Результат пошуку "IRFP064N" : 28

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP064NPBF IRFP064NPBF
Код товару: 52519
Додати до обраних Обраний товар

IR IRFP064N.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170
Монтаж: THT
у наявності: 147 шт
120 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+76.00 грн
10+69.00 грн
100+64.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP064; IRFP064N; SP001554926; IRFP064N JSMICRO TIRFP064n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N International Rectifier Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N International Rectifier Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp064n.pdf?ci_sign=24f2d5c6c21e5e1e08dcd4962b305485e88e41fa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.00 грн
10+121.84 грн
12+74.75 грн
33+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IR irfp064npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562840351fca Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=60V; Id=70A; Pdmax=300W; Rds=0,009 Ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+185.47 грн
10+161.46 грн
100+150.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp064n.pdf?ci_sign=24f2d5c6c21e5e1e08dcd4962b305485e88e41fa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.20 грн
10+151.83 грн
12+89.70 грн
33+85.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+80.61 грн
1600+79.81 грн
3200+79.01 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 7639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+209.16 грн
10+127.85 грн
100+95.30 грн
500+77.33 грн
1600+70.89 грн
3200+67.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+139.97 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies irfp064npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562840351fca Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.68 грн
25+133.29 грн
100+108.20 грн
500+78.22 грн
1000+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 7632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+226.51 грн
88+138.46 грн
118+103.21 грн
500+83.75 грн
1600+76.77 грн
3200+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 84797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+205.16 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON INFN-S-A0012813963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP064NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 98 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 91724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.96 грн
10+213.32 грн
100+123.16 грн
500+84.47 грн
1000+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF; 98A; 55V; 150W; 8mR; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-247; INFINEON (IRF)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+99.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N International Rectifier Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N International Rectifier Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP064N AUIRFP064N International Rectifier IRSDS11926-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUIRFP064 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+154.92 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFP064NPBF 98A 55V N-ch TO-247
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+300.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2913 NTE2913 NTE Electronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8B06A92EB80C1&compId=nte2913.pdf?ci_sign=f6ab3b4f3c7e6a5992842f53717fb5e6a2a92f77 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+347.76 грн
3+290.78 грн
4+269.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N IRFP064N
Код товару: 23063
Додати до обраних Обраний товар

IR IRFP064N.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+36.00 грн
10+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N IRFP064N Infineon / IR Infineon_IRFP064N_DataSheet_v01_01_EN-3363154.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP064N_DataSheet_v01_01_EN-3363154.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP064N AUIRFP064N Infineon Technologies AUIRFP064N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064 IRFP064 Vishay Siliconix description Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF
Код товару: 52519
Додати до обраних Обраний товар

IRFP064N.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170
Монтаж: THT
у наявності: 147 шт
120 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+76.00 грн
10+69.00 грн
100+64.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP064; IRFP064N; SP001554926; IRFP064N JSMICRO TIRFP064n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp064n.pdf?ci_sign=24f2d5c6c21e5e1e08dcd4962b305485e88e41fa
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.00 грн
10+121.84 грн
12+74.75 грн
33+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF irfp064npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562840351fca
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=60V; Id=70A; Pdmax=300W; Rds=0,009 Ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.47 грн
10+161.46 грн
100+150.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp064n.pdf?ci_sign=24f2d5c6c21e5e1e08dcd4962b305485e88e41fa
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.20 грн
10+151.83 грн
12+89.70 грн
33+85.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+80.61 грн
1600+79.81 грн
3200+79.01 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 7639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+209.16 грн
10+127.85 грн
100+95.30 грн
500+77.33 грн
1600+70.89 грн
3200+67.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+139.97 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF irfp064npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562840351fca
IRFP064NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.68 грн
25+133.29 грн
100+108.20 грн
500+78.22 грн
1000+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 7632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+226.51 грн
88+138.46 грн
118+103.21 грн
500+83.75 грн
1600+76.77 грн
3200+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 84797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+205.16 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF INFN-S-A0012813963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP064NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 98 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 91724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+218.96 грн
10+213.32 грн
100+123.16 грн
500+84.47 грн
1000+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF infineon-irfp064n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF; 98A; 55V; 150W; 8mR; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-247; INFINEON (IRF)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+99.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP064N IRSDS11926-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFP064N
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRFP064 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+154.92 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFP064NPBF 98A 55V N-ch TO-247
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2913 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8B06A92EB80C1&compId=nte2913.pdf?ci_sign=f6ab3b4f3c7e6a5992842f53717fb5e6a2a92f77
NTE2913
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+347.76 грн
3+290.78 грн
4+269.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N
Код товару: 23063
Додати до обраних Обраний товар

IRFP064N.pdf
IRFP064N
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+36.00 грн
10+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064N Infineon_IRFP064N_DataSheet_v01_01_EN-3363154.pdf
IRFP064N
Виробник: Infineon / IR
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF Infineon_IRFP064N_DataSheet_v01_01_EN-3363154.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP064N AUIRFP064N.pdf
AUIRFP064N
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064 description
IRFP064
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.