Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170302) > Сторінка 1232 з 2839
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP42N60M2-EP | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STP42N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.8A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 79mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STP43N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STP45N10F7 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STP45N40DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 400V; 24A; Idm: 152A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 72mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 56nC Pulsed drain current: 152A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STP45N60DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP45N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 95A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP45N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 210W Version: ESD Gate-source voltage: ±25V Drain current: 22A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP45NF06 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 26A; 80W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 26A Power dissipation: 80W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 115 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STP46N60M6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STP46NF30 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STP4CMPQTR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; LED driver; QFN20; 2.5÷30mA; Ch: 4; 2.7÷5.5VDC; 30MHz Type of integrated circuit: driver Kind of package: reel; tape Case: QFN20 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Output current: 2.5...30mA Number of channels: 4 Input voltage: 2.7...5.5V DC Kind of integrated circuit: LED driver Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STP4N150 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 236 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP4N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 10.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STP4N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.9A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Gate charge: 5.3nC Technology: MDmesh™ K5 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STP4NK60Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP4NK60ZFP | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 25W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP4NK80Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 80W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP4NK80ZFP | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STP50N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Pulsed drain current: 137A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STP50N65DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 120A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 52.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A On-state resistance: 91mΩ Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STP50NF25 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STP55NF06 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 489 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP55NF06FP | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 30W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 405 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP55NF06L | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 39A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Power dissipation: 95W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STP57N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M5 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STP5N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 14A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STP5N80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP5N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STP5NK100Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3; ESD Version: ESD Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.2A On-state resistance: 3.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 195 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP5NK50Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.7A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP5NK50ZFP | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 25W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 152 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP5NK52ZD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 520V; 2.7A; Idm: 17.6A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 520V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17.6A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 16.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STP5NK60Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.16A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 34nC Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STP5NK80Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 377 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP5NK80ZFP | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP60NF06 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 214 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP60NF06L | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 903 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP60NF10 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 66A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 149 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STP65N045M9 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STP65N150M9 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STP6N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STP6N62K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STP6N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 2.8A; Idm: 18A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STP6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STP6N95K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP6NK60Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP6NK60ZFP | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP6NK90Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.65A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 268 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.65A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 363 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP75NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 47A Case: TO220-3 On-state resistance: 34mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 190W Technology: STripFET™ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP75NF75 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Case: TO220-3 On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 300W Technology: STripFET™ II Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 694 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP7N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 8.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP7N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperMESH5™ Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STP7N95K3 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP7NK40Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STP7NK80Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP7NK80ZFP | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 219 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STP80N1K1K6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STP80N240K6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STP42N60M2-EP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP42N60M2-EP THT N channel transistors
STP42N60M2-EP THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP42N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1081.45 грн |
2+ | 749.65 грн |
5+ | 682.34 грн |
250+ | 666.71 грн |
STP43N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP45N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP45N40DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 400V; 24A; Idm: 152A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Pulsed drain current: 152A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 400V; 24A; Idm: 152A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Pulsed drain current: 152A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP45N60DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 607.08 грн |
3+ | 403.00 грн |
8+ | 366.92 грн |
STP45N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 525.87 грн |
3+ | 395.36 грн |
8+ | 359.56 грн |
100+ | 350.37 грн |
STP45N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 648.67 грн |
3+ | 501.36 грн |
7+ | 457.04 грн |
