Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170149) > Сторінка 1152 з 2836
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST890BDR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
ST901T | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 374 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STA120DJ | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STA540 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB100N10F7 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB100NF04T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 969 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STB10NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 36A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB11N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A On-state resistance: 0.48Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Technology: MDmesh™ M5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 36A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 878 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB11NK40ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK; ESD On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.67A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 452 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.3A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STB11NM80T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 44A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB120N4F6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB120NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB13N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 993 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB13N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STB13NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STB140NF55T4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB140NF75T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1132 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 48A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB14NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STB14NM50N | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB160N75F3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB16NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 45W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A Power dissipation: 45W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 639 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB18N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Power dissipation: 90W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.295Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STB18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB18NF25 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB18NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.19A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB19NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.45A; 90W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.45A Power dissipation: 90W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STB20N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB21N90K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB23NM50N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STB24N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 997 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STB26NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB28N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB32N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 119mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STB32NM50N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 190W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 62.5nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB38N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STB40N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 987 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD Gate-source voltage: ±15V Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 414 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STB40NF20 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB42N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.8A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 79mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STB43N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB45N60DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; D2PAK Drain-source voltage: 650V Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Case: D2PAK Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 136A On-state resistance: 93mΩ Drain current: 21A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB45N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 140A; 210W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Case: D2PAK On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 210W Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 140A Drain current: 22A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB55NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Power dissipation: 95W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 967 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB55NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 867 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB57N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 63mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STB60NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STB60NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 140W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 900V Drain current: 5.8A On-state resistance: 2Ω Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 727 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB75NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 75A; 190W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 75A Case: D2PAK On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 190W Technology: STripFET™ II Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STB75NF75LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Case: D2PAK On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 300W Version: ESD Technology: SuperMesh™ Gate-source voltage: ±15V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STB75NF75T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Case: D2PAK On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 300W Technology: STripFET™ II Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 320A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STB7NK80ZT4 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 565 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STB80N20M5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STB80NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STB8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STB9NK50ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.5A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
ST890BDR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST890BDR Power switches - integrated circuits
ST890BDR Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ST901T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST901T NPN THT transistors
ST901T NPN THT transistors
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 77.85 грн |
30+ | 36.05 грн |
82+ | 34.13 грн |
STA120DJ |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STA120DJ RTV - audio integrated circuits
STA120DJ RTV - audio integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STA540 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STA540 RTV - audio integrated circuits
STA540 RTV - audio integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB100N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB100NF04T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 280.58 грн |
5+ | 240.07 грн |
6+ | 199.07 грн |
15+ | 188.06 грн |
STB10NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB11N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: MDmesh™ M5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 36A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: MDmesh™ M5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 36A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 213.40 грн |
10+ | 154.33 грн |
11+ | 106.42 грн |
29+ | 100.00 грн |
STB11NK40ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK; ESD
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK; ESD
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 219.33 грн |
10+ | 145.76 грн |
15+ | 74.31 грн |
40+ | 70.64 грн |
STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 171.90 грн |
10+ | 146.71 грн |
13+ | 87.15 грн |
35+ | 82.56 грн |
STB11NM80T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB120N4F6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB120N4F6 SMD N channel transistors
STB120N4F6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB120NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB120NF10T4 SMD N channel transistors
STB120NF10T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB13N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 226.24 грн |
10+ | 117.18 грн |
27+ | 106.42 грн |
200+ | 102.75 грн |
1000+ | 101.83 грн |
STB13N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB13NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB140NF55T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB140NF55T4 SMD N channel transistors
STB140NF55T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB140NF75T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 265.76 грн |
9+ | 127.66 грн |
25+ | 116.51 грн |
STB14NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB14NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB14NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB14NM50N SMD N channel transistors
STB14NM50N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB160N75F3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB160N75F3 SMD N channel transistors
STB160N75F3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB16NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 45W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 45W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 177.83 грн |
10+ | 112.22 грн |
30+ | 35.87 грн |
83+ | 33.94 грн |
STB18N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB18NF25 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB18NF25 SMD N channel transistors
STB18NF25 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB18NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB19NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.45A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.45A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB20N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB20N95K5 SMD N channel transistors
STB20N95K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB21N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB21N90K5 SMD N channel transistors
STB21N90K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB23NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB24N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 319.11 грн |
8+ | 157.19 грн |
20+ | 143.11 грн |
250+ | 137.61 грн |
STB26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB28N65M2 SMD N channel transistors
STB28N65M2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB30NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB30NF10T4 SMD N channel transistors
STB30NF10T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB32N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 119mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 119mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB32NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62.5nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62.5nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB38N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB40N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 346.77 грн |
4+ | 283.90 грн |
11+ | 258.70 грн |
250+ | 256.87 грн |
500+ | 248.61 грн |
STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 197.59 грн |
10+ | 137.18 грн |
19+ | 58.71 грн |
51+ | 55.04 грн |
STB40NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB40NF20 SMD N channel transistors
STB40NF20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB42N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB43N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB43N65M5 SMD N channel transistors
STB43N65M5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB45N60DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; D2PAK
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 136A
On-state resistance: 93mΩ
Drain current: 21A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; D2PAK
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 136A
On-state resistance: 93mΩ
Drain current: 21A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB45N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 140A; 210W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Case: D2PAK
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 140A
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 140A; 210W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Case: D2PAK
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 140A
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB55NF06LT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.69 грн |
10+ | 125.75 грн |
13+ | 84.40 грн |
36+ | 79.81 грн |
250+ | 77.98 грн |
500+ | 77.06 грн |
STB55NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 867 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 223.28 грн |
10+ | 129.56 грн |
24+ | 46.79 грн |
64+ | 44.03 грн |
STB57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB60NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB60NF06T4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 137.33 грн |
5+ | 117.18 грн |
12+ | 97.24 грн |
31+ | 91.74 грн |
250+ | 88.07 грн |
STB6NK90ZT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 2Ω
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 2Ω
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 197.59 грн |
10+ | 138.14 грн |
13+ | 85.32 грн |
35+ | 81.65 грн |
STB75NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 75A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Case: D2PAK
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™ II
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 75A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Case: D2PAK
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™ II
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB75NF75LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Case: D2PAK
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Case: D2PAK
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 216.36 грн |
5+ | 185.77 грн |
8+ | 144.95 грн |
21+ | 137.61 грн |
250+ | 132.10 грн |
STB75NF75T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Case: D2PAK
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: STripFET™ II
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Case: D2PAK
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: STripFET™ II
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB7NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB7NK80ZT4 SMD N channel transistors
STB7NK80ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 251.93 грн |
13+ | 82.56 грн |
36+ | 77.98 грн |
STB80N20M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB80N20M5 SMD N channel transistors
STB80N20M5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB80NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STB8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 223.28 грн |
7+ | 183.87 грн |
10+ | 160.54 грн |
STB9NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.