Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162680) > Сторінка 1153 з 2712

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 271 542 813 1084 1148 1149 1150 1151 1152 1153 1154 1155 1156 1157 1158 1355 1626 1897 2168 2439 2710 2712  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STTH8L06FP STMicroelectronics en.CD00002721.pdf STTH8L06FP THT universal diodes
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.28 грн
22+55.19 грн
60+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R04D STMicroelectronics en.CD00156055.pdf STTH8R04D THT universal diodes
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+45.68 грн
30+39.82 грн
82+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R04DI STMicroelectronics en.CD00156055.pdf STTH8R04DI THT universal diodes
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.96 грн
14+85.82 грн
38+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R06D STTH8R06D STMicroelectronics stth8r06.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220AC; 25ns
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 80A
Max. load current: 30A
Reverse recovery time: 25ns
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.80 грн
5+71.09 грн
10+56.88 грн
25+45.31 грн
50+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R06DIRG STTH8R06DIRG STMicroelectronics stth8r06.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220ACIns; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 25ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.94 грн
5+98.45 грн
10+74.35 грн
25+54.59 грн
50+47.20 грн
100+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R06FP STMicroelectronics en.CD00002378.pdf STTH8R06FP THT universal diodes
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.55 грн
26+46.60 грн
50+44.67 грн
70+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R06G-TR STMicroelectronics en.CD00002378.pdf STTH8R06G-TR SMD universal diodes
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.36 грн
24+50.80 грн
65+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8S06FP STMicroelectronics en.CD00180034.pdf STTH8S06FP THT universal diodes
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.36 грн
49+24.35 грн
134+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8S12D STMicroelectronics en.DM00124704.pdf STTH8S12D THT universal diodes
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+105.21 грн
25+48.00 грн
50+45.91 грн
68+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8ST06DI STMicroelectronics en.DM00074747.pdf STTH8ST06DI THT universal diodes
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+191.30 грн
9+133.72 грн
25+126.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STTH9012TV1 STTH9012TV1 STMicroelectronics stth9012tv.pdf description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 45Ax2; ISOTOP; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 45A x2
Case: ISOTOP
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 420A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 150A
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2859.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STU10NM60N STU10NM60N STMicroelectronics STD10NM60N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.86 грн
5+124.36 грн
25+103.79 грн
75+93.81 грн
300+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STU2NK100Z STU2NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6D92E05364745&compId=STD2NK100Z.pdf?ci_sign=caf9f6187689a62580d492a5a2b564a7df3a03ca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.16A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.90 грн
10+71.51 грн
25+64.87 грн
75+61.87 грн
525+55.88 грн
1500+53.89 грн
5025+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N52K3 STMicroelectronics en.CD00290591.pdf STU4N52K3 THT N channel transistors
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.66 грн
49+24.45 грн
134+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK60Z STW10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+375.07 грн
30+147.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z STMicroelectronics en.CD00003020.pdf description STW10NK80Z THT N channel transistors
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+513.71 грн
9+146.70 грн
23+138.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics STW11NK100Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+317.04 грн
10+270.48 грн
30+247.49 грн
120+231.52 грн
510+215.56 грн
1020+207.57 грн
2010+200.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK90Z STMicroelectronics en.CD00100569.pdf STW11NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+668.47 грн
8+154.68 грн
22+146.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf description STW11NM80 THT N channel transistors
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+577.12 грн
6+233.52 грн
14+220.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW12N150K5 STMicroelectronics en.DM00182307.pdf STW12N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+775.94 грн
3+514.94 грн
7+487.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+255.78 грн
10+230.06 грн
30+206.57 грн
90+190.61 грн
120+186.62 грн
150+182.62 грн
510+165.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics STW12NK90Z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+436.33 грн
10+221.77 грн
30+201.58 грн
120+190.61 грн
510+179.63 грн
1500+165.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 STW13N80K5 STMicroelectronics STB13N80K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+366.47 грн
10+297.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N95K3 STMicroelectronics en.CD00233894.pdf STW13N95K3 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+541.65 грн
4+342.29 грн
10+323.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13NK100Z STW13NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796154AFD809E28&compId=STW13NK100Z-DTE.pdf?ci_sign=a7b3a2cce08859a3be4498f7c317ae8ff0137550 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+708.23 грн
5+604.18 грн
30+460.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13NK60Z STMicroelectronics en.CD00002816.pdf STW13NK60Z THT N channel transistors
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+232.14 грн
11+116.76 грн
28+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 STMicroelectronics en.DM00060560.pdf STW15N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+432.03 грн
4+314.35 грн
11+297.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50Z STW15NK50Z STMicroelectronics STP15NK50ZFP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+429.88 грн
10+193.79 грн
30+148.69 грн
60+138.71 грн
120+133.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90Z STW15NK90Z STMicroelectronics STW15NK90Z-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+713.60 грн
