Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170415) > Сторінка 1152 з 2841
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ST490ABDR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: interface; transceiver; half duplex,RS422,RS485; 25Mbps; SO8 Case: SO8 Supply voltage: 4.5...5.5V DC Type of integrated circuit: interface Interface: half duplex; RS422; RS485 Data transfer rate: 25Mbps Number of receivers: 1 Number of transmitters: 1 Kind of integrated circuit: transceiver Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3630 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
ST62T60CB6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST715C33R | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
ST715C50R | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST715CR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST715M25R | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST715M33R | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2156 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
ST715MR | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
ST715PU25R | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST715PU33R | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST715PUR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST716C33R | STMicroelectronics | ST716C33R LDO unregulated voltage regulators |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST730M33R | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST730M50R | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.3A; SOT23-5; SMD Manufacturer series: ST730 Case: SOT23-5 Tolerance: ±2% Output voltage: 5V Output current: 0.3A Voltage drop: 1.2V Type of integrated circuit: voltage regulator Number of channels: 1 Input voltage: 2.5...28V Kind of package: reel; tape Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST730MR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST732M28R | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST732M33R | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST732M36R | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST732M50R | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2323 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
ST7FLITE09Y0M6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
ST8024LTR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: interface; 2.7÷6.5VDC; half duplex,Smart Card; SMD; TSSOP20 Type of integrated circuit: interface Interface: half duplex; Smart Card Mounting: SMD Operating temperature: -25...85°C Case: TSSOP20 Supply voltage: 2.7...6.5V DC Frequency: 20MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
ST890BDR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
ST901T | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 374 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
STA120DJ | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STA540 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STB100N10F7 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STB100NF04T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 969 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
STB10NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 36A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STB11N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 85W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 870 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STB11NK40ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK; ESD On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.67A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 452 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.3A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
STB11NM80T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 44A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STB120N4F6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STB120NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STB13N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 993 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STB13N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
STB13NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
STB140NF55T4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STB140NF75T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1132 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 48A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STB14NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
STB14NM50N | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STB160N75F3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STB16NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 45W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A Power dissipation: 45W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 639 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STB18N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Power dissipation: 90W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.295Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
STB18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STB18NF25 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STB18NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.19A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STB19NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.45A; 90W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.45A Power dissipation: 90W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
STB20N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STB21N90K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STB23NM50N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
STB24N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
STB26NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STB28N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STB32N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 119mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
STB32NM50N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 190W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 62.5nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STB38N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
ST490ABDR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: RS232 / RS422 / RS485 - integr. circ.
Description: IC: interface; transceiver; half duplex,RS422,RS485; 25Mbps; SO8
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: interface
Interface: half duplex; RS422; RS485
Data transfer rate: 25Mbps
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: RS232 / RS422 / RS485 - integr. circ.
Description: IC: interface; transceiver; half duplex,RS422,RS485; 25Mbps; SO8
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: interface
Interface: half duplex; RS422; RS485
Data transfer rate: 25Mbps
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 161.28 грн |
10+ | 114.95 грн |
20+ | 54.88 грн |
54+ | 52.09 грн |
ST62T60CB6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST62T60CB6 ST microcontrollers
ST62T60CB6 ST microcontrollers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST715C33R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST715C33R LDO unregulated voltage regulators
ST715C33R LDO unregulated voltage regulators
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 69.52 грн |
30+ | 36.46 грн |
83+ | 34.51 грн |
ST715C50R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST715C50R LDO unregulated voltage regulators
ST715C50R LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST715CR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST715CR LDO regulated voltage regulators
ST715CR LDO regulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST715M25R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST715M25R LDO unregulated voltage regulators
ST715M25R LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST715M33R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST715M33R LDO unregulated voltage regulators
ST715M33R LDO unregulated voltage regulators
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.54 грн |
25+ | 44.56 грн |
68+ | 42.14 грн |
