Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170090) > Сторінка 1155 з 2835
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STF12N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 16.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STF12N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 8.5A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 34A Gate charge: 20nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF13N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF13N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 281 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF13N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 35W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMESH5™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF13NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF13NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 27nC Pulsed drain current: 44A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STF140N6F7 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STF14NM50N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF15N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 6.9A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 25W Version: ESD Gate-source voltage: ±25V Drain current: 6.9A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STF15N80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STF15N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STF15NM65N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 33.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STF16N50M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STF16N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STF16N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STF16N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 19.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF16N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 90W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF16N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 29.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF18N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 38A Gate charge: 16.8nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF18NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 117 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF19NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MESH OVERLAY™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.45A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STF19NM50N | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF20N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF20NF20 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF21N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STF22N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 43A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 20.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF22N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF22NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 176 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF23N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF23NM50N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STF24N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: FDmesh™ II Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF24N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF24N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.7A Pulsed drain current: 52.5A Case: TO220FP On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M6 кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STF24N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF24NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 316 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF25N60M2-EP | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 188mΩ Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 169 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF25N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; Idm: 78A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 12.3A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 78A Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF26N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STF26NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 172 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF28N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 35nC Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF28NM50N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W Drain-source voltage: 550V Drain current: 13A On-state resistance: 158mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 50nC Technology: MDmesh™ || Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 84A Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF33N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 128mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STF33N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Pulsed drain current: 78A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 33.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STF33N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STF34NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 116A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF35N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 40W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STF35N65DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 40W Gate charge: 56.3nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 90A Drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF36N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 102A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STF38N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF3LN80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STF3N62K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF3N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 10A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Gate charge: 9.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF3NK100Z | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STF3NK80Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF40N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF40N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 56.5nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 32A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Pulsed drain current: 128A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STF40NF20 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STF42N60M2-EP | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF43N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STF12N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF12N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 34A
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 34A
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 196.60 грн |
5+ | 171.48 грн |
9+ | 129.35 грн |
23+ | 122.01 грн |
STF13N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 232.17 грн |
10+ | 115.27 грн |
12+ | 97.24 грн |
31+ | 91.74 грн |
250+ | 88.07 грн |
STF13N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 187.71 грн |
10+ | 89.55 грн |
14+ | 82.56 грн |
36+ | 77.98 грн |
50+ | 76.14 грн |
100+ | 74.31 грн |
STF13N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 289.47 грн |
6+ | 216.26 грн |
15+ | 197.24 грн |
100+ | 188.98 грн |
STF13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 194.63 грн |
11+ | 101.94 грн |
31+ | 92.66 грн |
STF13NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 346.77 грн |
10+ | 268.65 грн |
11+ | 98.16 грн |
31+ | 92.66 грн |
