Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170163) > Сторінка 1153 з 2837
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STD5NK40Z-1 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD5NK40ZT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STD5NK50ZT4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.7A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
STD5NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.16A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STD5NM60-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
STD60NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
STD60NF55LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
STD65N55F3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD6N52K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD6N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STD6N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 2.8A; 85W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.8A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
STD6N95K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 9A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
STD6NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STD7N52DK3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 4A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STD7N52K3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 3.8A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 3.8A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
STD7N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
STD7N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SuperMesh™ Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
STD7N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 7A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 28A Gate charge: 12nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STD7NK40ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
STD7NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
STD7NM80 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.5A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.5A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
STD80N10F7 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 85W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD86N3LH5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STD8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
STD8NM50N | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD95N2LH5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD95N4F3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD95N4LF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD95P3LLH6AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD96N3LLH6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD9N40M2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD9N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 780mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 10nC кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD9N60M6 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 76W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 13.4A Gate charge: 10nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD9N65DM6AG | STMicroelectronics | STD9N65DM6AG SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD9N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD9N80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD9NM50N | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STD9NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.5A; Idm: 26A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 745mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 17.4nC Pulsed drain current: 26A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STDRIVE101 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STDRIVE101TR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STDRIVE601 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STDRIVE601TR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STDRIVEG600 | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; gate driver; SO16; -6÷5.5A; Ch: 1 Mounting: SMD Case: SO16 Supply voltage: 4.75...20V Output current: -6...5.5A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 60ns Pulse fall time: 60ns Number of channels: 1 Kind of package: tube Kind of integrated circuit: gate driver Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STDRIVEG600TR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STE145N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Module; single transistor; 650V; 90A; ISOTOP; screw; Idm: 572A; 679W Drain-source voltage: 650V Drain current: 90A On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 679W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 572A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
STE48NM50 | STMicroelectronics |
![]() Description: Module; single transistor; 500V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 192A; 450W Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 192A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
STE53NC50 | STMicroelectronics |
![]() Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W Drain-source voltage: 500V Drain current: 33A On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 460W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 212A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STE70NM60 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 44A; 600W Drain-source voltage: 600V Drain current: 70A On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 600W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 44A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
STE88N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 55.7A Pulsed drain current: 352A Power dissipation: 494W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Kind of package: tube Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
