Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170417) > Сторінка 398 з 2841

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 284 393 394 395 396 397 398 399 400 401 402 403 568 852 1136 1420 1704 1988 2272 2556 2840 2841  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD12N50M2 STD12N50M2 STMicroelectronics en.DM00109922.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 STD2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115979.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.85 грн
10+111.93 грн
100+78.39 грн
500+59.12 грн
1000+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 STD2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115979.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.65 грн
5000+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STE88N65M5 STE88N65M5 STMicroelectronics en.DM00108808.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 494W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOTOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N105K5 STF10N105K5 STMicroelectronics en.DM00134103.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N50M2 STF11N50M2 STMicroelectronics en.DM00107139.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.43 грн
50+114.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 STF7N105K5 STMicroelectronics en.DM00112886.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.14 грн
50+166.07 грн
100+142.35 грн
500+118.74 грн
1000+101.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD STMicroelectronics en.DM00049493.pdf Description: IGBT 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.75 грн
10+116.12 грн
100+79.68 грн
500+60.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD STMicroelectronics en.DM00049493.pdf Description: IGBT 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZ STGD19N40LZ STMicroelectronics en.DM00082246.pdf Description: IGBT 390V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZ STGD19N40LZ STMicroelectronics en.DM00082246.pdf Description: IGBT 390V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-2 STH185N10F3-2 STMicroelectronics en.DM00133320.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-2 STH185N10F3-2 STMicroelectronics en.DM00133320.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-6 STH240N10F7-6 STMicroelectronics en.DM00111318.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.44 грн
10+223.78 грн
100+168.32 грн
500+141.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-6 STH240N10F7-6 STMicroelectronics en.DM00111318.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STL30P3LLH6 STL30P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00064619.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 9905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.74 грн
10+59.14 грн
100+45.46 грн
500+33.53 грн
1000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STL30P3LLH6 STL30P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00064619.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL40C30H3LL STL40C30H3LL STMicroelectronics en.DM00068911.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 STL6P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00064617.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.77 грн
10+61.78 грн
100+47.07 грн
500+34.76 грн
1000+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 STL6P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00064617.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5 STP10N105K5 STMicroelectronics en.DM00134103.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.03 грн
50+123.05 грн
100+122.34 грн
500+112.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 STP12N50M2 STMicroelectronics en.DM00121831.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.87 грн
50+58.63 грн
100+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N50M2 STP16N50M2 STMicroelectronics en.DM00124257.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N65M2 STP16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140964.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N105K5 STP2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115979.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.97 грн
50+77.50 грн
100+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP5N105K5 STP5N105K5 STMicroelectronics en.DM00126756.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 100 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.66 грн
50+111.95 грн
100+108.67 грн
500+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N105K5 STP7N105K5 STMicroelectronics en.DM00112876.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.14 грн
50+166.07 грн
100+142.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1170AF STPS1170AF STMicroelectronics en.DM00136811.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 1A SMAFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 170 V
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.32 грн
28+11.47 грн
100+10.88 грн
500+8.62 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1170AF STPS1170AF STMicroelectronics en.DM00136811.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 1A SMAFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS2170AF STPS2170AF STMicroelectronics en.DM00136813.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 2A SMAFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.8 µA @ 170 V
на замовлення 6483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.34 грн
23+13.80 грн
100+12.02 грн
500+7.53 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
STPS2170AF STPS2170AF STMicroelectronics en.DM00136813.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 2A SMAFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.8 µA @ 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS30SM120ST STPS30SM120ST STMicroelectronics en.DM00050160.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 275 µA @ 120 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.53 грн
50+69.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170AF STPS3170AF STMicroelectronics en.DM00136816.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMAFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
на замовлення 18346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.61 грн
12+26.51 грн
100+16.98 грн
500+12.05 грн
1000+10.44 грн
2000+9.75 грн
5000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170AF STPS3170AF STMicroelectronics en.DM00136816.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMAFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170UF STPS3170UF STMicroelectronics en.DM00136816.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
на замовлення 7241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.03 грн
11+28.68 грн
100+19.84 грн
500+14.13 грн
1000+12.03 грн
2000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170UF STPS3170UF STMicroelectronics en.DM00136816.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200B-TR STPS4S200B-TR STMicroelectronics en.DM00136818.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.13 грн
