Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170162) > Сторінка 1235 з 2837
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP6N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STP6N62K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STP6N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 2.8A; Idm: 18A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STP6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STP6N95K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP6NK60Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
STP6NK60ZFP | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 430 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP6NK90Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.65A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.65A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 336 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP75NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 47A Case: TO220-3 On-state resistance: 34mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 190W Technology: STripFET™ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP75NF75 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 629 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP7N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 8.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP7N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperMESH5™ Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STP7N95K3 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP7NK40Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STP7NK80Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP7NK80ZFP | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 201 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STP80N1K1K6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STP80N240K6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STP80N340K6 | STMicroelectronics | STP80N340K6 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STP80N450K6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STP80N600K6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 15A; 86W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 86W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 10.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STP80N900K6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STP80NF03L-04 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP80NF10 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 214 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP80NF10FP | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 27A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP80NF12 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP80NF55-06 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
STP80NF55-08 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 220 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STP8N120K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STP8NK100Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 160W; TO220-3; ESD Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4.3A On-state resistance: 1.85Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP8NK80Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP8NK80ZFP | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STP8NM50N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STP9NK50Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220-3 Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.2A On-state resistance: 0.85Ω Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 454 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP9NK50ZFP | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.2A On-state resistance: 0.85Ω Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP9NK60Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP9NK60ZFP | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP9NK65Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220-3 Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.4A On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 25.6A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP9NK65ZFP | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.4A On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 25.6A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
STP9NK70ZFP | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4.7A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP9NK90Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STPIC6C595MTR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: peripheral circuit; 8bit,shift register; SMD; SO16; 3.3÷5VDC Type of integrated circuit: peripheral circuit Kind of integrated circuit: 8bit; shift register Mounting: SMD Case: SO16 Supply voltage: 3.3...5V DC Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Kind of output: open drain Number of outputs: 8 On-state resistance: 4Ω Output current: 0.1A Application: automotive LED drivers кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4692 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STPIC6C595TTR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: peripheral circuit; 8bit,shift register; SMD; TSSOP16; OUT: 8 Type of integrated circuit: peripheral circuit Kind of integrated circuit: 8bit; shift register Mounting: SMD Case: TSSOP16 Supply voltage: 3.3...5V DC Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Kind of output: open drain Number of outputs: 8 On-state resistance: 4Ω Output current: 0.1A Application: automotive LED drivers кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 787 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STPM01FTR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: electric energy meter; SPI; Network: single-phase; TSSOP20 Type of integrated circuit: electric energy meter Interface: SPI Kind of network: single-phase Case: TSSOP20 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 3...5.5V DC Number of channels: 2 Measurement accuracy: 0.1% Integrated circuit features: delta-sigma; tamper detection кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
STPM32TR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: electric energy meter; SPI,UART; Network: single-phase; QFN24 Type of integrated circuit: electric energy meter Interface: SPI; UART Kind of network: single-phase Case: QFN24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Supply voltage: 2.95...3.65V DC DC supply current: 3.9mA Number of channels: 2 Measurement accuracy: 0.1% Integrated circuit features: delta-sigma кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STPM34TR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STPMIC1APQR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STPMIC1BPQR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STPMIC1CPQR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STPMIC1DPQR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STPMIC1EPQR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STPS0520Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 20V; 0.5A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD123 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 20V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.32V Max. load current: 2A Max. forward impulse current: 5.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STPS0530Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD123 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.33V Max. load current: 2A Max. forward impulse current: 5.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STPS0540Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD123 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.4V Max. load current: 2A Max. forward impulse current: 5.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STPS0540ZY | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD123 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.55V Max. load current: 2A Max. forward impulse current: 5.5A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
