Результат пошуку "stp6" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 206
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 251
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 368
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 199
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 79
Мінімальне замовлення: 139
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 78
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 214
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP60NF06 Код товару: 2993 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49 Монтаж: THT |
у наявності: 669 шт
|
|
|||||||||||||||||
STP60NF06L Код товару: 105102 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35 Монтаж: THT |
у наявності: 82 шт
|
|
|||||||||||||||||
STP6NK60ZFP Код товару: 1169 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220FP Uds,V: 600 V Idd,A: 6 А Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 905/33 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 635 шт
|
|
|||||||||||||||||
STP6NK90Z Код товару: 2004 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 900 V Idd,A: 5,8 A Rds(on), Ohm: 2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1350/46.5 Монтаж: THT |
у наявності: 8 шт
|
|
|||||||||||||||||
STP6NK90ZFP Код товару: 3320 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 900 V Idd,A: 5,8 A Rds(on), Ohm: 1,56 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1350/17 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 110 шт
|
|
|||||||||||||||||
STP60N043DM9 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET |
на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60N043DM9 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 56 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W Case: TO220-3 Mounting: THT Technology: STripFET™ II Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar On-state resistance: 16mΩ Drain current: 42A Drain-source voltage: 60V Kind of package: tube |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W Case: TO220-3 Mounting: THT Technology: STripFET™ II Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar On-state resistance: 16mΩ Drain current: 42A Drain-source voltage: 60V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 527 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 482090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP60NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp |
на замовлення 3478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 482090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06 | ST |
N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06FP | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06FP | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp |
на замовлення 1918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06L | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W Case: TO220-3 Mounting: THT Technology: STripFET™ II Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar On-state resistance: 14mΩ Drain current: 42A Drain-source voltage: 60V Kind of package: tube |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06L | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W Case: TO220-3 Mounting: THT Technology: STripFET™ II Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar On-state resistance: 14mΩ Drain current: 42A Drain-source voltage: 60V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 830 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06L | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP60NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 6755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF06L | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp |
на замовлення 5547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp |
на замовлення 3513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP60NF10 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
stp62ns04z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 33V 62A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): Clamped Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
stp62ns04z | ST |
Trans MOSFET N-CH 33V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 STP62NS04Z TSTP62NS04Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
stp62ns04z | ST |
Trans MOSFET N-CH 33V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 STP62NS04Z TSTP62NS04Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP65N045M9 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET |
на замовлення 881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP65N045M9 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M9 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP65N150M9 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP65N150M9 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP65N150M9 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP65N150M9 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP65N150M9 | STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP., Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP65N150M9 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP65NF06 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 14mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; STP65NF06 TSTP65NF06 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP65NF06 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 14mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; STP65NF06 TSTP65NF06 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: MDmesh™ || Plus Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 2.9A Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: THT Technology: MDmesh™ || Plus Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 2.9A Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 620V 1.1 |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6N62K3 | ST |
