Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170163) > Сторінка 1152 з 2837
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STD16NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 40W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STD16NF25 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD17NF25 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD1802T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 100...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 811 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD18N55M5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD18N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2278 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2014 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD1HN60K3 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STD1NK60-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.63A Power dissipation: 30W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 277 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD1NK60T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1328 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD1NK80ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 45W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD20NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 60W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A On-state resistance: 50mΩ Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±18V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1412 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD20NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 60W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A On-state resistance: 40mΩ Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD20NF20 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD25NF10LA | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Case: DPAK Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD25NF10LT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD25NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Case: DPAK Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4030 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD25NF20 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD26P3LLH6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD2HNK60Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD2LN60K3 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 546 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD2N105K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2747 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STD2N62K3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK Drain-source voltage: 620V Drain current: 1A On-state resistance: 3.6Ω Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STD2N80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD2N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD2NK100Z | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD2NK90ZT4 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD35NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STD35NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24.5A; 80W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24.5A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STD35P6LLF6 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3388 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD3LN80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD3N62K3 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2462 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD3N95K5AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD3NK100Z | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD3NK50ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.45A; 45W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.45A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD3NK60Z-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 9.6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STD3NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 9.6A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD3NK80Z-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 846 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD3NK80ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD3NK90ZT4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3A Power dissipation: 12W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7616 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD45NF75T4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD46P4LLF6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32.5A; 70W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 70W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -32.5A On-state resistance: 20mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4244 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD4N52K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD4N62K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD4N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.7A; Idm: 12A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.7A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD4N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; Idm: 12A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3A Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Gate charge: 5.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD4NK100Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; Idm: 8.8A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 8.8A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD4NK50Z-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; IPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.9A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD4NK60Z-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: IPAK On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 26nC Pulsed drain current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD4NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1459 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD4NK80ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD5N52K3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 2.77A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD5N52U | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 17.6A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD5N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD5N62K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD5N80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD5N95K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD5N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STD16NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 40W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 40W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD16NF25 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD16NF25 SMD N channel transistors
STD16NF25 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD17NF03LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.33 грн |
10+ | 45.03 грн |
50+ | 35.83 грн |
58+ | 18.50 грн |
158+ | 17.51 грн |
STD17NF25 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD17NF25 SMD N channel transistors
STD17NF25 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD1802T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 100...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 100...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 811 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.27 грн |
25+ | 52.75 грн |
28+ | 39.00 грн |
76+ | 36.28 грн |
STD18N55M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD18N55M5 SMD N channel transistors
STD18N55M5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD18N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 195.37 грн |
5+ | 169.55 грн |
9+ | 125.18 грн |
24+ | 117.92 грн |
STD18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 259.84 грн |
3+ | 237.38 грн |
6+ | 189.58 грн |
16+ | 178.69 грн |
100+ | 177.79 грн |
250+ | 172.34 грн |
STD1HN60K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD1HN60K3 SMD N channel transistors
STD1HN60K3 SMD N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 146.53 грн |
51+ | 21.13 грн |
139+ | 19.96 грн |
STD1NK60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.19 грн |
10+ | 29.77 грн |
49+ | 22.13 грн |
135+ | 20.95 грн |
STD1NK60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 97.69 грн |
10+ | 68.58 грн |
46+ | 23.67 грн |
126+ | 22.40 грн |
