Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (161824) > Сторінка 394 з 2698

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 269 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 538 807 1076 1345 1614 1883 2152 2421 2690 2698  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TS4061BILT-1.25 TS4061BILT-1.25 STMicroelectronics en.DM00114435.pdf Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±0.2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Current - Cathode: 12 µA
Current - Output: 15 mA
на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+67.75 грн
10+46.66 грн
25+41.99 грн
100+34.61 грн
250+32.31 грн
500+30.92 грн
1000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BILT-1.25 TS4061BILT-1.25 STMicroelectronics en.DM00114435.pdf Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±0.2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Current - Cathode: 12 µA
Current - Output: 15 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FERD30SM100ST FERD30SM100ST STMicroelectronics en.DM00155256.pdf Description: DIODE FERD 100V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: FERD (Field Effect Rectifier Diode)
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LF50CV-DG LF50CV-DG STMicroelectronics en.CD00000546.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 500MA TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 76dB ~ 60dB (120Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.7V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 12 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2 STF12N65M2 STMicroelectronics en.DM00152663.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.11 грн
50+85.16 грн
100+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N65M2 STF13N65M2 STMicroelectronics en.DM00133025.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.11 грн
50+90.55 грн
100+81.42 грн
500+61.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N65M2 STF18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132600.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.14 грн
50+115.76 грн
100+104.56 грн
500+79.72 грн
1000+73.81 грн
2000+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N65M2 STF33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.44 грн
50+160.22 грн
100+155.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2 STF40N65M2 STMicroelectronics en.DM00158277.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW2N105K5 STFW2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115969.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.28 грн
30+121.46 грн
120+98.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2 STFW40N60M2 STMicroelectronics en.DM00116766.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.56 грн
30+256.13 грн
120+213.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW45N65M5 STFW45N65M5 STMicroelectronics en.DM00072250.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPL30C60-H STGIPL30C60-H STMicroelectronics DM00083056.pdf Description: MOD IPM SLLIMM 8PHASE 38SDIP
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPS10C60T-H STGIPS10C60T-H STMicroelectronics en.DM00102031.pdf Description: MOD IPM SLLIMM 3PHASE 25SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 10 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DLFB STGW30H60DLFB STMicroelectronics Description: IGBT HB 600V 30A HS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120F2 STGWA15H120F2 STMicroelectronics en.DM00109377.pdf Description: IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120DF2 STGWA25H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066775.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.28 грн
30+260.32 грн
120+217.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2 STGWA25H120F2 STMicroelectronics en.DM00109190.pdf Description: IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 STI18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI40N65M2 STI40N65M2 STMicroelectronics en.DM00159990.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N8F6 STP100N8F6 STMicroelectronics en.DM00131264.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5955 pF @ 25 V
на замовлення 23958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.95 грн
50+61.64 грн
100+61.31 грн
500+51.50 грн
1000+47.31 грн
2000+41.96 грн
5000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2 STP13N65M2 STMicroelectronics en.DM00133031.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N4LF6 STP160N4LF6 STMicroelectronics en.DM00114754.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2 STP18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.85 грн
50+113.62 грн
100+102.60 грн
500+78.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP265N6F6AG STP265N6F6AG STMicroelectronics STP265N6F6AG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2 STP33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.44 грн
50+168.66 грн
100+163.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2 STP40N65M2 STMicroelectronics en.DM00159990.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20SM120SFP STPS20SM120SFP STMicroelectronics en.DM00050163.pdf Description: DIODE SCHOTT 120V 20A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20SM120ST STPS20SM120ST STMicroelectronics en.DM00050163.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS30SM120SFP STPS30SM120SFP STMicroelectronics en.DM00050160.pdf Description: DIODE SCHOTTK 120V 30A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 275 µA @ 120 V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+111.49 грн