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A STP6N62K3 TSTP6N62K3 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6N90K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
на замовлення 859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP6N90K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 1357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
STP60NF06 Код товару: 2993 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
у наявності: 669 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 46.5 грн |
10+ | 41.6 грн |
100+ | 37.8 грн |
STP60NF06L Код товару: 105102 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
у наявності: 82 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 60.5 грн |
10+ | 54.5 грн |
STP6NK60ZFP Код товару: 1169 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 905/33
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 905/33
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 635 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 36 грн |
10+ | 32.4 грн |
100+ | 27.9 грн |
STP6NK90Z Код товару: 2004 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 5,8 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/46.5
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 5,8 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/46.5
Монтаж: THT
у наявності: 8 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 185 грн |
STP6NK90ZFP Код товару: 3320 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 5,8 A
Rds(on), Ohm: 1,56 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/17
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 5,8 A
Rds(on), Ohm: 1,56 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/17
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 110 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 105 грн |
10+ | 97 грн |
100+ | 89 грн |
STP60N043DM9 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 782.23 грн |
10+ | 661.12 грн |
25+ | 521.71 грн |
100+ | 478.63 грн |
250+ | 451.03 грн |
500+ | 433.52 грн |
1000+ | 367.55 грн |
STP60N043DM9 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 56 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: STMICROELECTRONICS - STP60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 56 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 815.58 грн |
5+ | 706.83 грн |
10+ | 597.33 грн |
50+ | 531.53 грн |
100+ | 469.28 грн |
250+ | 442.09 грн |
STP60NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 72.5 грн |
10+ | 54.7 грн |
24+ | 35.76 грн |
64+ | 33.66 грн |
STP60NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 527 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.99 грн |
10+ | 68.16 грн |
24+ | 42.91 грн |
64+ | 40.39 грн |
STP60NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 482090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 29.51 грн |
STP60NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
206+ | 56.69 грн |
313+ | 37.33 грн |
316+ | 36.96 грн |
500+ | 35.28 грн |
1000+ | 32.35 грн |
STP60NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 43.21 грн |
STP60NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.78 грн |
50+ | 89.69 грн |
100+ | 73.8 грн |
500+ | 58.6 грн |
STP60NF06 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP60NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP60NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 80.8 грн |
12+ | 65.17 грн |
100+ | 53.16 грн |
500+ | 48.38 грн |
1000+ | 43.76 грн |
STP60NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 73.04 грн |
10+ | 60.62 грн |
100+ | 46.45 грн |
STP60NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 27.57 грн |
STP60NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
251+ | 46.53 грн |
STP60NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 59.88 грн |
12+ | 51.7 грн |
100+ | 34.88 грн |
250+ | 33.3 грн |
500+ | 30.52 грн |
1000+ | 29 грн |
STP60NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 482090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
368+ | 31.78 грн |
STP60NF06 |
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 33.86 грн |
STP60NF06FP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 25.84 грн |
STP60NF06FP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
199+ | 58.79 грн |
232+ | 50.41 грн |
250+ | 49.2 грн |
500+ | 45.32 грн |
1000+ | 39.7 грн |
STP60NF06FP |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.83 грн |
50+ | 62.63 грн |
100+ | 51.53 грн |
500+ | 43.66 грн |
STP60NF06FP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 63.94 грн |
11+ | 54.88 грн |
100+ | 47.07 грн |
250+ | 44.3 грн |
500+ | 39.17 грн |
1000+ | 35.58 грн |
STP60NF06FP |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 87.18 грн |
10+ | 65.42 грн |
100+ | 48.4 грн |
250+ | 46.99 грн |
500+ | 46.11 грн |
STP60NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 81.56 грн |
7+ | 51.4 грн |
10+ | 41.44 грн |
24+ | 35.76 грн |
64+ | 33.81 грн |
STP60NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 830 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 97.87 грн |
5+ | 64.05 грн |
10+ | 49.73 грн |
24+ | 42.91 грн |
64+ | 40.57 грн |
STP60NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 141.27 грн |
50+ | 108.97 грн |
100+ | 89.67 грн |
STP60NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 89.96 грн |
10+ | 78.79 грн |
100+ | 67.56 грн |
250+ | 63.77 грн |
500+ | 52.59 грн |
1000+ | 48.26 грн |
2000+ | 28.95 грн |
5000+ | 22.89 грн |
STP60NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 27.72 грн |
STP60NF06L |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP60NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP60NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 6755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 166.14 грн |
10+ | 121.58 грн |
100+ | 92.13 грн |
500+ | 74.33 грн |
1000+ | 59.49 грн |
5000+ | 57.28 грн |
STP60NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 138.79 грн |
