Результат пошуку "IRF640N" : 47
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 337
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 337
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 29
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF640NPBF Код товару: 42934
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
у наявності: 766 шт
727 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 29 шт - РАДІОМАГ-Львів |
|
||||||||||||||||||
|
IRF640NSPBF Код товару: 116935
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: SMD |
у наявності: 24 шт
4 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||||||||||
| IRF640N | International Rectifier |
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF640N | International Rectifier |
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF640N | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXYкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF640N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSMкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF640N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF640NL | International Rectifier |
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nlкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube |
на замовлення 5769 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC |
на замовлення 16572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF640NS | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640nsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF640NSPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим:кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC |
на замовлення 21280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF640N |
IRF640N Транзисторы |
на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRF640N-005(94-2065) |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||||
| IRF640NPBF/IR | IR | 08+; |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF640NS | IR |
08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF640NSTRL | IR | 01+ |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF640NSTRLPBF/IR | IR | 08+; |
на замовлення 18550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF640NSTRR |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||||
| IRF640NSTRRPBF |
|
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220 |
на замовлення 29 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| Транзистор IRF640NPBF | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца) |
на замовлення 270 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DH640 | WXDH |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; DH640 DONGHAI TIRF640 DH кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
NTE2374 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF640N Код товару: 30510
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
|
IRF640NL Код товару: 143762
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRF640N | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF640NPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 150 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF640NPBF | Infineon |
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF640NPBF | International Rectifier |
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF640NSPBF |
Силовой MOSFET 200V, 18A, 0.18Ом, -55...+155, D2PAK (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRF640NSTRLPBF | International Rectifier |
MOSFET 200V, 18A, D2PAK (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF640NPBF Код товару: 42934
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 766 шт
727 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
| IRF640NSPBF Код товару: 116935
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
4 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 53.00 грн |
| 10+ | 49.00 грн |
| IRF640N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 26.91 грн |
| IRF640N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 26.91 грн |
| IRF640N | ![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 24.16 грн |
| IRF640N | ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 30.30 грн |
| IRF640N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 25.86 грн |
| IRF640NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 40.05 грн |
| IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 5769 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 107.56 грн |
| 10+ | 51.45 грн |
| 50+ | 36.26 грн |
| 100+ | 32.23 грн |
| 250+ | 28.37 грн |
| 500+ | 26.27 грн |
| 1000+ | 24.84 грн |
| 1250+ | 24.34 грн |
| 2000+ | 23.75 грн |
| IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 16572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.59 грн |
| 10+ | 62.78 грн |
| 100+ | 45.32 грн |
| 500+ | 36.26 грн |
| 1000+ | 32.91 грн |
| 2000+ | 30.47 грн |
| 5000+ | 29.63 грн |
| IRF640NS | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 65.70 грн |
| IRF640NSPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим:
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим:
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 28.28 грн |
| 100+ | 24.24 грн |
| IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 109.36 грн |
| 10+ | 64.29 грн |
| 50+ | 53.29 грн |
| 100+ | 48.85 грн |
| 250+ | 42.89 грн |
| 500+ | 38.44 грн |
| 800+ | 35.75 грн |
| IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 80.07 грн |
| 12+ | 66.04 грн |
| 25+ | 53.31 грн |
| IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 21280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.84 грн |
| 10+ | 80.02 грн |
| 100+ | 49.99 грн |
| 500+ | 42.95 грн |
| 800+ | 34.51 грн |
| IRF640NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 337+ | 95.81 грн |
| 500+ | 86.22 грн |
| IRF640NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 337+ | 95.81 грн |
| 500+ | 86.22 грн |
| 1000+ | 79.53 грн |
| IRF640NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 55.30 грн |
| 26+ | 28.56 грн |
| 27+ | 27.02 грн |
| 50+ | 25.01 грн |
| 100+ | 22.77 грн |
| IRF640N | ![]() |
IRF640N Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640N-005(94-2065) |
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NPBF/IR |
Виробник: IR
08+;
08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NS | ![]() |
Виробник: IR
08+
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NSTRL |
Виробник: IR
01+
01+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF640NSTRLPBF/IR |
Виробник: IR
08+;
08+;
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220 |
на замовлення 29 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 21.64 грн |
| Транзистор IRF640NPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DH640 |
Виробник: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 24.38 грн |
| NTE2374 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 272.95 грн |
| IRF640N Код товару: 30510
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| IRF640NL Код товару: 143762
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640N | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 150 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 150 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NSPBF |
![]() |
Силовой MOSFET 200V, 18A, 0.18Ом, -55...+155, D2PAK (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET 200V, 18A, D2PAK (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET 200V, 18A, D2PAK (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.