STPS0560Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 60V; 0.5A; reel,tape Case: SOD123 Max. off-state voltage: 60V Max. load current: 2A Max. forward voltage: 0.5V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 5.5A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STPS10120CT | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STPS10150CFP | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STPS10150CG-TR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STP6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 99.08 грн |
10+ | 84.40 грн |
15+ | 73.39 грн |
41+ | 68.80 грн |
STP6N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP6N62K3 THT N channel transistors
STP6N62K3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP6N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 2.8A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 2.8A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP6N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 187.71 грн |
3+ | 162.91 грн |
9+ | 124.76 грн |
24+ | 118.34 грн |
250+ | 115.59 грн |
STP6NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP6NK60ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 106.70 грн |
10+ | 83.84 грн |
19+ | 59.63 грн |
50+ | 55.96 грн |
STP6NK90Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 208.46 грн |
10+ | 175.29 грн |
12+ | 91.74 грн |
33+ | 87.15 грн |
1000+ | 83.48 грн |
STP6NK90ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 215.37 грн |
10+ | 144.81 грн |
12+ | 94.49 грн |
32+ | 88.99 грн |
STP75NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Case: TO220-3
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Case: TO220-3
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 360.60 грн |
3+ | 313.43 грн |
5+ | 230.26 грн |
13+ | 218.34 грн |
STP75NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 282.56 грн |
10+ | 102.89 грн |
17+ | 64.22 грн |
47+ | 60.55 грн |
STP7N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.59 грн |
10+ | 75.26 грн |
19+ | 59.30 грн |
50+ | 56.07 грн |
500+ | 54.13 грн |
STP7N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 187.71 грн |
3+ | 163.86 грн |
9+ | 119.26 грн |
25+ | 112.84 грн |
STP7N95K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP7N95K3 THT N channel transistors
STP7N95K3 THT N channel transistors
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 205.49 грн |
9+ | 125.68 грн |
24+ | 119.26 грн |
STP7NK40Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP7NK40Z THT N channel transistors
STP7NK40Z THT N channel transistors
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 88.92 грн |
23+ | 46.79 грн |
63+ | 44.95 грн |
STP7NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 223.28 грн |
10+ | 139.09 грн |
14+ | 78.90 грн |
38+ | 74.31 грн |
STP7NK80ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 271.69 грн |
10+ | 117.18 грн |
27+ | 106.42 грн |
100+ | 101.83 грн |
STP80N1K1K6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP80N1K1K6 THT N channel transistors
STP80N1K1K6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP80N240K6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP80N240K6 THT N channel transistors
STP80N240K6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP80N340K6 |
Виробник: STMicroelectronics
STP80N340K6 THT N channel transistors
STP80N340K6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP80N450K6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP80N450K6 THT N channel transistors
STP80N450K6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP80N600K6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 15A; 86W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 86W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 15A; 86W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 86W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP80N900K6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP80N900K6 THT N channel transistors
STP80N900K6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP80NF03L-04 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 152.14 грн |
3+ | 132.42 грн |
10+ | 112.84 грн |
11+ | 100.91 грн |
30+ | 95.41 грн |
STP80NF10 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 301.33 грн |
10+ | 120.99 грн |
26+ | 110.09 грн |
400+ | 108.25 грн |
1250+ | 106.42 грн |
STP80NF10FP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 273.66 грн |
9+ | 128.61 грн |
25+ | 116.51 грн |
1000+ | 112.84 грн |
STP80NF12 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 242.05 грн |
10+ | 122.89 грн |
26+ | 111.92 грн |
500+ | 108.25 грн |
STP80NF55-06 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP80NF55-08 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 236.12 грн |
7+ | 163.86 грн |
19+ | 148.62 грн |
250+ | 143.11 грн |
STP8N120K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP8N120K5 THT N channel transistors
STP8N120K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP8NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 160W; TO220-3; ESD
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 1.85Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 160W; TO220-3; ESD
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 1.85Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 426.80 грн |
9+ | 132.42 грн |
24+ | 120.18 грн |
STP8NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 109.56 грн |
10+ | 94.49 грн |
14+ | 80.73 грн |
37+ | 77.06 грн |
STP8NK80ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 332.94 грн |
5+ | 239.12 грн |
13+ | 86.23 грн |
35+ | 81.65 грн |
STP8NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP8NM50N THT N channel transistors
STP8NM50N THT N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.00 грн |
22+ | 49.54 грн |
60+ | 46.88 грн |
STP9NK50Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
On-state resistance: 0.85Ω
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
On-state resistance: 0.85Ω
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 198.58 грн |
10+ | 150.52 грн |
18+ | 63.30 грн |
47+ | 59.63 грн |
STP9NK50ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
On-state resistance: 0.85Ω
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
On-state resistance: 0.85Ω
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 198.58 грн |
10+ | 100.98 грн |
21+ | 52.29 грн |
57+ | 48.62 грн |
STP9NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 152.14 грн |
16+ | 70.50 грн |
44+ | 64.22 грн |
STP9NK60ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 200.55 грн |
17+ | 69.54 грн |
45+ | 63.30 грн |
1000+ | 61.46 грн |
2000+ | 60.55 грн |
STP9NK65Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.4A
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25.6A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.4A
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25.6A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 101.76 грн |
5+ | 87.65 грн |
17+ | 65.86 грн |
45+ | 62.27 грн |
STP9NK65ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.4A
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25.6A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.4A
