Результат пошуку "IRLML2502" : 47
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 400
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 21
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 21
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 524
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 598
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2511
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLML2502TRPBF Код товару: 25595
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR/Infineon |
![]() Uds,V: 20 V Idd,A: 4,2 A Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 740/8 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 3500 шт
2773 шт - склад
144 шт - РАДІОМАГ-Київ 108 шт - РАДІОМАГ-Львів 198 шт - РАДІОМАГ-Харків 162 шт - РАДІОМАГ-Одеса 115 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRLML2502 | HUASHUO |
![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1101 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502 | LGE |
![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502 | MLCCBASE |
![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502 | HOTTECH |
![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502 | HUASHUO |
![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 239 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502 1G MK, | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 240 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502TR | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502TR | HXY MOSFET |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502TR | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502TR | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502TR | JGSEMI |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502TR | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 524 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502TR | UMW |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502TR | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502TR | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502TR G... | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 90mOhm; 4,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JSMICRO TIRLML2502 JSM кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLML2502TR-ES | ElecSuper |
N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 17753 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2208 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 215017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF-1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLML2502PBF | IR | 09+ |
на замовлення 500018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML2502TR-VB | VBsemi | N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR TIRLML2502 VBS |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML2502TR/TRPBF |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 986 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 55 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | UMW |
![]() |
на замовлення 1416 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML2502TR\1CKX | IRF | SOT-23 |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML2502\1CM | IRF | SOT-23 |
на замовлення 17250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SKML2502 | SHIKUES |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; SKML2502 SHIKUES TSKML2502 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GML2502-(SOT-23) | Ningbo KLS electronic co.,ltd | N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 (альтернатива IRLML2502TR) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLML2502 Код товару: 4180
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: SOT-23 Uds,V: 20 V Idd,A: 4,2 A Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 740/8 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502 | Infineon / IR |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Infineon (IRF) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 8nC On-state resistance: 45mΩ Gate-source voltage: ±12V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRLML2502TRPBF Код товару: 25595
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3500 шт
2773 шт - склад
144 шт - РАДІОМАГ-Київ
108 шт - РАДІОМАГ-Львів
198 шт - РАДІОМАГ-Харків
162 шт - РАДІОМАГ-Одеса
115 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
144 шт - РАДІОМАГ-Київ
108 шт - РАДІОМАГ-Львів
198 шт - РАДІОМАГ-Харків
162 шт - РАДІОМАГ-Одеса
115 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 10.00 грн |
10+ | 9.00 грн |
100+ | 8.20 грн |
1000+ | 7.50 грн |
IRLML2502 | ![]() |
![]() |
Виробник: HUASHUO
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 3.52 грн |
IRLML2502 | ![]() |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; C-CDM2502; IRLML2502TR LGE TIRLML2502 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; C-CDM2502; IRLML2502TR LGE TIRLML2502 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 2.92 грн |
IRLML2502 | ![]() |
![]() |
Виробник: MLCCBASE
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 MLCCBASE TIRLML2502 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 MLCCBASE TIRLML2502 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 3.09 грн |
IRLML2502 | ![]() |
![]() |
Виробник: HOTTECH
N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c
кількість в упаковці: 100 шт
N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 2.79 грн |
IRLML2502 | ![]() |
![]() |
Виробник: HUASHUO
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 3.52 грн |
IRLML2502 1G MK, |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 2.94 грн |
IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 6.33 грн |
IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR HXY MOSFET TIRLML2502 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR HXY MOSFET TIRLML2502 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 3.81 грн |
IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 6.33 грн |
IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 6.33 грн |
IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JGSEMI TIRLML2502 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JGSEMI TIRLML2502 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 3.37 грн |
IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 524 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 6.33 грн |
IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 2.94 грн |
IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 6.33 грн |
IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 6.33 грн |
IRLML2502TR G... |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 90mOhm; 4,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JSMICRO TIRLML2502 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 90mOhm; 4,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JSMICRO TIRLML2502 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 3.00 грн |
IRLML2502TR-ES |
Виробник: ElecSuper
N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c
кількість в упаковці: 100 шт
N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
400+ | 1.81 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 32.56 грн |
23+ | 17.05 грн |
50+ | 12.71 грн |
100+ | 11.32 грн |
133+ | 6.90 грн |
365+ | 6.51 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm
на замовлення 17753 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 14.52 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.07 грн |
14+ | 21.25 грн |
50+ | 15.25 грн |
100+ | 13.58 грн |
133+ | 8.28 грн |
365+ | 7.81 грн |
9000+ | 7.63 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 6.26 грн |
6000+ | 5.79 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 7.69 грн |
6000+ | 7.12 грн |
9000+ | 6.13 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 40.65 грн |
50+ | 22.29 грн |
250+ | 11.85 грн |
1000+ | 9.77 грн |
3000+ | 6.82 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 29.31 грн |
32+ | 18.97 грн |
100+ | 9.02 грн |
250+ | 8.27 грн |
500+ | 5.42 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 22.29 грн |
250+ | 11.85 грн |
1000+ | 9.77 грн |
3000+ | 6.82 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
524+ | 23.33 грн |
543+ | 22.49 грн |
1000+ | 21.76 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
598+ | 20.43 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl
на замовлення 215017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 35.51 грн |
17+ | 21.31 грн |
100+ | 9.97 грн |
500+ | 9.52 грн |
1000+ | 9.23 грн |
3000+ | 6.77 грн |
6000+ | 6.25 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 7.19 грн |
6000+ | 6.65 грн |
9000+ | 5.73 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 6.74 грн |
IRLML2502TRPBF-1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2511+ | 12.15 грн |
10000+ | 10.84 грн |
IRLML2502PBF |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML2502TR-VB |
Виробник: VBsemi
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR TIRLML2502 VBS
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR TIRLML2502 VBS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML2502TR/TRPBF |
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML2502TRPBF |
![]() |
IRLML2502TRPBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,2 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15; Qg, нКл = 12 @ 5 В; Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOT-23-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,2 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15; Qg, нКл = 12 @ 5 В; Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 986 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: UMW
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML2502TR\1CKX |
Виробник: IRF
SOT-23
SOT-23
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML2502\1CM |
Виробник: IRF
SOT-23
SOT-23
на замовлення 17250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SKML2502 |
Виробник: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; SKML2502 SHIKUES TSKML2502
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; SKML2502 SHIKUES TSKML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 2.87 грн |
GML2502-(SOT-23) |
Виробник: Ningbo KLS electronic co.,ltd
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 (альтернатива IRLML2502TR)
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 (альтернатива IRLML2502TR)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML2502 Код товару: 4180
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 12.00 грн |
10+ | 8.00 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.