Результат пошуку "IRF540N" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 341
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 306
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 316
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 485
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 163
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 196
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 32
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 17
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF540NPBF Код товару: 3289
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 Монтаж: THT |
у наявності: 876 шт
761 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ 30 шт - РАДІОМАГ-Львів 17 шт - РАДІОМАГ-Харків 25 шт - РАДІОМАГ-Одеса 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 19.07.2025
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSPBF Код товару: 34259
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 44 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 Монтаж: SMD |
у наявності: 66 шт
33 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 3 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 5 шт - РАДІОМАГ-Одеса 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRF540N | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 939 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540N | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF540NL | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF540NLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 47.3nC Kind of package: tube |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF540NPBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 677 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 47.3nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 853 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 38276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 38262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 94035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF540NS | SLKOR |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NS | SLKOR |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NS | JSMicro Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NSPBF | Infineon |
![]() ![]() |
на замовлення 104 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 7429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 111200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 111200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF540N | JSMSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF540N IR |
на замовлення 37000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF540NPBF | International Rectifier Corporation |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF540NS | IR |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF540NS | IR |
![]() |
на замовлення 183 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF540NS | IR |
![]() |
на замовлення 757 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF540NS | IR |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF540NS | IR |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF540NS | IR |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF540NS | IR |
![]() |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF540NSPBF |
![]() ![]() |
на замовлення 101 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF540NSTRR | IR | TO-263 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF540NSTRRBF |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF540NSTRRPBF | International Rectifier Corporation |
![]() ![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
Транзистор полевой IRF540NPBF; 100V 27A; 140W; N-канальный; корпус: ТО220; I*R (шт) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF540N 33A 100V N-ch TO-220 |
на замовлення 71 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF540NSTRLPBF 33A 100V N-ch D2PAK |
на замовлення 44 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Модуль ключа транзисторного IRF540N | Комутована напруга: 5...24В, 50 Вт; Габ. розм., мм 22 х 42 мм; транзисторний ключ IRF540N на платі з оптопарою та клемниками; |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
HYG180N10LS1P | HUAYI |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF540; IRF540N; HYG180N10LS1P HUAYI THYG180n10ls1p кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NTE2396A | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP40NF10L | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540N Код товару: 1956
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 44 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
IRF540N 33A 100V N-ch TO-220 Код товару: 205784
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF540NL Код товару: 83091
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-262 Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 44 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
IRF540NPBF Код товару: 3289
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 876 шт
761 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 19.07.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 35.00 грн |
10+ | 31.50 грн |
100+ | 27.90 грн |
IRF540NSPBF Код товару: 34259
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 66 шт
33 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 88.50 грн |
10+ | 79.20 грн |
IRF540N |
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 24.27 грн |
IRF540N |
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 24.27 грн |
IRF540N |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 24.27 грн |
IRF540N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 20.58 грн |
IRF540NL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 284.93 грн |
50+ | 140.23 грн |
100+ | 127.23 грн |
IRF540NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 55.33 грн |
IRF540NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 55.33 грн |
IRF540NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 55.91 грн |
IRF540NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
341+ | 89.88 грн |
500+ | 80.88 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 67.66 грн |
10+ | 50.02 грн |
36+ | 26.48 грн |
50+ | 26.40 грн |
98+ | 24.97 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 677 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 48.79 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 853 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.19 грн |
10+ | 62.34 грн |
36+ | 31.78 грн |
50+ | 31.68 грн |
98+ | 29.97 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
306+ | 40.03 грн |
322+ | 38.02 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 38276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 46.37 грн |
17+ | 36.01 грн |
100+ | 35.74 грн |
500+ | 32.31 грн |
1000+ | 29.04 грн |
4000+ | 25.96 грн |
10000+ | 25.74 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 38262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
316+ | 38.71 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 40.43 грн |
17+ | 36.19 грн |
100+ | 35.81 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 94035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 80.11 грн |
50+ | 45.20 грн |
100+ | 44.47 грн |
500+ | 36.55 грн |
1000+ | 33.77 грн |
2000+ | 31.98 грн |
5000+ | 28.77 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 9798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 88.98 грн |
10+ | 82.18 грн |
25+ | 45.27 грн |
100+ | 43.82 грн |
250+ | 43.67 грн |
500+ | 36.80 грн |
1000+ | 34.28 грн |
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
485+ | 63.13 грн |
539+ | 56.82 грн |
IRF540NS | ![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 22.36 грн |
IRF540NS | ![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 22.13 грн |
IRF540NS | ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 25.04 грн |
IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 26.98 грн |
IRF540NSPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-PAK Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-PAK Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.30 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.01 грн |
10+ | 89.15 грн |
100+ | 60.29 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
163+ | 75.34 грн |
175+ | 70.12 грн |
200+ | 63.84 грн |
1600+ | 50.08 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 8716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 137.17 грн |
10+ | 103.60 грн |
25+ | 88.56 грн |
100+ | 60.70 грн |
500+ | 59.48 грн |
800+ | 38.63 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 89.87 грн |
11+ | 58.15 грн |
25+ | 55.27 грн |
100+ | 49.65 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 39.09 грн |
1600+ | 36.95 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 111200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 50.12 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 111200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 33.60 грн |
1600+ | 33.51 грн |
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
196+ | 62.62 грн |
IRF540N |
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier Corporation
(MFET,N-CH,94W,100V,27A,TO-220AB)
(MFET,N-CH,94W,100V,27A,TO-220AB)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NS | ![]() |
Виробник: IR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NS | ![]() |
Виробник: IR
N/A
N/A
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NS | ![]() |
Виробник: IR
00+;
00+;
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NS | ![]() |
Виробник: IR
TO-220 08+
TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NS | ![]() |
Виробник: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NS | ![]() |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NS | ![]() |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NSPBF | ![]() |
![]() |
IRF540NSPBF Транзисторы
на замовлення 101 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NSTRLPBF |
![]() |
IRF540NSTRLPBF Транзисторы
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NSTRR |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF540NSTRRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier Corporation
TO263 (D2PAK)
TO263 (D2PAK)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Транзистор полевой IRF540NPBF; 100V 27A; 140W; N-канальный; корпус: ТО220; I*R (шт) |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 698.88 грн |
Транзистор польовий IRF540N 33A 100V N-ch TO-220 |
на замовлення 71 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
32+ | 19.00 грн |
Транзистор польовий IRF540NSTRLPBF 33A 100V N-ch D2PAK |
на замовлення 44 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 36.19 грн |
Модуль ключа транзисторного IRF540N |
Комутована напруга: 5...24В, 50 Вт; Габ. розм., мм 22 х 42 мм; транзисторний ключ IRF540N на платі з оптопарою та клемниками;
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
HYG180N10LS1P |
Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF540; IRF540N; HYG180N10LS1P HUAYI THYG180n10ls1p
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF540; IRF540N; HYG180N10LS1P HUAYI THYG180n10ls1p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 22.71 грн |
NTE2396A |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 118.50 грн |
9+ | 108.96 грн |
10+ | 105.77 грн |
STP40NF10L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.10 грн |
10+ | 133.46 грн |
100+ | 90.85 грн |
1000+ | 76.27 грн |
2000+ | 53.37 грн |
5000+ | 52.99 грн |
10000+ | 51.69 грн |
IRF540N Код товару: 1956
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 16.50 грн |
10+ | 14.90 грн |
IRF540N 33A 100V N-ch TO-220 Код товару: 205784
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF540NL Код товару: 83091
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-262
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-262
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 27.50 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]