STF140N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF140N6F7 THT N channel transistors
STF140N6F7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF14NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 143.25 грн |
12+ | 100.03 грн |
32+ | 90.82 грн |
STF15N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 6.9A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 25W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 6.9A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 6.9A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 25W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 6.9A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF15N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF15N80K5 THT N channel transistors
STF15N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 395.18 грн |
5+ | 241.27 грн |
13+ | 228.43 грн |
STF15N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF15N95K5 THT N channel transistors
STF15N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 405.06 грн |
5+ | 233.02 грн |
13+ | 220.17 грн |
STF15NM65N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 369.50 грн |
10+ | 291.52 грн |
12+ | 95.41 грн |
32+ | 89.90 грн |
STF16N50M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF16N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF16N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF16N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 182.77 грн |
10+ | 111.46 грн |
28+ | 101.83 грн |
500+ | 98.16 грн |
1000+ | 97.24 грн |
STF16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 271.69 грн |
3+ | 236.26 грн |
7+ | 174.30 грн |
17+ | 164.21 грн |
STF16N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 506.82 грн |
3+ | 393.45 грн |
8+ | 357.78 грн |
100+ | 344.02 грн |
STF18N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 38A
Gate charge: 16.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 38A
Gate charge: 16.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 215.37 грн |
10+ | 159.10 грн |
11+ | 100.91 грн |
30+ | 95.41 грн |
500+ | 92.66 грн |
STF18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 293.42 грн |
10+ | 112.42 грн |
28+ | 102.75 грн |
100+ | 99.08 грн |
STF19NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 155.11 грн |
16+ | 70.50 грн |
44+ | 64.22 грн |
500+ | 63.30 грн |
1000+ | 62.38 грн |
STF19NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF19NM50N THT N channel transistors
STF19NM50N THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF20N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF20N95K5 THT N channel transistors
STF20N95K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF20NF20 THT N channel transistors
STF20NF20 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF21N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF21N65M5 THT N channel transistors
STF21N65M5 THT N channel transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 408.03 грн |
5+ | 266.96 грн |
12+ | 252.28 грн |
STF22N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.96 грн |
3+ | 222.92 грн |
8+ | 147.70 грн |
20+ | 139.44 грн |
STF22N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 215.37 грн |
3+ | 201.97 грн |
6+ | 179.81 грн |
17+ | 169.72 грн |
50+ | 166.05 грн |
100+ | 163.29 грн |
STF22NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 232.17 грн |
9+ | 128.61 грн |
24+ | 116.51 грн |
STF23N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 450.51 грн |
4+ | 282.94 грн |
11+ | 257.79 грн |
500+ | 251.36 грн |
1000+ | 247.69 грн |
STF23NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF24N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™ II Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™ II Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 236.12 грн |
3+ | 205.78 грн |
8+ | 152.29 грн |
20+ | 144.03 грн |
STF24N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 238.10 грн |
3+ | 207.68 грн |
8+ | 152.29 грн |
20+ | 144.03 грн |
STF24N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF24N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 244.02 грн |
8+ | 153.38 грн |
20+ | 139.44 грн |
500+ | 136.69 грн |
1000+ | 133.94 грн |
STF24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 279.59 грн |
8+ | 142.90 грн |
22+ | 130.27 грн |
500+ | 124.76 грн |
STF25N60M2-EP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 217.35 грн |
3+ | 206.73 грн |
8+ | 146.78 грн |
21+ | 138.53 грн |
100+ | 135.77 грн |
250+ | 133.02 грн |
STF25N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 78A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 78A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 534.48 грн |
3+ | 463.00 грн |
4+ | 343.10 грн |
9+ | 324.75 грн |
STF26N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 646.12 грн |
7+ | 181.01 грн |
17+ | 164.21 грн |
STF28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 290.46 грн |
6+ | 189.58 грн |
17+ | 172.47 грн |
500+ | 166.96 грн |
1000+ | 166.05 грн |
STF28NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 13A
On-state resistance: 158mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Technology: MDmesh™ ||
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 84A
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 13A
On-state resistance: 158mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Technology: MDmesh™ ||
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 84A
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 352.70 грн |
7+ | 184.82 грн |
17+ | 167.88 грн |
STF33N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF33N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF33N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF33N65M2 THT N channel transistors
STF33N65M2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF34NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 480.15 грн |
3+ | 417.27 грн |
4+ | 323.84 грн |
10+ | 306.41 грн |
STF35N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 40W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 40W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF35N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 572.03 грн |
3+ | 380.12 грн |
9+ | 345.85 грн |
STF36N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF38N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF3LN80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF3LN80K5 THT N channel transistors
STF3LN80K5 THT N channel transistors
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 132.39 грн |
17+ | 66.05 грн |
45+ | 62.38 грн |
STF3N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF3N62K3 THT N channel transistors
STF3N62K3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF3N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 10A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 10A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF3NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF3NK100Z THT N channel transistors
STF3NK100Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF3NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 229.21 грн |
25+ | 44.78 грн |
68+ | 41.28 грн |
STF40N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 564.12 грн |
3+ | 374.40 грн |
9+ | 341.27 грн |
STF40N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF40NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF40NF20 THT N channel transistors
STF40NF20 THT N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 259.83 грн |
7+ | 160.54 грн |
19+ | 152.29 грн |
STF42N60M2-EP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF42N60M2-EP THT N channel transistors
STF42N60M2-EP THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF43N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.