Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (164595) > Сторінка 1152 з 2744

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 274 548 822 1096 1147 1148 1149 1150 1151 1152 1153 1154 1155 1156 1157 1370 1644 1918 2192 2466 2740 2744  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STTH8ST06DI STMicroelectronics en.DM00074747.pdf STTH8ST06DI THT universal diodes
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.67 грн
9+128.52 грн
25+120.85 грн
250+120.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STTH9012TV1 STTH9012TV1 STMicroelectronics stth9012tv.pdf description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 45Ax2; ISOTOP; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 45A x2
Case: ISOTOP
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 420A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 150A
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2748.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STU10NM60N STU10NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D743FFB6466745&compId=STD10NM60N.pdf?ci_sign=f941660c00468060e164548725c246bda9f61e1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+136.34 грн
5+119.52 грн
25+99.75 грн
75+90.16 грн
300+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STU2NK100Z STU2NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6D92E05364745&compId=STD2NK100Z.pdf?ci_sign=caf9f6187689a62580d492a5a2b564a7df3a03ca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.16A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.12 грн
10+68.73 грн
25+62.34 грн
75+59.47 грн
525+53.71 грн
1500+51.79 грн
5025+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N52K3 STU4N52K3 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D720ECA3A8C745&compId=STD4N52K3.pdf?ci_sign=19ef9afdab741c7465b45d3cc0ee0b19249eee89 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 525V; 2A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.17 грн
10+35.06 грн
49+23.50 грн
133+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK60Z STW10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+360.48 грн
30+141.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z STMicroelectronics en.CD00003020.pdf description STW10NK80Z THT N channel transistors
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+493.73 грн
9+140.03 грн
23+132.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA48BE735A72469&compId=STW11NK100Z.pdf?ci_sign=db1ffc6c28eb67a539a7b3bc4d1105afd326ef47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+304.71 грн
10+259.96 грн
30+237.86 грн
120+222.52 грн
510+207.17 грн
1020+199.50 грн
2010+192.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK90Z STMicroelectronics en.CD00100569.pdf STW11NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+636.27 грн
8+148.66 грн
21+140.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf description STW11NM80 THT N channel transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+554.67 грн
6+224.44 грн
14+211.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW12N150K5 STMicroelectronics en.DM00182307.pdf STW12N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+745.76 грн
3+494.91 грн
7+468.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.83 грн
10+221.12 грн
30+198.54 грн
90+183.19 грн
120+179.36 грн
150+175.52 грн
510+159.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics STW12NK90Z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+419.36 грн
10+213.15 грн
30+193.74 грн
120+183.19 грн
510+172.64 грн
1500+159.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 STW13N80K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9859721F5C745&compId=STB13N80K5.pdf?ci_sign=aa2e5e5956a995899144b97e10528889a0a7d9a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+380.11 грн
5+289.84 грн
12+264.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N95K3 STW13N95K3 STMicroelectronics en.CD00233894.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 40A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+458.61 грн
5+398.41 грн
30+338.57 грн
120+304.04 грн
300+299.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13NK100Z STW13NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796154AFD809E28&compId=STW13NK100Z-DTE.pdf?ci_sign=a7b3a2cce08859a3be4498f7c317ae8ff0137550 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+680.69 грн
5+580.68 грн
30+442.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13NK60Z STW13NK60Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8D83BCBC7A745&compId=STB13NK60ZT4.pdf?ci_sign=b00b55297326f50e0f7ba8d3e1e593ecafd6850a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.25 грн
30+152.39 грн
1020+137.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW14NK50Z STW14NK50Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4955C5D1A4469&compId=STW14NK50Z.pdf?ci_sign=32c2021c3e3a553ed3ca8f93ee96f0222a7878f1 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.66 грн
30+157.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 STW15N80K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972597B94E1E28&compId=STx15N80K5-DTE.pdf?ci_sign=3b52adae4a9f04151dd4b0f6be1a804c9d353fef Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+365.65 грн
2+334.66 грн
3+305.96 грн
10+272.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50Z STW15NK50Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3D1D211056469&compId=STP15NK50ZFP.pdf?ci_sign=13d88ad68509c594a1b506101500f58d43dba0b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+413.16 грн
10+186.26 грн
30+142.91 грн
60+133.32 грн
120+128.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90Z STW15NK90Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A001A32F5E28&compId=STW15NK90Z-DTE.pdf?ci_sign=62cd9c7576076a19ee6b29721394085dd84d74cf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+685.85 грн
2+626.49 грн
