Результат пошуку "stp6" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 170
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 170
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 65
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 228
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 96
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 49
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 71
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 90
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 120
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP6N90K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
на замовлення 859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6N95K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220-3 Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: SuperMESH5™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.25Ω Drain current: 6A Drain-source voltage: 950V Kind of package: tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6N95K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220-3 Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: SuperMESH5™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.25Ω Drain current: 6A Drain-source voltage: 950V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6N95K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5 |
на замовлення 981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6N95K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
STP6N95K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NB50 | SGS |
N-MOSFET 5.8A 500V 100W 1.35Ω STP6NB50 TSTP6NB50 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1369 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3 Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 3.8A Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3 Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 3.8A Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 3770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z | ST |
N-MOSFET 6A 600V 125W 1Ω Replacement: STP6NC60 STP6NK60Z TSTP6NK60Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 160 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60Z; 6A; 600V; 110W; 1,2R; N-канальный; Корпус: TO-220; STM |
на замовлення 103 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP Case: TO220FP Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 3.8A Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP Case: TO220FP Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 3.8A Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 168 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 72108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 10900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 10900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-Channel 600V Zener SuperMESH |
на замовлення 1088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 10890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO220-3 Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar On-state resistance: 2Ω Drain current: 3.65A Drain-source voltage: 900V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
STP6NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
на замовлення 820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90Z | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH |
на замовлення 698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
STP6NK90Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.8 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 3213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STP6NK90Z TSTP6NK90Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP Case: TO220FP Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar On-state resistance: 2Ω Drain current: 3.65A Drain-source voltage: 900V Kind of package: tube |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP Case: TO220FP Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar On-state resistance: 2Ω Drain current: 3.65A Drain-source voltage: 900V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 903 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90ZFP | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.8 A, 1.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm |
на замовлення 1784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A |
на замовлення 1501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90ZFP | ST |
N-MOSFET 5,8A 900V 30W STP6NK90ZFP TSTP6NK90ZFP кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 84 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6NK90ZFP; 5,8A; 900V; 30W; 2R; N-канальный; Корпус: TO-220FP; STM |
на замовлення 7 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
STP6X0.2MBL | Panduit | Ethernet Cables / Networking Cables Copper Patch Cord, Cat 6A, Black S/FTP C |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6X0.2MBL | Panduit Corp |
Description: COPPER PATCH CORD, CAT 6A, BLACK Features: Molded Plugs Packaging: Bulk Connector Type: Plug to Plug Color: Black Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Length: 0.66' (200.0mm) Shielding: Shielded Style: Cat6a Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet) Cable Type: Round Cable |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STP6X0.2MGR | Panduit Corp |
Description: COPPER PATCH CORD, CAT 6A, GREEN Features: Molded Plugs Packaging: Bulk Connector Type: Plug to Plug Color: Green Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Length: 0.66' (200.0mm) Shielding: Shielded Style: Cat6a Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet) Cable Type: Round Cable |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
STP6N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 132.21 грн |
50+ | 102.27 грн |
100+ | 84.15 грн |
500+ | 66.82 грн |
STP6N95K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220-3
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.25Ω
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 950V
