Результат пошуку "IRLML6401" : 53
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2201 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1763 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2974 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLML6401TRPBF Код товару: 34344
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
 Транзистори > Польові P-канальніКорпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: -12 В Струм стоку Id, А: -4,3 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 10221 шт
|
|
||||||||||
|
|
IRLML6401 | MULTICOMP PRO |
 Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRLML6401 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRLML6401 | HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXY кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401 | TECH PUBLIC |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2201 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401 | HUASHUO |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1805 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401 | HUASHUO |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401 | MLCCBASE |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLC кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
IRLML6401-3 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
на замовлення 8535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRLML6401-3 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
на замовлення 8535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRLML6401TR | VBsemi |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401TR | JGSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR JGSEMI TIRLML6401 JGS кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401TR | KEXIN |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 KEX кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401TR | Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2660 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401TR | Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401TR | Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401TR-VB | VBsemi |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
IRLML6401TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRLML6401TRPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1763 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon |
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 130 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
IRLML6401TRPBF | TYS |
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 293 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
на замовлення 5963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRLML6401TRPBF-VB | VBSEMI | IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 59 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRLML6401 TR | IR |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLML6401-T1 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLML6401GTRPBF | IR |
09+ QFP100 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRLML6401TR/1F1A | IR | 09+ |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRLML6401TR/FBTR3 |
на замовлення 1760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLML6401TR/TRPBF |
на замовлення 102050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLML6401TRPBF |
IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 992 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLML6401TRPBFSOT23-F7PB-FREE | IR |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLML6401TR\1F1A | IRF | SOT-23 |
на замовлення 3260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
AMIRLML6401 | Analog Power Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT-23 Packaging: Bulk FET Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| KIRLML6401TR | kuu semiconductor |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; KIRLML6401TR; KIRLML6401 TIRLML6401 KUU кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
UMWIRLML6401 | UMW |
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FS2300 | FUXINSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; FS2300 SOT23(T/R) FUXINSEMI TIRLML6401 FUX кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2974 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRLMR6401TR | SLKOR |
P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 SLK кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| SKML6401 | SHIKUES |
Transistor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; SKML6401 SHIKUES TSKML6401 кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| YFW2311B | YFW |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Odpowiednik: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS2300; YFW2311B; LGE2300; LGE2300-LGE; IRLML6401 China TIRLML6401 c кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRLML6401TR Код товару: 53008
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRLML6401GTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRLML6401TR | International Rectifier/Infineon |
P-канальный ПТ (Vds=12V, Id=4.3A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds=0.05 R, P=1.3W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRLML6401TRPBF |
MOSFET 12V 4.3A (34A pulse), P Channel SOT-23-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRLML6401TRPBF-1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRLML6401 | Infineon |
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
IRLML6401TRPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
UMWIRLML6401 | UMW |
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLML6401TRPBF Код товару: 34344
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -12 В
Струм стоку Id, А: -4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -12 В
Струм стоку Id, А: -4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 10221 шт
- 9820 шт - склад
- 401 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| IRLML6401 |
|
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML6401 |
|
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML6401 |
|
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.55 грн |
| IRLML6401 |
|
Виробник: TECH PUBLIC
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.67 грн |
| IRLML6401 |
|
Виробник: HUASHUO
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.54 грн |
| IRLML6401 |
|
Виробник: HUASHUO
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.54 грн |
| IRLML6401 |
|
Виробник: MLCCBASE
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 3.00 грн |
| IRLML6401-3 |
|
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 8535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML6401-3 |
|
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 8535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML6401TR |
|
Виробник: VBsemi
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.60 грн |
| IRLML6401TR |
|
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR JGSEMI TIRLML6401 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR JGSEMI TIRLML6401 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.26 грн |
| IRLML6401TR |
|
Виробник: KEXIN
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 KEX
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 KEX
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 4.85 грн |
| IRLML6401TR |
|
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 7.43 грн |
| IRLML6401TR |
|
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.60 грн |
| IRLML6401TR |
|
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 7.43 грн |
| IRLML6401TR |
|
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.60 грн |
| IRLML6401TR |
|
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 7.43 грн |
| IRLML6401TR-VB |
Виробник: VBsemi
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.60 грн |
| IRLML6401TRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 26.06 грн |
| IRLML6401TRPBF |
|
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.87 грн |
| IRLML6401TRPBF |
|
Виробник: Infineon
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 130 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 122+ | 6.40 грн |
| IRLML6401TRPBF |
|
Виробник: TYS
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 293 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 268+ | 2.92 грн |
| IRLML6401TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.26 грн |
| 6000+ | 8.41 грн |
| IRLML6401TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.77 грн |
| IRLML6401TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.64 грн |
| 17+ | 18.46 грн |
| 50+ | 13.33 грн |
| 100+ | 10.95 грн |
| 500+ | 8.16 грн |
| IRLML6401TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.26 грн |
| 6000+ | 8.41 грн |
| IRLML6401TRPBF-VB |
Виробник: VBSEMI
IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 59 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 59+ | 13.21 грн |
| IRLML6401 TR |
Виробник: IR
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRLML6401GTRPBF |
|
Виробник: IR
09+ QFP100
09+ QFP100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRLML6401TR/1F1A |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRLML6401TR/FBTR3 |
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRLML6401TR/TRPBF |
на замовлення 102050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRLML6401TRPBF |
|
IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 992 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| IRLML6401TRPBFSOT23-F7PB-FREE |
Виробник: IR
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRLML6401TR\1F1A |
Виробник: IRF
SOT-23
SOT-23
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| AMIRLML6401 |
|
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Bulk
FET Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Bulk
FET Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.35 грн |
| 10+ | 30.86 грн |
| 100+ | 19.88 грн |
| KIRLML6401TR |
Виробник: kuu semiconductor
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; KIRLML6401TR; KIRLML6401 TIRLML6401 KUU
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; KIRLML6401TR; KIRLML6401 TIRLML6401 KUU
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 5.41 грн |
| UMWIRLML6401 |
|
Виробник: UMW
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.35 грн |
| 12+ | 27.16 грн |
| 50+ | 19.77 грн |
| 100+ | 16.31 грн |
| 500+ | 12.33 грн |
| FS2300 |
Виробник: FUXINSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; FS2300 SOT23(T/R) FUXINSEMI TIRLML6401 FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; FS2300 SOT23(T/R) FUXINSEMI TIRLML6401 FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.94 грн |
| IRLMR6401TR |
Виробник: SLKOR
P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 5.71 грн |
| SKML6401 |
Виробник: SHIKUES
Transistor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; SKML6401 SHIKUES TSKML6401
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; SKML6401 SHIKUES TSKML6401
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.62 грн |
| YFW2311B |
Виробник: YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Odpowiednik: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS2300; YFW2311B; LGE2300; LGE2300-LGE; IRLML6401 China TIRLML6401 c
кількість в упаковці: 500 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Odpowiednik: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS2300; YFW2311B; LGE2300; LGE2300-LGE; IRLML6401 China TIRLML6401 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.45 грн |
| IRLML6401TR Код товару: 53008
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML6401GTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML6401TR |
|
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальный ПТ (Vds=12V, Id=4.3A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds=0.05 R, P=1.3W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
P-канальный ПТ (Vds=12V, Id=4.3A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds=0.05 R, P=1.3W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML6401TRPBF |
|
MOSFET 12V 4.3A (34A pulse), P Channel SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML6401TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML6401TRPBF-1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML6401 |
|
Виробник: Infineon
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML6401TRPBF |
|
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMWIRLML6401 |
|
Виробник: UMW
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.