Результат пошуку "IRF7313" : 14
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7313TRPBF Код товару: 23579
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 6,5 A Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 650/22 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 248 шт
178 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ 18 шт - РАДІОМАГ-Львів 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
| IRF7313TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313 smd TIRF7313кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF7313TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2W Technology: HEXFET® |
на замовлення 3438 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7313TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7313TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs PLANAR FET |
на замовлення 8946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7313TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF7313 | IOR | 09+ SO-8 |
на замовлення 44337 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7313PBF | International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0; Qg, нКл = 22 @ 5,8 A; Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B; Ugs(th) = 1 В; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7313QTRPBF | IOR |
|
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7313TRPBF |
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 995 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF7313PBF Код товару: 122873
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 6,5 A Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 650/22 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7313TRPBFXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF7313TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF7313TRPBF Код товару: 23579
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 248 шт
178 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 23.00 грн |
| 10+ | 20.70 грн |
| 100+ | 18.50 грн |
| IRF7313TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313 smd TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313 smd TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.06 грн |
| IRF7313TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 69.75 грн |
| 10+ | 43.91 грн |
| 100+ | 30.28 грн |
| IRF7313TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 24.84 грн |
| IRF7313TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 8946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.24 грн |
| 10+ | 53.44 грн |
| 100+ | 30.61 грн |
| 500+ | 23.83 грн |
| 1000+ | 21.52 грн |
| 2000+ | 19.71 грн |
| 4000+ | 18.17 грн |
| IRF7313TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 26.49 грн |
| IRF7313 |
Виробник: IOR
09+ SO-8
09+ SO-8
на замовлення 44337 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF7313PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0; Qg, нКл = 22 @ 5,8 A; Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B; Ugs(th) = 1 В; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0; Qg, нКл = 22 @ 5,8 A; Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B; Ugs(th) = 1 В; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF7313QTRPBF |
![]() |
Виробник: IOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF7313TRPBF | ![]() |
![]() |
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF7313PBF Код товару: 122873
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 21.00 грн |
| 10+ | 19.00 грн |
| 100+ | 17.10 грн |
| IRF7313TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7313TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7313TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