50+49.73 грн
100+46.10 грн
500+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STPS41H100CTY STPS41H100CTY STMicroelectronics en.DM00024413.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTY STPSC20H065CTY STMicroelectronics en.DM00123409.pdf Description: DIODE SCHOTTKY SIC 650V TO220AB
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STTH15S12D STTH15S12D STMicroelectronics en.DM00124752.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 33281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.80 грн
50+68.25 грн
100+61.25 грн
500+45.95 грн
1000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STTH15S12W STTH15S12W STMicroelectronics en.DM00124752.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 15A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH30S12W STTH30S12W STMicroelectronics en.DM00124835.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH31AC06SWL STTH31AC06SWL STMicroelectronics en.DM00135050.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.87 грн
10+234.88 грн
100+192.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STTH60AC06CWL STTH60AC06CWL STMicroelectronics en.DM00088638.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STTH75S12W STTH75S12W STMicroelectronics en.DM00124839.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 75A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.64 грн
30+169.66 грн
120+166.50 грн
510+147.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8S12D STTH8S12D STMicroelectronics en.DM00124704.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.34 грн
50+34.18 грн
100+33.51 грн
500+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STU13N65M2 STU13N65M2 STMicroelectronics en.DM00133031.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 STW28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.07 грн
30+190.92 грн
120+157.60 грн
510+124.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N65M2 STW40N65M2 STMicroelectronics en.DM00158279.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.56 грн
30+256.44 грн
120+213.95 грн
510+171.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2 STW56N60M2 STMicroelectronics en.DM00149704.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.52 грн
30+365.45 грн
120+308.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4 STW56N60M2-4 STMicroelectronics en.DM00127606.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+692.98 грн
30+393.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2 STW56N65M2 STMicroelectronics en.DM00151747.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+703.27 грн
30+399.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LDFMPUR LDFMPUR STMicroelectronics en.DM00063302.pdf Description: IC REG LIN POS ADJ 500MA 6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 800 µA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3)
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable, Power Good
PSRR: 62dB ~ 55dB (120Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.46 грн
10+39.31 грн
25+35.35 грн
100+29.11 грн
250+27.16 грн
500+25.99 грн
1000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LDFMPVR LDFMPVR STMicroelectronics en.DM00063302.pdf Description: IC REG LIN POS ADJ 500MA 6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 800 µA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable, Power Good
PSRR: 62dB ~ 55dB (120Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.92 грн
10+71.69 грн
25+64.91 грн
100+53.93 грн
250+50.58 грн
500+48.56 грн
1000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STM32746G-EVAL2 STM32746G-EVAL2 STMicroelectronics en.DM00172912.pdf Description: STM32 F7 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M7
Utilized IC / Part: STM32 F7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STM32756G-EVAL2 STM32756G-EVAL2 STMicroelectronics en.DM00172858.pdf Description: STM32 F7 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: ARM® Cortex®-M7
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: STM32 F7
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+42456.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M95M02-DWMN3TP/K M95M02-DWMN3TP/K STMicroelectronics en.DM00132783.pdf Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+263.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
M95M02-DWMN3TP/K M95M02-DWMN3TP/K STMicroelectronics en.DM00132783.pdf Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.36 грн
10+323.00 грн
25+307.96 грн
50+278.80 грн
100+268.94 грн
250+256.44 грн
500+243.30 грн
1000+234.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LF247DT LF247DT STMicroelectronics en.CD00000452.pdf Description: IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: J-FET
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 1.4mA (x4 Channels)
Slew Rate: 16V/µs
Gain Bandwidth Product: 4 MHz
Current - Input Bias: 20 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 44 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
на замовлення 14448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.21 грн
10+75.32 грн
25+68.28 грн
100+56.84 грн
250+53.40 грн
500+51.31 грн
1000+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LM124DT LM124DT STMicroelectronics en.CD00001046.pdf Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Differential
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Current - Supply: 1.5mA
Slew Rate: 0.4V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.3 MHz
