Результат пошуку "IRLML6401" : 45

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF
Код товару: 34344
10 Додати до обраних Обраний товар
IR irlml6401pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -12 В
Струм стоку Id, А: -4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 11 шт
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 491 шт
  • 491 шт - очікується
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 IRLML6401 MULTICOMP PRO 4495378.pdf description Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 IRLML6401 MULTICOMP PRO 4495378.pdf description Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 HUASHUO UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 630 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 Infineon UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR TIRLML6401
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 HUASHUO UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 Infineon UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR TIRLML6401
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 VBsemi UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401TR-VB TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 SLKOR UMW%20IRLML6401.pdf description P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLMR6401TR TIRLML6401 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 TECH PUBLIC UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 2201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 KEXIN UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401TR TIRLML6401 KEX
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 China YFW Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Odpowiednik: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS2300; YFW2311B; LGE2300; LGE2300-LGE; YFW2311B TIRLML6401 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 HXY MOSFET HXY MOSFET Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 MLCCBASE MLCCBASE Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 UMW UMW Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 UMW UMW Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-3 IRLML6401-3 MULTICOMP PRO 4495379.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-3 IRLML6401-3 MULTICOMP PRO 4495379.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR JGSEMI JGSEMI Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR TIRLML6401 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF International Rectifier/Infineon irlml6401pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 1043 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF-VB VBSEMI IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 59 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
59+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 TR IR
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-T1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/1F1A IR 09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/FBTR3
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/TRPBF
на замовлення 102050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 992 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBFSOT23-F7PB-FREE IR
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR\1F1A IRF SOT-23
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AMIRLML6401 AMIRLML6401 Analog Power Inc. datasheet.php?part=AMIRLML6401 Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2083.18 грн
10+239.31 грн
100+44.60 грн
500+23.10 грн
1000+18.98 грн
3000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KIRLML6401 kuu semiconductor Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; KIRLML6401TR; KIRLML6401TR TIRLML6401 KUU
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 UMWIRLML6401 UMW 0ef3f256dfb616193f4fbf985746052a.pdf Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.69 грн
9000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 UMWIRLML6401 UMW 0ef3f256dfb616193f4fbf985746052a.pdf Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.82 грн
11+27.89 грн
50+20.28 грн
100+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS2300 SOT23(T/R) FUXINSEMI FUXINSEMI Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; FS2300 TIRLML6401 FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 2974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SKML6401 SHIKUES SHIKUES Transistor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; SKML6401 TSKML6401
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR
Код товару: 53008
Додати до обраних Обраний товар
IRLML6401.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF IRLML6401GTRPBF Infineon Technologies irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632 Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR International Rectifier/Infineon IRLML6401.pdf P-канальный ПТ (Vds=12V, Id=4.3A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds=0.05 R, P=1.3W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies irlml6401pbf-1.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies irlml6401pbf-1.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF-1 Infineon Technologies irlml6401pbf-1.pdf?fileId=5546d462533600a401535668c0792636 Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 Infineon UMW%20IRLML6401.pdf description MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF International Rectifier irlml6401pbf.pdf MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF Infineon irlml6401pbf-1.pdf MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF TYS irlml6401pbf-1.pdf MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF
Код товару: 34344
10 Додати до обраних Обраний товар
irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -12 В
Струм стоку Id, А: -4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 11 шт
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 491 шт
  • 491 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description 4495378.pdf
IRLML6401
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description 4495378.pdf
IRLML6401
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: HUASHUO
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 630 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR TIRLML6401
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: HUASHUO
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR TIRLML6401
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: VBsemi
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401TR-VB TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: SLKOR
P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLMR6401TR TIRLML6401 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: TECH PUBLIC
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 2201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: KEXIN
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401TR TIRLML6401 KEX
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 China
Виробник: YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Odpowiednik: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS2300; YFW2311B; LGE2300; LGE2300-LGE; YFW2311B TIRLML6401 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 HXY MOSFET
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 MLCCBASE
Виробник: MLCCBASE
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 UMW
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 UMW
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-3 4495379.pdf
IRLML6401-3
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-3 4495379.pdf
IRLML6401-3
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR JGSEMI
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR TIRLML6401 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 1043 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF-VB
Виробник: VBSEMI
IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 59 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 TR
Виробник: IR
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-T1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/1F1A
Виробник: IR
09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/FBTR3
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/TRPBF
на замовлення 102050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf
IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 992 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBFSOT23-F7PB-FREE
Виробник: IR
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR\1F1A
Виробник: IRF
SOT-23
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AMIRLML6401 datasheet.php?part=AMIRLML6401
AMIRLML6401
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+2083.18 грн
10+239.31 грн
100+44.60 грн
500+23.10 грн
1000+18.98 грн
3000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KIRLML6401
Виробник: kuu semiconductor
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; KIRLML6401TR; KIRLML6401TR TIRLML6401 KUU
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 0ef3f256dfb616193f4fbf985746052a.pdf
UMWIRLML6401
Виробник: UMW
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.69 грн
9000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 0ef3f256dfb616193f4fbf985746052a.pdf
UMWIRLML6401
Виробник: UMW
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.82 грн
11+27.89 грн
50+20.28 грн
100+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS2300 SOT23(T/R) FUXINSEMI
Виробник: FUXINSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; FS2300 TIRLML6401 FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 2974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SKML6401 SHIKUES
Виробник: SHIKUES
Transistor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; SKML6401 TSKML6401
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR
Код товару: 53008
Додати до обраних Обраний товар
IRLML6401.pdf
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632
IRLML6401GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальный ПТ (Vds=12V, Id=4.3A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds=0.05 R, P=1.3W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF-1 irlml6401pbf-1.pdf?fileId=5546d462533600a401535668c0792636
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: Infineon
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf
Виробник: Infineon
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: TYS
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.