STEF12H60MAPUR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: eFuse; 60A; SMD; QFN32; reel,tape; -40÷125°C Type of integrated circuit: eFuse Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: QFN32 Supply voltage: 5...18V DC On-state resistance: 0.85mΩ Output current: 60A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STEF4SPUR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: eFuse; Ch: 3; SMD; DFN3x3; reel,tape; -40÷80°C; 10V Type of integrated circuit: eFuse Mounting: SMD Operating temperature: -40...80°C Case: DFN3x3 Supply voltage: 10V On-state resistance: 70mΩ Number of channels: 3 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STEF512SRXCPUR | STMicroelectronics |
Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: eFuse; 3.6A; Ch: 2; SMD; DFN10; reel,tape; -40÷125°C Type of integrated circuit: eFuse Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: DFN10 Supply voltage: 5V DC; 12V DC On-state resistance: 45mΩ Output current: 3.6A Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STEVAL-1PS01AJR | STMicroelectronics |
![]() Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: ST1PS01AJR; IoT; Ch: 1 Type of development kit: evaluation Kit contents: prototype board Components: ST1PS01AJR Interface: GPIO Kind of connector: pin header Application: IoT Operating voltage: 1.8...5.5V DC Number of channels: 1 Output voltage: 1.9...2.8V Output current: 0.4A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STEVAL-1PS01DJR | STMicroelectronics |
![]() Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: ST1PS01DJR; IoT; Ch: 1 Type of development kit: evaluation Kit contents: prototype board Components: ST1PS01DJR Interface: GPIO Kind of connector: pin header Application: IoT Operating voltage: 1.8...5.5V DC Number of channels: 1 Output voltage: 1.8...2.8V Output current: 0.4A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STEVAL-1PS01EJR | STMicroelectronics |
![]() Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: ST1PS01EJR; IoT; Ch: 1 Type of development kit: evaluation Kit contents: prototype board Components: ST1PS01EJR Interface: GPIO Kind of connector: pin header Application: IoT Operating voltage: 1.8...5.5V DC Number of channels: 1 Output voltage: 1.8...3.3V Output current: 0.4A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STEVAL-BCN002V1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Dev.kit: STM32; base board; Bluetooth: 5.0,BLE Type of development kit: STM32 Kit contents: base board Components: BALF-NRG-02D3; BlueNRG-2; HTS221; LIS2MDL; LPS22HH; LSM6DSO; MP34DT05TR-A; STEVAL-BCN002V1D; VL53L1X Interface: ADC; I2C Kind of connector: pin header; solder pads Bluetooth version: 5.0; BLE кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STEVAL-BCN002V1B | STMicroelectronics |
![]() Description: Dev.kit: STM32; base board Type of development kit: STM32 Kit contents: base board Components: BALF-NRG-02D3; BlueNRG-2; HTS221; LIS2MDL; LPS22HH; LSM6DSO; MP34DT05TR-A; VL53L1X Interface: ADC; I2C; USB Kind of connector: pin header; solder pads; USB кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STEVAL-BCNKT01V1 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Dev.kit: STM32 Type of development kit: STM32 Kit contents: base board; plastic enclosure; prototype board; SWD/JTAG cable Components: BlueNRG-MS; LPS22HB; LSM6DSM; LSM303AGR; MP34DT06J; STBC03JR; STM32F446 Battery/ rechargeable battery: rechargeable battery Li-Po 3,7V 130mAh x1 Kind of connector: pin strips; USB micro кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STEVAL-BFA001V1B | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Dev.kit: STM32; programmer,prototype board Type of development kit: STM32 Kit contents: programmer; prototype board Components: HTS221; ISM330DLC; L6362A; LPS22HB; MP34DT05; STM32F469AI кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STD5NK40Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5NK40ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5NK40ZT4 SMD N channel transistors
STD5NK40ZT4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5NK50ZT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5NM60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 141.64 грн |
10+ | 82.89 грн |
18+ | 62.59 грн |
48+ | 58.96 грн |
STD5NM60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD60NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD60NF55LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 158.25 грн |
10+ | 106.44 грн |
21+ | 52.79 грн |
56+ | 49.89 грн |
2500+ | 47.98 грн |
STD65N55F3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD65N55F3 SMD N channel transistors
STD65N55F3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD6N52K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD6N52K3 SMD N channel transistors
STD6N52K3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD6N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 2.8A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 2.8A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD6N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 9A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 9A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD6NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD6NF10T4 SMD N channel transistors
STD6NF10T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7N52DK3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.10 грн |
25+ | 20.23 грн |
STD7N52K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 3.8A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 3.8A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7NK40ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.5A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.5A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD80N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD86N3LH5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD86N3LH5 SMD N channel transistors
STD86N3LH5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 198.30 грн |
5+ | 169.55 грн |
8+ | 151.48 грн |
20+ | 143.32 грн |
100+ | 136.97 грн |
