Результат пошуку "IRF540N" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF540NPBF IRF540NPBF
Код товару: 3289
IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1062 шт
928 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
63 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35 грн
10+ 31.5 грн
100+ 27.9 грн
IRF540NSPBF IRF540NSPBF
Код товару: 34259
IR irf540nspbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 117 шт
85 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+88.5 грн
10+ 79.2 грн
IRF540N International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 305 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF540N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF540N Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF540N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF540NL IRF540NL Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.21 грн
50+ 141.74 грн
100+ 128.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF540NLPBF IRF540NLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.5 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.91 грн
11+ 32.94 грн
13+ 28.04 грн
33+ 25.59 грн
89+ 24.22 грн
500+ 24.01 грн
1000+ 23.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+58.69 грн
7+ 41.05 грн
10+ 33.65 грн
33+ 30.71 грн
89+ 29.07 грн
500+ 28.81 грн
1000+ 28.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 37012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+50.47 грн
277+ 44.36 грн
500+ 38.23 грн
1000+ 36.28 грн
Мінімальне замовлення: 243
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540N_DataSheet_v01_01_EN-3363065.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 18274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.07 грн
10+ 45.28 грн
100+ 35.22 грн
500+ 31.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 85659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.5 грн
16+ 48.83 грн
100+ 39.67 грн
500+ 29.77 грн
1000+ 27.42 грн
5000+ 26.88 грн
10000+ 26.35 грн
25000+ 25.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 37012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+78.84 грн
14+ 45.95 грн
100+ 40.38 грн
500+ 33.55 грн
1000+ 30.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 11921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+37.5 грн
500+ 37.09 грн
1000+ 35.66 грн
2000+ 32.93 грн
4000+ 31.35 грн
8000+ 31.27 грн
Мінімальне замовлення: 327
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+49.23 грн
17+ 37.36 грн
100+ 34.62 грн
500+ 30.41 грн
1000+ 27.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1 Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 125803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.56 грн
50+ 47 грн
100+ 42 грн
500+ 31.18 грн
1000+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+40.24 грн
329+ 37.28 грн
500+ 33.96 грн
1000+ 32.41 грн
Мінімальне замовлення: 305
IRF540NPBF; 27A; 100V; 140W; 0,044R; N-канальный; корпус: ТО220; I*R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+700.56 грн
IRF540NS JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF540NS SLKOR description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF540NS SLKOR description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.98 грн
10+ 87.73 грн
100+ 58.3 грн
500+ 38.86 грн
1000+ 35.8 грн
5000+ 35.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.05 грн
2400+ 37.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 6886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.23 грн
10+ 87.37 грн
100+ 59.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+89.98 грн
139+ 88.67 грн
193+ 63.82 грн
250+ 60.92 грн
500+ 40.19 грн
Мінімальне замовлення: 137
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN-3362885.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 16144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.49 грн
10+ 82.77 грн
100+ 50.73 грн
800+ 37.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+102.16 грн
205+ 59.87 грн
207+ 59.26 грн
219+ 53.99 грн
500+ 46.16 грн
1600+ 43.35 грн
Мінімальне замовлення: 120
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+117.17 грн
10+ 83.55 грн
25+ 82.34 грн
100+ 57.14 грн
250+ 52.38 грн
500+ 35.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.3 грн
500+ 38.86 грн
1000+ 35.8 грн
5000+ 35.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 217
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.11 грн
1600+ 40.95 грн
2400+ 39.19 грн
4000+ 35.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.8 грн
2400+ 41.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+125.52 грн
10+ 89.5 грн
100+ 63.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.37 грн
500+ 62.43 грн
1000+ 56.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.92 грн
10+ 111.02 грн
100+ 99.37 грн
500+ 62.43 грн
1000+ 56.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF540N IR
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS IR description N/A
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS IR description 00+;
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS IR description TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS IR description 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS IR description TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS IR description 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS IR description
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NSPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 description IRF540NSPBF Транзисторы
на замовлення 101 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 IRF540NSTRLPBF Транзисторы
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF540NSTRLPBF International Rectifier Corporation irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 TO263 (D2PAK)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF540NSTRR IR TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NSTRRBF
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NSTRRPBF International Rectifier Corporation irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 description TO263 (D2PAK)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Модуль ключа транзисторного IRF540N Комутована напруга: 5...24В, 50 Вт; Габ. розм., мм 22 х 42 мм; транзисторний ключ IRF540N на платі з оптопарою та клемниками;
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4+156 грн
Мінімальне замовлення: 4
Транзистор польовий IRF540N 33A 100V N-ch TO-220
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
Транзистор IRF540NPBF
на замовлення 797 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор IRF540NSPBF
на замовлення 91 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
HYG180N10LS1P HUAYI Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF540; IRF540N; HYG180N10LS1P HUAYI THYG180n10ls1p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF540NPBF
Код товару: 3289
f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1062 шт
928 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
63 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+35 грн
10+ 31.5 грн