STD1NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD20NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
On-state resistance: 50mΩ
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±18V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
On-state resistance: 50mΩ
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±18V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.11 грн |
10+ | 83.84 грн |
17+ | 62.59 грн |
47+ | 59.87 грн |
250+ | 57.15 грн |
STD20NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
On-state resistance: 40mΩ
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
On-state resistance: 40mΩ
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 101.59 грн |
10+ | 67.07 грн |
23+ | 46.17 грн |
64+ | 43.63 грн |
500+ | 42.00 грн |
STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD20NF20 SMD N channel transistors
STD20NF20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD25NF10LA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 154.34 грн |
5+ | 129.05 грн |
10+ | 107.94 грн |
27+ | 102.50 грн |
500+ | 98.87 грн |
STD25NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD25NF10LT4 SMD N channel transistors
STD25NF10LT4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD25NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.01 грн |
10+ | 85.72 грн |
27+ | 40.18 грн |
73+ | 38.01 грн |
STD25NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD25NF20 SMD N channel transistors
STD25NF20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD26P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD26P3LLH6 SMD P channel transistors
STD26P3LLH6 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD2HNK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.58 грн |
25+ | 27.03 грн |
52+ | 20.41 грн |
143+ | 19.32 грн |
2500+ | 19.14 грн |
STD2LN60K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2LN60K3 SMD N channel transistors
STD2LN60K3 SMD N channel transistors
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 73.26 грн |
38+ | 28.48 грн |
103+ | 26.94 грн |
1000+ | 26.85 грн |
STD2N105K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2N105K5 SMD N channel transistors
STD2N105K5 SMD N channel transistors
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 164.11 грн |
10+ | 108.85 грн |
27+ | 103.41 грн |
STD2N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 1A
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 1A
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD2N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2N80K5 SMD N channel transistors
STD2N80K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD2N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2N95K5 SMD N channel transistors
STD2N95K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD2NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2NK100Z SMD N channel transistors
STD2NK100Z SMD N channel transistors
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 76.59 грн |
30+ | 35.47 грн |
83+ | 33.47 грн |
STD2NK90ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2NK90ZT4 SMD N channel transistors
STD2NK90ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 153.27 грн |
26+ | 41.45 грн |
71+ | 39.19 грн |
STD30NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.11 грн |
10+ | 98.91 грн |
14+ | 78.01 грн |
38+ | 73.47 грн |
250+ | 71.66 грн |
STD35NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 111.36 грн |
15+ | 74.38 грн |
40+ | 70.75 грн |
STD35NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24.5A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24.5A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24.5A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24.5A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD35P6LLF6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD35P6LLF6 SMD P channel transistors
STD35P6LLF6 SMD P channel transistors
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 118.20 грн |
15+ | 73.47 грн |
40+ | 68.94 грн |
STD3LN80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD3LN80K5 SMD N channel transistors
STD3LN80K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD3N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD3N62K3 SMD N channel transistors
STD3N62K3 SMD N channel transistors
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 69.36 грн |
42+ | 25.40 грн |
116+ | 23.95 грн |
STD3N95K5AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD3N95K5AG SMD N channel transistors
STD3N95K5AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD3NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD3NK100Z SMD N channel transistors
STD3NK100Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD3NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.45A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.45A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.45A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.45A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD3NK60Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD3NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD3NK80Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 165.09 грн |
10+ | 46.25 грн |
33+ | 32.47 грн |
50+ | 32.38 грн |
90+ | 30.66 грн |
STD3NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 157.27 грн |
10+ | 113.32 грн |
27+ | 40.18 грн |
73+ | 38.01 грн |
STD3NK90ZT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 12W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 12W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 204.16 грн |
10+ | 129.05 грн |
30+ | 37.19 грн |
81+ | 35.38 грн |
STD45NF75T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD45NF75T4 SMD N channel transistors
STD45NF75T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD46P4LLF6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32.5A; 70W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32.5A
On-state resistance: 20mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32.5A; 70W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32.5A
On-state resistance: 20mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 106.44 грн |
10+ | 90.71 грн |
17+ | 65.31 грн |
45+ | 61.68 грн |
500+ | 60.77 грн |
1000+ | 59.87 грн |
STD4N52K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD4N52K3 SMD N channel transistors
STD4N52K3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD4N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD4N62K3 SMD N channel transistors
STD4N62K3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD4N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.7A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.7A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD4N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; Idm: 12A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 5.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; Idm: 12A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 5.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD4NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; Idm: 8.8A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8.8A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; Idm: 8.8A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8.8A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD4NK50Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD4NK60Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 76.19 грн |
10+ | 39.28 грн |
43+ | 24.94 грн |
118+ | 23.58 грн |
1500+ | 22.68 грн |
STD4NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 77.17 грн |
10+ | 50.30 грн |
32+ | 33.65 грн |
88+ | 31.84 грн |
STD4NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 155.32 грн |
10+ | 99.85 грн |
25+ | 42.63 грн |
69+ | 40.82 грн |
STD5N52K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2.77A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2.77A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.52 грн |
10+ | 64.15 грн |
35+ | 30.66 грн |
96+ | 28.94 грн |
5000+ | 27.94 грн |
STD5N52U |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.78 грн |
10+ | 76.30 грн |
19+ | 56.24 грн |
52+ | 53.52 грн |
2500+ | 50.80 грн |
STD5N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5N62K3 SMD N channel transistors
STD5N62K3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5N80K5 SMD N channel transistors
STD5N80K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5N95K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5N95K3 SMD N channel transistors
STD5N95K3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5N95K5 SMD N channel transistors
STD5N95K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.