Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162155) > Сторінка 1153 з 2703
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STTH812D | STMicroelectronics |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220AC; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: TO220AC Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2643 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STTH812DI | STMicroelectronics |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220ACIns; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: TO220ACIns Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STTH812FP | STMicroelectronics |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220FPAC; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: TO220FPAC Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STTH812G-TR | STMicroelectronics |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 50ns; D2PAK; Ufmax: 1.25V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 423 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STTH8L06D | STMicroelectronics |
STTH8L06D THT universal diodes |
на замовлення 144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH8L06FP | STMicroelectronics |
STTH8L06FP THT universal diodes |
на замовлення 303 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH8R04D | STMicroelectronics |
STTH8R04D THT universal diodes |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH8R04DI | STMicroelectronics |
STTH8R04DI THT universal diodes |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STTH8R06D | STMicroelectronics |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220AC; 25ns Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 80A Max. load current: 30A Reverse recovery time: 25ns Features of semiconductor devices: ultrafast switching Type of diode: rectifying Mounting: THT Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 370 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STTH8R06DIRG | STMicroelectronics |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220ACIns; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 80A Case: TO220ACIns Max. forward voltage: 1.4V Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 172 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STTH8R06FP | STMicroelectronics |
STTH8R06FP THT universal diodes |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH8R06G-TR | STMicroelectronics |
STTH8R06G-TR SMD universal diodes |
на замовлення 887 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH8S06FP | STMicroelectronics |
STTH8S06FP THT universal diodes |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STTH8S12D | STMicroelectronics |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 70A; TO220AC; 32ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Reverse recovery time: 32ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: TO220AC Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 70A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 308 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STTH8ST06DI | STMicroelectronics |
STTH8ST06DI THT universal diodes |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STTH9012TV1 | STMicroelectronics |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 45Ax2; ISOTOP; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 45A x2 Case: ISOTOP Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 420A Electrical mounting: screw Max. load current: 150A Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STU10NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: IPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STU2NK100Z | STMicroelectronics |
STU2NK100Z THT N channel transistors |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STU4N52K3 | STMicroelectronics |
STU4N52K3 THT N channel transistors |
на замовлення 417 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW10NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Power dissipation: 156W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW10NK80Z | STMicroelectronics |
STW10NK80Z THT N channel transistors |
на замовлення 152 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW11NK100Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.3A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 489 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW11NK90Z | STMicroelectronics |
STW11NK90Z THT N channel transistors |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW11NM80 | STMicroelectronics |
STW11NM80 THT N channel transistors |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW12N150K5 | STMicroelectronics |
STW12N150K5 THT N channel transistors |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW12NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW12NK90Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 11A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 880mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW13N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW13N95K3 | STMicroelectronics |
STW13N95K3 THT N channel transistors |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW13NK100Z | STMicroelectronics |
STW13NK100Z THT N channel transistors |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW13NK60Z | STMicroelectronics |
STW13NK60Z THT N channel transistors |
на замовлення 271 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW15N80K5 | STMicroelectronics |
STW15N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW15NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.8A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 318 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW15NK90Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9.5A Power dissipation: 350W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW18N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Power dissipation: 90W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW18NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.19A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 34nC Pulsed drain current: 52A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW20N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 13A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 40nC Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW20NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 473 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW20NM50FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW20NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 192W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 172 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW20NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW21N150K5 | STMicroelectronics |
STW21N150K5 THT N channel transistors |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW21N90K5 | STMicroelectronics |
STW21N90K5 THT N channel transistors |
