Результат пошуку "IRF640N" : 30
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF640NPBF Код товару: 42934
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
у наявності: 119 шт
85 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ 8 шт - РАДІОМАГ-Львів 15 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
||||||||||||||
|
IRF640NSPBF Код товару: 116935
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: SMD |
у наявності: 24 шт
4 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||||||
| IRF640N | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXYкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF640N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSMкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF640N | Infineon |
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 168 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF640N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF640NL | International Rectifier |
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nlкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF640NS | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640nsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF640N |
IRF640N Транзисторы |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF640N-005(94-2065) |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF640NPBF | Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB |
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF640NPBF/IR | IR | 08+; |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF640NS | IR |
08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF640NS | IR |
0739 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF640NS | IR |
TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF640NSPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
на замовлення 262 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF640NSTRL | IR | 01+ |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF640NSTRLPBF/IR | IR | 08+; |
на замовлення 18550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF640NSTRR |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF640NSTRRPBF |
|
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Транзистор IRF640NPBF | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца) |
на замовлення 270 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220 |
на замовлення 64 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DH640 | WXDH |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; DH640 DONGHAI TIRF640 DH кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF640 | SLKOR |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLKкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF640N Код товару: 30510
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
IRF640NL Код товару: 143762
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. |
| IRF640NPBF Код товару: 42934
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 119 шт
85 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
| IRF640NSPBF Код товару: 116935
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
4 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 53.00 грн |
| 10+ | 49.00 грн |
| IRF640N | ![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.45 грн |
| IRF640N | ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 28.16 грн |
| IRF640N | ![]() |
на замовлення 168 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 25.21 грн |
| IRF640N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 24.03 грн |
| IRF640NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 37.22 грн |
| IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.68 грн |
| 10+ | 66.18 грн |
| 25+ | 50.81 грн |
| 50+ | 42.58 грн |
| 100+ | 36.84 грн |
| 250+ | 32.15 грн |
| 500+ | 30.24 грн |
| IRF640NS | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 61.05 грн |
| IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.50 грн |
| 10+ | 77.31 грн |
| 50+ | 59.61 грн |
| 100+ | 54.25 грн |
| 250+ | 48.03 грн |
| 800+ | 41.05 грн |
| 1600+ | 38.27 грн |
| IRF640N | ![]() |
IRF640N Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640N-005(94-2065) |
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NPBF/IR |
Виробник: IR
08+;
08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NS | ![]() |
Виробник: IR
08+
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NS | ![]() |
Виробник: IR
0739
0739
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NS | ![]() |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NSPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 262 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NSTRL |
Виробник: IR
01+
01+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NSTRLPBF/IR |
Виробник: IR
08+;
08+;
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор IRF640NPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.99 грн |
| 10+ | 54.86 грн |
| 100+ | 49.37 грн |
| Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220 |
на замовлення 64 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 20.87 грн |
| DH640 |
Виробник: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.64 грн |
| IRF640 | ![]() |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 22.84 грн |
| IRF640N Код товару: 30510
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |






