Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162155) > Сторінка 1154 з 2703
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW48N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW48N60M2-4 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW48NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Power dissipation: 330W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW4N150 | STMicroelectronics |
STW4N150 THT N channel transistors |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW56N65DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 360W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW57N65M5-4 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW5NK100Z | STMicroelectronics |
STW5NK100Z THT N channel transistors |
на замовлення 288 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW69N65M5 | STMicroelectronics |
STW69N65M5 THT N channel transistors |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW70N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 42A Technology: MDmesh™ DM2 Case: TO247 Power dissipation: 446W Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW70N60DM6-4 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4 Gate-source voltage: ±25V Gate charge: 99nC On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 39A Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 390W Drain-source voltage: 600V Version: ESD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW75N60M6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 45A Pulsed drain current: 288A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW75NF20 | STMicroelectronics |
STW75NF20 THT N channel transistors |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW77N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 400W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW7N105K5 | STMicroelectronics |
STW7N105K5 THT N channel transistors |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW7NK90Z | STMicroelectronics |
STW7NK90Z THT N channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW88N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 29mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW9N150 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 5A; 320W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 5A Power dissipation: 320W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW9NK90Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 186 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW9NK95Z | STMicroelectronics |
STW9NK95Z THT N channel transistors |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STWD100NYWY3F | STMicroelectronics |
STWD100NYWY3F Watchdog and reset circuits |
на замовлення 12005 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STY60NK30Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 37.5A Power dissipation: 450W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STY60NM50 | STMicroelectronics |
STY60NM50 THT N channel transistors |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
T1210-800G-TR | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 12A Case: D2PAK Gate current: 10mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| T1235-600G-TR | STMicroelectronics |
T1235-600G-TR Triacs |
на замовлення 531 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1235-800G-TR | STMicroelectronics |
T1235-800G-TR Triacs |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
T1235H-6G | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; high temperature Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 12A Case: D2PAK Gate current: 35mA Features of semiconductor devices: high temperature Mounting: SMD Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
T1235H-6G-TR | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; high temperature Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 12A Case: D2PAK Gate current: 35mA Features of semiconductor devices: high temperature Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 787 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
T1235H-6T | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Snubberless™ Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 12A Case: TO220AB Gate current: 35mA Features of semiconductor devices: high temperature Mounting: THT Kind of package: tube Technology: Snubberless™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| T1235H-8I | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 12A; TO220ABIns; Igt: 35mA; Ifsm: 126A Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 12A Case: TO220ABIns Gate current: 35mA Max. forward impulse current: 126A Features of semiconductor devices: high temperature Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
T1235T-8T | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 95A Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 12A Case: TO220AB Gate current: 35mA Max. forward impulse current: 95A Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| T1250-600G-TR | STMicroelectronics |
T1250-600G-TR Triacs |
на замовлення 961 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1635-600G | STMicroelectronics |
T1635-600G Triacs |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1635-800G-TR | STMicroelectronics |
T1635-800G-TR Triacs |
на замовлення 185 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1635H-6T | STMicroelectronics |
T1635H-6T Triacs |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1635T-6I | STMicroelectronics |
T1635T-6I Triacs |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1635T-8I | STMicroelectronics |
T1635T-8I Triacs |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1635T-8T | STMicroelectronics |
T1635T-8T Triacs |
на замовлення 197 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1650-600G-TR | STMicroelectronics |
T1650-600G-TR Triacs |
на замовлення 997 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1650H-6G | STMicroelectronics |
T1650H-6G Triacs |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1650H-6I | STMicroelectronics |
T1650H-6I Triacs |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1650H-6T | STMicroelectronics |
T1650H-6T Triacs |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
T2035H-6G-TR | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 20A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 210A; high temperature Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 20A Case: D2PAK Gate current: 35mA Max. forward impulse current: 210A Features of semiconductor devices: high temperature Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 988 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
