Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (161816) > Сторінка 1154 з 2697
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STW15N80K5 | STMicroelectronics |
STW15N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW15NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.8A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 318 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW15NK90Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9.5A Power dissipation: 350W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW18N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Power dissipation: 90W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW18NM60N | STMicroelectronics |
STW18NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 56 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW20N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 13A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW20N95K5 | STMicroelectronics |
STW20N95K5 THT N channel transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW20NK50Z | STMicroelectronics |
STW20NK50Z THT N channel transistors |
на замовлення 133 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW20NM50FD | STMicroelectronics |
STW20NM50FD THT N channel transistors |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW20NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 192W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 172 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW20NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW21N150K5 | STMicroelectronics |
STW21N150K5 THT N channel transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW21N90K5 | STMicroelectronics |
STW21N90K5 THT N channel transistors |
на замовлення 112 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 168mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW26NM50 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18.9A Power dissipation: 313W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW28N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 170W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW28N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 170W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW28NM50N | STMicroelectronics |
STW28NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW30N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW30N80K5 | STMicroelectronics |
STW30N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 37 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW31N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.9A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 148mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW33N60DM2 | STMicroelectronics |
STW33N60DM2 THT N channel transistors |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW34NM60N | STMicroelectronics |
STW34NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 312 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW34NM60ND | STMicroelectronics |
STW34NM60ND THT N channel transistors |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW3N150 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW40N90K5 | STMicroelectronics |
STW40N90K5 THT N channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW45N60DM2AG | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW45NM60 | STMicroelectronics |
STW45NM60 THT N channel transistors |
на замовлення 53 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW48N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW48N60M2-4 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW48NM60N | STMicroelectronics |
STW48NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW4N150 | STMicroelectronics |
STW4N150 THT N channel transistors |
на замовлення 36 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW56N65DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 360W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW56N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 31A Pulsed drain current: 196A Power dissipation: 358W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 93nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STW57N65M5-4 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW5NK100Z | STMicroelectronics |
STW5NK100Z THT N channel transistors |
на замовлення 279 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW69N65M5 | STMicroelectronics |
STW69N65M5 THT N channel transistors |
на замовлення 54 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW70N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ DM2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW70N60DM6-4 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A Power dissipation: 390W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 220A Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW70N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ || Plus Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW75N60M6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 45A Pulsed drain current: 288A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW75NF20 | STMicroelectronics |
STW75NF20 THT N channel transistors |
на замовлення 42 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW77N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 400W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW7N105K5 | STMicroelectronics |
STW7N105K5 THT N channel transistors |
на замовлення 58 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW7NK90Z | STMicroelectronics |
STW7NK90Z THT N channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW88N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 29mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW9N150 | STMicroelectronics |
STW9N150 THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW9NK90Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 151 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW9NK95Z | STMicroelectronics |
STW9NK95Z THT N channel transistors |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STWD100NYWY3F | STMicroelectronics |
Category: Watchdog and reset circuitsDescription: IC: peripheral circuit; timer; open drain; 2.7÷5.5VDC; SOT23-5 Type of integrated circuit: peripheral circuit Kind of integrated circuit: timer Supply voltage: 2.7...5.5V DC Case: SOT23-5 DC supply current: 13µA Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Active logical level: low Kind of RESET output: open drain Integrated circuit features: watchdog кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11655 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STY60NK30Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 37.5A Power dissipation: 450W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STY60NM50 | STMicroelectronics |
