530N Код товару: 30162
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF530NL Код товару: 121833
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRF530NSTRLPBF Код товару: 144837
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
![]() |
IRF530N | NXP Semiconductors | MOSFETs RAIL IR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF530N | onsemi / Fairchild | MOSFETs |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRF530NPBF Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 860 шт
788 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 17.50 грн |
10+ | 15.90 грн |
100+ | 14.40 грн |
IRF530NS Код товару: 117672
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 10 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 39.00 грн |
IRF530N |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.40 грн |
IRF530N |
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 21.69 грн |
IRF530N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.82 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 59.96 грн |
10+ | 42.42 грн |
46+ | 20.07 грн |
127+ | 18.98 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.95 грн |
10+ | 52.87 грн |
46+ | 24.09 грн |
127+ | 22.77 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 54.37 грн |
17+ | 41.64 грн |
100+ | 36.70 грн |
500+ | 29.77 грн |
1000+ | 25.41 грн |
2000+ | 22.85 грн |
5000+ | 21.04 грн |
10000+ | 20.65 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
271+ | 45.04 грн |
317+ | 38.49 грн |
500+ | 31.28 грн |
1000+ | 27.41 грн |
2000+ | 23.52 грн |
5000+ | 20.54 грн |
10000+ | 20.11 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 8504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 83.87 грн |
10+ | 50.99 грн |
100+ | 37.71 грн |
500+ | 29.36 грн |
1000+ | 26.80 грн |
2000+ | 22.43 грн |
5000+ | 22.21 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
258+ | 47.34 грн |
335+ | 36.44 грн |
500+ | 25.38 грн |
1000+ | 22.43 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
231+ | 52.98 грн |
281+ | 43.43 грн |
500+ | 33.76 грн |
1000+ | 29.08 грн |
2000+ | 24.66 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 91.93 грн |
13+ | 56.77 грн |
100+ | 46.53 грн |
500+ | 34.88 грн |
1000+ | 28.85 грн |
2000+ | 25.37 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
315+ | 38.82 грн |
357+ | 34.21 грн |
500+ | 28.79 грн |
1000+ | 25.58 грн |
2000+ | 22.19 грн |
5000+ | 19.61 грн |
10000+ | 19.24 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 68.51 грн |
15+ | 48.25 грн |
100+ | 41.24 грн |
500+ | 32.31 грн |
1000+ | 27.20 грн |
2000+ | 24.20 грн |
5000+ | 22.01 грн |
10000+ | 21.54 грн |
IRF530NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 51.32 грн |
IRF530NS |
![]() |
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 20.34 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 81.91 грн |
10+ | 61.32 грн |
25+ | 54.26 грн |
29+ | 31.76 грн |
80+ | 30.03 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.30 грн |
10+ | 76.42 грн |
25+ | 65.12 грн |
29+ | 38.11 грн |
80+ | 36.04 грн |
1600+ | 35.10 грн |
2400+ | 34.63 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 55.08 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 33.80 грн |
1600+ | 32.76 грн |
2400+ | 31.98 грн |
4000+ | 27.33 грн |
5600+ | 25.06 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
155+ | 79.11 грн |
162+ | 75.57 грн |
250+ | 72.55 грн |
500+ | 67.43 грн |
1000+ | 60.39 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
241+ | 50.76 грн |
267+ | 45.71 грн |
304+ | 40.18 грн |
500+ | 34.04 грн |
1000+ | 30.21 грн |
3200+ | 27.40 грн |
6400+ | 26.93 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 36.26 грн |
1600+ | 35.14 грн |
2400+ | 34.31 грн |
4000+ | 29.33 грн |
5600+ | 26.88 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 12080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 89.58 грн |
10+ | 63.98 грн |
100+ | 44.49 грн |
500+ | 35.61 грн |
800+ | 31.09 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF530NPBF/IR |
Виробник: IR
08+;
08+;
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF530NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: IR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
HIRF530N |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 17A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; HIRF530N HXY MOSFET TIRF530n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 17A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; HIRF530N HXY MOSFET TIRF530n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 17.23 грн |
Транзистор польовий IRF530NSTRLPBF 17A 100V N-ch D2PAK |
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 86.05 грн |
PHAIRF530N.127 |
Виробник: PHI
07+;
07+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF530N Код товару: 30162
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF530NL Код товару: 121833
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF530NSTRLPBF Код товару: 144837
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF530N |
Виробник: NXP Semiconductors
MOSFETs RAIL IR
MOSFETs RAIL IR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.