Результат пошуку "IRLML6401" : 53

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF
Код товару: 34344
Додати до обраних Обраний товар

IR irlml6401pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 12 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 18739 шт
18203 шт - склад
237 шт - РАДІОМАГ-Київ
72 шт - РАДІОМАГ-Львів
84 шт - РАДІОМАГ-Харків
66 шт - РАДІОМАГ-Одеса
77 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 IRLML6401 MULTICOMP PRO 4495378.pdf description Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+14.29 грн
72+11.50 грн
100+8.21 грн
500+5.34 грн
1000+3.52 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 IRLML6401 MULTICOMP PRO 4495378.pdf description Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.34 грн
1000+3.52 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 HUASHUO UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 TECH PUBLIC UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 HUASHUO UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 HXY MOSFET UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 MLCCBASE UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-3 IRLML6401-3 MULTICOMP PRO 4495379.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+15.19 грн
68+12.16 грн
100+8.62 грн
500+5.63 грн
1000+3.71 грн
5000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-3 IRLML6401-3 MULTICOMP PRO 4495379.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.63 грн
1000+3.71 грн
5000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR UMW IRLML6401.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR JGSEMI IRLML6401.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR JGSEMI TIRLML6401 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR VBsemi IRLML6401.pdf Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR KEXIN IRLML6401.pdf Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 KEX
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR Infineon IRLML6401.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 866 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR UMW IRLML6401.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR F... Infineon Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 10359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.10 грн
27+14.64 грн
50+10.91 грн
100+9.69 грн
205+4.35 грн
563+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.52 грн
16+18.25 грн
50+13.09 грн
100+11.62 грн
205+5.22 грн
563+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.49 грн
6000+5.67 грн
9000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies irlml6401pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b96d2634 Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 31440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.10 грн
19+16.09 грн
100+9.36 грн
500+7.73 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 204899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1769+6.86 грн
1778+6.83 грн
1782+6.82 грн
2000+6.56 грн
6000+6.06 грн
12000+5.81 грн
24000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 1769
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 153007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.61 грн
50+18.89 грн
250+10.51 грн
1000+8.24 грн
3000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+6.39 грн
96+6.32 грн
97+5.98 грн
134+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 153007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.89 грн
250+10.51 грн
1000+8.24 грн
3000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+5.68 грн
107+5.62 грн
109+5.56 грн
110+5.31 грн
250+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies irlml6401pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b96d2634 Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.07 грн
6000+5.35 грн
9000+4.86 грн
15000+4.33 грн
21000+4.10 грн
30000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.95 грн
6000+5.22 грн
9000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 TR IR
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-T1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF IR irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632 09+ QFP100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/1F1A IR 09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/FBTR3
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/TRPBF
на замовлення 102050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b96d2634 IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 992 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBFSOT23-F7PB-FREE IR
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR\1F1A IRF SOT-23
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KIRLML6401TR 1F. kuu semiconductor Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; KIRLML6401TR; KIRLML6401 TIRLML6401 KUU
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 UMWIRLML6401 UMW UMW%20IRLML6401.pdf Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.56 грн
12+25.78 грн
100+16.46 грн
500+11.68 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMR6401TR A12T.. SLKOR P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SKML6401 SHIKUES Transistor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; SKML6401 SHIKUES TSKML6401
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
YFW2311B YFW Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Substitute: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS2300; YFW2311B; IRLML6401 China TIRLML6401 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401TR
Код товару: 53008
Додати до обраних Обраний товар

IRLML6401.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF IRLML6401GTRPBF Infineon Technologies irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632 Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF IRLML6401GTRPBF Infineon Technologies irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632 Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401TR Infineon Technologies IRLML6401.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF-1 Infineon Technologies irlml6401pbf-1.pdf?fileId=5546d462533600a401535668c0792636 Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 UMWIRLML6401 UMW UMW%20IRLML6401.pdf Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 UMWIRLML6401 UMW UMW%20IRLML6401.pdf Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF
Код товару: 34344
Додати до обраних Обраний товар

irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 12 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 18739 шт
18203 шт - склад
237 шт - РАДІОМАГ-Київ
72 шт - РАДІОМАГ-Львів
84 шт - РАДІОМАГ-Харків
66 шт - РАДІОМАГ-Одеса
77 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description 4495378.pdf
IRLML6401
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+14.29 грн
72+11.50 грн
100+8.21 грн
500+5.34 грн
1000+3.52 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description 4495378.pdf
IRLML6401
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.34 грн
1000+3.52 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: HUASHUO
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: TECH PUBLIC
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: HUASHUO
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 description UMW%20IRLML6401.pdf
Виробник: MLCCBASE
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-3 4495379.pdf
IRLML6401-3
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+15.19 грн
68+12.16 грн
100+8.62 грн
500+5.63 грн
1000+3.71 грн
5000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-3 4495379.pdf
IRLML6401-3
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.63 грн
1000+3.71 грн
5000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR JGSEMI TIRLML6401 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: VBsemi
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: KEXIN
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 KEX
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 866 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR F...
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 10359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.10 грн
27+14.64 грн
50+10.91 грн
100+9.69 грн
205+4.35 грн
563+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.52 грн
16+18.25 грн
50+13.09 грн
100+11.62 грн
205+5.22 грн
563+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.49 грн
6000+5.67 грн
9000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b96d2634
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 31440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.10 грн
19+16.09 грн
100+9.36 грн
500+7.73 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 204899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1769+6.86 грн
1778+6.83 грн
1782+6.82 грн
2000+6.56 грн
6000+6.06 грн
12000+5.81 грн
24000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 1769
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6401TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 153007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.61 грн
50+18.89 грн
250+10.51 грн
1000+8.24 грн
3000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+6.39 грн
96+6.32 грн
97+5.98 грн
134+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6401TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 153007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.89 грн
250+10.51 грн
1000+8.24 грн
3000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+5.68 грн
107+5.62 грн
109+5.56 грн
110+5.31 грн
250+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b96d2634
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.07 грн
6000+5.35 грн
9000+4.86 грн
15000+4.33 грн
21000+4.10 грн
30000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.95 грн
6000+5.22 грн
9000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401 TR
Виробник: IR
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401-T1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632
Виробник: IR
09+ QFP100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/1F1A
Виробник: IR
09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/FBTR3
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR/TRPBF
на замовлення 102050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b96d2634
IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 992 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBFSOT23-F7PB-FREE
Виробник: IR
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR\1F1A
Виробник: IRF
SOT-23
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KIRLML6401TR 1F.
Виробник: kuu semiconductor
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; KIRLML6401TR; KIRLML6401 TIRLML6401 KUU
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 UMW%20IRLML6401.pdf
UMWIRLML6401
Виробник: UMW
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.56 грн
12+25.78 грн
100+16.46 грн
500+11.68 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMR6401TR A12T..
Виробник: SLKOR
P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SKML6401
Виробник: SHIKUES
Transistor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; SKML6401 SHIKUES TSKML6401
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
YFW2311B
Виробник: YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Substitute: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS2300; YFW2311B; IRLML6401 China TIRLML6401 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR
Код товару: 53008
Додати до обраних Обраний товар

IRLML6401.pdf
IRLML6401TR
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632
IRLML6401GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401GTRPBF irlml6401gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668b04c2632
IRLML6401GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TR IRLML6401.pdf
IRLML6401TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF-1 irlml6401pbf-1.pdf?fileId=5546d462533600a401535668c0792636
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 UMW%20IRLML6401.pdf
UMWIRLML6401
Виробник: UMW
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6401 UMW%20IRLML6401.pdf
UMWIRLML6401
Виробник: UMW
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.