Результат пошуку "IRLML2502" : 54

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF
Код товару: 25595
Додати до обраних Обраний товар

IR/Infineon irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606 Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3763 шт
2944 шт - склад
149 шт - РАДІОМАГ-Київ
120 шт - РАДІОМАГ-Львів
198 шт - РАДІОМАГ-Харків
192 шт - РАДІОМАГ-Одеса
160 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.20 грн
1000+7.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502 MLCCBASE IRLML2502.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 MLCCBASE TIRLML2502 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502 HUASHUO IRLML2502.pdf description N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502 HUASHUO IRLML2502.pdf description N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502 LGE IRLML2502.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; C-CDM2502; IRLML2502TR LGE TIRLML2502 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502 HOTTECH IRLML2502.pdf description N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502 1G MK, UMW Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR Infineon DS_448_IRLML2502.pdf N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR JGSEMI DS_448_IRLML2502.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JGSEMI TIRLML2502 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR Infineon DS_448_IRLML2502.pdf N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 524 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR Infineon DS_448_IRLML2502.pdf N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR Infineon DS_448_IRLML2502.pdf N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR UMW DS_448_IRLML2502.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR Infineon DS_448_IRLML2502.pdf N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR HXY MOSFET DS_448_IRLML2502.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR HXY MOSFET TIRLML2502 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR Infineon DS_448_IRLML2502.pdf N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR G... JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 90mOhm; 4,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JSMICRO TIRLML2502 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.19 грн
23+16.86 грн
50+12.57 грн
100+11.19 грн
132+6.82 грн
364+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Infineon irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606 Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
20+14.52 грн
25+10.79 грн
100+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF International Rectifier/Infineon irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606 N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,2 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15; Qg, нКл = 12 @ 5 В; Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 986 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
89+7.05 грн
95+6.58 грн
103+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.62 грн
14+21.01 грн
50+15.08 грн
100+13.43 грн
132+8.18 грн
364+7.72 грн
9000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606 Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
на замовлення 39832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.85 грн
6000+6.12 грн
9000+5.77 грн
15000+5.38 грн
21000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON 1912230.pdf Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.04 грн
250+11.72 грн
1000+9.66 грн
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.74 грн
6000+6.49 грн
9000+5.89 грн
24000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606 Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
на замовлення 39832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
18+18.01 грн
100+9.83 грн
500+9.06 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
598+20.43 грн
1215+10.05 грн
1227+9.95 грн
1239+9.50 грн
1289+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 598
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.21 грн
32+18.97 грн
100+8.99 грн
250+8.25 грн
500+7.84 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.65 грн
32+19.37 грн
100+10.57 грн
500+9.89 грн
1000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON 1912230.pdf Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.19 грн
50+22.04 грн
250+11.72 грн
1000+9.66 грн
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
524+23.33 грн
543+22.49 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 524
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.30 грн
6000+7.03 грн
9000+6.38 грн
24000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF-1 IRLML2502TRPBF-1 Infineon Technologies 3538irlml2502pbf-1.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2084+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 2084
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502PBF IR 09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR-ES ElecSuper N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR/TRPBF
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606 IRLML2502TRPBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606 N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF UMW irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606 N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR\1CKX IRF SOT-23
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502\1CM IRF SOT-23
на замовлення 17250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML2502 UMWIRLML2502 UMW IRLML2502.pdf Description: 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V,4.2A 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.75 грн
12+27.59 грн
25+22.68 грн
100+16.13 грн
250+13.59 грн
500+12.03 грн
1000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML2502 UMWIRLML2502 UMW IRLML2502.pdf Description: 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V,4.2A 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SKML2502 SHIKUES Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; SKML2502 SHIKUES TSKML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
GML2502-(SOT-23) Ningbo KLS electronic co.,ltd N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 (альтернатива IRLML2502TR)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502 IRLML2502
Код товару: 4180
Додати до обраних Обраний товар

IR irlml2502.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+12.00 грн
10+8.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502GTRPBF IRLML2502GTRPBF Infineon Technologies irlml2502gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535667fb882604 Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502GTRPBF IRLML2502GTRPBF Infineon Technologies irlml2502gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535667fb882604 Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR IRLML2502TR Infineon Technologies DS_448_IRLML2502.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Infineon (IRF) irlml2502gpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML2502 UMWIRLML2502 UMW IRLML2502.pdf Description: 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V,4.2A 1.
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PIS-1261 PIS-1261 Pi Supply Octopus_Motor_Brick_Web.pdf Description: OCTOPUS MOTOR BRICK
Packaging: Bulk
Function: DC Motor
Type: Motor/Haptic
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IRLML2502
Platform: Octopus
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF
Код товару: 25595
Додати до обраних Обраний товар

irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606
IRLML2502TRPBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3763 шт
2944 шт - склад
149 шт - РАДІОМАГ-Київ
120 шт - РАДІОМАГ-Львів
198 шт - РАДІОМАГ-Харків
192 шт - РАДІОМАГ-Одеса
160 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.20 грн
1000+7.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502 description IRLML2502.pdf
Виробник: MLCCBASE
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 MLCCBASE TIRLML2502 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502 description IRLML2502.pdf
Виробник: HUASHUO
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502 description IRLML2502.pdf
Виробник: HUASHUO
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502 description IRLML2502.pdf
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; C-CDM2502; IRLML2502TR LGE TIRLML2502 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502 description IRLML2502.pdf
Виробник: HOTTECH
N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502 1G MK,
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR DS_448_IRLML2502.pdf
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR DS_448_IRLML2502.pdf
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JGSEMI TIRLML2502 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR DS_448_IRLML2502.pdf
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 524 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR DS_448_IRLML2502.pdf
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR DS_448_IRLML2502.pdf
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR DS_448_IRLML2502.pdf
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR DS_448_IRLML2502.pdf
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR DS_448_IRLML2502.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR HXY MOSFET TIRLML2502 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR DS_448_IRLML2502.pdf
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR G...
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 90mOhm; 4,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JSMICRO TIRLML2502 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.19 грн
23+16.86 грн
50+12.57 грн
100+11.19 грн
132+6.82 грн
364+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
20+14.52 грн
25+10.79 грн
100+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,2 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15; Qg, нКл = 12 @ 5 В; Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 986 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
89+7.05 грн
95+6.58 грн
103+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.62 грн
14+21.01 грн
50+15.08 грн
100+13.43 грн
132+8.18 грн
364+7.72 грн
9000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606
IRLML2502TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
на замовлення 39832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.85 грн
6000+6.12 грн
9000+5.77 грн
15000+5.38 грн
21000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF 1912230.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.04 грн
250+11.72 грн
1000+9.66 грн
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.74 грн
6000+6.49 грн
9000+5.89 грн
24000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606
IRLML2502TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
на замовлення 39832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
18+18.01 грн
100+9.83 грн
500+9.06 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
598+20.43 грн
1215+10.05 грн
1227+9.95 грн
1239+9.50 грн
1289+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 598
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.21 грн
32+18.97 грн
100+8.99 грн
250+8.25 грн
500+7.84 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.65 грн
32+19.37 грн
100+10.57 грн
500+9.89 грн
1000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF 1912230.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.19 грн
50+22.04 грн
250+11.72 грн
1000+9.66 грн
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
524+23.33 грн
543+22.49 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 524
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF infineon-irlml2502-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.30 грн
6000+7.03 грн
9000+6.38 грн
24000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF-1 3538irlml2502pbf-1.pdf
IRLML2502TRPBF-1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2084+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 2084
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502PBF
Виробник: IR
09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR-ES
Виробник: ElecSuper
N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR/TRPBF
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606
IRLML2502TRPBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606
Виробник: UMW
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR\1CKX
Виробник: IRF
SOT-23
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502\1CM
Виробник: IRF
SOT-23
на замовлення 17250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML2502 IRLML2502.pdf
UMWIRLML2502
Виробник: UMW
Description: 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V,4.2A 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.75 грн
12+27.59 грн
25+22.68 грн
100+16.13 грн
250+13.59 грн
500+12.03 грн
1000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML2502 IRLML2502.pdf
UMWIRLML2502
Виробник: UMW
Description: 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V,4.2A 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SKML2502
Виробник: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; SKML2502 SHIKUES TSKML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
GML2502-(SOT-23)
Виробник: Ningbo KLS electronic co.,ltd
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 (альтернатива IRLML2502TR)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502
Код товару: 4180
Додати до обраних Обраний товар

description irlml2502.pdf
IRLML2502
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+12.00 грн
10+8.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502GTRPBF irlml2502gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535667fb882604
IRLML2502GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502GTRPBF irlml2502gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535667fb882604
IRLML2502GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TR DS_448_IRLML2502.pdf
IRLML2502TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF irlml2502gpbf.pdf
Виробник: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML2502 IRLML2502.pdf
UMWIRLML2502
Виробник: UMW
Description: 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V,4.2A 1.
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PIS-1261 Octopus_Motor_Brick_Web.pdf
PIS-1261
Виробник: Pi Supply
Description: OCTOPUS MOTOR BRICK
Packaging: Bulk
Function: DC Motor
Type: Motor/Haptic
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IRLML2502
Platform: Octopus
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.