50+ | 455.20 грн |
100+ | 439.57 грн |
STP45NF06 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 26A; 80W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 26A; 80W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.29 грн |
10+ | 65.61 грн |
28+ | 40.46 грн |
75+ | 38.26 грн |
STP46N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP46N60M6 THT N channel transistors
STP46N60M6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP46NF30 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP46NF30 THT N channel transistors
STP46NF30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP4CMPQTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; QFN20; 2.5÷30mA; Ch: 4; 2.7÷5.5VDC; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Case: QFN20
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Output current: 2.5...30mA
Number of channels: 4
Input voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of integrated circuit: LED driver
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; QFN20; 2.5÷30mA; Ch: 4; 2.7÷5.5VDC; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Case: QFN20
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Output current: 2.5...30mA
Number of channels: 4
Input voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of integrated circuit: LED driver
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP4N150 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 787.32 грн |
3+ | 513.77 грн |
7+ | 467.16 грн |
STP4N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP4N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 5.3nC
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 5.3nC
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP4NK60Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.04 грн |
10+ | 79.93 грн |
23+ | 47.36 грн |
63+ | 44.78 грн |
500+ | 44.32 грн |
1500+ | 43.04 грн |
STP4NK60ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 174.30 грн |
10+ | 86.90 грн |
18+ | 60.69 грн |
49+ | 57.02 грн |
STP4NK80Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 71.62 грн |
10+ | 58.49 грн |
21+ | 53.89 грн |
57+ | 50.95 грн |
250+ | 49.75 грн |
STP4NK80ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.26 грн |
10+ | 67.13 грн |
20+ | 57.93 грн |
53+ | 55.18 грн |
STP50N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 137A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 137A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP50N65DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 120A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
On-state resistance: 91mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 120A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
On-state resistance: 91mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP50NF25 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP50NF25 THT N channel transistors
STP50NF25 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP55NF06 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.18 грн |
10+ | 68.28 грн |
26+ | 42.12 грн |
71+ | 39.82 грн |
STP55NF06FP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 149.54 грн |
10+ | 113.64 грн |
25+ | 91.96 грн |
26+ | 43.22 грн |
69+ | 40.46 грн |
STP55NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 39A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 39A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP5N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP5N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP5N80K5 THT N channel transistors
STP5N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 160.44 грн |
11+ | 98.40 грн |
31+ | 92.88 грн |
STP5N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP5N95K5 THT N channel transistors
STP5N95K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP5NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3; ESD
Version: ESD
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3; ESD
Version: ESD
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.58 грн |
10+ | 127.97 грн |
13+ | 85.52 грн |
36+ | 80.92 грн |
STP5NK50Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.15 грн |
25+ | 44.98 грн |
68+ | 40.92 грн |
1000+ | 39.54 грн |
STP5NK50ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 210.94 грн |
10+ | 109.82 грн |
23+ | 46.90 грн |
63+ | 44.14 грн |
STP5NK52ZD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 520V; 2.7A; Idm: 17.6A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 520V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 520V; 2.7A; Idm: 17.6A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 520V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 80.22 грн |
10+ | 53.48 грн |
28+ | 38.81 грн |
77+ | 36.69 грн |
STP5NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP5NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 230.75 грн |
10+ | 94.54 грн |
20+ | 56.10 грн |
53+ | 52.42 грн |
STP5NK80ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 190.15 грн |
10+ | 142.29 грн |
18+ | 62.53 грн |
48+ | 58.85 грн |
3000+ | 57.02 грн |
STP60NF06 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 197.08 грн |
10+ | 72.77 грн |
25+ | 44.23 грн |
67+ | 41.84 грн |
STP60NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 903 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 101.01 грн |
10+ | 77.35 грн |
26+ | 43.22 грн |
69+ | 40.46 грн |
STP60NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 195.10 грн |
10+ | 111.73 грн |
17+ | 64.37 грн |
47+ | 60.69 грн |
STP65N045M9 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP65N045M9 THT N channel transistors
STP65N045M9 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP65N150M9 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP65N150M9 THT N channel transistors
STP65N150M9 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 99.32 грн |
10+ | 84.60 грн |
15+ | 73.57 грн |
41+ | 68.97 грн |
STP6N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP6N62K3 THT N channel transistors
STP6N62K3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP6N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 2.8A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 2.8A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP6N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 188.16 грн |
3+ | 163.30 грн |
9+ | 125.07 грн |
24+ | 118.63 грн |
250+ | 115.87 грн |
STP6NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 125.77 грн |
10+ | 74.49 грн |
20+ | 57.02 грн |
53+ | 53.34 грн |
STP6NK60ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 106.96 грн |
10+ | 84.04 грн |
19+ | 59.77 грн |
50+ | 56.10 грн |
STP6NK90Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 208.96 грн |
10+ | 175.71 грн |
12+ | 91.96 грн |
33+ | 86.44 грн |
1000+ | 83.68 грн |
STP6NK90ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 215.89 грн |
10+ | 145.16 грн |
12+ | 94.72 грн |
32+ | 90.12 грн |
STP75NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Case: TO220-3
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Case: TO220-3
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 361.47 грн |
3+ | 314.19 грн |
5+ | 230.82 грн |
13+ | 218.87 грн |
STP75NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Case: TO220-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: STripFET™ II
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Case: TO220-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: STripFET™ II
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 283.24 грн |
10+ | 103.14 грн |
17+ | 64.37 грн |
46+ | 60.69 грн |
STP7N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.87 грн |
10+ | 75.44 грн |
19+ | 59.45 грн |
50+ | 56.21 грн |
500+ | 54.26 грн |
STP7N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 188.16 грн |
3+ | 164.26 грн |
9+ | 120.47 грн |
25+ | 114.03 грн |
STP7N95K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP7N95K3 THT N channel transistors
STP7N95K3 THT N channel transistors
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 205.99 грн |
9+ | 125.99 грн |
24+ | 119.55 грн |
STP7NK40Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP7NK40Z THT N channel transistors
STP7NK40Z THT N channel transistors
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 89.13 грн |
23+ | 46.90 грн |
63+ | 45.06 грн |
STP7NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 223.82 грн |
10+ | 139.43 грн |
15+ | 79.09 грн |
39+ | 74.49 грн |
STP7NK80ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 272.34 грн |
10+ | 116.51 грн |
27+ | 105.75 грн |
100+ | 102.08 грн |
STP80N1K1K6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP80N1K1K6 THT N channel transistors
STP80N1K1K6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP80N240K6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP80N240K6 THT N channel transistors
STP80N240K6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.