30+334.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60DM2 STW18N60DM2 STMicroelectronics STW18N60DM2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.36 грн
10+150.40 грн
30+138.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM60N STW18NM60N STMicroelectronics stw18nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+221.04 грн
10+187.25 грн
30+164.97 грн
90+151.54 грн
120+148.66 грн
300+140.03 грн
510+135.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5523A4380D2&compId=stw20n90k5.pdf?ci_sign=640ba2bdee6b5ef9ce2e103fbead8f4a32dcf30e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+562.93 грн
5+413.35 грн
10+364.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50Z STW20NK50Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA498A94E5D2469&compId=STW20NK50Z.pdf?ci_sign=18fcd641ca3dadf63d431a296c002130b2321804 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+329.50 грн
10+233.07 грн
30+149.62 грн
120+134.28 грн
510+120.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FD STW20NM50FD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A2A44259DE28&compId=STW20NM50FD-DTE.pdf?ci_sign=ff447b588ab458df5954dc6af5db6b5f281f87b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+447.25 грн
30+287.85 грн
510+258.01 грн
600+256.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FD STW20NM60FD STMicroelectronics STx20NM60xD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+556.74 грн
10+291.83 грн
30+261.84 грн
90+242.66 грн
120+237.86 грн
510+213.89 грн
990+202.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5 STMicroelectronics en.DM00130400.pdf STW21N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1172.35 грн
2+1070.39 грн
3+1011.88 грн
5+1009.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5 STMicroelectronics en.CD00255284.pdf STW21N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+716.84 грн
3+462.30 грн
7+437.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M2 STW24N60M2 STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+224.14 грн
5+170.32 грн
10+134.28 грн
30+129.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50 STW26NM50 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796AB7458915E28&compId=STW26NM50-DTE.pdf?ci_sign=498e2078d94698a68e0e529722c9c5b2da34d361 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+907.93 грн
30+513.94 грн
510+447.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N STMicroelectronics STW26NM60N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+538.14 грн
10+317.73 грн
30+271.43 грн
60+257.05 грн
90+249.37 грн
120+245.54 грн
510+228.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 STW28N60M2 STMicroelectronics STx28N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+237.05 грн
10+187.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 STW28N65M2 STMicroelectronics stw28n65m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+352.22 грн
3+311.75 грн
10+234.99 грн
30+219.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf STW28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+727.17 грн
7+184.15 грн
17+174.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 STW30N65M5 STMicroelectronics stw30n65m5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+465.84 грн
5+361.55 грн
10+305.96 грн
30+293.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2 STW33N60DM2 STMicroelectronics stw33n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+340.86 грн
10+303.79 грн
30+291.57 грн
120+285.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60N STW34NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796AF802AE71E28&compId=STW34NM60N-DTE.pdf?ci_sign=040baad4022de1b6f2dc25d386c2623852f2c429 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+650.73 грн
30+400.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND STW34NM60ND STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7976B36A2DB9E28&compId=STx34NM60ND-DTE.pdf?ci_sign=e289cc0d626f0f2806aaec98cb7ab1e097b96ee3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+582.56 грн
2+533.87 грн
10+483.40 грн
30+354.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150 STW3N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB0CEF9EB1F8745&compId=STP3N150.pdf?ci_sign=4b6e46b298994f0dccd5fe12e8993c8059a20d35 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+389.41 грн
5+288.85 грн
10+262.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N90K5 STMicroelectronics en.DM00265509.pdf STW40N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1167.26 грн
3+1103.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40NF20 STMicroelectronics en.CD00150592.pdf STW40NF20 THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+353.25 грн
5+243.62 грн
13+230.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N60DM2AG STW45N60DM2AG STMicroelectronics STW45N60DM2AG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+512.32 грн
10+398.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50 STW45NM50 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C05932594143F1A6F5005056AB5A8F&compId=stw45nm50.pdf?ci_sign=0e95be81e5a68adb9f0d628ba8aa4577337e76ef description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1024.64 грн
5+789.84 грн
30+521.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60 STW45NM60 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796B85D27069E28&compId=STW45NM60-DTE.pdf?ci_sign=a2039fae9722531599db627879f6b9fa8df6a423 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2 STW48N60M2 STMicroelectronics stw48n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+401.80 грн
3+351.59 грн
5+309.80 грн
10+258.01 грн
30+240.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2-4 STW48N60M2-4 STMicroelectronics STW48N60M2-4-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+763.32 грн
10+607.57 грн