STY60NM50 THT N channel transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1205-600G-TR | STMicroelectronics |
T1205-600G-TR Triacs |
на замовлення 789 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
T1210-800G-TR | STMicroelectronics |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 12A Case: D2PAK Gate current: 10mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| T1235-600G | STMicroelectronics |
T1235-600G Triacs |
на замовлення 136 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1235-600G-TR | STMicroelectronics |
T1235-600G-TR Triacs |
на замовлення 477 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1235-800G-TR | STMicroelectronics |
T1235-800G-TR Triacs |
на замовлення 1011 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1235H-6G | STMicroelectronics |
T1235H-6G Triacs |
на замовлення 54 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| T1235H-6G-TR | STMicroelectronics |
T1235H-6G-TR Triacs |
на замовлення 776 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| STW15N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW15N80K5 THT N channel transistors
STW15N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 448.26 грн |
| 4+ | 312.18 грн |
| 11+ | 294.34 грн |
| STW15NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 426.92 грн |
| 10+ | 192.46 грн |
| 30+ | 147.67 грн |
| 60+ | 137.76 грн |
| 120+ | 132.80 грн |
| STW15NK90Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 693.74 грн |
| 2+ | 640.15 грн |
| 10+ | 431.11 грн |
| 30+ | 290.38 грн |
| 120+ | 275.51 грн |
| STW18N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 280.70 грн |
| 10+ | 150.26 грн |
| 30+ | 142.71 грн |
| STW18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW18NM60N THT N channel transistors
STW18NM60N THT N channel transistors
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 295.64 грн |
| 10+ | 118.93 грн |
| 28+ | 112.98 грн |
| STW20N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 581.68 грн |
| 5+ | 427.11 грн |
| 10+ | 376.60 грн |
| STW20N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW20N95K5 THT N channel transistors
STW20N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 640.38 грн |
| 3+ | 422.19 грн |
| 8+ | 398.41 грн |
| STW20NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW20NK50Z THT N channel transistors
STW20NK50Z THT N channel transistors
на замовлення 133 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 346.87 грн |
| 9+ | 133.79 грн |
| 25+ | 126.86 грн |
| STW20NM50FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW20NM50FD THT N channel transistors
STW20NM50FD THT N channel transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 609.42 грн |
| 6+ | 215.06 грн |
| 16+ | 203.17 грн |
| STW20NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 529.38 грн |
| 30+ | 220.24 грн |
| STW20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 575.27 грн |
| 10+ | 301.55 грн |
| 30+ | 270.56 грн |
| 90+ | 250.74 грн |
| 120+ | 245.78 грн |
| 510+ | 221.01 грн |
| 990+ | 209.11 грн |
| STW21N150K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW21N150K5 THT N channel transistors
STW21N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1159.08 грн |
| 2+ | 1109.99 грн |
| 3+ | 1049.53 грн |
| 5+ | 1047.70 грн |
| STW21N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW21N90K5 THT N channel transistors
STW21N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 740.70 грн |
| 3+ | 479.67 грн |
| 7+ | 452.91 грн |
| STW24N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 261.49 грн |
| 5+ | 207.89 грн |
| 10+ | 139.74 грн |
| 30+ | 133.79 грн |
| STW26NM50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 938.15 грн |
| 30+ | 531.06 грн |
| 510+ | 462.82 грн |
| STW26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 556.06 грн |
| 10+ | 328.31 грн |
| 30+ | 280.47 грн |
| 60+ | 265.60 грн |
| 90+ | 257.68 грн |
| 120+ | 253.71 грн |
| 510+ | 235.87 грн |
| STW28N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 244.94 грн |
| 10+ | 193.26 грн |
| STW28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 363.95 грн |
| 3+ | 322.13 грн |
| 10+ | 242.81 грн |
| 30+ | 226.95 грн |
| STW28NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW28NM50N THT N channel transistors
STW28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 762.05 грн |
| 7+ | 191.27 грн |
| 17+ | 181.36 грн |
| STW30N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 481.35 грн |
| 5+ | 373.59 грн |
| 10+ | 316.15 грн |
| 30+ | 303.26 грн |
| STW30N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW30N80K5 THT N channel transistors
STW30N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 754.58 грн |
| 3+ | 566.89 грн |
| 6+ | 536.16 грн |
| STW31N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 328.73 грн |
| 3+ | 278.91 грн |
| 10+ | 217.04 грн |
| STW33N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW33N60DM2 THT N channel transistors
STW33N60DM2 THT N channel transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 519.77 грн |
| 4+ | 325.07 грн |
| 10+ | 307.23 грн |
| STW34NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW34NM60N THT N channel transistors
STW34NM60N THT N channel transistors
на замовлення 312 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 624.37 грн |
| 4+ | 317.14 грн |
| 11+ | 299.30 грн |
| STW34NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW34NM60ND THT N channel transistors
STW34NM60ND THT N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 720.42 грн |
| 4+ | 337.95 грн |
| 10+ | 319.12 грн |
| STW3N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 402.37 грн |
| 5+ | 298.46 грн |
| 10+ | 272.54 грн |
| STW40N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW40N90K5 THT N channel transistors
STW40N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1204.14 грн |
| 3+ | 1138.73 грн |
| STW45N60DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 529.38 грн |
| 10+ | 414.76 грн |
| STW45NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW45NM60 THT N channel transistors
STW45NM60 THT N channel transistors
на замовлення 53 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 829.29 грн |
| 3+ | 489.58 грн |
| 7+ | 462.82 грн |
| STW48N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 415.18 грн |
| 3+ | 363.30 грн |
| 5+ | 320.11 грн |
| 10+ | 266.59 грн |
| 30+ | 248.76 грн |