STD8NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD8NM50N SMD N channel transistors
STD8NM50N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD95N2LH5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD95N2LH5 SMD N channel transistors
STD95N2LH5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD95N4F3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD95N4F3 SMD N channel transistors
STD95N4F3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD95N4LF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD95N4LF3 SMD N channel transistors
STD95N4LF3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD95P3LLH6AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD95P3LLH6AG SMD P channel transistors
STD95P3LLH6AG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD96N3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD96N3LLH6 SMD N channel transistors
STD96N3LLH6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD9N40M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD9N40M2 SMD N channel transistors
STD9N40M2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD9N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD9N60M6 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 76W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.4A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 76W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.4A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD9N65DM6AG |
Виробник: STMicroelectronics
STD9N65DM6AG SMD N channel transistors
STD9N65DM6AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD9N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD9N65M2 SMD N channel transistors
STD9N65M2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD9N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD9N80K5 SMD N channel transistors
STD9N80K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD9NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD9NM50N SMD N channel transistors
STD9NM50N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD9NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.5A; Idm: 26A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 745mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.4nC
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.5A; Idm: 26A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 745mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.4nC
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STDRIVE101 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STDRIVE101 MOSFET/IGBT drivers
STDRIVE101 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STDRIVE101TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STDRIVE101TR MOSFET/IGBT drivers
STDRIVE101TR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STDRIVE601 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STDRIVE601 MOSFET/IGBT drivers
STDRIVE601 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STDRIVE601TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STDRIVE601TR MOSFET/IGBT drivers
STDRIVE601TR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STDRIVEG600 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; gate driver; SO16; -6÷5.5A; Ch: 1
Mounting: SMD
Case: SO16
Supply voltage: 4.75...20V
Output current: -6...5.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 60ns
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; gate driver; SO16; -6÷5.5A; Ch: 1
Mounting: SMD
Case: SO16
Supply voltage: 4.75...20V
Output current: -6...5.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 60ns
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STDRIVEG600TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STDRIVEG600TR MOSFET/IGBT drivers
STDRIVEG600TR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STE145N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 90A; ISOTOP; screw; Idm: 572A; 679W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 679W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 572A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 90A; ISOTOP; screw; Idm: 572A; 679W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 679W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 572A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STE48NM50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 192A; 450W
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 192A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 192A; 450W
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 192A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STE53NC50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 212A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 212A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2367.89 грн |
2+ | 2158.99 грн |
STE70NM60 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 44A; 600W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 44A; 600W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STE88N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55.7A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 494W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55.7A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 494W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STEF12H60MAPUR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: eFuse; 60A; SMD; QFN32; reel,tape; -40÷125°C
Type of integrated circuit: eFuse
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: QFN32
Supply voltage: 5...18V DC
On-state resistance: 0.85mΩ
Output current: 60A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: eFuse; 60A; SMD; QFN32; reel,tape; -40÷125°C
Type of integrated circuit: eFuse
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: QFN32
Supply voltage: 5...18V DC
On-state resistance: 0.85mΩ
Output current: 60A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STEF4SPUR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: eFuse; Ch: 3; SMD; DFN3x3; reel,tape; -40÷80°C; 10V
Type of integrated circuit: eFuse
