Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170167) > Сторінка 1233 з 2837

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 283 566 849 1132 1228 1229 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1238 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2837  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP19NM50N STMicroelectronics en.CD00264734.pdf STP19NM50N THT N channel transistors
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.10 грн
13+85.32 грн
35+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LL STP200N3LL STMicroelectronics en.DM00255610.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.29 грн
10+87.65 грн
14+79.81 грн
38+75.23 грн
100+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03 STMicroelectronics en.CD00003018.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ III
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Pulsed drain current: 480A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5 STP20N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3820B94624745&compId=STP20N65M5.pdf?ci_sign=29098b3fd06eec3746c43ac86bc72929d5b26a0f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+256.87 грн
7+184.82 грн
17+167.88 грн
100+163.29 грн
500+160.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5 STP20N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB0D758B4501B80C7&compId=STP20N90K5.pdf?ci_sign=7e907c50ec139a62894f270bc874a9b32695b71d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5 STP20N95K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2CD60D2&compId=stp20n95k5.pdf?ci_sign=e5cc5be16d010f4a494b3b7d8419e4299e7e3a09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+596.72 грн
3+402.98 грн
8+366.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20 STP20NF20 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA36CADC097E469&compId=STD20NF20.pdf?ci_sign=6d4e5c380137345f511f87c7b6f33b2ca79db1a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.92 грн
10+112.42 грн
28+102.75 грн
250+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50Z STP20NK50Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B045C1F700D2&compId=stp20nk50z.pdf?ci_sign=c4635a53a7f8c9ab0c647c7453f60e557b7dc92b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.41 грн
9+132.42 грн
24+120.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B045C1F840D2&compId=stp20nm50.pdf?ci_sign=b8247658660cf8adc3561d891a608654311b0a3b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+255.88 грн
3+222.92 грн
7+165.13 грн
18+155.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FD STP20NM50FD STMicroelectronics stb20nm50fd.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+270.70 грн
3+234.36 грн
7+179.81 грн
17+169.72 грн
250+166.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60 STMicroelectronics en.CD00002505.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FD STP20NM60FD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E14D0C462469&compId=STP20NM60FD.pdf?ci_sign=26288b7d87c88e408429f124f02fc74fe241d05e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+549.30 грн
7+171.48 грн
18+155.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FP STP20NM60FP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFFD7BCCE0D2&compId=stp20nm60fp.pdf?ci_sign=f88b0e34aef8d4f4a0eb58cfa595f6dccb18db70 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+365.54 грн
6+208.63 грн
15+189.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N65M5 STMicroelectronics stp21n65m5.pdf STP21N65M5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N90K5 STMicroelectronics en.CD00255284.pdf STP21N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+674.77 грн
3+412.82 грн
8+390.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP220N6F7 STMicroelectronics en.DM00122330.pdf STP220N6F7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP22N60M6 STMicroelectronics stp22n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NM60N STP22NM60N STMicroelectronics en.CD00237949.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.95 грн
10+145.76 грн
11+107.33 грн
28+101.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP23N80K5 STMicroelectronics en.DM00235958.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM50N STMicroelectronics stp23nm50n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240N10F7 STP240N10F7 STMicroelectronics en.DM00070204.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+408.03 грн
5+271.51 грн
12+246.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP24DP05BTR STMicroelectronics en.CD00197065.pdf STP24DP05BTR LED drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60DM2 STMicroelectronics en.DM00099972.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 11A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M2 STP24N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.99 грн
3+213.40 грн
7+158.71 грн
19+150.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M6 STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10 STP24NF10 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E4203DBBA469&compId=STP24NF10.pdf?ci_sign=465d3df3fe8f94d64e472467287c4b4e053fccc5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.23 грн
5+85.74 грн
10+61.46 грн
24+46.79 грн
64+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60N STP24NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2D420D2&compId=stp24nm60n.pdf?ci_sign=0502895dfa007625b426782c886800fb9fdda1c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Pulsed drain current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.80 грн
9+128.61 грн
25+116.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EP STMicroelectronics STP25N60M2-EP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11.3A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N80K5 STMicroelectronics en.DM00060492.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 12.3A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 78A
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60DM6 STP26N60DM6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E680D2&compId=stp26n60dm6.pdf?ci_sign=004592bc5001354e6f45b2cda245f4702da1c5b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60M2 STMicroelectronics en.DM00218389.pdf STP26N60M2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N65DM2 STMicroelectronics stp26n65dm2.pdf STP26N65DM2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E7C0D2&compId=stp26nm60n.pdf?ci_sign=238f6e71cdc6f3f6f40e86cbbec022f3424b967d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+485.09 грн
8+158.14 грн
20+144.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP270N8F7 STMicroelectronics en.DM00071594.pdf STP270N8F7 THT N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+597.71 грн