| STW48N60M2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 788.73 грн |
| 10+ | 627.80 грн |
| 30+ | 471.74 грн |
| STW48NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW48NM60N THT N channel transistors
STW48NM60N THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 537.92 грн |
| 5+ | 281.46 грн |
| 12+ | 266.59 грн |
| STW4N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW4N150 THT N channel transistors
STW4N150 THT N channel transistors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 471.74 грн |
| 3+ | 454.90 грн |
| 5+ | 430.20 грн |
| 8+ | 429.13 грн |
| STW56N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 803.67 грн |
| 30+ | 666.91 грн |
| STW56N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 358W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 358W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STW57N65M5-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1436.58 грн |
| 3+ | 1222.66 грн |
| 10+ | 1064.40 грн |
| 30+ | 985.11 грн |
| STW5NK100Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW5NK100Z THT N channel transistors
STW5NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 473.88 грн |
| 10+ | 127.85 грн |
| 26+ | 120.91 грн |
| STW69N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW69N65M5 THT N channel transistors
STW69N65M5 THT N channel transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 925.34 грн |
| 2+ | 795.82 грн |
| 5+ | 752.21 грн |
| STW70N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 833.56 грн |
| 5+ | 767.77 грн |
| STW70N60DM6-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1287.16 грн |
| 3+ | 1113.57 грн |
| 10+ | 950.43 грн |
| 30+ | 855.28 грн |
| STW70N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 687.34 грн |
| 3+ | 610.30 грн |
| 5+ | 536.16 грн |
| 10+ | 477.69 грн |
| STW75N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 846.36 грн |
| 3+ | 730.72 грн |
| 10+ | 621.39 грн |
| 30+ | 558.96 грн |
| STW75NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW75NF20 THT N channel transistors
STW75NF20 THT N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 410.91 грн |
| 4+ | 299.30 грн |
| 11+ | 282.45 грн |
| STW77N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1139.87 грн |
| 30+ | 1025.06 грн |
| STW7N105K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW7N105K5 THT N channel transistors
STW7N105K5 THT N channel transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 340.47 грн |
| 8+ | 163.52 грн |
| 20+ | 154.61 грн |
| STW7NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW7NK90Z THT N channel transistors
STW7NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 250.81 грн |
| 13+ | 96.13 грн |
| 34+ | 90.19 грн |
| STW88N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1023.54 грн |
| STW9N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW9N150 THT N channel transistors
STW9N150 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 815.41 грн |
| 2+ | 606.53 грн |
| 6+ | 573.82 грн |
| STW9NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 246.54 грн |
| 30+ | 163.64 грн |
| 1020+ | 144.69 грн |
| STW9NK95Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW9NK95Z THT N channel transistors
STW9NK95Z THT N channel transistors
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 308.45 грн |
| 11+ | 114.96 грн |
| 29+ | 108.03 грн |
| STWD100NYWY3F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: peripheral circuit; timer; open drain; 2.7÷5.5VDC; SOT23-5
Type of integrated circuit: peripheral circuit
Kind of integrated circuit: timer
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Case: SOT23-5
DC supply current: 13µA
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Active logical level: low
Kind of RESET output: open drain
Integrated circuit features: watchdog
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: peripheral circuit; timer; open drain; 2.7÷5.5VDC; SOT23-5
Type of integrated circuit: peripheral circuit
Kind of integrated circuit: timer
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Case: SOT23-5
DC supply current: 13µA
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Active logical level: low
Kind of RESET output: open drain
Integrated circuit features: watchdog
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11655 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.25 грн |
| 10+ | 50.64 грн |
| 25+ | 42.71 грн |
| 100+ | 41.82 грн |
| 250+ | 39.64 грн |
| 500+ | 37.46 грн |
| 1000+ | 36.57 грн |
| STY60NK30Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 37.5A
Power dissipation: 450W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 37.5A
Power dissipation: 450W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1074.77 грн |
| 5+ | 856.27 грн |
| 10+ | 730.41 грн |
| 30+ | 611.48 грн |
| 60+ | 564.90 грн |
| 510+ | 508.41 грн |
| STY60NM50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STY60NM50 THT N channel transistors
STY60NM50 THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1900.85 грн |
| 2+ | 1044.58 грн |
| 4+ | 988.09 грн |
| T1205-600G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1205-600G-TR Triacs
T1205-600G-TR Triacs
на замовлення 789 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.86 грн |
| 32+ | 37.26 грн |
| 87+ | 35.28 грн |
| T1210-800G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.89 грн |
| 10+ | 96.33 грн |
| 100+ | 63.73 грн |
| 250+ | 55.80 грн |
| 500+ | 52.53 грн |
| T1235-600G |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1235-600G Triacs
T1235-600G Triacs
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.54 грн |
| 21+ | 56.59 грн |
| 58+ | 53.52 грн |
| T1235-600G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1235-600G-TR Triacs
T1235-600G-TR Triacs
на замовлення 477 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.87 грн |
| 23+ | 53.12 грн |
| 61+ | 50.15 грн |
| T1235-800G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1235-800G-TR Triacs
T1235-800G-TR Triacs
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.60 грн |
| 31+ | 38.75 грн |
| 84+ | 36.67 грн |
| T1235H-6G |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1235H-6G Triacs
T1235H-6G Triacs
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.82 грн |
| 10+ | 113.21 грн |
| 14+ | 87.21 грн |
| 38+ | 82.26 грн |
| T1235H-6G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
T1235H-6G-TR Triacs
T1235H-6G-TR Triacs
на замовлення 776 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.54 грн |
| 14+ | 84.24 грн |
| 39+ | 79.28 грн |
| 1000+ | 79.25 грн |











