Результат пошуку "IRLML6401" : 57

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF
Код товару: 34344
Додати до обраних Обраний товар

IR irlml6401pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: -12 V
Id,A: -4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 12000 шт
11336 шт - склад
240 шт - РАДІОМАГ-Київ
162 шт - РАДІОМАГ-Львів
75 шт - РАДІОМАГ-Харків
36 шт - РАДІОМАГ-Одеса
151 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 IRLML6401 MULTICOMP PRO 4495378.pdf description Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.13 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 IRLML6401 MULTICOMP PRO 4495378.pdf description Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.77 грн
77+11.05 грн
108+7.89 грн
500+5.13 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 HUASHUO UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 TECH PUBLIC UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 HUASHUO UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 HXY MOSFET UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 MLCCBASE UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-3 IRLML6401-3 MULTICOMP PRO 4495379.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.53 грн
1000+3.64 грн
5000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-3 IRLML6401-3 MULTICOMP PRO 4495379.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+14.80 грн
72+11.90 грн
100+8.50 грн
500+5.53 грн
1000+3.64 грн
5000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR VBsemi IRLML6401.pdf Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR KEXIN IRLML6401.pdf Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 KEX
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR UMW IRLML6401.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR UMW IRLML6401.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR JGSEMI IRLML6401.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR JGSEMI TIRLML6401 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR Infineon IRLML6401.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR F... Infineon Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR-VB VBsemi Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582611F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml6401.pdf?ci_sign=8bedbc854eb7229a844e3beb3076098fb21ec847 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.66 грн
22+18.71 грн
50+12.98 грн
100+10.72 грн
206+4.51 грн
566+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582611F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml6401.pdf?ci_sign=8bedbc854eb7229a844e3beb3076098fb21ec847 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.59 грн
13+23.32 грн
50+15.58 грн
100+12.87 грн
206+5.41 грн
566+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 204539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
766+15.87 грн
778+15.62 грн
1128+10.77 грн
2000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 766
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLML6401-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 80117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.62 грн
22+16.39 грн
100+9.17 грн
500+8.03 грн
1000+7.12 грн
3000+5.68 грн
6000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies irlml6401pbf-1.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 73752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.06 грн
22+14.45 грн
100+9.47 грн
500+7.76 грн
1000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.35 грн
250+11.31 грн
1000+8.53 грн
3000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
820+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 820
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 915000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
6000+6.29 грн
9000+5.26 грн
15000+5.03 грн
21000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 804000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.77 грн
6000+5.79 грн
9000+4.84 грн
15000+4.63 грн
21000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies irlml6401pbf-1.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.38 грн
6000+5.58 грн
9000+4.59 грн
15000+4.21 грн
21000+4.11 грн
30000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+31.29 грн
50+17.35 грн
250+11.31 грн
1000+8.53 грн
3000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+25.57 грн
38+18.65 грн
39+17.94 грн
100+11.77 грн
250+10.79 грн
500+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF-1 IRLML6401TRPBF-1 Infineon Technologies 3072irlml6401pbf-1.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6819+4.45 грн
10000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 6819
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 TR IR
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-T1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF IR irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632 09+ QFP100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/1F1A IR 09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/FBTR3
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/TRPBF
на замовлення 102050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 992 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBFSOT23-F7PB-FREE IR
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR\1F1A IRF SOT-23
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KIRLML6401TR 1F. kuu semiconductor Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; KIRLML6401TR; KIRLML6401 TIRLML6401 KUU
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 UMWIRLML6401 UMW UMW%20IRLML6401.pdf Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.46 грн
13+25.82 грн
100+16.52 грн
500+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMR6401TR A12T.. SLKOR P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SKML6401 SHIKUES Transistor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; SKML6401 SHIKUES TSKML6401
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
YFW2311B YFW Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Substitute: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS2300; YFW2311B; IRLML6401 China TIRLML6401 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FS2300 FUXINSEMI Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; FS2300 SOT23(T/R) FUXINSEMI TIRLML6401 FUX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401TR
Код товару: 53008
Додати до обраних Обраний товар