3+366.04 грн
9+345.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60M2 STP28N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7975CB8F4DA9E28&compId=STx28N60M2-DTE.pdf?ci_sign=df0efbd07c4977842c9371e9e730180eb67694e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+303.30 грн
3+262.94 грн
6+194.49 грн
16+183.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf STP28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+559.18 грн
6+183.48 грн
17+173.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM60ND STMicroelectronics ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf STP28NM60ND THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115979.pdf STP2N105K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N80K5 STMicroelectronics en.DM00090142.pdf STP2N80K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N95K5 STMicroelectronics en.DM00096154.pdf STP2N95K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2NK100Z STMicroelectronics en.CD00159991.pdf STP2NK100Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2NK90Z STMicroelectronics en.CD00043981.pdf STP2NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.77 грн
24+44.95 грн
66+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5 STMicroelectronics en.CD00223067.pdf STP30N65M5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E7D26E722469&compId=STP30NF10.pdf?ci_sign=0766ec6cf5bbf5ef3979a4368e637abc164a8162 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.22 грн
5+93.17 грн
10+82.75 грн
25+44.58 грн
67+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20 STP30NF20 STMicroelectronics STP30NF20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.10 грн
3+207.68 грн
8+153.20 грн
10+152.29 грн
20+144.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7 STP310N10F7 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB103F3B2D74745&compId=STP310N10F7.pdf?ci_sign=61f0d1b3d42db4eed02b177a0b9b60da2069e2a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 315W
Polarisation: unipolar
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+514.72 грн
3+445.85 грн
4+329.34 грн
10+310.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7 STMicroelectronics en.DM00096835.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5 STP31N65M5 STMicroelectronics en.DM00049148.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 88A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50N STMicroelectronics en.DM00060101.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM6 STP33N60DM6 STMicroelectronics stp33n60dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2 STMicroelectronics en.DM00078147.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6 STMicroelectronics stp33n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 78A; 190W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 190W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf STP33N65M2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5 STMicroelectronics en.DM00049181.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 17.7A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60N STP34NM60N STMicroelectronics STW34NM60N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+791.35 грн
4+290.56 грн
10+278.89 грн
11+264.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60ND STMicroelectronics STx34NM60ND_DS.pdf STP34NM60ND THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60DM2 STP35N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB35172D1048745&compId=STP35N60DM2.pdf?ci_sign=9ee4ef0eaff4431d18364f0bcf57ec6eeb3ee310 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NM50N en.CD00264734.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP19NM50N THT N channel transistors
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.10 грн
13+85.32 грн
35+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LL en.DM00255610.pdf
STP200N3LL
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.29 грн
10+87.65 грн
14+79.81 грн
38+75.23 грн
100+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03 en.CD00003018.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ III
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Pulsed drain current: 480A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3820B94624745&compId=STP20N65M5.pdf?ci_sign=29098b3fd06eec3746c43ac86bc72929d5b26a0f
STP20N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.87 грн
7+184.82 грн
17+167.88 грн
100+163.29 грн
500+160.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB0D758B4501B80C7&compId=STP20N90K5.pdf?ci_sign=7e907c50ec139a62894f270bc874a9b32695b71d
STP20N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2CD60D2&compId=stp20n95k5.pdf?ci_sign=e5cc5be16d010f4a494b3b7d8419e4299e7e3a09
STP20N95K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.72 грн
3+402.98 грн
8+366.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA36CADC097E469&compId=STD20NF20.pdf?ci_sign=6d4e5c380137345f511f87c7b6f33b2ca79db1a3
STP20NF20
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.92 грн
10+112.42 грн
28+102.75 грн
250+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B045C1F700D2&compId=stp20nk50z.pdf?ci_sign=c4635a53a7f8c9ab0c647c7453f60e557b7dc92b
STP20NK50Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.41 грн
9+132.42 грн
24+120.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B045C1F840D2&compId=stp20nm50.pdf?ci_sign=b8247658660cf8adc3561d891a608654311b0a3b
STP20NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.88 грн
3+222.92 грн
7+165.13 грн
18+155.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FD stb20nm50fd.pdf
STP20NM50FD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.70 грн
3+234.36 грн
7+179.81 грн
17+169.72 грн
250+166.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60 en.CD00002505.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E14D0C462469&compId=STP20NM60FD.pdf?ci_sign=26288b7d87c88e408429f124f02fc74fe241d05e
STP20NM60FD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+549.30 грн
7+171.48 грн
18+155.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FP description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFFD7BCCE0D2&compId=stp20nm60fp.pdf?ci_sign=f88b0e34aef8d4f4a0eb58cfa595f6dccb18db70
STP20NM60FP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.54 грн
6+208.63 грн
15+189.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N65M5 stp21n65m5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP21N65M5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N90K5 en.CD00255284.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP21N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+674.77 грн
3+412.82 грн