на замовлення 144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 168mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW26NM50 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18.9A Power dissipation: 313W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW28N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 170W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW28N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 170W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW28NM50N | STMicroelectronics |
STW28NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW30N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW30N80K5 | STMicroelectronics |
STW30N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW31N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.9A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 148mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW33N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15.5A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW34NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 92mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW34NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 97mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW3N150 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW40N90K5 | STMicroelectronics |
STW40N90K5 THT N channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW45N60DM2AG | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW45NM50 | STMicroelectronics |
STW45NM50 THT N channel transistors |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW45NM60 | STMicroelectronics |
STW45NM60 THT N channel transistors |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| STTH812D |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220AC; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220AC; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.36 грн |
| 10+ | 53.22 грн |
| 50+ | 49.54 грн |
| 100+ | 44.63 грн |
| 250+ | 42.32 грн |
| 500+ | 37.01 грн |
| 1000+ | 34.20 грн |
| STTH812DI |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220ACIns; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220ACIns
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220ACIns; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220ACIns
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.56 грн |
| 10+ | 94.77 грн |
| 50+ | 84.24 грн |
| STTH812FP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220FPAC; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220FPAC
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220FPAC; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220FPAC
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.84 грн |
| 50+ | 60.09 грн |
| 100+ | 51.45 грн |
| 250+ | 43.93 грн |
| STTH812G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 50ns; D2PAK; Ufmax: 1.25V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 50ns; D2PAK; Ufmax: 1.25V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.76 грн |
| 10+ | 62.28 грн |
| 100+ | 47.74 грн |
| 250+ | 43.02 грн |
| 500+ | 39.51 грн |
| 1000+ | 36.00 грн |
| 2000+ | 32.39 грн |
| STTH8L06D |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STTH8L06D THT universal diodes
STTH8L06D THT universal diodes
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.38 грн |
| 21+ | 56.86 грн |
| 58+ | 53.75 грн |
| 250+ | 53.74 грн |
| STTH8L06FP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STTH8L06FP THT universal diodes
STTH8L06FP THT universal diodes
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.72 грн |
| 22+ | 55.46 грн |
| 60+ | 52.44 грн |
| STTH8R04D |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STTH8R04D THT universal diodes
STTH8R04D THT universal diodes
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.90 грн |
| 30+ | 40.01 грн |
| 82+ | 37.81 грн |
| STTH8R04DI |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STTH8R04DI THT universal diodes
STTH8R04DI THT universal diodes
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.60 грн |
| 14+ | 86.25 грн |
| 38+ | 82.23 грн |
| STTH8R06D | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220AC; 25ns
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 80A
Max. load current: 30A
Reverse recovery time: 25ns
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220AC; 25ns
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 80A
Max. load current: 30A
Reverse recovery time: 25ns
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.28 грн |
| 5+ | 71.44 грн |
| 10+ | 57.16 грн |
| 25+ | 45.53 грн |
| 50+ | 43.02 грн |
| STTH8R06DIRG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220ACIns; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 25ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220ACIns; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 25ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.64 грн |
| 5+ | 98.94 грн |
| 10+ | 74.71 грн |
| 25+ | 54.86 грн |
| 50+ | 47.44 грн |
| 100+ | 44.03 грн |
| STTH8R06FP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STTH8R06FP THT universal diodes
STTH8R06FP THT universal diodes
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.92 грн |
| 26+ | 46.83 грн |
| 50+ | 44.89 грн |
| 70+ | 44.33 грн |
| STTH8R06G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STTH8R06G-TR SMD universal diodes
STTH8R06G-TR SMD universal diodes
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.78 грн |
| 24+ | 51.05 грн |
| 65+ | 48.24 грн |
| STTH8S06FP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STTH8S06FP THT universal diodes
STTH8S06FP THT universal diodes
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.60 грн |
| 49+ | 24.47 грн |
| 134+ | 23.17 грн |
| STTH8S12D |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 70A; TO220AC; 32ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 32ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 70A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 70A; TO220AC; 32ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 32ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 70A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.64 грн |
| 10+ | 45.61 грн |
| STTH8ST06DI |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STTH8ST06DI THT universal diodes
STTH8ST06DI THT universal diodes
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.24 грн |
| 9+ | 134.38 грн |
| 25+ | 127.36 грн |
| STTH9012TV1 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 45Ax2; ISOTOP; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 45A x2
Case: ISOTOP
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 420A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 150A
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 45Ax2; ISOTOP; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 45A x2
Case: ISOTOP
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 420A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 150A
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2873.88 грн |
| STU10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.56 грн |
| 5+ | 124.97 грн |
| 25+ | 104.30 грн |
| 75+ | 94.27 грн |
| 300+ | 89.25 грн |
| STU2NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STU2NK100Z THT N channel transistors
STU2NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.88 грн |
| 27+ | 45.13 грн |
| 72+ | 43.12 грн |