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220-3
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.25Ω
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 950V
Kind of package: tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.32 грн |
9+ | 93.41 грн |
24+ | 88.57 грн |
STP6N95K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220-3
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.25Ω
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 950V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220-3
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.25Ω
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 950V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 169.9 грн |
3+ | 147.45 грн |
9+ | 112.09 грн |
24+ | 106.28 грн |
250+ | 104.62 грн |
STP6N95K5 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 165.43 грн |
10+ | 134.13 грн |
100+ | 107.3 грн |
500+ | 88.57 грн |
STP6N95K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 143.37 грн |
10+ | 130.63 грн |
100+ | 94.32 грн |
250+ | 91.67 грн |
500+ | 83.7 грн |
1000+ | 67.09 грн |
2000+ | 64.9 грн |
STP6N95K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STP6N95K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 159.52 грн |
50+ | 123.12 грн |
100+ | 101.3 грн |
STP6NB50 |
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 12.04 грн |
STP6NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 3.8A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 3.8A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 63.34 грн |
7+ | 53.28 грн |
10+ | 47.05 грн |
19+ | 42.9 грн |
52+ | 40.13 грн |
STP6NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 3.8A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 3.8A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 66.39 грн |
10+ | 56.46 грн |
19+ | 51.48 грн |
52+ | 48.16 грн |
STP6NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.78 грн |
STP6NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 63.87 грн |
1000+ | 56.37 грн |
2500+ | 55.81 грн |
STP6NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 147.3 грн |
50+ | 113.78 грн |
100+ | 93.62 грн |
500+ | 74.34 грн |
1000+ | 63.08 грн |
STP6NK60Z |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 148.29 грн |
10+ | 104.32 грн |
100+ | 77.5 грн |
500+ | 64.77 грн |
1000+ | 50.97 грн |
STP6NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
170+ | 68.78 грн |
1000+ | 60.71 грн |
2500+ | 60.1 грн |
STP6NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
MOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 144.14 грн |
10+ | 115.35 грн |
100+ | 83.7 грн |
250+ | 80.38 грн |
500+ | 70.41 грн |
1000+ | 59.78 грн |
2000+ | 58.92 грн |
STP6NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.39 грн |
STP6NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
170+ | 68.59 грн |
1000+ | 60.67 грн |
STP6NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 63.68 грн |
1000+ | 56.32 грн |
STP6NK60Z |
Виробник: ST
N-MOSFET 6A 600V 125W 1Ω Replacement: STP6NC60 STP6NK60Z TSTP6NK60Z
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 6A 600V 125W 1Ω Replacement: STP6NC60 STP6NK60Z TSTP6NK60Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 41.62 грн |
STP6NK60Z; 6A; 600V; 110W; 1,2R; N-канальный; Корпус: TO-220; STM |
на замовлення 103 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 38.81 грн |
STP6NK60ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 3.8A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 3.8A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 58.12 грн |
10+ | 51.9 грн |
18+ | 44.98 грн |
50+ | 42.21 грн |
STP6NK60ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 3.8A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 3.8A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 72.43 грн |
10+ | 62.27 грн |
18+ | 53.97 грн |
50+ | 50.65 грн |
STP6NK60ZFP |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 72108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 116.99 грн |
50+ | 107.3 грн |
100+ | 96.87 грн |
250+ | 85.8 грн |
500+ | 74.73 грн |
1000+ | 65.79 грн |
2500+ | 51.61 грн |
12500+ | 50.52 грн |
25000+ | 49.44 грн |
STP6NK60ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 10900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.8 грн |
STP6NK60ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
65+ | 180.82 грн |
96+ | 122.39 грн |
110+ | 105.95 грн |
STP6NK60ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 10900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 164.97 грн |
10+ | 112.98 грн |
100+ | 98.13 грн |
500+ | 87.76 грн |
1000+ | 68.21 грн |
2500+ | 63.5 грн |
10000+ | 59.4 грн |
STP6NK60ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
228+ | 51.08 грн |
250+ | 49.03 грн |
500+ | 47.26 грн |
1000+ | 44.08 грн |
STP6NK60ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 171.01 грн |
50+ | 132.31 грн |
100+ | 108.87 грн |
500+ | 86.45 грн |
STP6NK60ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 167.91 грн |
10+ | 113.65 грн |
100+ | 98.39 грн |
STP6NK60ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Channel 600V Zener SuperMESH
MOSFET N-Channel 600V Zener SuperMESH
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 174.37 грн |
10+ | 116.88 грн |
100+ | 89.67 грн |
500+ | 81.04 грн |
1000+ | 76.39 грн |
2000+ | 68.42 грн |
STP6NK60ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 10890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
96+ | 121.69 грн |
111+ | 105.71 грн |
500+ | 98.04 грн |
1000+ | 79.35 грн |
2500+ | 71.25 грн |
10000+ | 63.98 грн |
STP6NK90Z |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO220-3
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2Ω
Drain current: 3.65A
Drain-source voltage: 900V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO220-3
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2Ω
Drain current: 3.65A
