Результат пошуку "IRF7313" : 39

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF
Код товару: 23579
Додати до обраних Обраний товар
IR irf7313 -datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 178 шт
  • 127 шт - склад
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+23.00 грн
10+20.70 грн
100+18.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 smd International Rectifier Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313TR TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 smd International Rectifier Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313TR TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF International Rectifier/Infineon irf7313pbf.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0, Qg, нКл = 22 @ 5,8 A, Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
95+26.89 грн
190+23.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.84 грн
10+44.02 грн
47+21.11 грн
128+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF International Rectifier/Infineon Infineon-IRF7313-DataSheet-v01_01-EN.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF International Rectifier irf7313pbf.pdf description SO-8 Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
26+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 34866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.81 грн
10+49.43 грн
50+36.52 грн
100+30.35 грн
500+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
526+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.20 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 34120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.03 грн
12000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.49 грн
12000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 13937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.01 грн
10+48.89 грн
50+36.11 грн
100+30.02 грн
500+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON 3980133.pdf Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON 3980133.pdf Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 IOR 09+ SO-8
на замовлення 44337 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313QTRPBF IOR IRF7313QPbF.pdf
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF infineon-irf7313-datasheet-en.pdf description IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRF7313TR UMWIRF7313TR UMW 0bb04278a358ed88ff01c192e0e35f00.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.60 грн
10+47.27 грн
50+34.89 грн
100+28.98 грн
500+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF IRF7313PBF
Код товару: 122873
Додати до обраних Обраний товар
IR irf7313-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+19.00 грн
100+17.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 International Rectifier/Infineon N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF IRF7313PBF Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TR International Rectifier/Infineon a3da941078b4667d1f6ccda751cd6ccf.pdf N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF-1 IRF7313TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7313PbF-1_11-14-13.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF International Rectifier irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TR International Rectifier a3da941078b4667d1f6ccda751cd6ccf.pdf SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7313Q AUIRF7313Q Infineon Technologies auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7313QTR AUIRF7313QTR Infineon Technologies auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRF7313TR UMWIRF7313TR UMW 0bb04278a358ed88ff01c192e0e35f00.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF
Код товару: 23579
Додати до обраних Обраний товар
description irf7313 -datasheet.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 178 шт
  • 127 шт - склад
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+23.00 грн
10+20.70 грн
100+18.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 smd
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313TR TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313 smd
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313TR TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF description irf7313pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0, Qg, нКл = 22 @ 5,8 A, Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+26.89 грн
190+23.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.84 грн
10+44.02 грн
47+21.11 грн
128+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description Infineon-IRF7313-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: International Rectifier
SO-8 Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineon-irf7313-datasheet-en.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 34866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.81 грн
10+49.43 грн
50+36.52 грн
100+30.35 грн
500+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
526+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+92.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+36.20 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineon-irf7313-datasheet-en.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 34120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+20.03 грн
12000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+19.49 грн
12000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 13937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.01 грн
10+48.89 грн
50+36.11 грн
100+30.02 грн
500+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 3980133.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 3980133.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313
Виробник: IOR
09+ SO-8
на замовлення 44337 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313QTRPBF IRF7313QPbF.pdf
Виробник: IOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineon-irf7313-datasheet-en.pdf
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRF7313TR 0bb04278a358ed88ff01c192e0e35f00.pdf
UMWIRF7313TR
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+78.60 грн
10+47.27 грн
50+34.89 грн
100+28.98 грн
500+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF
Код товару: 122873
Додати до обраних Обраний товар
description irf7313-datasheet.pdf
IRF7313PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+21.00 грн
10+19.00 грн
100+17.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TR a3da941078b4667d1f6ccda751cd6ccf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF-1 IRF7313PbF-1_11-14-13.pdf
IRF7313TRPBF-1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 infineon-irf7313-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: International Rectifier
SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TR a3da941078b4667d1f6ccda751cd6ccf.pdf
Виробник: International Rectifier
SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7313Q auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6
AUIRF7313Q
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7313QTR auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6
AUIRF7313QTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRF7313TR 0bb04278a358ed88ff01c192e0e35f00.pdf
UMWIRF7313TR
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.