T2035H-6I | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 20A; TO220ABIns; Igt: 35mA; Snubberless™ Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 20A Case: TO220ABIns Gate current: 35mA Features of semiconductor devices: high temperature Mounting: THT Kind of package: tube Technology: Snubberless™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
T2035H-6T | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 20A; TO220AB; Igt: 35mA; Snubberless™ Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 20A Case: TO220AB Gate current: 35mA Features of semiconductor devices: high temperature Mounting: THT Kind of package: tube Technology: Snubberless™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
T2035H-8T | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 20A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 210A; high temperature Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 20A Case: TO220AB Gate current: 35mA Max. forward impulse current: 210A Features of semiconductor devices: high temperature Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| T2535-600G-TR | STMicroelectronics |
T2535-600G-TR Triacs |
на замовлення 648 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T2535-800G | STMicroelectronics |
T2535-800G Triacs |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T2550-12I | STMicroelectronics |
T2550-12I Triacs |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T3035H-6I | STMicroelectronics |
T3035H-6I Triacs |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T3035H-8G-TR | STMicroelectronics |
T3035H-8G-TR Triacs |
на замовлення 696 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T3035H-8I | STMicroelectronics |
T3035H-8I Triacs |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T3050H-6T | STMicroelectronics |
T3050H-6T Triacs |
на замовлення 191 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T405-600B | STMicroelectronics |
T405-600B Triacs |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
T405-600B-TR | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 4A; DPAK; Igt: 5mA Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 4A Case: DPAK Gate current: 5mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2358 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| T405-600H | STMicroelectronics |
T405-600H Triacs |
на замовлення 169 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T405-600T | STMicroelectronics |
T405-600T Triacs |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
T410-600B | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 4A; DPAK; Igt: 10mA; logic level Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 4A Case: DPAK Gate current: 10mA Features of semiconductor devices: logic level Mounting: SMD Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
T410-600B-TR | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 4A; DPAK; Igt: 10mA Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 4A Case: DPAK Gate current: 10mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
T410-600T | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10mA; logic level Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 4A Case: TO220AB Gate current: 10mA Features of semiconductor devices: logic level Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 122 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
T410-700T | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 700V; 4A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 31A Mounting: THT Gate current: 10mA Max. load current: 4A Max. off-state voltage: 700V Max. forward impulse current: 31A Type of thyristor: triac Kind of package: tube Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| STW48N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 420.12 грн |
| 3+ | 367.62 грн |
| 5+ | 323.92 грн |
| 10+ | 269.77 грн |
| 30+ | 251.72 грн |
| STW48N60M2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 798.12 грн |
| 10+ | 635.27 грн |
| 30+ | 475.35 грн |
| STW48NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 483.84 грн |
| 25+ | 328.05 грн |
| 30+ | 312.89 грн |
| 240+ | 271.77 грн |
| 510+ | 260.74 грн |
| 600+ | 259.74 грн |
| STW4N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW4N150 THT N channel transistors
STW4N150 THT N channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 639.36 грн |
| 3+ | 460.31 грн |
| 8+ | 435.24 грн |
| STW56N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 813.24 грн |
| 30+ | 673.80 грн |
| STW57N65M5-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1453.68 грн |
| 3+ | 1237.22 грн |
| 10+ | 1077.07 грн |
| 30+ | 996.84 грн |
| STW5NK100Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW5NK100Z THT N channel transistors
STW5NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 448.20 грн |
| 10+ | 129.37 грн |
| 26+ | 122.35 грн |
| STW69N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW69N65M5 THT N channel transistors
STW69N65M5 THT N channel transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 827.28 грн |
| 2+ | 806.30 грн |
| 5+ | 762.17 грн |
| STW70N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 42A
Technology: MDmesh™ DM2
Case: TO247
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 42A
Technology: MDmesh™ DM2
Case: TO247
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 854.28 грн |
| 5+ | 776.91 грн |
| STW70N60DM6-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1183.68 грн |
| 3+ | 1024.77 грн |
| 10+ | 874.49 грн |
| 30+ | 787.24 грн |
| STW75N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 856.44 грн |
| 3+ | 739.41 грн |
| 10+ | 628.79 грн |
| 30+ | 565.61 грн |
| STW75NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW75NF20 THT N channel transistors
STW75NF20 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 429.84 грн |
| 4+ | 303.87 грн |
| 11+ | 286.82 грн |
| STW77N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1178.28 грн |
| 5+ | 1040.39 грн |
| STW7N105K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW7N105K5 THT N channel transistors
STW7N105K5 THT N channel transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 299.16 грн |
| 8+ | 166.47 грн |
| 20+ | 157.45 грн |
| STW7NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW7NK90Z THT N channel transistors
STW7NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.56 грн |
| 13+ | 97.28 грн |
| 34+ | 92.26 грн |
| STW88N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1035.72 грн |