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...80°C
Case: DFN3x3
Supply voltage: 10V
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 3
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: eFuse; Ch: 3; SMD; DFN3x3; reel,tape; -40÷80°C; 10V
Type of integrated circuit: eFuse
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...80°C
Case: DFN3x3
Supply voltage: 10V
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 3
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STEF512SRXCPUR |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: eFuse; 3.6A; Ch: 2; SMD; DFN10; reel,tape; -40÷125°C
Type of integrated circuit: eFuse
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: DFN10
Supply voltage: 5V DC; 12V DC
On-state resistance: 45mΩ
Output current: 3.6A
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: eFuse; 3.6A; Ch: 2; SMD; DFN10; reel,tape; -40÷125°C
Type of integrated circuit: eFuse
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: DFN10
Supply voltage: 5V DC; 12V DC
On-state resistance: 45mΩ
Output current: 3.6A
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STEVAL-1PS01AJR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: ST1PS01AJR; IoT; Ch: 1
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: ST1PS01AJR
Interface: GPIO
Kind of connector: pin header
Application: IoT
Operating voltage: 1.8...5.5V DC
Number of channels: 1
Output voltage: 1.9...2.8V
Output current: 0.4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: ST1PS01AJR; IoT; Ch: 1
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: ST1PS01AJR
Interface: GPIO
Kind of connector: pin header
Application: IoT
Operating voltage: 1.8...5.5V DC
Number of channels: 1
Output voltage: 1.9...2.8V
Output current: 0.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STEVAL-1PS01DJR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: ST1PS01DJR; IoT; Ch: 1
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: ST1PS01DJR
Interface: GPIO
Kind of connector: pin header
Application: IoT
Operating voltage: 1.8...5.5V DC
Number of channels: 1
Output voltage: 1.8...2.8V
Output current: 0.4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: ST1PS01DJR; IoT; Ch: 1
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: ST1PS01DJR
Interface: GPIO
Kind of connector: pin header
Application: IoT
Operating voltage: 1.8...5.5V DC
Number of channels: 1
Output voltage: 1.8...2.8V
Output current: 0.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STEVAL-1PS01EJR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: ST1PS01EJR; IoT; Ch: 1
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: ST1PS01EJR
Interface: GPIO
Kind of connector: pin header
Application: IoT
Operating voltage: 1.8...5.5V DC
Number of channels: 1
Output voltage: 1.8...3.3V
Output current: 0.4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: ST1PS01EJR; IoT; Ch: 1
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: ST1PS01EJR
Interface: GPIO
Kind of connector: pin header
Application: IoT
Operating voltage: 1.8...5.5V DC
Number of channels: 1
Output voltage: 1.8...3.3V
Output current: 0.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STEVAL-BCN002V1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: STM32; base board; Bluetooth: 5.0,BLE
Type of development kit: STM32
Kit contents: base board
Components: BALF-NRG-02D3; BlueNRG-2; HTS221; LIS2MDL; LPS22HH; LSM6DSO; MP34DT05TR-A; STEVAL-BCN002V1D; VL53L1X
Interface: ADC; I2C
Kind of connector: pin header; solder pads
Bluetooth version: 5.0; BLE
кількість в упаковці: 1 шт
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: STM32; base board; Bluetooth: 5.0,BLE
Type of development kit: STM32
Kit contents: base board
Components: BALF-NRG-02D3; BlueNRG-2; HTS221; LIS2MDL; LPS22HH; LSM6DSO; MP34DT05TR-A; STEVAL-BCN002V1D; VL53L1X
Interface: ADC; I2C
Kind of connector: pin header; solder pads
Bluetooth version: 5.0; BLE
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STEVAL-BCN002V1B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: STM32; base board
Type of development kit: STM32
Kit contents: base board
Components: BALF-NRG-02D3; BlueNRG-2; HTS221; LIS2MDL; LPS22HH; LSM6DSO; MP34DT05TR-A; VL53L1X
Interface: ADC; I2C; USB
Kind of connector: pin header; solder pads; USB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: STM32; base board
Type of development kit: STM32
Kit contents: base board
Components: BALF-NRG-02D3; BlueNRG-2; HTS221; LIS2MDL; LPS22HH; LSM6DSO; MP34DT05TR-A; VL53L1X
Interface: ADC; I2C; USB
Kind of connector: pin header; solder pads; USB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STEVAL-BCNKT01V1 |
![]() ![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: STM32
Type of development kit: STM32
Kit contents: base board; plastic enclosure; prototype board; SWD/JTAG cable
Components: BlueNRG-MS; LPS22HB; LSM6DSM; LSM303AGR; MP34DT06J; STBC03JR; STM32F446
Battery/ rechargeable battery: rechargeable battery Li-Po 3,7V 130mAh x1
Kind of connector: pin strips; USB micro
кількість в упаковці: 1 шт
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: STM32
Type of development kit: STM32
Kit contents: base board; plastic enclosure; prototype board; SWD/JTAG cable
Components: BlueNRG-MS; LPS22HB; LSM6DSM; LSM303AGR; MP34DT06J; STBC03JR; STM32F446
Battery/ rechargeable battery: rechargeable battery Li-Po 3,7V 130mAh x1
Kind of connector: pin strips; USB micro
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STEVAL-BFA001V1B |
![]() ![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: STM32; programmer,prototype board
Type of development kit: STM32
Kit contents: programmer; prototype board
Components: HTS221; ISM330DLC; L6362A; LPS22HB; MP34DT05; STM32F469AI
кількість в упаковці: 1 шт
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: STM32; programmer,prototype board
Type of development kit: STM32
Kit contents: programmer; prototype board
Components: HTS221; ISM330DLC; L6362A; LPS22HB; MP34DT05; STM32F469AI
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.