2+651.85 грн
30+348.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60DM2 STW18N60DM2 STMicroelectronics STW18N60DM2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+272.98 грн
10+156.48 грн
30+143.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM60N STW18NM60N STMicroelectronics stw18nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.99 грн
10+194.83 грн
30+171.65 грн
90+157.67 грн
120+154.68 грн
300+145.70 грн
510+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5523A4380D2&compId=stw20n90k5.pdf?ci_sign=640ba2bdee6b5ef9ce2e103fbead8f4a32dcf30e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+585.71 грн
5+430.07 грн
10+379.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50Z STW20NK50Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA498A94E5D2469&compId=STW20NK50Z.pdf?ci_sign=18fcd641ca3dadf63d431a296c002130b2321804 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+342.83 грн
10+242.50 грн
30+155.68 грн
120+139.71 грн
510+125.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FD STW20NM50FD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A2A44259DE28&compId=STW20NM50FD-DTE.pdf?ci_sign=ff447b588ab458df5954dc6af5db6b5f281f87b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+465.35 грн
30+299.50 грн
510+268.45 грн
600+266.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 STW20NM60 STMicroelectronics STx20NM60x-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+533.05 грн
30+221.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FD STW20NM60FD STMicroelectronics STx20NM60xD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+579.27 грн
10+303.64 грн
30+272.44 грн
90+252.48 грн
120+247.49 грн
510+222.54 грн
990+210.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5 STMicroelectronics en.DM00130400.pdf STW21N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1219.79 грн
2+1120.69 грн
3+1059.81 грн
5+1058.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5 STMicroelectronics en.CD00255284.pdf STW21N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+745.85 грн
3+484.00 грн
7+457.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M2 STW24N60M2 STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.21 грн
5+177.21 грн
10+139.71 грн
30+134.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50 STW26NM50 STMicroelectronics STW26NM50-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+944.67 грн
30+534.74 грн
510+466.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N STMicroelectronics STW26NM60N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+559.92 грн
10+330.59 грн
30+282.42 грн
60+267.45 грн
90+259.46 грн
120+255.47 грн
510+237.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 STW28N60M2 STMicroelectronics STx28N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.64 грн
10+194.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 STW28N65M2 STMicroelectronics stw28n65m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+366.47 грн
3+324.37 грн
10+244.50 грн
30+228.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf STW28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+756.59 грн
7+192.60 грн
17+182.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 STW30N65M5 STMicroelectronics stw30n65m5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+484.69 грн
5+376.19 грн
10+318.34 грн
30+305.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N80K5 STMicroelectronics en.DM00246893.pdf STW30N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+754.44 грн
3+571.82 грн
6+540.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW31N65M5 STMicroelectronics en.DM00049148.pdf STW31N65M5 THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+376.15 грн
5+239.51 грн
14+226.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2 STW33N60DM2 STMicroelectronics stw33n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+354.65 грн
10+316.08 грн
30+303.37 грн
120+297.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60N STW34NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796AF802AE71E28&compId=STW34NM60N-DTE.pdf?ci_sign=040baad4022de1b6f2dc25d386c2623852f2c429 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+677.06 грн
30+416.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND STW34NM60ND STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7976B36A2DB9E28&compId=STx34NM60ND-DTE.pdf?ci_sign=e289cc0d626f0f2806aaec98cb7ab1e097b96ee3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+606.13 грн
2+555.47 грн
10+502.96 грн
30+369.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150 STW3N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB0CEF9EB1F8745&compId=STP3N150.pdf?ci_sign=4b6e46b298994f0dccd5fe12e8993c8059a20d35 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+405.16 грн
5+300.53 грн
10+273.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N90K5 STMicroelectronics en.DM00265509.pdf STW40N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1214.49 грн
3+1147.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N60DM2AG STW45N60DM2AG STMicroelectronics STW45N60DM2AG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+533.05 грн
10+415.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50 STMicroelectronics en.CD00002789.pdf description STW45NM50 THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1211.19 грн
3+569.82 грн
6+537.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60 STMicroelectronics en.CD00002682.pdf STW45NM60 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+659.87 грн
3+512.94 грн
7+485.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2 STW48N60M2 STMicroelectronics stw48n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+418.06 грн
3+365.82 грн
5+322.34 грн
10+268.45 грн
30+250.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2-4 STW48N60M2-4 STMicroelectronics STW48N60M2-4-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+794.21 грн
10+632.16 грн
30+473.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48NM60N STW48NM60N STMicroelectronics STW48NM60N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+481.47 грн
25+326.44 грн
30+311.36 грн
240+270.44 грн
510+259.46 грн
600+258.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 STW4N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3F90E27898469&compId=STP4N150.pdf?ci_sign=ed5d2195d1ad29e80cb52802d378fe45a63326cf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+559.92 грн
5+431.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C1EF19FD5E28&compId=STW56N65DM2-DTE.pdf?ci_sign=014030dd2619b39ad0d4d3a44f5c254dbcac94b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+809.25 грн
