Результат пошуку "IRLML2502" : 48
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2511 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML2502TRPBF Код товару: 25595
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR/Infineon |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SOT-23 Uds,V: 20 V Idd,A: 4,2 A Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 740/8 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 5859 шт
очікується: 6000 шт
|
|
||||||||||||||||
| IRLML2502 | HUASHUO |
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUAкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1101 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; C-CDM2502; IRLML2502TR LGE TIRLML2502 LGEкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502 | HUASHUO |
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUAкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 239 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502 | MLCCBASE |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 MLCCBASE TIRLML2502 MLCкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502 | HOTTECH |
N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 cкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502TR | Infineon |
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1268 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502TR | Infineon |
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502TR | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR HXY MOSFET TIRLML2502 HXYкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502TR | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502TR | JGSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JGSEMI TIRLML2502 JGSкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502TR | Infineon |
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502TR G... | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 90mOhm; 4,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JSMICRO TIRLML2502 JSM кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502TR-ES | ElecSuper |
N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502TR-VB | VBsemi |
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR TIRLML2502 VBS кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 5159 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15, Qg, нКл = 12 @ 5 В, Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 484 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | International Rectifier |
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори |
на замовлення 1195 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Infineon |
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори |
на замовлення 55 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 102 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF-1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF: IRLML2502TR-(SOT-23) IRLML2502TR | KLS | N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори |
на замовлення 1333 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2502PBF | IR | 09+ |
на замовлення 500018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML2502TR | Infineon |
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML2502TR/TRPBF |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF |
IRLML2502TRPBF Транзисторы |
на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | UMW |
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори |
на замовлення 2279 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML2502TR\1CKX | IRF | SOT-23 |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML2502\1CM | IRF | SOT-23 |
на замовлення 17250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
UMWIRLML2502 | UMW |
Description: 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V,4.2A 1.Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SKML2502 | SHIKUES |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; SKML2502 SHIKUES TSKML2502 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| GML2502-(SOT-23) | KLS |
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 (альтернатива IRLML2502TR) Транзистори |
на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IRLML2502 Код товару: 4180
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SOT-23 Uds,V: 20 V Idd,A: 4,2 A Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 740/8 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
IRLML2502GTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLML2502GTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TR | International Rectifier/Infineon |
N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IRLML2502TR | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Infineon (IRF) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 45mΩ Gate charge: 8nC Gate-source voltage: ±12V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502PBF | Infineon | N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | HOTTECH |
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | TYS |
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
UMWIRLML2502 | UMW |
Description: 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V,4.2A 1.Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
Транзистор польовий IRLML2502TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm IRLML2502TRPBF.pdf Транзистори польові |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
PIS-1261 | Maker Emporium Ltd |
Description: OCTOPUS MOTOR BRICKPackaging: Bulk Function: DC Motor Type: Motor/Haptic Contents: Board(s) Utilized IC / Part: IRLML2502 Platform: Octopus Part Status: Active |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 187 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLML2502TRPBF Код товару: 25595
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 5859 шт
- 5859 шт - склад
очікується: 6000 шт
- 6000 шт - очікується 05.07.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 1000+ | 10.90 грн |
| IRLML2502 |
![]() |
Виробник: HUASHUO
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.67 грн |
| IRLML2502 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; C-CDM2502; IRLML2502TR LGE TIRLML2502 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; C-CDM2502; IRLML2502TR LGE TIRLML2502 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.36 грн |
| IRLML2502 |
![]() |
Виробник: HUASHUO
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.67 грн |
| IRLML2502 |
![]() |
Виробник: MLCCBASE
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 MLCCBASE TIRLML2502 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 MLCCBASE TIRLML2502 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.24 грн |
| IRLML2502 |
![]() |
Виробник: HOTTECH
N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c
кількість в упаковці: 100 шт
N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.21 грн |
| IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.71 грн |
| IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.71 грн |
| IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR HXY MOSFET TIRLML2502 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR HXY MOSFET TIRLML2502 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.98 грн |
| IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.89 грн |
| IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JGSEMI TIRLML2502 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JGSEMI TIRLML2502 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.54 грн |
| IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.71 грн |
| IRLML2502TR G... |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 90mOhm; 4,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JSMICRO TIRLML2502 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 90mOhm; 4,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JSMICRO TIRLML2502 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.45 грн |
| IRLML2502TR-ES |
Виробник: ElecSuper
N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c
кількість в упаковці: 100 шт
N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.09 грн |
| IRLML2502TR-VB |
Виробник: VBsemi
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR TIRLML2502 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR TIRLML2502 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.89 грн |
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 36.21 грн |
| 19+ | 22.44 грн |
| 50+ | 15.13 грн |
| 100+ | 12.69 грн |
| 250+ | 10.17 грн |
| 500+ | 8.66 грн |
| 1000+ | 7.40 грн |
| 3000+ | 5.88 грн |
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15, Qg, нКл = 12 @ 5 В, Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15, Qg, нКл = 12 @ 5 В, Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 484 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.74 грн |
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 61+ | 5.13 грн |
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.61 грн |
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML2502TRPBF-1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2511+ | 14.12 грн |
| IRLML2502TRPBF: IRLML2502TR-(SOT-23) IRLML2502TR |
Виробник: KLS
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.24 грн |
| IRLML2502PBF |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| IRLML2502TR/TRPBF |
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
IRLML2502TRPBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: UMW
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| IRLML2502TR\1CKX |
Виробник: IRF
SOT-23
SOT-23
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRLML2502\1CM |
Виробник: IRF
SOT-23
SOT-23
на замовлення 17250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| UMWIRLML2502 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V,4.2A 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Description: 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V,4.2A 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.42 грн |
| 23+ | 13.39 грн |
| 26+ | 11.92 грн |
| 100+ | 9.61 грн |
| 250+ | 8.86 грн |
| 500+ | 8.41 грн |
| 1000+ | 7.90 грн |
| SKML2502 |
Виробник: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; SKML2502 SHIKUES TSKML2502
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; SKML2502 SHIKUES TSKML2502
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 3.02 грн |
| GML2502-(SOT-23) |
![]() |
Виробник: KLS
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 (альтернатива IRLML2502TR) Транзистори
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 (альтернатива IRLML2502TR) Транзистори
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| IRLML2502 Код товару: 4180
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| IRLML2502GTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML2502GTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML2502TR |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 45mΩ
Gate charge: 8nC
Gate-source voltage: ±12V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 45mΩ
Gate charge: 8nC
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML2502PBF |
Виробник: Infineon
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: HOTTECH
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: TYS
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMWIRLML2502 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V,4.2A 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Description: 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V,4.2A 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| Транзистор польовий IRLML2502TRPBF Infineon |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm IRLML2502TRPBF.pdf Транзистори польові
Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm IRLML2502TRPBF.pdf Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PIS-1261 |
![]() |
Виробник: Maker Emporium Ltd
Description: OCTOPUS MOTOR BRICK
Packaging: Bulk
Function: DC Motor
Type: Motor/Haptic
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IRLML2502
Platform: Octopus
Part Status: Active
Description: OCTOPUS MOTOR BRICK
Packaging: Bulk
Function: DC Motor
Type: Motor/Haptic
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IRLML2502
Platform: Octopus
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику
од. на суму грн.












