Результат пошуку "irf4905" : > 60
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF4905PBF Код товару: 22366
18
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Id, А: 74 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3400/180 Монтаж: THT |
у наявності: 928 шт
очікується: 55 шт
|
|
||||||||||||||
|
|
IRF4905 | Infineon |
IRF4905 P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω TIRF4905 |
на замовлення 97 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF4905 | Infineon |
IRF4905 P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω TIRF4905 |
на замовлення 150 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF4905 | UMW |
IRF4905 UMW Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; TIRF4905 UMW |
на замовлення 200 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF4905L | International Rectifier |
IRF4905L Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 TIRF4905L |
на замовлення 50 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905LPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 3019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC |
на замовлення 4165 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4005 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 102223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 32976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 52549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 102230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 24560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC |
на замовлення 36498 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF4905STRL | JSMicro Semiconductor |
IRF4905STRLJSMICRO Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s JSM |
на замовлення 100 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF4905STRL | Infineon |
IRF4905STRL Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; TIRF4905s |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF4905STRL | Infineon |
IRF4905STRL Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; TIRF4905s |
на замовлення 1335 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF4905STRL | JSMicro Semiconductor |
IRF4905STRLJSMICRO Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s JSM |
на замовлення 10 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRF4905STRLP | UMW |
IRF4905STRL UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s UMW |
на замовлення 98 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF4905STRLP | UMW |
IRF4905STRL UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s UMW |
на замовлення 500 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF4905STRLP | UMW |
IRF4905STRL UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s UMW |
на замовлення 80 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1106 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 36 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 7524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 16163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 34400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 34400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 16163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC |
на замовлення 21346 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 33414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF4905+F | IR | 07+ 220 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF4905PBF |
IRF4905PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 930 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF4905S | IR | 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF4905SPBF |
IRF4905SPBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF4905STRL |
|
на замовлення 710 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF4905STRPBF | IR |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF4905STRRPBF |
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF4905STRRPBF |
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
AUIRF4905L | Infineon Technologies |
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AUIRF4905L | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF4905PBF Код товару: 22366
18
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 928 шт
- 928 шт - склад
очікується: 55 шт
- 55 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 48.50 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| IRF4905 |
![]() |
Виробник: Infineon
IRF4905 P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω TIRF4905
IRF4905 P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω TIRF4905
на замовлення 97 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 54.46 грн |
| IRF4905 |
![]() |
Виробник: Infineon
IRF4905 P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω TIRF4905
IRF4905 P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω TIRF4905
на замовлення 150 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 54.46 грн |
| IRF4905 |
![]() |
Виробник: UMW
IRF4905 UMW Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; TIRF4905 UMW
IRF4905 UMW Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; TIRF4905 UMW
на замовлення 200 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 39.30 грн |
| IRF4905L |
![]() |
Виробник: International Rectifier
IRF4905L Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 TIRF4905L
IRF4905L Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 TIRF4905L
на замовлення 50 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 144.70 грн |
| IRF4905LPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 209.84 грн |
| 5+ | 133.01 грн |
| 10+ | 103.36 грн |
| 26+ | 98.27 грн |
| IRF4905LPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 337.18 грн |
| IRF4905LPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 61+ | 242.90 грн |
| 63+ | 233.64 грн |
| 100+ | 225.72 грн |
| 250+ | 211.05 грн |
| IRF4905LPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 337.03 грн |
| IRF4905LPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF4905LPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 58+ | 255.32 грн |
| IRF4905LPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 285.05 грн |
| 10+ | 180.10 грн |
| 50+ | 139.32 грн |
| 100+ | 118.43 грн |
| 500+ | 96.83 грн |