30+670.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8L06FP en.CD00002721.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STTH8L06FP THT universal diodes
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.28 грн
22+55.19 грн
60+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R04D en.CD00156055.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STTH8R04D THT universal diodes
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.68 грн
30+39.82 грн
82+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R04DI en.CD00156055.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STTH8R04DI THT universal diodes
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.96 грн
14+85.82 грн
38+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R06D description stth8r06.pdf
STTH8R06D
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220AC; 25ns
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 80A
Max. load current: 30A
Reverse recovery time: 25ns
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.80 грн
5+71.09 грн
10+56.88 грн
25+45.31 грн
50+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R06DIRG stth8r06.pdf
STTH8R06DIRG
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220ACIns; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 25ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.94 грн
5+98.45 грн
10+74.35 грн
25+54.59 грн
50+47.20 грн
100+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R06FP en.CD00002378.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STTH8R06FP THT universal diodes
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.55 грн
26+46.60 грн
50+44.67 грн
70+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8R06G-TR en.CD00002378.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STTH8R06G-TR SMD universal diodes
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.36 грн
24+50.80 грн
65+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8S06FP en.CD00180034.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STTH8S06FP THT universal diodes
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.36 грн
49+24.35 грн
134+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8S12D en.DM00124704.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STTH8S12D THT universal diodes
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.21 грн
25+48.00 грн
50+45.91 грн
68+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8ST06DI en.DM00074747.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STTH8ST06DI THT universal diodes
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.30 грн
9+133.72 грн
25+126.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STTH9012TV1 description stth9012tv.pdf
STTH9012TV1
Виробник: STMicroelectronics
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 45Ax2; ISOTOP; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 45A x2
Case: ISOTOP
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 420A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 150A
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2859.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STU10NM60N STD10NM60N.pdf
STU10NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.86 грн
5+124.36 грн
25+103.79 грн
75+93.81 грн
300+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STU2NK100Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6D92E05364745&compId=STD2NK100Z.pdf?ci_sign=caf9f6187689a62580d492a5a2b564a7df3a03ca
STU2NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.16A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.90 грн
10+71.51 грн
25+64.87 грн
75+61.87 грн
525+55.88 грн
1500+53.89 грн
5025+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N52K3 en.CD00290591.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STU4N52K3 THT N channel transistors
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.66 грн
49+24.45 грн
134+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK60Z STP10NK60Z.pdf
STW10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.07 грн
30+147.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z description en.CD00003020.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW10NK80Z THT N channel transistors
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.71 грн
9+146.70 грн
23+138.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK100Z STW11NK100Z.pdf
STW11NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.04 грн
10+270.48 грн
30+247.49 грн
120+231.52 грн
510+215.56 грн
1020+207.57 грн
2010+200.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK90Z en.CD00100569.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW11NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+668.47 грн
8+154.68 грн
22+146.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 description en.CD00003205.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW11NM80 THT N channel transistors
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.12 грн
6+233.52 грн
14+220.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW12N150K5 en.DM00182307.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW12N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+775.94 грн
3+514.94 грн
7+487.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STX12NK80Z-DTE.pdf
STW12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.78 грн
10+230.06 грн
30+206.57 грн
90+190.61 грн
120+186.62 грн
150+182.62 грн
510+165.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK90Z description STW12NK90Z.pdf
STW12NK90Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.33 грн
10+221.77 грн
30+201.58 грн
120+190.61 грн
510+179.63 грн
1500+165.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 STB13N80K5.pdf
STW13N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.47 грн
10+297.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N95K3 en.CD00233894.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW13N95K3 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+541.65 грн
4+342.29 грн
10+323.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13NK100Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796154AFD809E28&compId=STW13NK100Z-DTE.pdf?ci_sign=a7b3a2cce08859a3be4498f7c317ae8ff0137550
STW13NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+708.23 грн
5+604.18 грн
30+460.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13NK60Z en.CD00002816.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW13NK60Z THT N channel transistors
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.14 грн
11+116.76 грн
28+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 en.DM00060560.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW15N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.03 грн
4+314.35 грн
11+297.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50Z STP15NK50ZFP.pdf