Current - Input Bias: 20 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 30 V
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.08 грн
10+97.87 грн
25+89.06 грн
100+74.48 грн
250+70.14 грн
500+67.52 грн
1000+64.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LM201ADT LM201ADT STMicroelectronics en.CD00000871.pdf Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 1.8mA
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 1 MHz
Current - Input Bias: 25 nA
Voltage - Input Offset: 700 µV
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 30 mA
Voltage - Supply Span (Min): 10 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.91 грн
10+67.97 грн
25+61.61 грн
100+51.20 грн
250+48.05 грн
500+46.15 грн
1000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LM239APT LM239APT STMicroelectronics en.CD00000460.pdf Description: IC COMPARATOR 4 GEN PUR 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 32V, ±1V ~ 16V
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Current - Quiescent (Max): 2mA
Voltage - Input Offset (Max): 2mV @ 30V
Current - Input Bias (Max): 0.1µA @ 5V
Current - Output (Typ): 16mA @ 5V
Part Status: Active
на замовлення 5448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.88 грн
16+20.81 грн
25+18.57 грн
100+15.11 грн
250+13.98 грн
500+13.31 грн
1000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ST8034HNQR ST8034HNQR STMicroelectronics en.DM00082475.pdf Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 24QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 3V, 5V
Applications: Smart Card
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.37 грн
10+104.64 грн
25+95.21 грн
100+79.61 грн
250+74.96 грн
500+72.16 грн
1000+68.71 грн
2500+66.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS272AIDT TS272AIDT STMicroelectronics en.CD00000495.pdf Description: IC CMOS 2 CIRCUIT 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 1mA (x2 Channels)
Slew Rate: 5.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 900 µV
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 45 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS272CDT TS272CDT STMicroelectronics en.CD00000495.pdf Description: IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Current - Supply: 1mA (x2 Channels)
Slew Rate: 5.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.1 mV
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 45 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.03 грн
10+37.25 грн
25+33.43 грн
100+27.48 грн
250+25.61 грн
500+24.49 грн
1000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TS274AIDT TS274AIDT STMicroelectronics en.CD00000496.pdf Description: IC CMOS 4 CIRCUIT 14SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 1mA
Slew Rate: 5.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 900 µV
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 45 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.07 грн
10+109.18 грн
25+102.97 грн
100+82.33 грн
250+77.30 грн
500+67.63 грн
1000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BILT-1.25 en.DM00114435.pdf
TS4061BILT-1.25
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±0.2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Current - Cathode: 12 µA
Current - Output: 15 mA
на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.75 грн
10+46.66 грн
25+41.99 грн
100+34.61 грн
250+32.31 грн
500+30.92 грн
1000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BILT-1.25 en.DM00114435.pdf
TS4061BILT-1.25
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±0.2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Current - Cathode: 12 µA
Current - Output: 15 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FERD30SM100ST en.DM00155256.pdf
FERD30SM100ST
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE FERD 100V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: FERD (Field Effect Rectifier Diode)
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LF50CV-DG en.CD00000546.pdf
LF50CV-DG
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC REG LINEAR 5V 500MA TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 76dB ~ 60dB (120Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.7V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 12 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2 en.DM00152663.pdf
STF12N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.11 грн
50+85.16 грн
100+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N65M2 en.DM00133025.pdf
STF13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.11 грн
50+90.55 грн
100+81.42 грн
500+61.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N65M2 en.DM00132600.pdf
STF18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.14 грн
50+115.76 грн
100+104.56 грн
500+79.72 грн
1000+73.81 грн
2000+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 en.DM00150353.pdf
STF28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N65M2 en.DM00151754.pdf
STF33N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.44 грн
50+160.22 грн
100+155.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2 en.DM00158277.pdf
STF40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW2N105K5 en.DM00115969.pdf
STFW2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.28 грн
30+121.46 грн
120+98.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2 en.DM00116766.pdf
STFW40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.56 грн
30+256.13 грн
120+213.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW45N65M5 en.DM00072250.pdf