30+454.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M6-4 STW48N60M6-4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B64CCFDC20D2&compId=stw48n60m6-4.pdf?ci_sign=925f714fb1f1ab07bc3f6c584db50b789db289a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW48NM60N STW48NM60N STMicroelectronics STW48NM60N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+462.74 грн
25+313.75 грн
30+299.25 грн
240+259.92 грн
510+249.37 грн
600+248.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 STW4N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3F90E27898469&compId=STP4N150.pdf?ci_sign=ed5d2195d1ad29e80cb52802d378fe45a63326cf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+538.14 грн
5+414.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C1EF19FD5E28&compId=STW56N65DM2-DTE.pdf?ci_sign=014030dd2619b39ad0d4d3a44f5c254dbcac94b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+777.78 грн
30+644.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4 STW57N65M5-4 STMicroelectronics STW57N65M5-4-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1264.28 грн
3+1075.70 грн
10+936.11 грн
30+867.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100Z STW5NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E27FF9965F939FF19A99005056AB752F&compId=stp5nk100z.pdf?ci_sign=8f22b401a260faebe7185680fe86cae3db2a196c description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+377.01 грн
2+340.64 грн
4+288.70 грн
10+218.68 грн
30+153.46 грн
120+140.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5 STW69N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7977700DE055E28&compId=STx69N65M5-DTE.pdf?ci_sign=7f46decf011de1f762906ec31aa90093c5aa7d46 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+879.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM2 STW70N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C8BE0A537E28&compId=STW70N60DM2-DTE.pdf?ci_sign=2b701572e79911ae496ce6a6819f290c8bdbfd55 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 42A
Technology: MDmesh™ DM2
Case: TO247
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+817.03 грн
5+743.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4 STW70N60DM6-4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B69C72F3E0D2&compId=stw70n60dm6-4.pdf?ci_sign=6ade287e6920907fcd237dc5eaa9e4f2c8043c24 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1132.07 грн
3+980.08 грн
10+836.36 грн
30+752.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2 STW70N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA49F000D5CE469&compId=STW70N60M2.pdf?ci_sign=ad969875e9be2c17aa1bfbbde252fc8e5fce0cc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ || Plus
Case: TO247
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+822.19 грн
3+721.12 грн
10+610.01 грн
30+548.62 грн
120+520.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6 STW75N60M6 STMicroelectronics stw75n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+819.10 грн
3+707.17 грн
10+601.37 грн
30+540.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20 STW75NF20 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B79777CB53241E28&compId=STx75NF20-DTE.pdf?ci_sign=c367964ebc9b6e95297336d64457c716c8cc5b2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Case: TO247
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+361.52 грн
5+273.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5 STW77N65M5 STMicroelectronics STW77N65M5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1126.90 грн
5+990.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8ST06DI en.DM00074747.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STTH8ST06DI THT universal diodes
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.67 грн
9+128.52 грн
25+120.85 грн
250+120.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STTH9012TV1 description stth9012tv.pdf
STTH9012TV1
Виробник: STMicroelectronics
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 45Ax2; ISOTOP; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 45A x2
Case: ISOTOP
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 420A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 150A
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2748.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STU10NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D743FFB6466745&compId=STD10NM60N.pdf?ci_sign=f941660c00468060e164548725c246bda9f61e1c
STU10NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.34 грн
5+119.52 грн
25+99.75 грн
75+90.16 грн
300+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STU2NK100Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6D92E05364745&compId=STD2NK100Z.pdf?ci_sign=caf9f6187689a62580d492a5a2b564a7df3a03ca
STU2NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.16A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.12 грн
10+68.73 грн
25+62.34 грн
75+59.47 грн
525+53.71 грн
1500+51.79 грн
5025+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N52K3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D720ECA3A8C745&compId=STD4N52K3.pdf?ci_sign=19ef9afdab741c7465b45d3cc0ee0b19249eee89
STU4N52K3
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 525V; 2A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.17 грн
10+35.06 грн
49+23.50 грн
133+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK60Z STP10NK60Z.pdf
STW10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.48 грн
30+141.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z description en.CD00003020.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW10NK80Z THT N channel transistors
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+493.73 грн
9+140.03 грн
23+132.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK100Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA48BE735A72469&compId=STW11NK100Z.pdf?ci_sign=db1ffc6c28eb67a539a7b3bc4d1105afd326ef47
STW11NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.71 грн
10+259.96 грн
30+237.86 грн
120+222.52 грн
510+207.17 грн
1020+199.50 грн
