Результат пошуку "irf4905" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 102
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 206
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 206
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 62
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 110
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 139
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF4905PBF Код товару: 22366
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Id,A: 74 A Rds(on),Om: 0,02 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180 Монтаж: THT |
у наявності: 2162 шт
1994 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ 8 шт - РАДІОМАГ-Львів 17 шт - РАДІОМАГ-Харків 14 шт - РАДІОМАГ-Одеса 99 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRF4905 | UMW |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905 | Infineon |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3382 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905 | JSMicro Semiconductor |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905L | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 6952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 3637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 6953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 2671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube |
на замовлення 5404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5404 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 11728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 69036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 61446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 61448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF4905STRL | JSMicro Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905STRL | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905STRL | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905STRL-CN | CHIPNOBO |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12,5mOhm; 85A; 139W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL-CN CHIPNOBO TIRF4905s CNB кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905STRLP | UMW |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF4905STRLP | UMW |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel |
на замовлення 3224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 8777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 62400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 10251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 62400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF4905+F | IR | 07+ 220 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905PBF |
![]() |
на замовлення 930 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF4905PBF | International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 420 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905PBF | International Rectifier Corporation |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905S | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=70A@T=25C, Id=44A@T=100C, Rds<0.02 Ohm@Vgs=10V, P=170W, -55 to 150C). D2-PAK |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905S | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF4905S | IR | TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905S | IR | 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905S | IR | 07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905S | IR | 09+ |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905SPBF |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF4905STRL |
![]() |
на замовлення 710 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF4905STRPBF | IR |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF4905STRRPBF |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF4905STRRPBF |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
AUIRF4905L | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-262 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF4905PBF Код товару: 22366
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 2162 шт
1994 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
14 шт - РАДІОМАГ-Одеса
99 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
14 шт - РАДІОМАГ-Одеса
99 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 48.50 грн |
10+ | 43.60 грн |
100+ | 39.50 грн |
IRF4905 | ![]() |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 UMW TIRF4905 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 UMW TIRF4905 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 30.94 грн |
IRF4905 | ![]() |
![]() |
на замовлення 3382 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 54.49 грн |
IRF4905 | ![]() |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 JSMICRO TIRF4905 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 JSMICRO TIRF4905 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 31.33 грн |
IRF4905L |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 128.24 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 124.74 грн |
5+ | 99.28 грн |
10+ | 93.76 грн |
11+ | 92.19 грн |
25+ | 85.89 грн |
50+ | 83.52 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 149.68 грн |
5+ | 123.72 грн |
10+ | 112.52 грн |
11+ | 110.63 грн |
25+ | 103.06 грн |
50+ | 100.23 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 6952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
102+ | 120.70 грн |
133+ | 92.31 грн |
500+ | 87.19 грн |
1000+ | 71.18 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 3637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 146.49 грн |
10+ | 99.17 грн |
500+ | 81.69 грн |
1000+ | 74.81 грн |
2000+ | 72.77 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 6953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 129.52 грн |
10+ | 99.61 грн |
100+ | 99.05 грн |
500+ | 93.55 грн |
1000+ | 76.37 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 139.10 грн |
50+ | 91.90 грн |
100+ | 91.55 грн |
500+ | 78.96 грн |
1000+ | 73.13 грн |
2000+ | 68.23 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
206+ | 149.16 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 153.59 грн |
10+ | 106.07 грн |
100+ | 105.22 грн |
500+ | 94.55 грн |
1000+ | 80.01 грн |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
206+ | 149.16 грн |
500+ | 133.84 грн |
1000+ | 123.62 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
на замовлення 5404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 132.37 грн |
10+ | 101.64 грн |
17+ | 56.73 грн |
46+ | 53.58 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5404 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 158.85 грн |
10+ | 126.66 грн |
17+ | 68.08 грн |
46+ | 64.30 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 75.45 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 11728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 177.56 грн |
50+ | 92.61 грн |
100+ | 85.87 грн |
500+ | 66.10 грн |
1000+ | 61.04 грн |
2000+ | 56.78 грн |
5000+ | 54.32 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 81.46 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
62+ | 198.04 грн |
111+ | 110.80 грн |
122+ | 100.50 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 69036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 177.35 грн |
10+ | 103.52 грн |
100+ | 89.10 грн |
500+ | 68.00 грн |
1000+ | 59.28 грн |
5000+ | 54.91 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 212.19 грн |
10+ | 118.72 грн |
100+ | 107.68 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 24435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 151.79 грн |
10+ | 86.81 грн |
100+ | 70.27 грн |
500+ | 61.12 грн |
1000+ | 58.93 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 61446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
110+ | 111.94 грн |
121+ | 101.60 грн |
500+ | 84.41 грн |
1000+ | 70.88 грн |
2000+ | 64.23 грн |
5000+ | 54.63 грн |
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 61448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 213.57 грн |
10+ | 120.12 грн |
100+ | 109.02 грн |
500+ | 87.35 грн |
1000+ | 70.43 грн |
2000+ | 66.17 грн |
5000+ | 58.62 грн |
IRF4905STRL |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL JSMICRO TIRF4905s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL JSMICRO TIRF4905s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 39.89 грн |
IRF4905STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 75.51 грн |
IRF4905STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 75.51 грн |
IRF4905STRL-CN |
Виробник: CHIPNOBO
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12,5mOhm; 85A; 139W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL-CN CHIPNOBO TIRF4905s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12,5mOhm; 85A; 139W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL-CN CHIPNOBO TIRF4905s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 32.88 грн |
IRF4905STRLP |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 36.78 грн |
IRF4905STRLP |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 36.78 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 225.71 грн |
10+ | 138.68 грн |
12+ | 80.37 грн |
32+ | 75.64 грн |
1600+ | 72.49 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 270.86 грн |
10+ | 172.81 грн |
12+ | 96.44 грн |
32+ | 90.77 грн |
1600+ | 86.99 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 8777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 261.22 грн |
10+ | 168.76 грн |
100+ | 102.87 грн |
500+ | 89.26 грн |
800+ | 75.34 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 292.28 грн |
10+ | 96.81 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 62400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 100.45 грн |
2400+ | 96.35 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 291.05 грн |
10+ | 191.77 грн |
100+ | 134.07 грн |
500+ | 107.16 грн |
1000+ | 81.46 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 10251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 243.02 грн |
10+ | 152.62 грн |
100+ | 106.35 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 62400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 134.76 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 134.07 грн |
500+ | 107.16 грн |
1000+ | 81.46 грн |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 83.28 грн |
1600+ | 76.52 грн |
2400+ | 75.21 грн |
IRF4905STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905+F |
Виробник: IR
07+ 220
07+ 220
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905PBF |
![]() |
IRF4905PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 930 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 74 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 20 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 74 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 20 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 420 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier Corporation
TO-220AB, Vdss=-55V, Id=-74A, Rds(on)=20mOm, -55...+175
TO-220AB, Vdss=-55V, Id=-74A, Rds(on)=20mOm, -55...+175
на замовлення 300 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905S |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=70A@T=25C, Id=44A@T=100C, Rds<0.02 Ohm@Vgs=10V, P=170W, -55 to 150C). D2-PAK
P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=70A@T=25C, Id=44A@T=100C, Rds<0.02 Ohm@Vgs=10V, P=170W, -55 to 150C). D2-PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905S |
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905S |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905S |
Виробник: IR
08+
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905S |
Виробник: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905S |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905SPBF |
![]() |
IRF4905SPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905STRPBF |
Виробник: IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905STRRPBF |
![]() |
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF4905STRRPBF |
![]() |
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AUIRF4905L |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
139+ | 151.61 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]