Результат пошуку "IRF7313" : 31

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF
Код товару: 23579
Додати до обраних Обраний товар

IR irf7313 -datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 332 шт
248 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+23.00 грн
10+20.70 грн
100+18.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF; 6,5A; 30V; 2W; 0,029R; N-MOSFET x2; Корпус: SO-8; Infineon (IRF) (шт)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8+87.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TR International Rectifier a3da941078b4667d1f6ccda751cd6ccf.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313 smd TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D76070127F1A303005056AB0C4F&compId=irf7313pbf.pdf?ci_sign=e7bd49b91212a50639a11cd438aa89f6c9fcf565 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+71.26 грн
10+46.72 грн
48+19.61 грн
132+18.57 грн
4000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON 3980133.pdf Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.16 грн
15+60.44 грн
100+40.01 грн
500+29.18 грн
1000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON 3980133.pdf Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.01 грн
500+29.18 грн
1000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN-3224007.pdf MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.64 грн
10+57.91 грн
100+32.99 грн
500+25.87 грн
1000+23.11 грн
2000+21.28 грн
4000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 IR 05+ SOP-8;
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 IOR 09+ SO-8
на замовлення 44337 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 IR 07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 IOR
на замовлення 43487 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 IR
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 IR SO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 IOR 01+ SOP8
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 IR 04+
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 IOR 09+
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF International Rectifier/Infineon irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0; Qg, нКл = 22 @ 5,8 A; Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B; Ugs(th) = 1 В; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313QTRPBF IR IRF7313QPbF.pdf SOP8 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313QTRPBF IOR IRF7313QPbF.pdf
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF International Rectifier Corporation irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description SO-8
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF IRF7313PBF
Код товару: 122873
Додати до обраних Обраний товар

IR irf7313-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+19.00 грн
100+17.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 IRF7313 Infineon / IR Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN-3224007.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D76070127F1A303005056AB0C4F&compId=irf7313pbf.pdf?ci_sign=e7bd49b91212a50639a11cd438aa89f6c9fcf565 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.51 грн
10+58.22 грн
48+23.53 грн
132+22.29 грн
4000+22.19 грн
8000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF
Код товару: 23579
Додати до обраних Обраний товар

description irf7313 -datasheet.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 332 шт
248 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+23.00 грн
10+20.70 грн
100+18.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF; 6,5A; 30V; 2W; 0,029R; N-MOSFET x2; Корпус: SO-8; Infineon (IRF) (шт)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+87.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TR a3da941078b4667d1f6ccda751cd6ccf.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313 smd TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D76070127F1A303005056AB0C4F&compId=irf7313pbf.pdf?ci_sign=e7bd49b91212a50639a11cd438aa89f6c9fcf565
IRF7313TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.26 грн
10+46.72 грн
48+19.61 грн
132+18.57 грн
4000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 3980133.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.16 грн
15+60.44 грн
100+40.01 грн
500+29.18 грн
1000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 3980133.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.01 грн
500+29.18 грн
1000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN-3224007.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.64 грн
10+57.91 грн
100+32.99 грн
500+25.87 грн
1000+23.11 грн
2000+21.28 грн
4000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313
Виробник: IR
05+ SOP-8;
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313
Виробник: IOR
09+ SO-8
на замовлення 44337 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313
Виробник: IR
07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313
Виробник: IOR
на замовлення 43487 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313
Виробник: IR
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313
Виробник: IR
SO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313
Виробник: IOR
01+ SOP8
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313
Виробник: IR
04+
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313
Виробник: IOR
09+
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0; Qg, нКл = 22 @ 5,8 A; Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B; Ugs(th) = 1 В; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313QTRPBF IRF7313QPbF.pdf
Виробник: IR
SOP8 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313QTRPBF IRF7313QPbF.pdf
Виробник: IOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: International Rectifier Corporation
SO-8
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF
Код товару: 122873
Додати до обраних Обраний товар

description irf7313-datasheet.pdf
IRF7313PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+21.00 грн
10+19.00 грн
100+17.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN-3224007.pdf
IRF7313
Виробник: Infineon / IR
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D76070127F1A303005056AB0C4F&compId=irf7313pbf.pdf?ci_sign=e7bd49b91212a50639a11cd438aa89f6c9fcf565
IRF7313TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.51 грн
10+58.22 грн
48+23.53 грн
132+22.29 грн
4000+22.19 грн
8000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.