Результат пошуку "IRF7313" : 50

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF
Код товару: 23579
IR irf7313 -datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 363 шт
1+23 грн
10+ 20.7 грн
100+ 18.5 грн
IRF7313PBF International Rectifier/Infineon irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0; Qg, нКл = 22 @ 5,8 A; Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B; Ugs(th) = 1 В; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 20.92 грн
IRF7313PBF; 6,5A; 30V; 2W; 0,029R; N-MOSFET x2; Корпус: SO-8; Infineon (IRF)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
18+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF7313TR International Rectifier Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7313 smd TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+70.53 грн
179+ 63.14 грн
219+ 51.72 грн
233+ 46.83 грн
500+ 38.55 грн
1000+ 30.6 грн
4000+ 27.15 грн
Мінімальне замовлення: 161
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON IRSDS18060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON IRSDS18060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.3 грн
13+ 56.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+59.61 грн
11+ 51.96 грн
25+ 51.64 грн
100+ 35.05 грн
250+ 32.13 грн
500+ 26.14 грн
1000+ 17.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+55.96 грн
204+ 55.61 грн
289+ 39.14 грн
292+ 37.37 грн
500+ 29.32 грн
1000+ 18.66 грн
Мінімальне замовлення: 202
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN-3224007.pdf description MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A
на замовлення 16320 шт:
термін постачання 260-269 дні (днів)
5+61.46 грн
10+ 53.84 грн
100+ 31.91 грн
500+ 26.7 грн
1000+ 22.72 грн
2000+ 20.58 грн
4000+ 19.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.5 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON 3980133.pdf Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.22 грн
500+ 31.67 грн
1000+ 24.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN-3224007.pdf MOSFET
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.14 грн
10+ 53.91 грн
100+ 31.97 грн
500+ 26.76 грн
1000+ 22.79 грн
2000+ 21.55 грн
4000+ 18.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 7358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.05 грн
10+ 47.82 грн
100+ 33.07 грн
500+ 25.93 грн
1000+ 22.06 грн
2000+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON 3980133.pdf Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.6 грн
15+ 50.69 грн
100+ 39.22 грн
500+ 31.67 грн
1000+ 24.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7313 IR SO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313 IOR 01+ SOP8
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313 IR 04+
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313 IOR 09+
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313 IR 05+ SOP-8;
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313 IOR 09+ SO-8
на замовлення 44337 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313 IR 07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313 IOR
на замовлення 43487 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313 IR
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313QTRPBF IOR IRF7313QPbF.pdf
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313QTRPBF IR IRF7313QPbF.pdf SOP8 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313TRPBF irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
AUIRF7313QTR International Rectifier auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.4W AUIRF7313QTR TAUIRF7313q
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7313PBF IRF7313PBF
Код товару: 122873
IR irf7313-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7313 IRF7313 Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7313 IRF7313 Infineon / IR Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN-3224007.pdf MOSFET
товар відсутній
IRF7313PBF Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товар відсутній
IRF7313QPBF IRF7313QPBF Infineon Technologies irf7313qpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7313QTRPBF Infineon Technologies IRF7313QPbF.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товар відсутній
IRF7313TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7313PbF-1_11-14-13.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
AUIRF7313Q Infineon Technologies auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
AUIRF7313QTR Infineon Technologies auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
IRF7313TRPBF
Код товару: 23579
description irf7313 -datasheet.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 363 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+23 грн
10+ 20.7 грн
100+ 18.5 грн
IRF7313PBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0; Qg, нКл = 22 @ 5,8 A; Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B; Ugs(th) = 1 В; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 20.92 грн
IRF7313PBF; 6,5A; 30V; 2W; 0,029R; N-MOSFET x2; Корпус: SO-8; Infineon (IRF)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF7313TR
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7313 smd TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF7313TRPBF description irf7313.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7313TRPBF description irf7313.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
161+70.53 грн
179+ 63.14 грн
219+ 51.72 грн
233+ 46.83 грн
500+ 38.55 грн
1000+ 30.6 грн
4000+ 27.15 грн
Мінімальне замовлення: 161
IRF7313TRPBF description IRSDS18060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7313TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7313TRPBF description irf7313.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7313TRPBF description IRSDS18060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7313TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+68.3 грн
13+ 56.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7313TRPBF description irf7313.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+59.61 грн
11+ 51.96 грн
25+ 51.64 грн
100+ 35.05 грн
250+ 32.13 грн
500+ 26.14 грн
1000+ 17.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7313TRPBF description irf7313.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
202+55.96 грн
204+ 55.61 грн
289+ 39.14 грн
292+ 37.37 грн
500+ 29.32 грн
1000+ 18.66 грн
Мінімальне замовлення: 202
IRF7313TRPBF description Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN-3224007.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A
на замовлення 16320 шт:
термін постачання 260-269 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.46 грн
10+ 53.84 грн
100+ 31.91 грн
500+ 26.7 грн
1000+ 22.72 грн
2000+ 20.58 грн
4000+ 19.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.5 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7313TRPBFXTMA1
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7313TRPBFXTMA1 3980133.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+39.22 грн
500+ 31.67 грн
1000+ 24.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN-3224007.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.14 грн
10+ 53.91 грн
100+ 31.97 грн
500+ 26.76 грн
1000+ 22.79 грн
2000+ 21.55 грн
4000+ 18.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7313TRPBFXTMA1
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 7358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.05 грн
10+ 47.82 грн
100+ 33.07 грн
500+ 25.93 грн
1000+ 22.06 грн
2000+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7313TRPBFXTMA1 3980133.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+62.6 грн
15+ 50.69 грн
100+ 39.22 грн
500+ 31.67 грн
1000+ 24.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7313
Виробник: IR
SO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313
Виробник: IOR
01+ SOP8
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313
Виробник: IR
04+
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313
Виробник: IOR
09+
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313
Виробник: IR
05+ SOP-8;
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313
Виробник: IOR
09+ SO-8
на замовлення 44337 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313
Виробник: IR
07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313
Виробник: IOR
на замовлення 43487 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313
Виробник: IR
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313QTRPBF IRF7313QPbF.pdf
Виробник: IOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313QTRPBF IRF7313QPbF.pdf
Виробник: IR
SOP8 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
AUIRF7313QTR auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6
Виробник: International Rectifier
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.4W AUIRF7313QTR TAUIRF7313q
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7313PBF
Код товару: 122873
description irf7313-datasheet.pdf
IRF7313PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7313 irf7313.pdf
IRF7313
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7313 Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN-3224007.pdf
IRF7313
Виробник: Infineon / IR
MOSFET
товар відсутній
IRF7313PBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товар відсутній
IRF7313QPBF description irf7313qpbf.pdf
IRF7313QPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7313QTRPBF IRF7313QPbF.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF7313TRPBF description irf7313.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товар відсутній
IRF7313TRPBF-1 IRF7313PbF-1_11-14-13.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
AUIRF7313Q auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
AUIRF7313QTR auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній