Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170169) > Сторінка 1154 з 2837
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STD2N80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD2N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD2NK100Z | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STD2NK90ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 70W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.3A On-state resistance: 6.5Ω Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2065 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD35NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STD35NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24.5A; 80W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24.5A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STD35P6LLF6 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3388 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD3LN80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD3N62K3 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2462 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD3N95K5AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD3NK100Z | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD3NK50ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.45A; 45W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.45A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD3NK60Z-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 9.6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STD3NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 9.6A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD3NK80Z-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 835 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD3NK80ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD3NK90ZT4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 12W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 900V Drain current: 3A On-state resistance: 4.8Ω Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6556 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD45NF75T4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD46P4LLF6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32.5A; 70W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 70W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -32.5A On-state resistance: 20mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4244 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD4N52K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD4N62K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD4N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.7A; Idm: 12A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.7A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD4N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; Idm: 12A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3A Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Gate charge: 5.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD4NK100Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; Idm: 8.8A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 8.8A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD4NK50Z-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; IPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.9A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD4NK60Z-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: IPAK On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 26nC Pulsed drain current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD4NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1459 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD4NK80ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK; ESD Power dissipation: 80W Kind of package: reel; tape Case: DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2477 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD5N52K3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 2.77A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD5N52U | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 17.6A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD5N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD5N62K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD5N80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD5N95K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD5N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD5NK40Z-1 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD5NK40ZT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD5NK50ZT4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.7A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STD5NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.16A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD5NM60-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD60NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD60NF55LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD65N55F3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD6N52K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD6N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD6N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 2.8A; 85W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.8A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD6N95K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 9A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STD6NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD7N52DK3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 4A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD7N52K3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 3.8A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 3.8A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD7N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD7N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SuperMesh™ Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STD7N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 7A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 28A Gate charge: 12nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD7NK40ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD7NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD7NM80 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.5A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.5A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STD80N10F7 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 85W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD86N3LH5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STD2N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2N80K5 SMD N channel transistors
STD2N80K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD2N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2N95K5 SMD N channel transistors
STD2N95K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD2NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2NK100Z SMD N channel transistors
STD2NK100Z SMD N channel transistors
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 77.46 грн |
30+ | 35.87 грн |
83+ | 33.85 грн |
STD2NK90ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 6.5Ω
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 6.5Ω
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 163.01 грн |
10+ | 108.79 грн |
26+ | 42.20 грн |
71+ | 39.91 грн |
STD30NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 123.49 грн |
10+ | 100.03 грн |
14+ | 77.98 грн |
38+ | 74.31 грн |
250+ | 72.47 грн |
STD35NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 112.63 грн |
15+ | 75.23 грн |
40+ | 71.56 грн |
STD35NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24.5A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24.5A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24.5A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24.5A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD35P6LLF6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD35P6LLF6 SMD P channel transistors
STD35P6LLF6 SMD P channel transistors
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 119.54 грн |
15+ | 74.31 грн |
40+ | 69.72 грн |
STD3LN80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD3LN80K5 SMD N channel transistors
STD3LN80K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD3N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD3N62K3 SMD N channel transistors
STD3N62K3 SMD N channel transistors
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.14 грн |
42+ | 25.69 грн |
116+ | 24.22 грн |
STD3N95K5AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD3N95K5AG SMD N channel transistors
STD3N95K5AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD3NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD3NK100Z SMD N channel transistors
STD3NK100Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD3NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.45A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.45A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.45A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.45A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD3NK60Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD3NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD3NK80Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 166.96 грн |
10+ | 46.78 грн |
33+ | 32.84 грн |
90+ | 31.01 грн |
STD3NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 159.06 грн |
10+ | 114.61 грн |
27+ | 40.73 грн |
73+ | 38.44 грн |
STD3NK90ZT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 12W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
On-state resistance: 4.8Ω
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 12W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
On-state resistance: 4.8Ω
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6556 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 206.48 грн |
10+ | 130.52 грн |
30+ | 37.61 грн |
81+ | 34.86 грн |
STD45NF75T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD45NF75T4 SMD N channel transistors
STD45NF75T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD46P4LLF6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32.5A; 70W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32.5A
On-state resistance: 20mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32.5A; 70W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32.5A
On-state resistance: 20mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 107.65 грн |
10+ | 91.74 грн |
17+ | 66.05 грн |
45+ | 62.38 грн |
500+ | 61.46 грн |
1000+ | 60.55 грн |
STD4N52K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD4N52K3 SMD N channel transistors
STD4N52K3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD4N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD4N62K3 SMD N channel transistors
STD4N62K3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD4N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.7A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.7A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD4N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; Idm: 12A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 5.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; Idm: 12A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 5.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD4NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; Idm: 8.8A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8.8A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; Idm: 8.8A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8.8A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD4NK50Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD4NK60Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 77.06 грн |
10+ | 39.73 грн |
43+ | 25.23 грн |
117+ | 23.85 грн |
1500+ | 22.93 грн |
STD4NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.05 грн |
10+ | 50.87 грн |
32+ | 34.04 грн |
87+ | 32.20 грн |
STD4NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK; ESD
Power dissipation: 80W
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK; ESD
Power dissipation: 80W
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 157.08 грн |
10+ | 100.98 грн |
25+ | 44.03 грн |
69+ | 41.28 грн |
STD5N52K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2.77A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2.77A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.71 грн |
10+ | 64.88 грн |
35+ | 31.19 грн |
96+ | 29.45 грн |
5000+ | 28.35 грн |
STD5N52U |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 94.84 грн |
10+ | 77.17 грн |
19+ | 56.88 грн |
52+ | 54.13 грн |
2500+ | 51.37 грн |
STD5N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5N62K3 SMD N channel transistors
STD5N62K3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5N80K5 SMD N channel transistors
STD5N80K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5N95K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5N95K3 SMD N channel transistors
STD5N95K3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5N95K5 SMD N channel transistors
STD5N95K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5NK40Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5NK40ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5NK40ZT4 SMD N channel transistors
STD5NK40ZT4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5NK50ZT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD5NM60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 143.25 грн |
10+ | 83.84 грн |
18+ | 63.30 грн |
47+ | 59.63 грн |
STD5NM60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD60NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD60NF55LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 160.05 грн |
10+ | 107.65 грн |
21+ | 53.21 грн |
56+ | 50.27 грн |
2500+ | 48.35 грн |
STD65N55F3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD65N55F3 SMD N channel transistors
STD65N55F3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD6N52K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD6N52K3 SMD N channel transistors
STD6N52K3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD6N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 2.8A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 2.8A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD6N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 9A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 9A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD6NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD6NF10T4 SMD N channel transistors
STD6NF10T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7N52DK3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.34 грн |
25+ | 20.46 грн |
STD7N52K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 3.8A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 3.8A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7NK40ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD7NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.5A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.5A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD80N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD86N3LH5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD86N3LH5 SMD N channel transistors
STD86N3LH5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.