Результат пошуку "IRFZ44N" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 294
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 248
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 252
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 265
Мінімальне замовлення: 233
Мінімальне замовлення: 290
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 198
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 208
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 450
Мінімальне замовлення: 320
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 270
Мінімальне замовлення: 258
Мінімальне замовлення: 258
Мінімальне замовлення: 10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFZ44NPBF Код товару: 35403 |
IR |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: THT |
у наявності: 989 шт
|
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF Код товару: 122891 |
IR |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 300 шт
|
|
||||||||||||||||||
AUIRFZ44NS Код товару: 152487 |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 9 шт
|
|
||||||||||||||||||||
IRFZ44N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFZ44N | International Rectifier |
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 6293 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFZ44N | International Rectifier |
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFZ44N | International Rectifier |
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFZ44N | International Rectifier |
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 110W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRFZ44NLPBF | IR |
![]() |
на замовлення 157 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 110W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRFZ44NPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 197 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 584 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 23845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 63307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 23845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 26059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 23828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 25145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 26277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 63307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRFZ44NS | UMW |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFZ44NSPBF | IR |
![]() ![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFZ44NSTRL | Infineon |
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFZ44NSTRL | Infineon |
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 20113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRRPBF | International Rectifier |
![]() ![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRFZ44NPBF |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
IRFZ44NPBF |
![]() |
на замовлення 103 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
IRFZ44NS | IR |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFZ44NS | IR |
![]() |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFZ44NS | IR |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFZ44NSTRPBF | IR | TO220 10+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
AUIRFZ44N | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
AUIRFZ44N | International Rectifier |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
AUIRFZ44NS | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
AUIRFZ44NSTRL | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
AUIRFZ44NSTRL | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 12182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
Транзистор польовий IRFZ44NPBF 49A 55V N-ch TO-220AB |
на замовлення 213 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
NTE2395 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44N Код товару: 1322 |
IR |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSPBF Код товару: 37486 |
![]() ![]() |
товар відсутній
|
IRFZ44NPBF Код товару: 35403 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 989 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 20 грн |
10+ | 17.9 грн |
100+ | 16 грн |
IRFZ44NSTRLPBF Код товару: 122891 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 300 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 23.5 грн |
10+ | 21.5 грн |
AUIRFZ44NS Код товару: 152487 |
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 9 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 54 грн |
IRFZ44N |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 20.56 грн |
IRFZ44N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 6293 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 24.85 грн |
IRFZ44N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 24.85 грн |
IRFZ44N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 24.85 грн |
IRFZ44N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 53A 55V 107W 0.017? IRFZ44N IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 24.85 грн |
IRFZ44NLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 63.04 грн |
10+ | 56.44 грн |
18+ | 48.38 грн |
49+ | 45.45 грн |
IRFZ44NLPBF |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO262 Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO262 Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
на замовлення 157 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 21.58 грн |
IRFZ44NLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.56 грн |
10+ | 67.73 грн |
18+ | 58.05 грн |
49+ | 54.54 грн |