2010+192.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK90Z en.CD00100569.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW11NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+636.27 грн
8+148.66 грн
21+140.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 description en.CD00003205.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW11NM80 THT N channel transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+554.67 грн
6+224.44 грн
14+211.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW12N150K5 en.DM00182307.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW12N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+745.76 грн
3+494.91 грн
7+468.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STX12NK80Z-DTE.pdf
STW12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.83 грн
10+221.12 грн
30+198.54 грн
90+183.19 грн
120+179.36 грн
150+175.52 грн
510+159.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK90Z description STW12NK90Z.pdf
STW12NK90Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.36 грн
10+213.15 грн
30+193.74 грн
120+183.19 грн
510+172.64 грн
1500+159.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9859721F5C745&compId=STB13N80K5.pdf?ci_sign=aa2e5e5956a995899144b97e10528889a0a7d9a7
STW13N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.11 грн
5+289.84 грн
12+264.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N95K3 en.CD00233894.pdf
STW13N95K3
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 40A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.61 грн
5+398.41 грн
30+338.57 грн
120+304.04 грн
300+299.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13NK100Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796154AFD809E28&compId=STW13NK100Z-DTE.pdf?ci_sign=a7b3a2cce08859a3be4498f7c317ae8ff0137550
STW13NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+680.69 грн
5+580.68 грн
30+442.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13NK60Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8D83BCBC7A745&compId=STB13NK60ZT4.pdf?ci_sign=b00b55297326f50e0f7ba8d3e1e593ecafd6850a
STW13NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.25 грн
30+152.39 грн
1020+137.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW14NK50Z description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4955C5D1A4469&compId=STW14NK50Z.pdf?ci_sign=32c2021c3e3a553ed3ca8f93ee96f0222a7878f1
STW14NK50Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.66 грн
30+157.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972597B94E1E28&compId=STx15N80K5-DTE.pdf?ci_sign=3b52adae4a9f04151dd4b0f6be1a804c9d353fef
STW15N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.65 грн
2+334.66 грн
3+305.96 грн
10+272.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3D1D211056469&compId=STP15NK50ZFP.pdf?ci_sign=13d88ad68509c594a1b506101500f58d43dba0b2
STW15NK50Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.16 грн
10+186.26 грн
30+142.91 грн
60+133.32 грн
120+128.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90Z description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A001A32F5E28&compId=STW15NK90Z-DTE.pdf?ci_sign=62cd9c7576076a19ee6b29721394085dd84d74cf
STW15NK90Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+685.85 грн
2+626.49 грн
30+334.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60DM2 STW18N60DM2-DTE.pdf
STW18N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.36 грн
10+150.40 грн
30+138.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM60N stw18nm60n.pdf
STW18NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.04 грн
10+187.25 грн
30+164.97 грн
90+151.54 грн
120+148.66 грн
300+140.03 грн
510+135.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5523A4380D2&compId=stw20n90k5.pdf?ci_sign=640ba2bdee6b5ef9ce2e103fbead8f4a32dcf30e
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.93 грн
5+413.35 грн
10+364.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA498A94E5D2469&compId=STW20NK50Z.pdf?ci_sign=18fcd641ca3dadf63d431a296c002130b2321804
STW20NK50Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.50 грн
10+233.07 грн
30+149.62 грн
120+134.28 грн
510+120.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A2A44259DE28&compId=STW20NM50FD-DTE.pdf?ci_sign=ff447b588ab458df5954dc6af5db6b5f281f87b2
STW20NM50FD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.25 грн
30+287.85 грн
510+258.01 грн
600+256.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FD STx20NM60xD-DTE.pdf
STW20NM60FD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.74 грн
10+291.83 грн
30+261.84 грн
90+242.66 грн
120+237.86 грн
510+213.89 грн
990+202.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5 en.DM00130400.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW21N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1172.35 грн
2+1070.39 грн
3+1011.88 грн
5+1009.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5 en.CD00255284.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW21N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+716.84 грн
3+462.30 грн
7+437.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M2 STx24N60M2-DTE.pdf
STW24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.14 грн
5+170.32 грн
10+134.28 грн
30+129.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796AB7458915E28&compId=STW26NM50-DTE.pdf?ci_sign=498e2078d94698a68e0e529722c9c5b2da34d361
STW26NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+907.93 грн
30+513.94 грн
510+447.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N-DTE.pdf
STW26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.14 грн
10+317.73 грн
30+271.43 грн
60+257.05 грн
90+249.37 грн
120+245.54 грн
510+228.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 STx28N60M2-DTE.pdf
STW28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.05 грн
10+187.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 stw28n65m2.pdf
STW28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.22 грн