10+51.70 грн
100+33.98 грн
500+24.72 грн
1000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200B-TR STPS4S200B-TR STMicroelectronics en.DM00136818.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200UF STPS4S200UF STMicroelectronics en.DM00136818.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 16186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.08 грн
10+31.01 грн
100+22.49 грн
500+16.09 грн
1000+14.00 грн
2000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200UF STPS4S200UF STMicroelectronics en.DM00136818.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.40 грн
10000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
STPS640CBY-TR STPS640CBY-TR STMicroelectronics en.DM00091810.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS640CBY-TR STPS640CBY-TR STMicroelectronics en.DM00091810.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH16L06CTY STTH16L06CTY STMicroelectronics stth16l06c-y.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.41 грн
50+92.66 грн
100+83.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06UFY STTH1L06UFY STMicroelectronics en.DM00126823.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.52 грн
10+33.10 грн
100+25.58 грн
500+19.21 грн
1000+16.84 грн
2000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06UFY STTH1L06UFY STMicroelectronics en.DM00126823.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1R06UFY STTH1R06UFY STMicroelectronics en.DM00126948.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.32 грн
10+33.64 грн
100+25.71 грн
500+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1R06UFY STTH1R06UFY STMicroelectronics en.DM00126948.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2L06UFY STTH2L06UFY STMicroelectronics en.DM00127067.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.86 грн
12+27.36 грн
100+22.29 грн
500+17.24 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2L06UFY STTH2L06UFY STMicroelectronics en.DM00127067.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.18 грн
10000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2R06UFY STTH2R06UFY STMicroelectronics en.DM00127070.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+41.08 грн
100+29.60 грн
500+21.39 грн
1000+18.53 грн
2000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2R06UFY STTH2R06UFY STMicroelectronics en.DM00127070.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH3L06UFY STTH3L06UFY STMicroelectronics en.DM00127081.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.35 грн
10+42.87 грн
100+31.80 грн
500+23.07 грн
1000+20.32 грн
2000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STTH3L06UFY STTH3L06UFY STMicroelectronics en.DM00127081.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
STW10N105K5 STW10N105K5 STMicroelectronics en.DM00134103.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 STW18N60M2 STMicroelectronics en.DM00086800.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.63 грн
30+95.24 грн
120+88.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW7N105K5 STW7N105K5 STMicroelectronics en.DM00112876.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.52 грн
30+164.64 грн
120+134.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
T610T-8T T610T-8T STMicroelectronics en.DM00115801.pdf Description: TRIAC 800V 6A 10MA TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 45A, 47A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.20 грн
10+84.26 грн
100+65.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
T810T-8T T810T-8T STMicroelectronics en.DM00125385.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 63A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-220
Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.47 грн
50+49.73 грн
100+44.27 грн
500+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS110-8A1 TS110-8A1 STMicroelectronics en.DM00122969.pdf Description: SCR 800V 1.25A 10MA TO-92
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.15 грн
10+48.45 грн
100+37.15 грн
500+27.56 грн
1000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50M2 en.DM00109922.pdf
STD12N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 en.DM00115979.pdf
STD2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.85 грн
10+111.93 грн
100+78.39 грн
500+59.12 грн
1000+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 en.DM00115979.pdf
STD2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.65 грн
5000+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STE88N65M5 en.DM00108808.pdf
STE88N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 494W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOTOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N105K5 en.DM00134103.pdf
STF10N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N50M2 en.DM00107139.pdf
STF11N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.43 грн
50+114.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 en.DM00112886.pdf
STF7N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.14 грн
50+166.07 грн
100+142.35 грн
500+118.74 грн
1000+101.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD en.DM00049493.pdf
STGD10HF60KD
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.75 грн
10+116.12 грн
100+79.68 грн
500+60.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD en.DM00049493.pdf
STGD10HF60KD
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZ en.DM00082246.pdf
STGD19N40LZ
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 390V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZ en.DM00082246.pdf
STGD19N40LZ
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 390V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-2 en.DM00133320.pdf
STH185N10F3-2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-2 en.DM00133320.pdf
STH185N10F3-2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-6 en.DM00111318.pdf
STH240N10F7-6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.44 грн
10+223.78 грн
100+168.32 грн
500+141.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-6 en.DM00111318.pdf
STH240N10F7-6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+127.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STL30P3LLH6 en.DM00064619.pdf
STL30P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 9905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.74 грн
10+59.14 грн
100+45.46 грн
500+33.53 грн
1000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STL30P3LLH6 en.DM00064619.pdf
STL30P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL40C30H3LL en.DM00068911.pdf
STL40C30H3LL
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N/P-CH 30V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 en.DM00064617.pdf
STL6P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.77 грн
10+61.78 грн
100+47.07 грн
500+34.76 грн
1000+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 en.DM00064617.pdf
STL6P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5 en.DM00134103.pdf
STP10N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.03 грн
50+123.05 грн
100+122.34 грн