STFW45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPL30C60-H DM00083056.pdf
STGIPL30C60-H
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOD IPM SLLIMM 8PHASE 38SDIP
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPS10C60T-H en.DM00102031.pdf
STGIPS10C60T-H
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOD IPM SLLIMM 3PHASE 25SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 10 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DLFB
STGW30H60DLFB
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT HB 600V 30A HS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120F2 en.DM00109377.pdf
STGWA15H120F2
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120DF2 en.DM00066775.pdf
STGWA25H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.28 грн
30+260.32 грн
120+217.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2 en.DM00109190.pdf
STGWA25H120F2
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 en.DM00132456.pdf
STI18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI40N65M2 en.DM00159990.pdf
STI40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N8F6 en.DM00131264.pdf
STP100N8F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5955 pF @ 25 V
на замовлення 23958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.95 грн
50+61.64 грн
100+61.31 грн
500+51.50 грн
1000+47.31 грн
2000+41.96 грн
5000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2 en.DM00133031.pdf
STP13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N4LF6 en.DM00114754.pdf
STP160N4LF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2 en.DM00132456.pdf
STP18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.85 грн
50+113.62 грн
100+102.60 грн
500+78.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP265N6F6AG STP265N6F6AG.pdf
STP265N6F6AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2 en.DM00151754.pdf
STP33N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.44 грн
50+168.66 грн
100+163.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2 en.DM00159990.pdf
STP40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20SM120SFP en.DM00050163.pdf
STPS20SM120SFP
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTT 120V 20A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20SM120ST en.DM00050163.pdf
STPS20SM120ST
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS30SM120SFP en.DM00050160.pdf
STPS30SM120SFP
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTK 120V 30A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 275 µA @ 120 V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.49 грн
50+49.73 грн
100+46.10 грн
500+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STPS41H100CTY en.DM00024413.pdf
STPS41H100CTY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTY en.DM00123409.pdf
STPSC20H065CTY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY SIC 650V TO220AB
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STTH15S12D en.DM00124752.pdf
STTH15S12D
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 33281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.80 грн
50+68.25 грн
100+61.25 грн
500+45.95 грн
1000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STTH15S12W en.DM00124752.pdf
STTH15S12W
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 15A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH30S12W en.DM00124835.pdf
STTH30S12W
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH31AC06SWL en.DM00135050.pdf
STTH31AC06SWL
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.87 грн
10+234.88 грн
100+192.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STTH60AC06CWL en.DM00088638.pdf
STTH60AC06CWL
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STTH75S12W en.DM00124839.pdf
STTH75S12W
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 75A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.64 грн
30+169.66 грн
120+166.50 грн
510+147.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8S12D en.DM00124704.pdf
STTH8S12D
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.34 грн
50+34.18 грн
100+33.51 грн
500+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STU13N65M2 en.DM00133031.pdf
STU13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 en.DM00150353.pdf
STW28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.07 грн
30+190.92 грн
120+157.60 грн
510+124.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N65M2 en.DM00158279.pdf
STW40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.56 грн
30+256.44 грн
120+213.95 грн
510+171.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2 en.DM00149704.pdf
STW56N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+647.52 грн
30+365.45 грн
120+308.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4 en.DM00127606.pdf
STW56N60M2-4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+692.98 грн
30+393.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2 en.DM00151747.pdf
STW56N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+703.27 грн
30+399.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LDFMPUR en.DM00063302.pdf
LDFMPUR
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC REG LIN POS ADJ 500MA 6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 800 µA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3)
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable, Power Good
PSRR: 62dB ~ 55dB (120Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.46 грн
10+39.31 грн
25+35.35 грн
100+29.11 грн
