Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170387) > Сторінка 1153 з 2840
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STB40N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 987 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD Gate-source voltage: ±15V Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 414 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STB40NF20 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB42N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.8A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 79mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STB43N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB45N60DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; D2PAK Drain-source voltage: 650V Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Case: D2PAK Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 136A On-state resistance: 93mΩ Drain current: 21A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB45N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 140A; 210W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Case: D2PAK On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 210W Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 140A Drain current: 22A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB55NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Power dissipation: 95W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 915 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB55NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 867 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB57N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 63mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STB60NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STB60NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK Technology: SuperMesh™ Drain-source voltage: 900V Drain current: 5.8A On-state resistance: 2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 695 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB75NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 75A; 190W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 75A Case: D2PAK On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 190W Technology: STripFET™ II Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STB75NF75LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STB75NF75T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 320A Gate charge: 160nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB7NK80ZT4 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 565 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STB80N20M5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB80NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STB8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB9NK50ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.5A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STB9NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STBB1-APUR | STMicroelectronics |
![]() Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2÷5.5VDC; Uout: 1.2÷5.5VDC; 1.6A; SMD Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: DC/DC converter Input voltage: 2...5.5V DC Output voltage: 1.2...5.5V DC Output current: 1.6A Case: VFDFN10 Mounting: SMD Frequency: 1.5MHz Topology: buck-boost Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STBR3012G2-TR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STBR3012G2Y-TR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STBR3012W | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STBR3012WY | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STBR6012W | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STBR6012WY | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STC3100IST | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: PMIC; battery monitor; Li-Ion; TSSOP8; 2.7÷5.5VDC Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: battery monitor Integrated circuit features: Li-Ion Mounting: SMD Case: TSSOP8 Supply voltage: 2.7...5.5V DC Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STC3115AIJT | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STC4054GR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: battery charging controller Integrated circuit features: Li-Ion Mounting: SMD Output current: 0.8A Output voltage: 4.2V Case: SOT23-5 Supply voltage: 4.25...6.5V DC Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 983 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STCC2540IQTR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: power switch; USB switch; VFQFPN16; reel,tape; 4.5÷5.5VDC Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: USB switch Case: VFQFPN16 Mounting: SMD Supply voltage: 4.5...5.5V DC Kind of package: reel; tape On-state resistance: 65mΩ Output current: 2.8A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCN75DS2F | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCS05DR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCS1APHR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCS1APUR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCS1PHR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCS1PUR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCS2ASPR | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STCS2SPR | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 551 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD100N10F7 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD10N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.9A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2214 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; 50W; DPAK; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 9A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Case: DPAK Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD10NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD10NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD10P6F6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.2A Power dissipation: 35W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD11NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.3A; 90W; DPAK Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD12NF06L-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: STripFET™ II Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Case: IPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 607 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD12NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.5A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD130N6F7 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD13N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD13N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1946 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD13NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD15NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 70W; DPAK; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 70W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 12A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2382 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD16NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 40W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±18V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1620 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD16NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD16NF25 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
STB40N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 350.60 грн |
4+ | 288.82 грн |
11+ | 263.24 грн |
250+ | 258.59 грн |
500+ | 252.08 грн |
STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 200.34 грн |
10+ | 139.10 грн |
19+ | 58.60 грн |
51+ | 55.81 грн |
STB40NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB40NF20 SMD N channel transistors
STB40NF20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB42N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB43N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB43N65M5 SMD N channel transistors
STB43N65M5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB45N60DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; D2PAK
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 136A
On-state resistance: 93mΩ
Drain current: 21A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; D2PAK
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 136A
On-state resistance: 93mΩ
Drain current: 21A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB45N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 140A; 210W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Case: D2PAK
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 140A
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 140A; 210W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Case: D2PAK
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 140A
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB55NF06LT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 192.33 грн |
10+ | 127.51 грн |
13+ | 85.58 грн |
35+ | 80.92 грн |
250+ | 79.06 грн |
500+ | 78.13 грн |
STB55NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 867 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 226.39 грн |
10+ | 131.37 грн |
24+ | 47.44 грн |
64+ | 44.65 грн |