| IRF4905LPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 254.75 грн |
| IRF4905LPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 4165 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 305.68 грн |
| 10+ | 147.63 грн |
| 100+ | 105.85 грн |
| 500+ | 94.59 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 173.35 грн |
| 10+ | 133.86 грн |
| 16+ | 60.15 грн |
| 44+ | 56.76 грн |
| 1000+ | 55.07 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 236.91 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 326+ | 112.34 грн |
| 500+ | 101.10 грн |
| 1000+ | 93.24 грн |
| 10000+ | 80.16 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 87+ | 169.62 грн |
| 90+ | 163.15 грн |
| 100+ | 157.62 грн |
| 250+ | 147.38 грн |
| 500+ | 132.75 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 102223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 271.57 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 32976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 228.83 грн |
| 10+ | 143.19 грн |
| 50+ | 109.84 грн |
| 100+ | 92.98 грн |
| 500+ | 75.26 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 52549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 92.46 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 102230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 270.96 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 92.46 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 268.57 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 62+ | 237.01 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 317.02 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 326+ | 112.34 грн |
| 500+ | 101.10 грн |
| 1000+ | 93.24 грн |
| 10000+ | 80.16 грн |
| IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 36498 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 204.08 грн |
| 10+ | 119.14 грн |
| 100+ | 76.58 грн |
| 500+ | 65.24 грн |
| 1000+ | 57.43 грн |
| 2000+ | 54.35 грн |
| 5000+ | 50.83 грн |
| IRF4905STRL |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
IRF4905STRLJSMICRO Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s JSM
IRF4905STRLJSMICRO Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s JSM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 43.70 грн |
| IRF4905STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
IRF4905STRL Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; TIRF4905s
IRF4905STRL Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; TIRF4905s
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 83.00 грн |
| IRF4905STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
IRF4905STRL Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; TIRF4905s
IRF4905STRL Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; TIRF4905s
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 83.00 грн |
| IRF4905STRL |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
IRF4905STRLJSMICRO Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s JSM
IRF4905STRLJSMICRO Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s JSM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 62.36 грн |
| IRF4905STRLP |
![]() |
Виробник: UMW
IRF4905STRL UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s UMW
IRF4905STRL UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s UMW
на замовлення 98 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 41.50 грн |
| IRF4905STRLP |
![]() |
Виробник: UMW
IRF4905STRL UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s UMW
IRF4905STRL UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s UMW
на замовлення 500 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 41.50 грн |
| IRF4905STRLP |
![]() |
Виробник: UMW
IRF4905STRL UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s UMW
IRF4905STRL UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; TIRF4905s UMW
на замовлення 80 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 41.50 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 257.29 грн |
| 10+ | 133.86 грн |
| 11+ | 92.34 грн |
| 29+ | 87.26 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 36 шт
P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 36 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 88.45 грн |
| 108+ | 75.82 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 7524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 290.59 грн |
| 10+ | 183.30 грн |
| 50+ | 141.90 грн |
| 100+ | 120.64 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 16163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 327.47 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 327.32 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 124.23 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 124.23 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 103.80 грн |
| 2400+ | 89.89 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 16163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 21346 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 306.55 грн |
| 10+ | 156.27 грн |
| 100+ | 122.37 грн |
| 500+ | 96.09 грн |
| IRF4905STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF4905STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 33414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 228+ | 160.78 грн |
| 500+ | 144.94 грн |
| 1000+ | 133.98 грн |
| 10000+ | 114.73 грн |
| IRF4905STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 228+ | 160.78 грн |
| 500+ | 144.94 грн |
| IRF4905+F |
Виробник: IR
07+ 220
07+ 220
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRF4905PBF |
![]() |
IRF4905PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 930 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| IRF4905S |
Виробник: IR
08+
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRF4905SPBF |
![]() |
IRF4905SPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| IRF4905STRPBF |
Виробник: IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRF4905STRRPBF |
![]() |
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| IRF4905STRRPBF |
![]() |
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| AUIRF4905L |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 115+ | 200.21 грн |
| AUIRF4905L |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 115+ | 200.21 грн |






















