Результат пошуку "IRF540N" : 54

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF540NPBF IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1662 шт
1613 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF IRF540NSPBF
Код товару: 34259
2 Додати до обраних Обраний товар
IR irf540nspbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 4 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 50 шт
50 шт - очікується 21.05.2026
1+88.50 грн
10+79.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IRF540N MULTICOMP PRO 4419343.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.46 грн
14+59.38 грн
100+53.04 грн
500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBF IRF540NLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+94.85 грн
500+85.36 грн
1000+78.72 грн
10000+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 44mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Gate charge: 47.3nC
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.31 грн
10+53.71 грн
25+38.02 грн
50+28.03 грн
500+23.84 грн
1000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+61.88 грн
13+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 16595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.64 грн
50+59.29 грн
100+52.97 грн
500+39.30 грн
1000+35.95 грн
2000+33.13 грн
5000+29.59 грн
10000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS SLKOR description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRL UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.17 грн
500+60.80 грн
1000+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.07 грн
10+140.73 грн
100+95.17 грн
500+60.80 грн
1000+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+81.99 грн
500+73.79 грн
1000+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IR
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF International Rectifier Corporation infineon-irf540n-datasheet-en.pdf (MFET,N-CH,94W,100V,27A,TO-220AB)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IR description 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 description IRF540NSPBF Транзисторы
на замовлення 101 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 IRF540NSTRLPBF Транзисторы
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRR IR TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRBF
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF International Rectifier Corporation irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 description TO263 (D2PAK)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор полевой IRF540NPBF; 100V 27A; 140W; N-канальный; корпус: ТО220; I*R (шт)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+368.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF540NSTRLPBF 33A 100V N-ch D2PAK
на замовлення 44 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
17+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Модуль ключа транзисторного IRF540N Комутована напруга: 5...24В, 50 Вт; Габ. розм., мм 22 х 42 мм; транзисторний ключ IRF540N на платі з оптопарою та клемниками;
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IRF540NPBF Infineon Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HYG180N10LS1P HUAYI Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF540; IRF540N; HYG180N10LS1P HUAYI THYG180n10ls1p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
HYG180N10LS1P HUAYI Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF540; IRF540N; HYG180N10LS1P HUAYI THYG180n10ls1p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10A MOT trenchsgtmOS_753.html N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: IRF3710; IRF540N; MOT120N10A TO220 MOT TMOT120N10A MOT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2396A NTE2396A NTE Electronics nte2396A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10L STP40NF10L STMicroelectronics en.CD00003023.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.52 грн
10+85.79 грн
100+67.14 грн
500+53.55 грн
1000+50.34 грн
2000+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IRF540N
Код товару: 1956
Додати до обраних Обраний товар
IR irf540n-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+14.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N 33A 100V N-ch TO-220
Код товару: 205784
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL IRF540NL
Код товару: 83091
Додати до обраних Обраний товар
IR datasheetdff86e96d9dwedwedwedwe3r.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-262
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL IRF540NL Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBF IRF540NLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 description Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF IRF540NSPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 description Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 description Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N_R4942 IRF540N_R4942 onsemi IRF540N.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1662 шт
1613 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF
Код товару: 34259
2 Додати до обраних Обраний товар
description irf540nspbf-datasheet.pdf
IRF540NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 4 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 50 шт
50 шт - очікується 21.05.2026
Кількість Ціна
1+88.50 грн
10+79.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N 4419343.pdf
IRF540N
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.46 грн
14+59.38 грн
100+53.04 грн
500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBF description irf540nspbf.pdf
IRF540NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
341+94.85 грн
500+85.36 грн
1000+78.72 грн
10000+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 44mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Gate charge: 47.3nC
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+72.31 грн
10+53.71 грн
25+38.02 грн
50+28.03 грн
500+23.84 грн
1000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+61.88 грн
13+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineon-irf540n-datasheet-en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 16595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.64 грн
50+59.29 грн
100+52.97 грн
500+39.30 грн
1000+35.95 грн
2000+33.13 грн
5000+29.59 грн
10000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRL
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.17 грн
500+60.80 грн
1000+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.07 грн
10+140.73 грн
100+95.17 грн
500+60.80 грн
1000+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+95.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+81.99 грн
500+73.79 грн
1000+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IR
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineon-irf540n-datasheet-en.pdf
Виробник: International Rectifier Corporation
(MFET,N-CH,94W,100V,27A,TO-220AB)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF description irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSPBF Транзисторы
на замовлення 101 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF Транзисторы
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRR
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRBF
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier Corporation
TO263 (D2PAK)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор полевой IRF540NPBF; 100V 27A; 140W; N-канальный; корпус: ТО220; I*R (шт)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF540NSTRLPBF 33A 100V N-ch D2PAK
на замовлення 44 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
17+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Модуль ключа транзисторного IRF540N
Комутована напруга: 5...24В, 50 Вт; Габ. розм., мм 22 х 42 мм; транзисторний ключ IRF540N на платі з оптопарою та клемниками;
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IRF540NPBF
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HYG180N10LS1P
Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF540; IRF540N; HYG180N10LS1P HUAYI THYG180n10ls1p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
HYG180N10LS1P
Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF540; IRF540N; HYG180N10LS1P HUAYI THYG180n10ls1p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10A trenchsgtmOS_753.html
Виробник: MOT
N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: IRF3710; IRF540N; MOT120N10A TO220 MOT TMOT120N10A MOT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2396A nte2396A.pdf
NTE2396A
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10L en.CD00003023.pdf
STP40NF10L
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.52 грн
10+85.79 грн
100+67.14 грн
500+53.55 грн
1000+50.34 грн
2000+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N
Код товару: 1956
Додати до обраних Обраний товар
irf540n-datasheet.pdf
IRF540N
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+14.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N 33A 100V N-ch TO-220
Код товару: 205784
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL
Код товару: 83091
Додати до обраних Обраний товар
datasheetdff86e96d9dwedwedwedwe3r.pdf
IRF540NL
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-262
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBF description irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF Infineon_IRF540N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF description irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N_R4942 IRF540N.pdf
IRF540N_R4942
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.