500+112.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 en.DM00121831.pdf
STP12N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.87 грн
50+58.63 грн
100+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N50M2 en.DM00124257.pdf
STP16N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N65M2 en.DM00140964.pdf
STP16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N105K5 en.DM00115979.pdf
STP2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.97 грн
50+77.50 грн
100+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP5N105K5 en.DM00126756.pdf
STP5N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 100 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.66 грн
50+111.95 грн
100+108.67 грн
500+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N105K5 en.DM00112876.pdf
STP7N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.14 грн
50+166.07 грн
100+142.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1170AF en.DM00136811.pdf
STPS1170AF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 1A SMAFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 170 V
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.32 грн
28+11.47 грн
100+10.88 грн
500+8.62 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1170AF en.DM00136811.pdf
STPS1170AF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 1A SMAFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS2170AF en.DM00136813.pdf
STPS2170AF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 2A SMAFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.8 µA @ 170 V
на замовлення 6483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.34 грн
23+13.80 грн
100+12.02 грн
500+7.53 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
STPS2170AF en.DM00136813.pdf
STPS2170AF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 2A SMAFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.8 µA @ 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS30SM120ST en.DM00050160.pdf
STPS30SM120ST
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 275 µA @ 120 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.53 грн
50+69.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170AF en.DM00136816.pdf
STPS3170AF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMAFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
на замовлення 18346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.61 грн
12+26.51 грн
100+16.98 грн
500+12.05 грн
1000+10.44 грн
2000+9.75 грн
5000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170AF en.DM00136816.pdf
STPS3170AF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMAFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170UF en.DM00136816.pdf
STPS3170UF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
на замовлення 7241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.03 грн
11+28.68 грн
100+19.84 грн
500+14.13 грн
1000+12.03 грн
2000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170UF en.DM00136816.pdf
STPS3170UF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200B-TR en.DM00136818.pdf
STPS4S200B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.13 грн
10+51.70 грн
100+33.98 грн
500+24.72 грн
1000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200B-TR en.DM00136818.pdf
STPS4S200B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200UF en.DM00136818.pdf
STPS4S200UF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 16186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.08 грн
10+31.01 грн
100+22.49 грн
500+16.09 грн
1000+14.00 грн
2000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200UF en.DM00136818.pdf
STPS4S200UF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.40 грн
10000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
STPS640CBY-TR en.DM00091810.pdf
STPS640CBY-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS640CBY-TR en.DM00091810.pdf
STPS640CBY-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH16L06CTY stth16l06c-y.pdf
STTH16L06CTY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.41 грн
50+92.66 грн
100+83.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06UFY en.DM00126823.pdf
STTH1L06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.52 грн
10+33.10 грн
100+25.58 грн
500+19.21 грн
1000+16.84 грн
2000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06UFY en.DM00126823.pdf
STTH1L06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1R06UFY en.DM00126948.pdf
STTH1R06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.32 грн
10+33.64 грн
100+25.71 грн
500+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1R06UFY en.DM00126948.pdf
STTH1R06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2L06UFY en.DM00127067.pdf
STTH2L06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.86 грн
12+27.36 грн
100+22.29 грн
500+17.24 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2L06UFY en.DM00127067.pdf
STTH2L06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.18 грн
10000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2R06UFY en.DM00127070.pdf
STTH2R06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.57 грн
10+41.08 грн
100+29.60 грн
500+21.39 грн
1000+18.53 грн
2000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2R06UFY en.DM00127070.pdf
STTH2R06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH3L06UFY en.DM00127081.pdf
STTH3L06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 3A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.35 грн
10+42.87 грн
100+31.80 грн
500+23.07 грн
1000+20.32 грн
2000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STTH3L06UFY en.DM00127081.pdf
STTH3L06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 3A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
STW10N105K5 en.DM00134103.pdf
STW10N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 en.DM00086800.pdf
STW18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.63 грн
30+95.24 грн
120+88.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW7N105K5 en.DM00112876.pdf
STW7N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.52 грн
30+164.64 грн
120+134.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
T610T-8T en.DM00115801.pdf
T610T-8T
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRIAC 800V 6A 10MA TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 45A, 47A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.20 грн
10+84.26 грн
100+65.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
T810T-8T en.DM00125385.pdf
T810T-8T
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 63A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-220
Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.47 грн
50+49.73 грн
100+44.27 грн
500+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS110-8A1 en.DM00122969.pdf
TS110-8A1
Виробник: STMicroelectronics
Description: SCR 800V 1.25A 10MA TO-92
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.15 грн
10+48.45 грн
100+37.15 грн
500+27.56 грн
1000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 284 393 394 395 396 397 398 399 400 401 402 403 568 852 1136 1420 1704 1988 2272 2556 2840 2841  [ Наступна Сторінка >> ]