| STU4N52K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STU4N52K3 THT N channel transistors
STU4N52K3 THT N channel transistors
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.03 грн |
| 49+ | 24.57 грн |
| 134+ | 23.17 грн |
| STW10NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 376.92 грн |
| 30+ | 147.88 грн |
| STW10NK80Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW10NK80Z THT N channel transistors
STW10NK80Z THT N channel transistors
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 516.24 грн |
| 9+ | 147.42 грн |
| 23+ | 139.40 грн |
| STW11NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 318.60 грн |
| 10+ | 271.81 грн |
| 30+ | 248.71 грн |
| 120+ | 232.66 грн |
| 510+ | 216.62 грн |
| 1020+ | 208.59 грн |
| 2010+ | 201.57 грн |
| STW11NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW11NK90Z THT N channel transistors
STW11NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 671.76 грн |
| 8+ | 155.44 грн |
| 22+ | 147.42 грн |
| STW11NM80 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW11NM80 THT N channel transistors
STW11NM80 THT N channel transistors
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 579.96 грн |
| 6+ | 234.67 грн |
| 14+ | 221.63 грн |
| STW12N150K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW12N150K5 THT N channel transistors
STW12N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 779.76 грн |
| 3+ | 517.47 грн |
| 7+ | 489.39 грн |
| STW12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.04 грн |
| 10+ | 231.20 грн |
| 30+ | 207.59 грн |
| 90+ | 191.55 грн |
| 120+ | 187.53 грн |
| 150+ | 183.52 грн |
| 510+ | 166.47 грн |
| STW12NK90Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 438.48 грн |
| 10+ | 222.87 грн |
| 30+ | 202.58 грн |
| 120+ | 191.55 грн |
| 510+ | 180.51 грн |
| 1500+ | 166.47 грн |
| STW13N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 368.28 грн |
| 10+ | 298.89 грн |
| STW13N95K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW13N95K3 THT N channel transistors
STW13N95K3 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 544.32 грн |
| 4+ | 343.98 грн |
| 10+ | 324.93 грн |
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW13NK100Z THT N channel transistors
STW13NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 482.76 грн |
| 4+ | 303.87 грн |
| 11+ | 286.82 грн |
| STW13NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW13NK60Z THT N channel transistors
STW13NK60Z THT N channel transistors
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.28 грн |
| 11+ | 117.33 грн |
| 28+ | 110.31 грн |
| STW15N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW15N80K5 THT N channel transistors
STW15N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 434.16 грн |
| 4+ | 315.90 грн |
| 11+ | 298.85 грн |
| STW15NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 432.00 грн |
| 10+ | 194.75 грн |
| 30+ | 149.43 грн |
| 60+ | 139.40 грн |
| 120+ | 134.38 грн |
| STW15NK90Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 717.12 грн |
| 2+ | 655.06 грн |
| 30+ | 350.00 грн |
| STW18N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 274.32 грн |
| 10+ | 157.26 грн |
| 30+ | 144.41 грн |
| STW18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 231.12 грн |
| 10+ | 195.79 грн |
| 30+ | 172.49 грн |
| 90+ | 158.45 грн |
| 120+ | 155.44 грн |
| 300+ | 146.42 грн |
| 510+ | 141.40 грн |
| STW20N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 588.60 грн |
| 5+ | 432.19 грн |
| 10+ | 381.09 грн |
| STW20NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 344.52 грн |
| 10+ | 243.69 грн |
| 30+ | 156.45 грн |
| 120+ | 140.40 грн |
| 510+ | 126.36 грн |
| STW20NM50FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 467.64 грн |
| 30+ | 300.97 грн |
| 510+ | 269.77 грн |
| 600+ | 267.76 грн |
| STW20NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 535.68 грн |
| 30+ | 222.87 грн |
| STW20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 582.12 грн |
| 10+ | 305.14 грн |
| 30+ | 273.78 грн |
| 90+ | 253.72 грн |
| 120+ | 248.71 грн |
| 510+ | 223.64 грн |
| 990+ | 211.60 грн |
| STW21N150K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW21N150K5 THT N channel transistors
STW21N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1225.80 грн |
| 2+ | 1126.21 грн |
| 3+ | 1065.03 грн |
| 5+ | 1063.30 грн |
| STW21N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW21N90K5 THT N channel transistors
STW21N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 749.52 грн |
| 3+ | 486.39 грн |
| 7+ | 459.31 грн |
| STW24N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 234.36 грн |
| 5+ | 178.08 грн |
| 10+ | 140.40 грн |
| 30+ | 135.39 грн |
| STW26NM50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 949.32 грн |
| 30+ | 537.38 грн |
| 510+ | 468.33 грн |
| STW26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 562.68 грн |
| 10+ | 332.22 грн |
| 30+ | 283.81 грн |
| 60+ | 268.77 грн |
| 90+ | 260.74 грн |
| 120+ | 256.73 грн |
| 510+ | 238.68 грн |
| STW28N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.86 грн |
| 10+ | 195.56 грн |
| STW28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 368.28 грн |
| 3+ | 325.97 грн |
| 10+ | 245.70 грн |
| 30+ | 229.65 грн |
| STW28NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW28NM50N THT N channel transistors
STW28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 760.32 грн |
| 7+ | 193.55 грн |
| 17+ | 183.52 грн |
| STW30N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 487.08 грн |
| 5+ | 378.04 грн |
| 10+ | 319.91 грн |
| 30+ | 306.87 грн |
| STW30N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW30N80K5 THT N channel transistors
STW30N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 758.16 грн |
| 3+ | 574.64 грн |
| 6+ | 543.55 грн |
| STW31N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 332.64 грн |
| 3+ | 282.23 грн |
| 10+ | 219.63 грн |
| STW33N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 356.40 грн |
| 10+ | 317.64 грн |
| 30+ | 304.87 грн |
| 120+ | 298.85 грн |
| STW34NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 680.40 грн |
| 30+ | 418.65 грн |
| STW34NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 609.12 грн |
| 2+ | 558.21 грн |
| 10+ | 505.44 грн |
| 30+ | 371.06 грн |
| STW3N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 407.16 грн |
| 5+ | 302.01 грн |
| 10+ | 275.79 грн |
| STW40N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW40N90K5 THT N channel transistors
STW40N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1220.48 грн |
| 3+ | 1153.29 грн |
| STW45N60DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 535.68 грн |
| 10+ | 419.70 грн |
| STW45NM50 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW45NM50 THT N channel transistors
STW45NM50 THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1217.16 грн |
| 3+ | 572.63 грн |
| 6+ | 540.54 грн |
| STW45NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW45NM60 THT N channel transistors
STW45NM60 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 663.12 грн |
| 3+ | 515.47 грн |
| 7+ | 487.39 грн |