Drain-source voltage: 900V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP6NK90Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 224.65 грн |
10+ | 128.79 грн |
100+ | 88.94 грн |
STP6NK90Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
49+ | 241.93 грн |
84+ | 138.7 грн |
122+ | 95.78 грн |
STP6NK90Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 53.47 грн |
STP6NK90Z |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 214.13 грн |
50+ | 163.24 грн |
100+ | 139.91 грн |
500+ | 116.71 грн |
STP6NK90Z |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH
MOSFET N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 229.39 грн |
10+ | 202.43 грн |
25+ | 115.58 грн |
500+ | 114.25 грн |
1000+ | 94.99 грн |
STP6NK90Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STP6NK90Z |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.8 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.8 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 3213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 257.83 грн |
10+ | 143.07 грн |
100+ | 131.15 грн |
500+ | 113.48 грн |
1000+ | 95.17 грн |
STP6NK90Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
71+ | 164.43 грн |
103+ | 113.32 грн |
211+ | 55.43 грн |
STP6NK90Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 54.25 грн |
STP6NK90Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 154.63 грн |
10+ | 105.56 грн |
STP6NK90Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 152.66 грн |
10+ | 105.2 грн |
100+ | 51.45 грн |
STP6NK90Z |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STP6NK90Z TSTP6NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STP6NK90Z TSTP6NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.95 грн |
STP6NK90ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2Ω
Drain current: 3.65A
Drain-source voltage: 900V
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2Ω
Drain current: 3.65A
Drain-source voltage: 900V
Kind of package: tube
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 98.25 грн |
10+ | 88.57 грн |
12+ | 71.27 грн |
31+ | 67.12 грн |
STP6NK90ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2Ω
Drain current: 3.65A
Drain-source voltage: 900V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2Ω
Drain current: 3.65A
Drain-source voltage: 900V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 903 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 142.18 грн |
3+ | 122.44 грн |
10+ | 106.28 грн |
12+ | 85.52 грн |
31+ | 80.54 грн |
STP6NK90ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 217 грн |
50+ | 165.94 грн |
100+ | 142.23 грн |
500+ | 118.65 грн |
STP6NK90ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
90+ | 129.55 грн |
93+ | 125.64 грн |
106+ | 110.33 грн |
114+ | 98.55 грн |
250+ | 90.34 грн |
500+ | 85.22 грн |
1000+ | 82.47 грн |
STP6NK90ZFP |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.8 A, 1.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.8 A, 1.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 172.88 грн |
10+ | 116.25 грн |
100+ | 113.26 грн |
500+ | 103.1 грн |
1000+ | 93.25 грн |
STP6NK90ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
120+ | 97.28 грн |
122+ | 95.76 грн |
132+ | 88.51 грн |
138+ | 81.36 грн |
250+ | 74.58 грн |
500+ | 71.32 грн |
1000+ | 69.75 грн |
STP6NK90ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 53.47 грн |
STP6NK90ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 120.27 грн |
10+ | 116.64 грн |
25+ | 102.43 грн |
100+ | 91.49 грн |
250+ | 83.87 грн |
500+ | 79.12 грн |
1000+ | 76.57 грн |
STP6NK90ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 90.33 грн |
10+ | 88.92 грн |
25+ | 82.18 грн |
100+ | 75.55 грн |
250+ | 69.25 грн |
500+ | 66.22 грн |
1000+ | 64.77 грн |
STP6NK90ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A
MOSFET N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 175.14 грн |
10+ | 169.59 грн |
25+ | 122.22 грн |
100+ | 108.94 грн |
250+ | 108.27 грн |
500+ | 105.62 грн |
2000+ | 96.98 грн |
STP6NK90ZFP |
на замовлення 84 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 74.03 грн |
STP6NK90ZFP; 5,8A; 900V; 30W; 2R; N-канальный; Корпус: TO-220FP; STM |
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 94.8 грн |
STP6X0.2MBL |
Виробник: Panduit
Ethernet Cables / Networking Cables Copper Patch Cord, Cat 6A, Black S/FTP C
Ethernet Cables / Networking Cables Copper Patch Cord, Cat 6A, Black S/FTP C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1666.18 грн |
STP6X0.2MBL |
Виробник: Panduit Corp
Description: COPPER PATCH CORD, CAT 6A, BLACK
Features: Molded Plugs
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug to Plug
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Length: 0.66' (200.0mm)
Shielding: Shielded
Style: Cat6a
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Cable Type: Round Cable
Description: COPPER PATCH CORD, CAT 6A, BLACK
Features: Molded Plugs
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug to Plug
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Length: 0.66' (200.0mm)
Shielding: Shielded
Style: Cat6a
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Cable Type: Round Cable
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1521.89 грн |
10+ | 1424.49 грн |
STP6X0.2MGR |
Виробник: Panduit Corp
Description: COPPER PATCH CORD, CAT 6A, GREEN
Features: Molded Plugs
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug to Plug
Color: Green
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Length: 0.66' (200.0mm)
Shielding: Shielded
Style: Cat6a
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Cable Type: Round Cable
Description: COPPER PATCH CORD, CAT 6A, GREEN
Features: Molded Plugs
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug to Plug
Color: Green
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Length: 0.66' (200.0mm)
Shielding: Shielded
Style: Cat6a
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Cable Type: Round Cable
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1521.89 грн |
10+ | 1424.49 грн |