IRFZ44NLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
294+ | 41.63 грн |
302+ | 40.43 грн |
IRFZ44NLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 39.95 грн |
25+ | 39.74 грн |
50+ | 37.28 грн |
100+ | 33.52 грн |
IRFZ44NLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 18243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
248+ | 49.27 грн |
251+ | 48.77 грн |
264+ | 46.35 грн |
278+ | 42.39 грн |
1000+ | 38.58 грн |
IRFZ44NLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 18243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 45.75 грн |
25+ | 45.29 грн |
50+ | 41.5 грн |
100+ | 36.44 грн |
1000+ | 34.39 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 50.52 грн |
34+ | 25.8 грн |
92+ | 24.41 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 49 А; Ptot, Вт = 94; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 49 А; Ptot, Вт = 94; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 197 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 18.7 грн |
36+ | 17.46 грн |
100+ | 16.21 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 60.63 грн |
34+ | 32.15 грн |
92+ | 29.29 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 18.47 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 89.99 грн |
11+ | 73.49 грн |
100+ | 56.36 грн |
500+ | 46.55 грн |
1000+ | 34.71 грн |
5000+ | 31.46 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
252+ | 48.54 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 67.03 грн |
11+ | 57.36 грн |
100+ | 50.08 грн |
500+ | 44.35 грн |
1000+ | 33.68 грн |
2000+ | 29.37 грн |
5000+ | 27.27 грн |
10000+ | 27 грн |
25000+ | 26.73 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 55.69 грн |
13+ | 48.76 грн |
100+ | 43.35 грн |
500+ | 38.75 грн |
1000+ | 30.2 грн |
2000+ | 26.61 грн |
5000+ | 24.89 грн |
10000+ | 24.64 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 45.08 грн |
15+ | 41.91 грн |
100+ | 39.14 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 26059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 92.11 грн |
50+ | 71.6 грн |
100+ | 56.74 грн |
500+ | 45.13 грн |
1000+ | 36.77 грн |
2000+ | 34.61 грн |
5000+ | 32.42 грн |
10000+ | 30.93 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
265+ | 46.05 грн |
286+ | 42.7 грн |
500+ | 40.64 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
233+ | 52.48 грн |
262+ | 46.66 грн |
500+ | 43.26 грн |
1000+ | 35.11 грн |
2000+ | 29.83 грн |
5000+ | 26.79 грн |
10000+ | 26.52 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
290+ | 42.19 грн |
338+ | 36.1 грн |
357+ | 34.27 грн |
500+ | 30.89 грн |
1000+ | 26.78 грн |
2000+ | 24.32 грн |
4000+ | 22.66 грн |
16000+ | 21.17 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 46.35 грн |
15+ | 42.76 грн |
100+ | 39.65 грн |
500+ | 36.39 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
на замовлення 26277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.92 грн |
10+ | 69.84 грн |
100+ | 51.58 грн |
500+ | 45.32 грн |
1000+ | 37.51 грн |
2000+ | 34.55 грн |
5000+ | 33.28 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
198+ | 61.77 грн |
227+ | 53.93 грн |
500+ | 49.54 грн |
1000+ | 39.17 грн |
2000+ | 32.94 грн |
5000+ | 29.37 грн |
10000+ | 29.07 грн |
25000+ | 28.79 грн |
IRFZ44NS | ![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.35 грн |
IRFZ44NSPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.2 грн |
10+ | 34.56 грн |
100+ | 33.86 грн |
IRFZ44NSTRL |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 35.4 грн |
IRFZ44NSTRL |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 35.4 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 37.99 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 20113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.64 грн |
10+ | 60.91 грн |
100+ | 47.35 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 93.15 грн |
11+ | 72.31 грн |
50+ | 62.2 грн |
100+ | 48.38 грн |
250+ | 43.78 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 48.38 грн |
250+ | 43.78 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 41.68 грн |
1600+ | 39.7 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
208+ | 58.77 грн |
218+ | 56.03 грн |
273+ | 44.84 грн |
278+ | 42.46 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 23.73 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 46.75 грн |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
на замовлення 7446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.92 грн |
10+ | 67.09 грн |
100+ | 45.32 грн |
800+ | 39.55 грн |
IRFZ44NSTRRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
450+ | 56.08 грн |
AUIRFZ44N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
320+ | 66.72 грн |
AUIRFZ44N |
![]() ![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 31A Automotive AUIRFZ44N International Rectifier TAUIRFZ44n
кількість в упаковці: 10 шт
MOSFET N-CH 55V 31A Automotive AUIRFZ44N International Rectifier TAUIRFZ44n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 64.36 грн |
AUIRFZ44NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
270+ | 78.79 грн |
AUIRFZ44NSTRL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
258+ | 82.34 грн |
AUIRFZ44NSTRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 12182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
258+ | 82.34 грн |
Транзистор польовий IRFZ44NPBF 49A 55V N-ch TO-220AB |
на замовлення 213 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 17.67 грн |
NTE2395 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 431.8 грн |
3+ | 299.8 грн |
8+ | 283.68 грн |
IRFZ44N Код товару: 1322 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]