Результат пошуку "irf4905" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF4905PBF IRF4905PBF
Код товару: 22366
Додати до обраних Обраний товар

IR irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 2262 шт
2138 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
37 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.50 грн
10+43.60 грн
100+39.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905 UMW 1f7fa3a514b64c9d3552e0fb8e94bdcb.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 UMW TIRF4905 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905 Infineon 1f7fa3a514b64c9d3552e0fb8e94bdcb.pdf description P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω IRF4905 TIRF4905
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905 Infineon 1f7fa3a514b64c9d3552e0fb8e94bdcb.pdf description P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω IRF4905 TIRF4905
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905 JSMicro Semiconductor 1f7fa3a514b64c9d3552e0fb8e94bdcb.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 JSMICRO TIRF4905 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905 Infineon 1f7fa3a514b64c9d3552e0fb8e94bdcb.pdf description P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω IRF4905 TIRF4905
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905L International Rectifier Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+123.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905spbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.84 грн
5+112.38 грн
10+91.74 грн
11+89.45 грн
28+84.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905spbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.60 грн
5+140.04 грн
10+110.09 грн
11+107.33 грн
28+101.83 грн
100+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.04 грн
50+81.22 грн
100+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON INFN-S-A0012838655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.72 грн
10+102.09 грн
100+96.33 грн
500+82.56 грн
1000+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 description Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.63 грн
50+89.58 грн
100+88.11 грн
500+77.82 грн
1000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+103.63 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+156.66 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+148.09 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+71.17 грн
50+70.45 грн
100+70.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+76.64 грн
161+75.85 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+194.30 грн
10+136.84 грн
17+54.28 грн
46+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF Infineon irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm
на замовлення 147 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+115.92 грн
10+104.95 грн
100+99.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF International Rectifier/Infineon irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 74 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 20 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 420 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
11+57.45 грн
12+53.62 грн
100+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.16 грн
10+170.53 грн
17+65.13 грн
46+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON IRSDS18781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.31 грн
10+98.80 грн
100+93.03 грн
500+67.96 грн
1000+58.01 грн
5000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF Infineon Technologies infineon-irf4905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF Infineon Technologies infineon-irf4905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 39597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+100.78 грн
50+100.75 грн
100+84.63 грн
500+68.18 грн
1000+59.20 грн
2000+53.22 грн
5000+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF Infineon Technologies infineon-irf4905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 39589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+108.89 грн
134+91.47 грн
500+73.68 грн
1000+63.97 грн
2000+57.52 грн
5000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF Infineon Technologies irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 19689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.97 грн
50+100.99 грн
100+91.00 грн
500+68.96 грн
1000+63.68 грн
2000+59.24 грн
5000+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF Infineon Technologies infineon-irf4905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+142.81 грн
115+106.30 грн
128+95.75 грн
200+86.85 грн
500+69.41 грн
1000+47.50 грн
2000+43.82 грн
4000+42.84 грн
8000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF; -74A; -55V; 200W; 0.07R; P-канальний; TO-220AB; INFINEON (IRF)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+126.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905S International Rectifier/Infineon P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=70A@T=25C, Id=44A@T=100C, Rds<0.02 Ohm@Vgs=10V, P=170W, -55 to 150C). D2-PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4+156.00 грн
10+116.92 грн
100+108.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL IRF4905STRL UMW 716f34ecf0321c8d6af6bd14d563ab05.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.48 грн
10+105.73 грн
100+72.01 грн
500+54.05 грн
1000+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL JSMicro Semiconductor 716f34ecf0321c8d6af6bd14d563ab05.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL JSMICRO TIRF4905s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL Infineon 716f34ecf0321c8d6af6bd14d563ab05.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL Infineon 716f34ecf0321c8d6af6bd14d563ab05.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLP IRF4905STRLP UMW a2e14c7347bf28686db90205f69ebd6d.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.49 грн
10+88.37 грн
100+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLP IRF4905STRLP UMW a2e14c7347bf28686db90205f69ebd6d.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905STRLPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.70 грн
10+149.84 грн
11+85.62 грн
29+80.27 грн
1600+77.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF Infineon irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 description Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm
на замовлення 114 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+123.25 грн
10+101.28 грн
100+92.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905STRLPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+275.64 грн
10+186.72 грн
11+102.75 грн
29+96.33 грн
1600+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+206.11 грн
79+155.80 грн
139+87.64 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 description Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 11760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.89 грн
1600+79.83 грн
2400+78.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 3902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+178.92 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON 136279.pdf description Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.92 грн
10+184.42 грн
100+129.26 грн
500+104.73 грн
1000+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 description Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 11856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.08 грн
10+159.24 грн
100+110.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON 136279.pdf description Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.26 грн
500+104.73 грн
1000+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.69 грн
2400+78.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF Infineon Technologies irf4905s.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF Infineon Technologies irf4905s.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.43 грн
10+143.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF Infineon Technologies irf4905s.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905+F IR 07+ 220
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e IRF4905PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 930 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905S IR 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905S IR 09+
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905S IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905S IR TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905S IR 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905SPBF irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 IRF4905SPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL 716f34ecf0321c8d6af6bd14d563ab05.pdf
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL-CN CHIPNOBO Transistor P-Channel MOSFET; -60V; 20V; 12,5mOhm; -85A; 139W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL-CN CHIPNOBO TIRF4905s CNB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF
Код товару: 22366
Додати до обраних Обраний товар

irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 2262 шт
2138 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
37 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.50 грн
10+43.60 грн
100+39.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905 description 1f7fa3a514b64c9d3552e0fb8e94bdcb.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 UMW TIRF4905 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905 description 1f7fa3a514b64c9d3552e0fb8e94bdcb.pdf
Виробник: Infineon
P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω IRF4905 TIRF4905
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905 description 1f7fa3a514b64c9d3552e0fb8e94bdcb.pdf
Виробник: Infineon
P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω IRF4905 TIRF4905
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905 description 1f7fa3a514b64c9d3552e0fb8e94bdcb.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 JSMICRO TIRF4905 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905 description 1f7fa3a514b64c9d3552e0fb8e94bdcb.pdf
Виробник: Infineon
P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω IRF4905 TIRF4905
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905L
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+123.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description irf4905spbf.pdf
IRF4905LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.84 грн
5+112.38 грн
10+91.74 грн
11+89.45 грн
28+84.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description irf4905spbf.pdf
IRF4905LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.60 грн
5+140.04 грн
10+110.09 грн
11+107.33 грн
28+101.83 грн
100+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+82.04 грн
50+81.22 грн
100+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description INFN-S-A0012838655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF4905LPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.72 грн
10+102.09 грн
100+96.33 грн
500+82.56 грн
1000+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
IRF4905LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.63 грн
50+89.58 грн
100+88.11 грн
500+77.82 грн
1000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+103.63 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+156.66 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+148.09 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+71.17 грн
50+70.45 грн
100+70.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+76.64 грн
161+75.85 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF irf4905.pdf
IRF4905PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+194.30 грн
10+136.84 грн
17+54.28 грн
46+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm
на замовлення 147 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.92 грн
10+104.95 грн
100+99.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 74 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 20 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 420 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
11+57.45 грн
12+53.62 грн
100+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF irf4905.pdf
IRF4905PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.16 грн
10+170.53 грн
17+65.13 грн
46+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRSDS18781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF4905PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+166.31 грн
10+98.80 грн
100+93.03 грн
500+67.96 грн
1000+58.01 грн
5000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF infineon-irf4905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF infineon-irf4905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 39597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+100.78 грн
50+100.75 грн
100+84.63 грн
500+68.18 грн
1000+59.20 грн
2000+53.22 грн
5000+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF infineon-irf4905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 39589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+108.89 грн
134+91.47 грн
500+73.68 грн
1000+63.97 грн
2000+57.52 грн
5000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 19689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.97 грн
50+100.99 грн
100+91.00 грн
500+68.96 грн
1000+63.68 грн
2000+59.24 грн
5000+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF infineon-irf4905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
86+142.81 грн
115+106.30 грн
128+95.75 грн
200+86.85 грн
500+69.41 грн
1000+47.50 грн
2000+43.82 грн
4000+42.84 грн
8000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF; -74A; -55V; 200W; 0.07R; P-канальний; TO-220AB; INFINEON (IRF)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+126.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905S
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=70A@T=25C, Id=44A@T=100C, Rds<0.02 Ohm@Vgs=10V, P=170W, -55 to 150C). D2-PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
4+156.00 грн
10+116.92 грн
100+108.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL 716f34ecf0321c8d6af6bd14d563ab05.pdf
IRF4905STRL
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.48 грн
10+105.73 грн
100+72.01 грн
500+54.05 грн
1000+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL 716f34ecf0321c8d6af6bd14d563ab05.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL JSMICRO TIRF4905s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL 716f34ecf0321c8d6af6bd14d563ab05.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL 716f34ecf0321c8d6af6bd14d563ab05.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLP a2e14c7347bf28686db90205f69ebd6d.pdf
IRF4905STRLP
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.49 грн
10+88.37 грн
100+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLP a2e14c7347bf28686db90205f69ebd6d.pdf
IRF4905STRLP
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description IRF4905STRLPBF.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.70 грн
10+149.84 грн
11+85.62 грн
29+80.27 грн
1600+77.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm
на замовлення 114 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.25 грн
10+101.28 грн
100+92.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description IRF4905STRLPBF.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.64 грн
10+186.72 грн
11+102.75 грн
29+96.33 грн
1600+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+206.11 грн
79+155.80 грн
139+87.64 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
IRF4905STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 11760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+86.89 грн
1600+79.83 грн
2400+78.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 3902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+178.92 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description 136279.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+265.92 грн
10+184.42 грн
100+129.26 грн
500+104.73 грн
1000+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
IRF4905STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 11856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.08 грн
10+159.24 грн
100+110.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description 136279.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.26 грн
500+104.73 грн
1000+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+85.69 грн
2400+78.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF irf4905s.pdf
IRF4905STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF irf4905s.pdf
IRF4905STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
IRF4905STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.43 грн
10+143.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF irf4905s.pdf
IRF4905STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905+F
Виробник: IR
07+ 220
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 930 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905S
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905S
Виробник: IR
09+
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905S
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905S
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905S
Виробник: IR
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905SPBF irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
IRF4905SPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL 716f34ecf0321c8d6af6bd14d563ab05.pdf
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL-CN
Виробник: CHIPNOBO
Transistor P-Channel MOSFET; -60V; 20V; 12,5mOhm; -85A; 139W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL-CN CHIPNOBO TIRF4905s CNB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]