10+ | 112.28 грн |
100+ | 89.06 грн |
250+ | 83.83 грн |
500+ | 65.46 грн |
1000+ | 59.28 грн |
2000+ | 56.43 грн |
STP60NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
79+ | 149.46 грн |
97+ | 120.92 грн |
165+ | 70.89 грн |
STP60NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
139+ | 84.2 грн |
406+ | 28.77 грн |
410+ | 28.48 грн |
500+ | 27.43 грн |
STP60NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 5547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.52 грн |
10+ | 101.41 грн |
100+ | 70.68 грн |
500+ | 56.48 грн |
STP60NF10 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 208.12 грн |
10+ | 127.73 грн |
100+ | 98.28 грн |
500+ | 88.86 грн |
1000+ | 78.76 грн |
2000+ | 77.42 грн |
STP60NF10 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 194.43 грн |
50+ | 150.09 грн |
100+ | 123.49 грн |
500+ | 98.06 грн |
stp62ns04z |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 33V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): Clamped
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 33V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): Clamped
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 106.32 грн |
50+ | 82.14 грн |
100+ | 67.58 грн |
stp62ns04z |
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 33V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 STP62NS04Z TSTP62NS04Z
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 33V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 STP62NS04Z TSTP62NS04Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 85.51 грн |
stp62ns04z |
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 33V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 STP62NS04Z TSTP62NS04Z
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 33V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 STP62NS04Z TSTP62NS04Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 85.51 грн |
STP65N045M9 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 766.52 грн |
10+ | 647.19 грн |
25+ | 510.94 грн |
100+ | 469.2 грн |
250+ | 441.6 грн |
500+ | 424.77 грн |
1000+ | 360.15 грн |
STP65N045M9 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M9 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M9 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 841.25 грн |
5+ | 729.49 грн |
STP65N150M9 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 305.09 грн |
10+ | 215.98 грн |
100+ | 175.2 грн |
STP65N150M9 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
78+ | 150.83 грн |
STP65N150M9 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 127.23 грн |
STP65N150M9 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 140.97 грн |
STP65N150M9 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
Description: N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 264.33 грн |
50+ | 201.91 грн |
100+ | 173.08 грн |
STP65N150M9 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 283.52 грн |
10+ | 234.57 грн |
25+ | 192.53 грн |
100+ | 165.6 грн |
250+ | 156.18 грн |
500+ | 147.43 грн |
1000+ | 124.54 грн |
STP65NF06 |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 14mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; STP65NF06 TSTP65NF06
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 14mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; STP65NF06 TSTP65NF06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 53.36 грн |
STP65NF06 |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 14mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; STP65NF06 TSTP65NF06
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 14mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; STP65NF06 TSTP65NF06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 40.87 грн |
STP6N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: MDmesh™ || Plus
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 2.9A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: MDmesh™ || Plus
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 2.9A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 72.93 грн |
10+ | 64.51 грн |
14+ | 58.9 грн |
39+ | 55.4 грн |
STP6N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: MDmesh™ || Plus
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 2.9A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: THT
Technology: MDmesh™ || Plus
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 2.9A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 90.88 грн |
10+ | 77.42 грн |
14+ | 70.68 грн |
39+ | 66.48 грн |
250+ | 64.79 грн |
STP6N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.02 грн |
10+ | 89.03 грн |
100+ | 60.45 грн |
500+ | 49.68 грн |
1000+ | 44.09 грн |
2000+ | 41.53 грн |
5000+ | 39.52 грн |
STP6N62K3 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 620V 1.1
MOSFET N-channel 620V 1.1
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.65 грн |
10+ | 85.93 грн |
100+ | 55.33 грн |
250+ | 54.8 грн |
500+ | 53.85 грн |
1000+ | 53.65 грн |
2000+ | 52.78 грн |
STP6N62K3 |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 30.61 грн |
STP6N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 91.1 грн |
10+ | 87.48 грн |
100+ | 72.7 грн |
250+ | 71.36 грн |
500+ | 70.68 грн |
1000+ | 66.98 грн |
5000+ | 64.76 грн |
STP6N80K5 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Description: STMICROELECTRONICS - STP6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 154.05 грн |
10+ | 126.11 грн |
100+ | 110.25 грн |
STP6N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
214+ | 54.57 грн |
259+ | 45.13 грн |
295+ | 39.58 грн |
STP6N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 133.99 грн |
50+ | 103.64 грн |
100+ | 85.28 грн |
500+ | 67.72 грн |
STP6N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 142.94 грн |
10+ | 113.8 грн |
100+ | 81.45 грн |
500+ | 68.66 грн |
1000+ | 59.58 грн |
2000+ | 55.4 грн |
5000+ | 53.65 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]