IRLML6401.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 IRLML6401 Infineon / IR Infineon-IRLML6401-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF IRLML6401GTRPBF Infineon Technologies irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632 Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF IRLML6401GTRPBF Infineon Technologies irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632 Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401TR Infineon Technologies IRLML6401.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF-1 Infineon Technologies irlml6401pbf-1.pdf?fileId=5546d462533600a401535668c0792636 Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 UMWIRLML6401 UMW UMW%20IRLML6401.pdf Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF
Код товару: 34344
Додати до обраних Обраний товар

irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: -12 V
Id,A: -4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 12000 шт
11336 шт - склад
240 шт - РАДІОМАГ-Київ
162 шт - РАДІОМАГ-Львів
75 шт - РАДІОМАГ-Харків
36 шт - РАДІОМАГ-Одеса
151 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description 4495378.pdf
IRLML6401
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.13 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description 4495378.pdf
IRLML6401
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.77 грн
77+11.05 грн
108+7.89 грн
500+5.13 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: HUASHUO
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: TECH PUBLIC
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: HUASHUO
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: MLCCBASE
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-3 4495379.pdf
IRLML6401-3
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.53 грн
1000+3.64 грн
5000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-3 4495379.pdf
IRLML6401-3
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+14.80 грн
72+11.90 грн
100+8.50 грн
500+5.53 грн
1000+3.64 грн
5000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: VBsemi
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: KEXIN
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 KEX
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR JGSEMI TIRLML6401 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR F...
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR-VB
Виробник: VBsemi
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582611F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml6401.pdf?ci_sign=8bedbc854eb7229a844e3beb3076098fb21ec847
IRLML6401TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.66 грн
22+18.71 грн
50+12.98 грн
100+10.72 грн
206+4.51 грн
566+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582611F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml6401.pdf?ci_sign=8bedbc854eb7229a844e3beb3076098fb21ec847
IRLML6401TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.59 грн
13+23.32 грн
50+15.58 грн
100+12.87 грн
206+5.41 грн
566+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 204539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
766+15.87 грн
778+15.62 грн
1128+10.77 грн
2000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 766
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF Infineon-IRLML6401-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 80117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.62 грн
22+16.39 грн
100+9.17 грн
500+8.03 грн
1000+7.12 грн
3000+5.68 грн
6000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 73752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.06 грн
22+14.45 грн
100+9.47 грн
500+7.76 грн
1000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6401TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.35 грн
250+11.31 грн
1000+8.53 грн
3000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
820+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 820
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 915000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.35 грн
6000+6.29 грн
9000+5.26 грн
15000+5.03 грн
21000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 804000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.77 грн
6000+5.79 грн
9000+4.84 грн
15000+4.63 грн
21000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.38 грн
6000+5.58 грн
9000+4.59 грн
15000+4.21 грн
21000+4.11 грн
30000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6401TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+31.29 грн
50+17.35 грн
250+11.31 грн
1000+8.53 грн
3000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+25.57 грн
38+18.65 грн
39+17.94 грн
100+11.77 грн
250+10.79 грн
500+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF-1 3072irlml6401pbf-1.pdf
IRLML6401TRPBF-1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6819+4.45 грн
10000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 6819
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 TR
Виробник: IR
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-T1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632
Виробник: IR
09+ QFP100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/1F1A
Виробник: IR
09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/FBTR3
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/TRPBF
на замовлення 102050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf
IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 992 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBFSOT23-F7PB-FREE
Виробник: IR
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR\1F1A
Виробник: IRF
SOT-23
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KIRLML6401TR 1F.
Виробник: kuu semiconductor
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; KIRLML6401TR; KIRLML6401 TIRLML6401 KUU
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 UMW%20IRLML6401.pdf
UMWIRLML6401
Виробник: UMW
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.46 грн
13+25.82 грн
100+16.52 грн
500+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMR6401TR A12T..
Виробник: SLKOR
P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SKML6401
Виробник: SHIKUES
Transistor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; SKML6401 SHIKUES TSKML6401
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
YFW2311B
Виробник: YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Substitute: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS2300; YFW2311B; IRLML6401 China TIRLML6401 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FS2300
Виробник: FUXINSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; FS2300 SOT23(T/R) FUXINSEMI TIRLML6401 FUX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR
Код товару: 53008
Додати до обраних Обраний товар

IRLML6401.pdf
IRLML6401TR
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description Infineon-IRLML6401-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLML6401
Виробник: Infineon / IR
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632
IRLML6401GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632
IRLML6401GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
IRLML6401TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF-1 irlml6401pbf-1.pdf?fileId=5546d462533600a401535668c0792636
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 UMW%20IRLML6401.pdf
UMWIRLML6401
Виробник: UMW
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.