ST715MR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST715MR LDO regulated voltage regulators
ST715MR LDO regulated voltage regulators
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.94 грн |
28+ | 38.97 грн |
77+ | 36.83 грн |
3000+ | 36.61 грн |
ST715PU25R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST715PU25R LDO unregulated voltage regulators
ST715PU25R LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST715PU33R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST715PU33R LDO unregulated voltage regulators
ST715PU33R LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST715PUR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST715PUR LDO regulated voltage regulators
ST715PUR LDO regulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST716C33R |
Виробник: STMicroelectronics
ST716C33R LDO unregulated voltage regulators
ST716C33R LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST730M33R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST730M33R LDO unregulated voltage regulators
ST730M33R LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST730M50R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.3A; SOT23-5; SMD
Manufacturer series: ST730
Case: SOT23-5
Tolerance: ±2%
Output voltage: 5V
Output current: 0.3A
Voltage drop: 1.2V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Input voltage: 2.5...28V
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.3A; SOT23-5; SMD
Manufacturer series: ST730
Case: SOT23-5
Tolerance: ±2%
Output voltage: 5V
Output current: 0.3A
Voltage drop: 1.2V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Input voltage: 2.5...28V
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST730MR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST730MR LDO regulated voltage regulators
ST730MR LDO regulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST732M28R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST732M28R LDO unregulated voltage regulators
ST732M28R LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST732M33R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST732M33R LDO unregulated voltage regulators
ST732M33R LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST732M36R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST732M36R LDO unregulated voltage regulators
ST732M36R LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST732M50R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST732M50R LDO unregulated voltage regulators
ST732M50R LDO unregulated voltage regulators
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.67 грн |
24+ | 45.39 грн |
66+ | 42.97 грн |
ST7FLITE09Y0M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST7FLITE09Y0M6 ST microcontrollers
ST7FLITE09Y0M6 ST microcontrollers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST8024LTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; 2.7÷6.5VDC; half duplex,Smart Card; SMD; TSSOP20
Type of integrated circuit: interface
Interface: half duplex; Smart Card
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Case: TSSOP20
Supply voltage: 2.7...6.5V DC
Frequency: 20MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; 2.7÷6.5VDC; half duplex,Smart Card; SMD; TSSOP20
Type of integrated circuit: interface
Interface: half duplex; Smart Card
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Case: TSSOP20
Supply voltage: 2.7...6.5V DC
Frequency: 20MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST890BDR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST890BDR Power switches - integrated circuits
ST890BDR Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST901T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST901T NPN THT transistors
ST901T NPN THT transistors
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.94 грн |
30+ | 36.56 грн |
82+ | 34.60 грн |
STA120DJ |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STA120DJ RTV - audio integrated circuits
STA120DJ RTV - audio integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STA540 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STA540 RTV - audio integrated circuits
STA540 RTV - audio integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB100N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB100NF04T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 284.49 грн |
5+ | 243.42 грн |
6+ | 201.85 грн |
15+ | 190.69 грн |
STB10NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB11N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 216.37 грн |
10+ | 156.48 грн |
11+ | 106.97 грн |
28+ | 101.39 грн |
STB11NK40ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK; ESD
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK; ESD
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 222.38 грн |
10+ | 147.79 грн |
15+ | 75.34 грн |
40+ | 71.62 грн |
STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 174.30 грн |
10+ | 148.76 грн |
13+ | 88.37 грн |
35+ | 83.72 грн |
STB11NM80T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB120N4F6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB120N4F6 SMD N channel transistors
STB120N4F6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB120NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB120NF10T4 SMD N channel transistors
STB120NF10T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB13N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 229.39 грн |
10+ | 118.81 грн |
27+ | 108.83 грн |
200+ | 105.11 грн |
STB13N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB13NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB140NF55T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB140NF55T4 SMD N channel transistors
STB140NF55T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB140NF75T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 269.46 грн |
9+ | 129.44 грн |
25+ | 118.13 грн |
STB14NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB14NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB14NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB14NM50N SMD N channel transistors
STB14NM50N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB160N75F3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB160N75F3 SMD N channel transistors
STB160N75F3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB16NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 45W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 45W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 180.31 грн |
10+ | 113.79 грн |
30+ | 36.37 грн |
83+ | 34.42 грн |
STB18N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB18NF25 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB18NF25 SMD N channel transistors
STB18NF25 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB18NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB19NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.45A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.45A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB20N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB20N95K5 SMD N channel transistors
STB20N95K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB21N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB21N90K5 SMD N channel transistors
STB21N90K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB23NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB24N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 323.56 грн |
8+ | 159.38 грн |
20+ | 145.11 грн |
250+ | 139.53 грн |
STB26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB28N65M2 SMD N channel transistors
STB28N65M2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB30NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB30NF10T4 SMD N channel transistors
STB30NF10T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB32N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 119mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 119mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB32NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62.5nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62.5nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB38N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.