3+311.75 грн
10+234.99 грн
30+219.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50N en.CD00271786.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+727.17 грн
7+184.15 грн
17+174.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 stw30n65m5.pdf
STW30N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.84 грн
5+361.55 грн
10+305.96 грн
30+293.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2 stw33n60dm2.pdf
STW33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.86 грн
10+303.79 грн
30+291.57 грн
120+285.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796AF802AE71E28&compId=STW34NM60N-DTE.pdf?ci_sign=040baad4022de1b6f2dc25d386c2623852f2c429
STW34NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+650.73 грн
30+400.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7976B36A2DB9E28&compId=STx34NM60ND-DTE.pdf?ci_sign=e289cc0d626f0f2806aaec98cb7ab1e097b96ee3
STW34NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+582.56 грн
2+533.87 грн
10+483.40 грн
30+354.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB0CEF9EB1F8745&compId=STP3N150.pdf?ci_sign=4b6e46b298994f0dccd5fe12e8993c8059a20d35
STW3N150
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.41 грн
5+288.85 грн
10+262.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N90K5 en.DM00265509.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW40N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1167.26 грн
3+1103.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40NF20 en.CD00150592.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW40NF20 THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.25 грн
5+243.62 грн
13+230.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N60DM2AG STW45N60DM2AG-DTE.pdf
STW45N60DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.32 грн
10+398.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C05932594143F1A6F5005056AB5A8F&compId=stw45nm50.pdf?ci_sign=0e95be81e5a68adb9f0d628ba8aa4577337e76ef
STW45NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1024.64 грн
5+789.84 грн
30+521.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796B85D27069E28&compId=STW45NM60-DTE.pdf?ci_sign=a2039fae9722531599db627879f6b9fa8df6a423
STW45NM60
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2 stw48n60m2.pdf
STW48N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.80 грн
3+351.59 грн
5+309.80 грн
10+258.01 грн
30+240.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2-4 STW48N60M2-4-DTE.pdf
STW48N60M2-4
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+763.32 грн
10+607.57 грн
30+454.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M6-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B64CCFDC20D2&compId=stw48n60m6-4.pdf?ci_sign=925f714fb1f1ab07bc3f6c584db50b789db289a2
STW48N60M6-4
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW48NM60N STW48NM60N-DTE.pdf
STW48NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.74 грн
25+313.75 грн
30+299.25 грн
240+259.92 грн
510+249.37 грн
600+248.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3F90E27898469&compId=STP4N150.pdf?ci_sign=ed5d2195d1ad29e80cb52802d378fe45a63326cf
STW4N150
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.14 грн
5+414.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C1EF19FD5E28&compId=STW56N65DM2-DTE.pdf?ci_sign=014030dd2619b39ad0d4d3a44f5c254dbcac94b8
STW56N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+777.78 грн
30+644.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4 STW57N65M5-4-DTE.pdf
STW57N65M5-4
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1264.28 грн
3+1075.70 грн
10+936.11 грн
30+867.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW5NK100Z description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E27FF9965F939FF19A99005056AB752F&compId=stp5nk100z.pdf?ci_sign=8f22b401a260faebe7185680fe86cae3db2a196c
STW5NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.01 грн
2+340.64 грн
4+288.70 грн
10+218.68 грн
30+153.46 грн
120+140.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7977700DE055E28&compId=STx69N65M5-DTE.pdf?ci_sign=7f46decf011de1f762906ec31aa90093c5aa7d46
STW69N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+879.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C8BE0A537E28&compId=STW70N60DM2-DTE.pdf?ci_sign=2b701572e79911ae496ce6a6819f290c8bdbfd55
STW70N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 42A
Technology: MDmesh™ DM2
Case: TO247
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+817.03 грн
5+743.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B69C72F3E0D2&compId=stw70n60dm6-4.pdf?ci_sign=6ade287e6920907fcd237dc5eaa9e4f2c8043c24
STW70N60DM6-4
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1132.07 грн
3+980.08 грн
10+836.36 грн
30+752.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA49F000D5CE469&compId=STW70N60M2.pdf?ci_sign=ad969875e9be2c17aa1bfbbde252fc8e5fce0cc9
STW70N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ || Plus
Case: TO247
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+822.19 грн
3+721.12 грн
10+610.01 грн
30+548.62 грн
120+520.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6 stw75n60m6.pdf
STW75N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+819.10 грн
3+707.17 грн
10+601.37 грн
30+540.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B79777CB53241E28&compId=STx75NF20-DTE.pdf?ci_sign=c367964ebc9b6e95297336d64457c716c8cc5b2f
STW75NF20
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Case: TO247
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.52 грн
5+273.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5 STW77N65M5-DTE.pdf
STW77N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1126.90 грн
5+990.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 274 548 822 1096 1147 1148 1149 1150 1151 1152 1153 1154 1155 1156 1157 1370 1644 1918 2192 2466 2740 2744  Наступна Сторінка >> ]