STB57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB60NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB60NF06T4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 139.24 грн |
5+ | 118.81 грн |
12+ | 98.60 грн |
31+ | 93.02 грн |
250+ | 89.30 грн |
STB6NK90ZT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Technology: SuperMesh™
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Technology: SuperMesh™
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 200.34 грн |
10+ | 140.06 грн |
13+ | 87.44 грн |
35+ | 81.86 грн |
STB75NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 75A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Case: D2PAK
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™ II
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 75A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Case: D2PAK
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™ II
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB75NF75LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 219.38 грн |
5+ | 188.36 грн |
8+ | 146.97 грн |
21+ | 138.60 грн |
250+ | 133.94 грн |
STB75NF75T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB7NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB7NK80ZT4 SMD N channel transistors
STB7NK80ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 255.44 грн |
13+ | 83.72 грн |
36+ | 79.06 грн |
STB80N20M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB80N20M5 SMD N channel transistors
STB80N20M5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB80NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 226.39 грн |
7+ | 186.43 грн |
10+ | 162.78 грн |
STB9NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB9NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBB1-APUR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2÷5.5VDC; Uout: 1.2÷5.5VDC; 1.6A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2...5.5V DC
Output voltage: 1.2...5.5V DC
Output current: 1.6A
Case: VFDFN10
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck-boost
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2÷5.5VDC; Uout: 1.2÷5.5VDC; 1.6A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2...5.5V DC
Output voltage: 1.2...5.5V DC
Output current: 1.6A
Case: VFDFN10
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck-boost
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBR3012G2-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STBR3012G2-TR SMD universal diodes
STBR3012G2-TR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBR3012G2Y-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STBR3012G2Y-TR SMD universal diodes
STBR3012G2Y-TR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBR3012W |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STBR3012W THT universal diodes
STBR3012W THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBR3012WY |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STBR3012WY THT universal diodes
STBR3012WY THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBR6012W |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STBR6012W THT universal diodes
STBR6012W THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBR6012WY |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STBR6012WY THT universal diodes
STBR6012WY THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STC3100IST |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery monitor; Li-Ion; TSSOP8; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery monitor
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery monitor; Li-Ion; TSSOP8; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery monitor
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STC3115AIJT |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STC3115AIJT Battery and battery cells controllers
STC3115AIJT Battery and battery cells controllers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STC4054GR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery charging controller
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Output current: 0.8A
Output voltage: 4.2V
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.25...6.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery charging controller
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Output current: 0.8A
Output voltage: 4.2V
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.25...6.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 174.30 грн |
10+ | 123.64 грн |
11+ | 104.18 грн |
29+ | 98.60 грн |
100+ | 97.67 грн |
250+ | 93.95 грн |
STCC2540IQTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: power switch; USB switch; VFQFPN16; reel,tape; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: USB switch
Case: VFQFPN16
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: power switch; USB switch; VFQFPN16; reel,tape; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: USB switch
Case: VFQFPN16
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCN75DS2F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCN75DS2F Temperature transducers
STCN75DS2F Temperature transducers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCS05DR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS05DR LED drivers
STCS05DR LED drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCS1APHR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS1APHR LED drivers
STCS1APHR LED drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCS1APUR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS1APUR LED drivers
STCS1APUR LED drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCS1PHR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS1PHR LED drivers
STCS1PHR LED drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCS1PUR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS1PUR LED drivers
STCS1PUR LED drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCS2ASPR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS2ASPR LED drivers
STCS2ASPR LED drivers
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 270.47 грн |
6+ | 186.03 грн |
17+ | 175.80 грн |
STCS2SPR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS2SPR LED drivers
STCS2SPR LED drivers
на замовлення 551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 253.44 грн |
6+ | 184.17 грн |
17+ | 173.94 грн |
STD100N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD100N10F7 SMD N channel transistors
STD100N10F7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD10N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 114.20 грн |
5+ | 99.49 грн |
15+ | 76.27 грн |
40+ | 71.62 грн |
500+ | 70.69 грн |
STD10NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; 50W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; 50W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.22 грн |
5+ | 58.92 грн |
42+ | 26.14 грн |
115+ | 24.65 грн |
STD10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 157.27 грн |
10+ | 84.04 грн |
20+ | 54.88 грн |
55+ | 52.09 грн |
STD10NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD10P6F6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.18 грн |
10+ | 68.87 грн |
24+ | 46.04 грн |
65+ | 43.53 грн |
STD11NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.3A; 90W; DPAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.3A; 90W; DPAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD12NF06L-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Case: IPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Case: IPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.14 грн |
10+ | 45.98 грн |
41+ | 26.88 грн |
112+ | 25.39 грн |
STD12NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.13 грн |
10+ | 52.45 грн |
44+ | 25.30 грн |
119+ | 23.91 грн |
STD130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD130N6F7 SMD N channel transistors
STD130N6F7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD13N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD13N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 167.29 грн |
10+ | 133.30 грн |
12+ | 95.81 грн |
32+ | 91.16 грн |
500+ | 87.44 грн |
STD13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 157.27 грн |
10+ | 136.20 грн |
15+ | 75.34 грн |
40+ | 71.62 грн |
STD15NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 70W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 70W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 70W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 70W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 119.21 грн |
10+ | 85.29 грн |
32+ | 34.42 грн |
88+ | 32.56 грн |
25000+ | 31.25 грн |
STD16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.43 грн |
5+ | 210.58 грн |
7+ | 176.73 грн |
17+ | 167.43 грн |
STD16NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 40W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 40W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 88.15 грн |
10+ | 69.45 грн |
46+ | 23.81 грн |
126+ | 22.51 грн |
STD16NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD16NF06T4 SMD N channel transistors
STD16NF06T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD16NF25 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD16NF25 SMD N channel transistors
STD16NF25 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD17NF03LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 72.12 грн |
10+ | 46.17 грн |
50+ | 36.74 грн |
58+ | 18.98 грн |
158+ | 17.95 грн |