Результат пошуку "irf4905" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 126
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 69
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 206
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 206
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 141
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 111
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 243
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 910
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 70
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 47
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 228
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 228
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF4905PBF Код товару: 22366
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Id,A: 74 A Rds(on),Om: 0,02 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180 Монтаж: THT |
у наявності: 934 шт
864 шт - склад
39 шт - РАДІОМАГ-Київ 8 шт - РАДІОМАГ-Львів 4 шт - РАДІОМАГ-Харків 16 шт - РАДІОМАГ-Одеса 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRF4905 | Infineon |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 742 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905 | JSMicro Semiconductor |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905 | UMW |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905 | Infineon |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905L | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 7421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC |
на замовлення 1962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF4905PBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 117 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1962 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 73565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 41767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 41775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF4905STRL | JSMicro Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905STRL | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905STRL | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905STRL-CN | CHIPNOBO |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12,5mOhm; 85A; 139W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL-CN CHIPNOBO TIRF4905s CNB кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905STRLP | UMW |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905STRLP | UMW |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 3282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF4905STRLPBF | Infineon |
![]() ![]() |
на замовлення 74 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3282 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 54400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 17576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 54400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF4905+F | IR | 07+ 220 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905PBF |
![]() |
на замовлення 930 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF4905PBF | International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 420 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905S | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=70A@T=25C, Id=44A@T=100C, Rds<0.02 Ohm@Vgs=10V, P=170W, -55 to 150C). D2-PAK |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905S | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF4905S | IR | TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905S | IR | 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905S | IR | 07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905S | IR | 09+ |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905SPBF |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF4905STRL |
![]() |
на замовлення 710 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF4905STRLPBF | International Rectifier Corporation |
![]() ![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
IRF4905PBF Код товару: 22366
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 934 шт
864 шт - склад
39 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
16 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
39 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
16 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 48.50 грн |
10+ | 43.60 грн |
100+ | 39.50 грн |
IRF4905 | ![]() |
![]() |
на замовлення 742 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 54.49 грн |
IRF4905 | ![]() |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 JSMICRO TIRF4905 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 JSMICRO TIRF4905 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 34.83 грн |
IRF4905 | ![]() |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 UMW TIRF4905 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 UMW TIRF4905 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 30.94 грн |
IRF4905 | ![]() |
![]() |
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 54.49 грн |
IRF4905L |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 128.24 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
126+ | 98.04 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
69+ | 179.42 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 80.78 грн |
50+ | 80.21 грн |
100+ | 79.42 грн |
500+ | 75.81 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 147.67 грн |
10+ | 97.87 грн |
100+ | 96.16 грн |
500+ | 87.69 грн |
1000+ | 79.48 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
206+ | 149.16 грн |
500+ | 133.84 грн |
1000+ | 123.62 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
206+ | 149.16 грн |
500+ | 133.84 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.54 грн |
10+ | 98.57 грн |
100+ | 84.95 грн |
500+ | 84.18 грн |
1000+ | 79.59 грн |
5000+ | 77.30 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
141+ | 87.21 грн |
142+ | 86.60 грн |
143+ | 85.74 грн |
500+ | 81.84 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 133.93 грн |
10+ | 115.59 грн |
17+ | 57.40 грн |
46+ | 54.21 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm
на замовлення 117 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.76 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 160.72 грн |
10+ | 144.05 грн |
17+ | 68.88 грн |
46+ | 65.05 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 109.66 грн |
114+ | 108.39 грн |
138+ | 89.14 грн |
500+ | 72.18 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 236.10 грн |
10+ | 171.71 грн |
100+ | 106.46 грн |
500+ | 70.47 грн |
1000+ | 60.27 грн |
5000+ | 59.09 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
111+ | 111.09 грн |
112+ | 109.82 грн |
136+ | 90.41 грн |
500+ | 73.27 грн |
1000+ | 64.10 грн |
2000+ | 58.45 грн |
5000+ | 56.20 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
243+ | 50.59 грн |
266+ | 46.10 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 101.83 грн |
50+ | 100.65 грн |
100+ | 82.77 грн |
500+ | 67.03 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 102.90 грн |
50+ | 101.72 грн |
100+ | 83.74 грн |
500+ | 67.87 грн |
1000+ | 59.37 грн |
2000+ | 54.14 грн |
5000+ | 52.05 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
910+ | 73.49 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905STRL |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL JSMICRO TIRF4905s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL JSMICRO TIRF4905s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 44.56 грн |
IRF4905STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 75.70 грн |
IRF4905STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 75.70 грн |
IRF4905STRL-CN |
Виробник: CHIPNOBO
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12,5mOhm; 85A; 139W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL-CN CHIPNOBO TIRF4905s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12,5mOhm; 85A; 139W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL-CN CHIPNOBO TIRF4905s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 32.88 грн |
IRF4905STRLP |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 36.78 грн |
IRF4905STRLP |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 36.78 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 232.66 грн |
10+ | 144.29 грн |
11+ | 89.29 грн |
29+ | 83.71 грн |
800+ | 80.52 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm
на замовлення 74 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 124.15 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 279.19 грн |
10+ | 179.81 грн |
11+ | 107.14 грн |
29+ | 100.45 грн |
800+ | 96.62 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 134.79 грн |
500+ | 109.22 грн |
1000+ | 82.42 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
70+ | 176.54 грн |
87+ | 142.21 грн |
100+ | 123.42 грн |
500+ | 101.67 грн |
800+ | 77.35 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 54400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 90.95 грн |
2400+ | 86.49 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 246.23 грн |
10+ | 120.55 грн |
25+ | 77.19 грн |
100+ | 73.70 грн |
250+ | 67.55 грн |
500+ | 64.78 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 17576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 275.00 грн |
10+ | 178.66 грн |
100+ | 108.68 грн |
500+ | 81.89 грн |
800+ | 79.59 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
47+ | 265.17 грн |
95+ | 129.82 грн |
148+ | 83.13 грн |
149+ | 79.36 грн |
250+ | 72.75 грн |
500+ | 69.76 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 277.30 грн |
10+ | 192.31 грн |
100+ | 134.79 грн |
500+ | 109.22 грн |
1000+ | 82.42 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 54400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 84.25 грн |
2400+ | 80.11 грн |
IRF4905STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
228+ | 134.86 грн |
500+ | 121.58 грн |
1000+ | 112.38 грн |
IRF4905STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
228+ | 134.86 грн |
500+ | 121.58 грн |
1000+ | 112.38 грн |
10000+ | 96.23 грн |
IRF4905STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905+F |
Виробник: IR
07+ 220
07+ 220
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905PBF |
![]() |
IRF4905PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 930 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 74 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 20 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 74 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 20 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 420 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905S |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=70A@T=25C, Id=44A@T=100C, Rds<0.02 Ohm@Vgs=10V, P=170W, -55 to 150C). D2-PAK
P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=70A@T=25C, Id=44A@T=100C, Rds<0.02 Ohm@Vgs=10V, P=170W, -55 to 150C). D2-PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905S |
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905S |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905S |
Виробник: IR
08+
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905S |
Виробник: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905S |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905SPBF |
![]() |
IRF4905SPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier Corporation
D2Pak, Vdss=-55V, Id=-42A, Rds(on)=20mOm, -55...+150
D2Pak, Vdss=-55V, Id=-42A, Rds(on)=20mOm, -55...+150
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]