STW15NK50Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+429.88 грн
10+193.79 грн
30+148.69 грн
60+138.71 грн
120+133.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90Z description STW15NK90Z-DTE.pdf
STW15NK90Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+713.60 грн
2+651.85 грн
30+348.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60DM2 STW18N60DM2-DTE.pdf
STW18N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.98 грн
10+156.48 грн
30+143.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM60N stw18nm60n.pdf
STW18NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.99 грн
10+194.83 грн
30+171.65 грн
90+157.67 грн
120+154.68 грн
300+145.70 грн
510+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5523A4380D2&compId=stw20n90k5.pdf?ci_sign=640ba2bdee6b5ef9ce2e103fbead8f4a32dcf30e
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+585.71 грн
5+430.07 грн
10+379.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA498A94E5D2469&compId=STW20NK50Z.pdf?ci_sign=18fcd641ca3dadf63d431a296c002130b2321804
STW20NK50Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.83 грн
10+242.50 грн
30+155.68 грн
120+139.71 грн
510+125.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A2A44259DE28&compId=STW20NM50FD-DTE.pdf?ci_sign=ff447b588ab458df5954dc6af5db6b5f281f87b2
STW20NM50FD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.35 грн
30+299.50 грн
510+268.45 грн
600+266.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 STx20NM60x-DTE.pdf
STW20NM60
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.05 грн
30+221.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FD STx20NM60xD-DTE.pdf
STW20NM60FD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.27 грн
10+303.64 грн
30+272.44 грн
90+252.48 грн
120+247.49 грн
510+222.54 грн
990+210.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5 en.DM00130400.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW21N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1219.79 грн
2+1120.69 грн
3+1059.81 грн
5+1058.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N90K5 en.CD00255284.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW21N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+745.85 грн
3+484.00 грн
7+457.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW24N60M2 STx24N60M2-DTE.pdf
STW24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.21 грн
5+177.21 грн
10+139.71 грн
30+134.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50 STW26NM50-DTE.pdf
STW26NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+944.67 грн
30+534.74 грн
510+466.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N-DTE.pdf
STW26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.92 грн
10+330.59 грн
30+282.42 грн
60+267.45 грн
90+259.46 грн
120+255.47 грн
510+237.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 STx28N60M2-DTE.pdf
STW28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.64 грн
10+194.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 stw28n65m2.pdf
STW28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.47 грн
3+324.37 грн
10+244.50 грн
30+228.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50N en.CD00271786.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+756.59 грн
7+192.60 грн
17+182.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 stw30n65m5.pdf
STW30N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.69 грн
5+376.19 грн
10+318.34 грн
30+305.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N80K5 en.DM00246893.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW30N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.44 грн
3+571.82 грн
6+540.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW31N65M5 en.DM00049148.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW31N65M5 THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+376.15 грн
5+239.51 грн
14+226.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2 stw33n60dm2.pdf
STW33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+354.65 грн
10+316.08 грн
30+303.37 грн
120+297.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796AF802AE71E28&compId=STW34NM60N-DTE.pdf?ci_sign=040baad4022de1b6f2dc25d386c2623852f2c429
STW34NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+677.06 грн
30+416.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7976B36A2DB9E28&compId=STx34NM60ND-DTE.pdf?ci_sign=e289cc0d626f0f2806aaec98cb7ab1e097b96ee3
STW34NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+606.13 грн
2+555.47 грн
10+502.96 грн
30+369.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB0CEF9EB1F8745&compId=STP3N150.pdf?ci_sign=4b6e46b298994f0dccd5fe12e8993c8059a20d35
STW3N150
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.16 грн
5+300.53 грн
10+273.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N90K5 en.DM00265509.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW40N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1214.49 грн
3+1147.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N60DM2AG STW45N60DM2AG-DTE.pdf
STW45N60DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.05 грн
10+415.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50 description en.CD00002789.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW45NM50 THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1211.19 грн
3+569.82 грн
6+537.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60 en.CD00002682.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STW45NM60 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+659.87 грн
3+512.94 грн
7+485.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2 stw48n60m2.pdf
STW48N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.06 грн
3+365.82 грн
5+322.34 грн
10+268.45 грн
30+250.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2-4 STW48N60M2-4-DTE.pdf
STW48N60M2-4
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+794.21 грн
10+632.16 грн
30+473.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48NM60N STW48NM60N-DTE.pdf
STW48NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.47 грн
25+326.44 грн
30+311.36 грн
240+270.44 грн
510+259.46 грн
600+258.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3F90E27898469&compId=STP4N150.pdf?ci_sign=ed5d2195d1ad29e80cb52802d378fe45a63326cf
STW4N150
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.92 грн
5+431.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C1EF19FD5E28&compId=STW56N65DM2-DTE.pdf?ci_sign=014030dd2619b39ad0d4d3a44f5c254dbcac94b8
STW56N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+809.25 грн
30+670.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 271 542 813 1084 1148 1149 1150 1151 1152 1153 1154 1155 1156 1157 1158 1355 1626 1897 2168 2439 2710 2712  [ Наступна Сторінка >> ]