Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170169) > Сторінка 1153 з 2837
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STB9NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STBB1-APUR | STMicroelectronics |
![]() Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2÷5.5VDC; Uout: 1.2÷5.5VDC; 1.6A; SMD Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: DC/DC converter Input voltage: 2...5.5V DC Output voltage: 1.2...5.5V DC Output current: 1.6A Case: VFDFN10 Mounting: SMD Frequency: 1.5MHz Topology: buck-boost Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STBR3012G2-TR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STBR3012G2Y-TR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STBR3012W | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STBR3012WY | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STBR6012W | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STBR6012WY | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STC3100IST | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: PMIC; battery monitor; Li-Ion; TSSOP8; 2.7÷5.5VDC Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: battery monitor Integrated circuit features: Li-Ion Mounting: SMD Case: TSSOP8 Supply voltage: 2.7...5.5V DC Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STC3115AIJT | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STC4054GR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: battery charging controller Integrated circuit features: Li-Ion Mounting: SMD Output current: 0.8A Output voltage: 4.2V Case: SOT23-5 Supply voltage: 4.25...6.5V DC Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 983 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STCC2540IQTR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: power switch; USB switch; VFQFPN16; reel,tape; 4.5÷5.5VDC Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: USB switch Case: VFQFPN16 Mounting: SMD Supply voltage: 4.5...5.5V DC Kind of package: reel; tape On-state resistance: 65mΩ Output current: 2.8A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCN75DS2F | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCS05DR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCS1APHR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCS1APUR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCS1PHR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCS1PUR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STCS2ASPR | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STCS2SPR | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 551 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD100N10F7 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD10N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.9A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2214 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; 50W; DPAK; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 9A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Case: DPAK Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD10NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD10NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD10P6F6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.2A Power dissipation: 35W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD11NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.3A; 90W; DPAK Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STD12NF06L-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: STripFET™ II Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Case: IPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 607 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD12NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.5A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD130N6F7 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD13N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD13N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1946 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD13NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD15NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 70W; DPAK; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 70W Polarisation: unipolar Case: DPAK Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 12A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2382 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD16NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 40W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±18V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1620 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD16NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD16NF25 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD17NF25 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD1802T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 100...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 811 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD18N55M5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD18N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2278 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2011 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD1HN60K3 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STD1NK60-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.63A Power dissipation: 30W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD1NK60T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD1NK80ZT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD20NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 60W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A On-state resistance: 50mΩ Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±18V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1412 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD20NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 60W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A On-state resistance: 40mΩ Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD20NF20 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD25NF10LA | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Case: DPAK Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD25NF10LT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD25NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Case: DPAK Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4030 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD25NF20 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STD26P3LLH6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STD2HNK60Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STD2LN60K3 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 546 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD2N105K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2747 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STD2N62K3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK Drain-source voltage: 620V Drain current: 1A On-state resistance: 3.6Ω Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STB9NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBB1-APUR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2÷5.5VDC; Uout: 1.2÷5.5VDC; 1.6A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2...5.5V DC
Output voltage: 1.2...5.5V DC
Output current: 1.6A
Case: VFDFN10
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck-boost
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2÷5.5VDC; Uout: 1.2÷5.5VDC; 1.6A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2...5.5V DC
Output voltage: 1.2...5.5V DC
Output current: 1.6A
Case: VFDFN10
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck-boost
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBR3012G2-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STBR3012G2-TR SMD universal diodes
STBR3012G2-TR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBR3012G2Y-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STBR3012G2Y-TR SMD universal diodes
STBR3012G2Y-TR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBR3012W |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STBR3012W THT universal diodes
STBR3012W THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBR3012WY |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STBR3012WY THT universal diodes
STBR3012WY THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBR6012W |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STBR6012W THT universal diodes
STBR6012W THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STBR6012WY |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STBR6012WY THT universal diodes
STBR6012WY THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STC3100IST |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery monitor; Li-Ion; TSSOP8; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery monitor
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery monitor; Li-Ion; TSSOP8; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery monitor
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STC3115AIJT |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STC3115AIJT Battery and battery cells controllers
STC3115AIJT Battery and battery cells controllers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STC4054GR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery charging controller