| STW9N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 5A; 320W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 320W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 5A; 320W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 320W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 744.12 грн |
| 3+ | 630.06 грн |
| 5+ | 559.59 грн |
| STW9NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 249.48 грн |
| 30+ | 165.59 грн |
| 1020+ | 146.42 грн |
| STW9NK95Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW9NK95Z THT N channel transistors
STW9NK95Z THT N channel transistors
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 279.72 грн |
| 11+ | 116.33 грн |
| 29+ | 110.31 грн |
| STWD100NYWY3F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWD100NYWY3F Watchdog and reset circuits
STWD100NYWY3F Watchdog and reset circuits
на замовлення 12005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.12 грн |
| 33+ | 36.30 грн |
| 91+ | 34.30 грн |
| STY60NK30Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 37.5A
Power dissipation: 450W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 37.5A
Power dissipation: 450W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1087.56 грн |
| 5+ | 866.47 грн |
| 10+ | 739.11 грн |
| 30+ | 618.76 грн |
| 60+ | 571.63 грн |
| 510+ | 514.47 грн |
| STY60NM50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STY60NM50 THT N channel transistors
STY60NM50 THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1882.44 грн |
| 2+ | 1060.02 грн |
| 4+ | 1001.85 грн |
| T1210-800G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.76 грн |
| 10+ | 97.48 грн |
| 100+ | 64.48 грн |
| 250+ | 56.46 грн |
| 500+ | 53.15 грн |
| T1235-600G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1235-600G-TR Triacs
T1235-600G-TR Triacs
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.23 грн |
| 23+ | 53.75 грн |
| 61+ | 50.84 грн |
| T1235-800G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1235-800G-TR Triacs
T1235-800G-TR Triacs
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.44 грн |
| 21+ | 59.27 грн |
| 56+ | 56.06 грн |
| T1235H-6G |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; high temperature
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; high temperature
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.64 грн |
| 10+ | 82.27 грн |
| T1235H-6G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; high temperature
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; high temperature
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.96 грн |
| 10+ | 97.89 грн |
| 100+ | 77.22 грн |
| T1235H-6T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Snubberless™
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Snubberless™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Snubberless™
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Snubberless™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.12 грн |
| 5+ | 122.89 грн |
| 10+ | 97.28 грн |
| 25+ | 80.23 грн |
| T1235H-8I |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220ABIns; Igt: 35mA; Ifsm: 126A
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220ABIns
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 126A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220ABIns; Igt: 35mA; Ifsm: 126A
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220ABIns
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 126A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 159.84 грн |
| 10+ | 106.85 грн |
| 25+ | 83.94 грн |
| 50+ | 72.21 грн |
| 100+ | 63.18 грн |
| 500+ | 49.64 грн |
| 1000+ | 46.33 грн |
| T1235T-8T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 95A
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 95A
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 95A
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 95A
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.84 грн |
| 50+ | 49.36 грн |
| 100+ | 45.03 грн |
| 200+ | 43.42 грн |
| 250+ | 42.52 грн |
| 500+ | 40.42 грн |
| 1000+ | 38.51 грн |
| T1250-600G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1250-600G-TR Triacs
T1250-600G-TR Triacs
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.47 грн |
| 21+ | 57.86 грн |
| 57+ | 54.76 грн |
| T1635-600G | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1635-600G Triacs
T1635-600G Triacs
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.56 грн |
| 32+ | 37.31 грн |
| 88+ | 35.30 грн |
| T1635-800G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1635-800G-TR Triacs
T1635-800G-TR Triacs
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.39 грн |
| 28+ | 43.12 грн |
| 76+ | 40.82 грн |
| T1635H-6T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1635H-6T Triacs
T1635H-6T Triacs
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.12 грн |
| 14+ | 91.26 грн |
| 37+ | 86.25 грн |
| T1635T-6I |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1635T-6I Triacs
T1635T-6I Triacs
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.76 грн |
| 18+ | 66.19 грн |
| 50+ | 63.18 грн |
| T1635T-8I |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1635T-8I Triacs
T1635T-8I Triacs
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.64 грн |
| 18+ | 67.19 грн |
| 49+ | 64.18 грн |
| T1635T-8T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1635T-8T Triacs
T1635T-8T Triacs
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.19 грн |
| 33+ | 36.91 грн |
| 89+ | 34.90 грн |
| T1650-600G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1650-600G-TR Triacs
T1650-600G-TR Triacs
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.90 грн |
| 33+ | 37.01 грн |
| 89+ | 35.00 грн |
| T1650H-6G |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1650H-6G Triacs
T1650H-6G Triacs
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.68 грн |
| 14+ | 86.25 грн |
| 38+ | 82.23 грн |
| T1650H-6I |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1650H-6I Triacs
T1650H-6I Triacs
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.20 грн |
| 15+ | 84.24 грн |
| 40+ | 79.23 грн |
| T1650H-6T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1650H-6T Triacs
T1650H-6T Triacs
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.52 грн |
| 14+ | 86.25 грн |
| 38+ | 82.23 грн |
| T2035H-6G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 20A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 210A; high temperature
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 20A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 210A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 20A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 210A; high temperature