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25.6A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP9NK70ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 296.39 грн |
10+ | 150.52 грн |
13+ | 83.48 грн |
36+ | 78.90 грн |
STP9NK90Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 190.68 грн |
10+ | 150.52 грн |
11+ | 100.91 грн |
30+ | 95.41 грн |
STPIC6C595MTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Shift registers
Description: IC: peripheral circuit; 8bit,shift register; SMD; SO16; 3.3÷5VDC
Type of integrated circuit: peripheral circuit
Kind of integrated circuit: 8bit; shift register
Mounting: SMD
Case: SO16
Supply voltage: 3.3...5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: open drain
Number of outputs: 8
On-state resistance: 4Ω
Output current: 0.1A
Application: automotive LED drivers
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Shift registers
Description: IC: peripheral circuit; 8bit,shift register; SMD; SO16; 3.3÷5VDC
Type of integrated circuit: peripheral circuit
Kind of integrated circuit: 8bit; shift register
Mounting: SMD
Case: SO16
Supply voltage: 3.3...5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: open drain
Number of outputs: 8
On-state resistance: 4Ω
Output current: 0.1A
Application: automotive LED drivers
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 85.95 грн |
10+ | 59.64 грн |
24+ | 45.23 грн |
66+ | 42.75 грн |
500+ | 41.10 грн |
STPIC6C595TTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Shift registers
Description: IC: peripheral circuit; 8bit,shift register; SMD; TSSOP16; OUT: 8
Type of integrated circuit: peripheral circuit
Kind of integrated circuit: 8bit; shift register
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Supply voltage: 3.3...5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: open drain
Number of outputs: 8
On-state resistance: 4Ω
Output current: 0.1A
Application: automotive LED drivers
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Shift registers
Description: IC: peripheral circuit; 8bit,shift register; SMD; TSSOP16; OUT: 8
Type of integrated circuit: peripheral circuit
Kind of integrated circuit: 8bit; shift register
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Supply voltage: 3.3...5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: open drain
Number of outputs: 8
On-state resistance: 4Ω
Output current: 0.1A
Application: automotive LED drivers
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.23 грн |
10+ | 44.11 грн |
32+ | 34.68 грн |
86+ | 32.75 грн |
1000+ | 32.29 грн |
2500+ | 31.56 грн |
STPM01FTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: electric energy meter; SPI; Network: single-phase; TSSOP20
Type of integrated circuit: electric energy meter
Interface: SPI
Kind of network: single-phase
Case: TSSOP20
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.5V DC
Number of channels: 2
Measurement accuracy: 0.1%
Integrated circuit features: delta-sigma; tamper detection
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: electric energy meter; SPI; Network: single-phase; TSSOP20
Type of integrated circuit: electric energy meter
Interface: SPI
Kind of network: single-phase
Case: TSSOP20
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.5V DC
Number of channels: 2
Measurement accuracy: 0.1%
Integrated circuit features: delta-sigma; tamper detection
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STPM32TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: electric energy meter; SPI,UART; Network: single-phase; QFN24
Type of integrated circuit: electric energy meter
Interface: SPI; UART
Kind of network: single-phase
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 2.95...3.65V DC
DC supply current: 3.9mA
Number of channels: 2
Measurement accuracy: 0.1%
Integrated circuit features: delta-sigma
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: electric energy meter; SPI,UART; Network: single-phase; QFN24
Type of integrated circuit: electric energy meter
Interface: SPI; UART
Kind of network: single-phase
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 2.95...3.65V DC
DC supply current: 3.9mA
Number of channels: 2
Measurement accuracy: 0.1%
Integrated circuit features: delta-sigma
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STPM34TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STPM34TR Integrated circuits - others
STPM34TR Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STPMIC1APQR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STPMIC1APQR Integrated circuits - others
STPMIC1APQR Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STPMIC1BPQR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STPMIC1BPQR Integrated circuits - others
STPMIC1BPQR Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STPMIC1CPQR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STPMIC1CPQR Integrated circuits - others
STPMIC1CPQR Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STPMIC1DPQR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STPMIC1DPQR Integrated circuits - others
STPMIC1DPQR Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STPMIC1EPQR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STPMIC1EPQR Integrated circuits - others
STPMIC1EPQR Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STPS0520Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 20V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.32V
Max. load current: 2A
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 20V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.32V
Max. load current: 2A
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.75 грн |
23+ | 12.86 грн |
50+ | 8.68 грн |
100+ | 7.42 грн |
372+ | 2.90 грн |
1023+ | 2.74 грн |
STPS0530Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.33V
Max. load current: 2A
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.33V
Max. load current: 2A
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 24.70 грн |
19+ | 15.15 грн |
100+ | 9.67 грн |
266+ | 4.06 грн |
730+ | 3.84 грн |
STPS0540Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.4V
Max. load current: 2A
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.4V
Max. load current: 2A
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.75 грн |
21+ | 13.72 грн |
25+ | 11.12 грн |
50+ | 9.60 грн |
100+ | 8.23 грн |
292+ | 3.70 грн |
803+ | 3.50 грн |
STPS0540ZY |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.55V
Max. load current: 2A
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.55V
Max. load current: 2A
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STPS0560Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 60V; 0.5A; reel,tape
Case: SOD123
Max. off-state voltage: 60V
Max. load current: 2A
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 60V; 0.5A; reel,tape
Case: SOD123
Max. off-state voltage: 60V
Max. load current: 2A
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 17.78 грн |
27+ | 10.77 грн |
50+ | 7.89 грн |
100+ | 7.16 грн |
185+ | 5.78 грн |
500+ | 5.41 грн |
3000+ | 5.32 грн |
STPS10120CT |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STPS10120CT THT Schottky diodes
STPS10120CT THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STPS10150CFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STPS10150CFP THT Schottky diodes
STPS10150CFP THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STPS10150CG-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STPS10150CG-TR SMD Schottky diodes
STPS10150CG-TR SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.