8+390.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP220N6F7 en.DM00122330.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP220N6F7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP22N60M6 stp22n60m6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NM60N en.CD00237949.pdf
STP22NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.95 грн
10+145.76 грн
11+107.33 грн
28+101.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP23N80K5 en.DM00235958.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP23NM50N stp23nm50n.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP240N10F7 en.DM00070204.pdf
STP240N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.03 грн
5+271.51 грн
12+246.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP24DP05BTR en.CD00197065.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP24DP05BTR LED drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60DM2 en.DM00099972.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 11A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4
STP24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.99 грн
3+213.40 грн
7+158.71 грн
19+150.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M6 stp24n60m6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E4203DBBA469&compId=STP24NF10.pdf?ci_sign=465d3df3fe8f94d64e472467287c4b4e053fccc5
STP24NF10
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.23 грн
5+85.74 грн
10+61.46 грн
24+46.79 грн
64+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2D420D2&compId=stp24nm60n.pdf?ci_sign=0502895dfa007625b426782c886800fb9fdda1c0
STP24NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Pulsed drain current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.80 грн
9+128.61 грн
25+116.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EP STP25N60M2-EP.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11.3A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N80K5 en.DM00060492.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 12.3A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 78A
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60DM6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E680D2&compId=stp26n60dm6.pdf?ci_sign=004592bc5001354e6f45b2cda245f4702da1c5b7
STP26N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60M2 en.DM00218389.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP26N60M2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N65DM2 stp26n65dm2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP26N65DM2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E7C0D2&compId=stp26nm60n.pdf?ci_sign=238f6e71cdc6f3f6f40e86cbbec022f3424b967d
STP26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485.09 грн
8+158.14 грн
20+144.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP270N8F7 en.DM00071594.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP270N8F7 THT N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+597.71 грн
3+366.04 грн
9+345.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7975CB8F4DA9E28&compId=STx28N60M2-DTE.pdf?ci_sign=df0efbd07c4977842c9371e9e730180eb67694e4
STP28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+303.30 грн
3+262.94 грн
6+194.49 грн
16+183.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N65M2 en.DM00150353.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM50N en.CD00271786.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.18 грн
6+183.48 грн
17+173.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM60ND ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP28NM60ND THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N105K5 en.DM00115979.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP2N105K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N80K5 en.DM00090142.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP2N80K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N95K5 en.DM00096154.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP2N95K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2NK100Z en.CD00159991.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP2NK100Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2NK90Z en.CD00043981.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP2NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.77 грн
24+44.95 грн
66+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5 en.CD00223067.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP30N65M5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E7D26E722469&compId=STP30NF10.pdf?ci_sign=0766ec6cf5bbf5ef3979a4368e637abc164a8162
STP30NF10
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.22 грн
5+93.17 грн
10+82.75 грн
25+44.58 грн
67+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20 STP30NF20.pdf
STP30NF20
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.10 грн
3+207.68 грн
8+153.20 грн
10+152.29 грн
20+144.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB103F3B2D74745&compId=STP310N10F7.pdf?ci_sign=61f0d1b3d42db4eed02b177a0b9b60da2069e2a1
STP310N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 315W
Polarisation: unipolar
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.72 грн
3+445.85 грн
4+329.34 грн
10+310.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7 en.DM00096835.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5 en.DM00049148.pdf
STP31N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 88A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50N en.DM00060101.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM6 stp33n60dm6.pdf
STP33N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2 en.DM00078147.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6 stp33n60m6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 78A; 190W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 190W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2 en.DM00151754.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP33N65M2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5 en.DM00049181.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 17.7A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60N STW34NM60N-DTE.pdf
STP34NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+791.35 грн
4+290.56 грн
10+278.89 грн
11+264.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60ND STx34NM60ND_DS.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STP34NM60ND THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB35172D1048745&compId=STP35N60DM2.pdf?ci_sign=9ee4ef0eaff4431d18364f0bcf57ec6eeb3ee310
STP35N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 283 566 849 1132 1228 1229 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1238 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2837  [ Наступна Сторінка >> ]