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 20A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 210A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.88 грн |
| 10+ | 83.31 грн |
| 100+ | 77.22 грн |
| 250+ | 69.20 грн |
| 500+ | 64.18 грн |
| T2035H-6I |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 20A; TO220ABIns; Igt: 35mA; Snubberless™
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 20A
Case: TO220ABIns
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Snubberless™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 20A; TO220ABIns; Igt: 35mA; Snubberless™
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 20A
Case: TO220ABIns
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Snubberless™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.60 грн |
| 10+ | 117.68 грн |
| 25+ | 94.27 грн |
| 50+ | 93.27 грн |
| T2035H-6T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 20A; TO220AB; Igt: 35mA; Snubberless™
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 20A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Snubberless™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 20A; TO220AB; Igt: 35mA; Snubberless™
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 20A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Snubberless™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.64 грн |
| 10+ | 105.18 грн |
| 25+ | 89.25 грн |
| 50+ | 84.24 грн |
| T2035H-8T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 210A; high temperature
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 210A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 210A; high temperature
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 210A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.72 грн |
| 10+ | 90.60 грн |
| 25+ | 76.22 грн |
| 50+ | 70.20 грн |
| T2535-600G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T2535-600G-TR Triacs
T2535-600G-TR Triacs
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.76 грн |
| 9+ | 139.40 грн |
| 24+ | 131.37 грн |
| T2535-800G |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T2535-800G Triacs
T2535-800G Triacs
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.52 грн |
| 8+ | 158.45 грн |
| 21+ | 149.43 грн |
| T2550-12I |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T2550-12I Triacs
T2550-12I Triacs
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 437.40 грн |
| 5+ | 249.71 грн |
| 14+ | 235.67 грн |
| T3035H-6I |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T3035H-6I Triacs
T3035H-6I Triacs
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.32 грн |
| 7+ | 188.54 грн |
| 18+ | 178.51 грн |
| T3035H-8G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T3035H-8G-TR Triacs
T3035H-8G-TR Triacs
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.80 грн |
| 11+ | 117.33 грн |
| 29+ | 110.31 грн |
| T3035H-8I |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T3035H-8I Triacs
T3035H-8I Triacs
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 232.20 грн |
| 10+ | 128.37 грн |
| 26+ | 121.35 грн |
| T3050H-6T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T3050H-6T Triacs
T3050H-6T Triacs
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.16 грн |
| 10+ | 128.37 грн |
| 26+ | 121.35 грн |
| T405-600B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T405-600B Triacs
T405-600B Triacs
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.44 грн |
| 34+ | 35.80 грн |
| 92+ | 33.90 грн |
| T405-600B-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; DPAK; Igt: 5mA
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: DPAK
Gate current: 5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; DPAK; Igt: 5mA
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: DPAK
Gate current: 5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.64 грн |
| 10+ | 52.38 грн |
| 20+ | 46.03 грн |
| 50+ | 39.51 грн |
| 100+ | 34.80 грн |
| 500+ | 28.88 грн |
| T405-600H |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T405-600H Triacs
T405-600H Triacs
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.70 грн |
| 42+ | 28.98 грн |
| 113+ | 27.38 грн |
| T405-600T | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T405-600T Triacs
T405-600T Triacs
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.00 грн |
| 24+ | 49.64 грн |
| 66+ | 46.93 грн |
| T410-600B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; DPAK; Igt: 10mA; logic level
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: DPAK
Gate current: 10mA
Features of semiconductor devices: logic level
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; DPAK; Igt: 10mA; logic level
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: DPAK
Gate current: 10mA
Features of semiconductor devices: logic level
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.04 грн |
| 9+ | 35.62 грн |
| 10+ | 32.59 грн |
| 25+ | 30.69 грн |
| 75+ | 30.29 грн |
| T410-600B-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; DPAK; Igt: 10mA
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: DPAK
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; DPAK; Igt: 10mA
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: DPAK
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.86 грн |
| 10+ | 63.18 грн |
| 25+ | 54.15 грн |
| 100+ | 45.53 грн |
| 250+ | 41.02 грн |
| 500+ | 37.91 грн |
| T410-600T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10mA; logic level
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Features of semiconductor devices: logic level
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10mA; logic level
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Features of semiconductor devices: logic level
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.80 грн |
| 5+ | 68.53 грн |
| 10+ | 56.46 грн |
| 25+ | 46.33 грн |
| 50+ | 40.92 грн |
| 100+ | 37.11 грн |
| 250+ | 33.90 грн |
| T410-700T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 700V; 4A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 31A
Mounting: THT
Gate current: 10mA
Max. load current: 4A
Max. off-state voltage: 700V
Max. forward impulse current: 31A
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 700V; 4A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 31A
Mounting: THT
Gate current: 10mA
Max. load current: 4A
Max. off-state voltage: 700V
Max. forward impulse current: 31A
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.60 грн |
| 10+ | 82.90 грн |
| 25+ | 67.09 грн |
| 50+ | 59.07 грн |
| 100+ | 53.05 грн |