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Output current: 0.8A
Output voltage: 4.2V
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.25...6.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery charging controller
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Output current: 0.8A
Output voltage: 4.2V
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.25...6.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 171.90 грн |
10+ | 121.94 грн |
11+ | 101.83 грн |
29+ | 96.33 грн |
250+ | 92.66 грн |
STCC2540IQTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: power switch; USB switch; VFQFPN16; reel,tape; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: USB switch
Case: VFQFPN16
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: power switch; USB switch; VFQFPN16; reel,tape; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: USB switch
Case: VFQFPN16
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCN75DS2F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCN75DS2F Temperature transducers
STCN75DS2F Temperature transducers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCS05DR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS05DR LED drivers
STCS05DR LED drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCS1APHR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS1APHR LED drivers
STCS1APHR LED drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCS1APUR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS1APUR LED drivers
STCS1APUR LED drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCS1PHR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS1PHR LED drivers
STCS1PHR LED drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCS1PUR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS1PUR LED drivers
STCS1PUR LED drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STCS2ASPR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS2ASPR LED drivers
STCS2ASPR LED drivers
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 266.75 грн |
6+ | 183.48 грн |
17+ | 173.39 грн |
STCS2SPR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS2SPR LED drivers
STCS2SPR LED drivers
на замовлення 551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 249.95 грн |
6+ | 181.64 грн |
17+ | 171.55 грн |
STD100N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD100N10F7 SMD N channel transistors
STD100N10F7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD10N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 112.63 грн |
5+ | 98.13 грн |
15+ | 75.23 грн |
40+ | 70.64 грн |
500+ | 69.72 грн |
STD10NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; 50W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; 50W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 124.48 грн |
5+ | 58.11 грн |
42+ | 25.78 грн |
115+ | 24.31 грн |
STD10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 155.11 грн |
10+ | 82.88 грн |
20+ | 54.13 грн |
55+ | 51.37 грн |
STD10NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD10P6F6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.75 грн |
10+ | 67.93 грн |
24+ | 45.41 грн |
65+ | 42.93 грн |
STD11NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.3A; 90W; DPAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.3A; 90W; DPAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD12NF06L-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Case: IPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Case: IPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.01 грн |
10+ | 45.35 грн |
41+ | 26.51 грн |
112+ | 25.04 грн |
STD12NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 77.06 грн |
10+ | 51.73 грн |
44+ | 24.95 грн |
119+ | 23.58 грн |
STD130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD130N6F7 SMD N channel transistors
STD130N6F7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD13N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD13N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 164.99 грн |
10+ | 131.47 грн |
12+ | 94.49 грн |
32+ | 88.99 грн |
500+ | 86.23 грн |
STD13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 155.11 грн |
10+ | 134.33 грн |
15+ | 74.31 грн |
40+ | 70.64 грн |
STD15NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 70W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 70W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 70W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 70W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 117.57 грн |
10+ | 84.12 грн |
32+ | 33.76 грн |
88+ | 31.93 грн |
25000+ | 30.73 грн |
STD16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 245.01 грн |
5+ | 207.68 грн |
7+ | 174.30 грн |
17+ | 165.13 грн |
STD16NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 40W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 40W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 86.94 грн |
10+ | 68.50 грн |
46+ | 23.49 грн |
126+ | 22.20 грн |
STD16NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD16NF06T4 SMD N channel transistors
STD16NF06T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD16NF25 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD16NF25 SMD N channel transistors
STD16NF25 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD17NF03LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.13 грн |
10+ | 45.54 грн |
50+ | 36.24 грн |
58+ | 18.71 грн |
158+ | 17.71 грн |
STD17NF25 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD17NF25 SMD N channel transistors
STD17NF25 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD1802T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 100...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 100...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 811 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.96 грн |
25+ | 53.35 грн |
28+ | 39.45 грн |
76+ | 36.70 грн |
STD18N55M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD18N55M5 SMD N channel transistors
STD18N55M5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD18N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 197.59 грн |
5+ | 171.48 грн |
9+ | 126.60 грн |
24+ | 119.26 грн |
STD18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 262.80 грн |
3+ | 240.07 грн |
6+ | 189.90 грн |
16+ | 179.81 грн |
250+ | 174.30 грн |
500+ | 172.47 грн |
STD1HN60K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD1HN60K3 SMD N channel transistors
STD1HN60K3 SMD N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 148.19 грн |
51+ | 21.38 грн |
139+ | 20.18 грн |
STD1NK60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.58 грн |
10+ | 30.10 грн |
49+ | 22.20 грн |
134+ | 21.01 грн |
STD1NK60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 98.80 грн |
10+ | 69.35 грн |
46+ | 23.94 грн |
124+ | 22.66 грн |
STD1NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD1NK80ZT4 SMD N channel transistors
STD1NK80ZT4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD20NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
On-state resistance: 50mΩ
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±18V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
On-state resistance: 50mΩ
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±18V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 123.49 грн |
10+ | 84.79 грн |
17+ | 63.30 грн |
47+ | 60.55 грн |
250+ | 57.80 грн |
STD20NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
On-state resistance: 40mΩ
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
On-state resistance: 40mΩ
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.75 грн |
10+ | 67.83 грн |
23+ | 46.69 грн |
64+ | 44.13 грн |
500+ | 42.47 грн |
STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD20NF20 SMD N channel transistors
STD20NF20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD25NF10LA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 156.10 грн |
5+ | 130.52 грн |
10+ | 109.17 грн |
27+ | 103.66 грн |
500+ | 100.00 грн |
STD25NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD25NF10LT4 SMD N channel transistors
STD25NF10LT4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD25NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.45 грн |
10+ | 86.69 грн |
27+ | 40.64 грн |
73+ | 38.44 грн |
STD25NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD25NF20 SMD N channel transistors
STD25NF20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD26P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD26P3LLH6 SMD P channel transistors
STD26P3LLH6 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD2HNK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.92 грн |
25+ | 27.34 грн |
52+ | 20.92 грн |
143+ | 19.72 грн |
2500+ | 19.36 грн |
STD2LN60K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2LN60K3 SMD N channel transistors
STD2LN60K3 SMD N channel transistors
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.10 грн |
38+ | 28.81 грн |
103+ | 27.25 грн |
1000+ | 27.15 грн |
STD2N105K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2N105K5 SMD N channel transistors
STD2N105K5 SMD N channel transistors
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 165.98 грн |
10+ | 110.09 грн |
27+ | 104.58 грн |
STD2N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 1A
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 1A
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.