100+ 27.9 грн
IRF540NSPBF
Код товару: 34259
description irf540nspbf-datasheet.pdf
IRF540NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 117 шт
85 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+88.5 грн
10+ 79.2 грн
IRF540N
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 305 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF540N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF540N
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF540N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+288.21 грн
50+ 141.74 грн
100+ 128.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF540NLPBF description INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.5 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+48.91 грн
11+ 32.94 грн
13+ 28.04 грн
33+ 25.59 грн
89+ 24.22 грн
500+ 24.01 грн
1000+ 23.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.69 грн
7+ 41.05 грн
10+ 33.65 грн
33+ 30.71 грн
89+ 29.07 грн
500+ 28.81 грн
1000+ 28.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF540NPBF infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 37012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
243+50.47 грн
277+ 44.36 грн
500+ 38.23 грн
1000+ 36.28 грн
Мінімальне замовлення: 243
IRF540NPBF infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF540NPBF Infineon_IRF540N_DataSheet_v01_01_EN-3363065.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 18274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.07 грн
10+ 45.28 грн
100+ 35.22 грн
500+ 31.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF540NPBF INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 85659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+88.5 грн
16+ 48.83 грн
100+ 39.67 грн
500+ 29.77 грн
1000+ 27.42 грн
5000+ 26.88 грн
10000+ 26.35 грн
25000+ 25.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF540NPBF infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 37012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+78.84 грн
14+ 45.95 грн
100+ 40.38 грн
500+ 33.55 грн
1000+ 30.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF540NPBF infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 11921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
327+37.5 грн
500+ 37.09 грн
1000+ 35.66 грн
2000+ 32.93 грн
4000+ 31.35 грн
8000+ 31.27 грн
Мінімальне замовлення: 327
IRF540NPBF infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+49.23 грн
17+ 37.36 грн
100+ 34.62 грн
500+ 30.41 грн
1000+ 27.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF540NPBF irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 125803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.56 грн
50+ 47 грн
100+ 42 грн
500+ 31.18 грн
1000+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF540NPBF infineon-irf540n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
305+40.24 грн
329+ 37.28 грн
500+ 33.96 грн
1000+ 32.41 грн
Мінімальне замовлення: 305
IRF540NPBF; 27A; 100V; 140W; 0,044R; N-канальный; корпус: ТО220; I*R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+700.56 грн
IRF540NS description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF540NS description
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF540NS description
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+131.98 грн
10+ 87.73 грн
100+ 58.3 грн
500+ 38.86 грн
1000+ 35.8 грн
5000+ 35.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+38.05 грн
2400+ 37.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 6886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.23 грн
10+ 87.37 грн
100+ 59.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
137+89.98 грн
139+ 88.67 грн
193+ 63.82 грн
250+ 60.92 грн
500+ 40.19 грн
Мінімальне замовлення: 137
IRF540NSTRLPBF Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN-3362885.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 16144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.49 грн
10+ 82.77 грн
100+ 50.73 грн
800+ 37.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+102.16 грн
205+ 59.87 грн
207+ 59.26 грн
219+ 53.99 грн
500+ 46.16 грн
1600+ 43.35 грн
Мінімальне замовлення: 120
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+117.17 грн
10+ 83.55 грн
25+ 82.34 грн
100+ 57.14 грн
250+ 52.38 грн
500+ 35.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+58.3 грн
500+ 38.86 грн
1000+ 35.8 грн
5000+ 35.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
217+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 217
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+46.11 грн
1600+ 40.95 грн
2400+ 39.19 грн
4000+ 35.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+41.8 грн
2400+ 41.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+125.52 грн
10+ 89.5 грн
100+ 63.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF540NSTRRPBF description INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+99.37 грн
500+ 62.43 грн
1000+ 56.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF540NSTRRPBF description INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+159.92 грн
10+ 111.02 грн
100+ 99.37 грн
500+ 62.43 грн
1000+ 56.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF540N IR
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS description
Виробник: IR
N/A
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS description
Виробник: IR
00+;
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS description
Виробник: IR
TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS description
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS description
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS description
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NS description
Виробник: IR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NSPBF description irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSPBF Транзисторы
на замовлення 101 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF Транзисторы
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier Corporation
TO263 (D2PAK)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF540NSTRR
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NSTRRBF
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF540NSTRRPBF description irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier Corporation
TO263 (D2PAK)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Модуль ключа транзисторного IRF540N
Комутована напруга: 5...24В, 50 Вт; Габ. розм., мм 22 х 42 мм; транзисторний ключ IRF540N на платі з оптопарою та клемниками;
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+156 грн
Мінімальне замовлення: 4
Транзистор польовий IRF540N 33A 100V N-ch TO-220
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
Транзистор IRF540NPBF
на замовлення 797 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Транзистор IRF540NSPBF
на замовлення 91 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
HYG180N10LS1P
Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF540; IRF540N; HYG180N10LS1P HUAYI THYG180n10ls1p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]