250+27.16 грн
500+25.99 грн
1000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LDFMPVR en.DM00063302.pdf
LDFMPVR
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC REG LIN POS ADJ 500MA 6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 800 µA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable, Power Good
PSRR: 62dB ~ 55dB (120Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.92 грн
10+71.69 грн
25+64.91 грн
100+53.93 грн
250+50.58 грн
500+48.56 грн
1000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STM32746G-EVAL2 en.DM00172912.pdf
STM32746G-EVAL2
Виробник: STMicroelectronics
Description: STM32 F7 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M7
Utilized IC / Part: STM32 F7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STM32756G-EVAL2 en.DM00172858.pdf
STM32756G-EVAL2
Виробник: STMicroelectronics
Description: STM32 F7 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: ARM® Cortex®-M7
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: STM32 F7
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+42456.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M95M02-DWMN3TP/K en.DM00132783.pdf
M95M02-DWMN3TP/K
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+263.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
M95M02-DWMN3TP/K en.DM00132783.pdf
M95M02-DWMN3TP/K
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.36 грн
10+323.00 грн
25+307.96 грн
50+278.80 грн
100+268.94 грн
250+256.44 грн
500+243.30 грн
1000+234.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LF247DT en.CD00000452.pdf
LF247DT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: J-FET
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 1.4mA (x4 Channels)
Slew Rate: 16V/µs
Gain Bandwidth Product: 4 MHz
Current - Input Bias: 20 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 44 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
на замовлення 14448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.21 грн
10+75.32 грн
25+68.28 грн
100+56.84 грн
250+53.40 грн
500+51.31 грн
1000+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LM124DT en.CD00001046.pdf
LM124DT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Differential
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Current - Supply: 1.5mA
Slew Rate: 0.4V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.3 MHz
Current - Input Bias: 20 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 30 V
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.08 грн
10+97.87 грн
25+89.06 грн
100+74.48 грн
250+70.14 грн
500+67.52 грн
1000+64.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LM201ADT en.CD00000871.pdf
LM201ADT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 1.8mA
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 1 MHz
Current - Input Bias: 25 nA
Voltage - Input Offset: 700 µV
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 30 mA
Voltage - Supply Span (Min): 10 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.91 грн
10+67.97 грн
25+61.61 грн
100+51.20 грн
250+48.05 грн
500+46.15 грн
1000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LM239APT en.CD00000460.pdf
LM239APT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC COMPARATOR 4 GEN PUR 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 32V, ±1V ~ 16V
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Current - Quiescent (Max): 2mA
Voltage - Input Offset (Max): 2mV @ 30V
Current - Input Bias (Max): 0.1µA @ 5V
Current - Output (Typ): 16mA @ 5V
Part Status: Active
на замовлення 5448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.88 грн
16+20.81 грн
25+18.57 грн
100+15.11 грн
250+13.98 грн
500+13.31 грн
1000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ST8034HNQR en.DM00082475.pdf
ST8034HNQR
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 24QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 3V, 5V
Applications: Smart Card
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.37 грн
10+104.64 грн
25+95.21 грн
100+79.61 грн
250+74.96 грн
500+72.16 грн
1000+68.71 грн
2500+66.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS272AIDT en.CD00000495.pdf
TS272AIDT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC CMOS 2 CIRCUIT 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 1mA (x2 Channels)
Slew Rate: 5.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 900 µV
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 45 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS272CDT en.CD00000495.pdf
TS272CDT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Current - Supply: 1mA (x2 Channels)
Slew Rate: 5.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.1 mV
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 45 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.03 грн
10+37.25 грн
25+33.43 грн
100+27.48 грн
250+25.61 грн
500+24.49 грн
1000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TS274AIDT en.CD00000496.pdf
TS274AIDT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC CMOS 4 CIRCUIT 14SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 1mA
Slew Rate: 5.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 900 µV
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 45 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.07 грн
10+109.18 грн
25+102.97 грн
100+82.33 грн
250+77.30 грн
500+67.63 грн
1000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 269 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 538 807 1076 1345 1614 1883 2152 2421 2690 2698  [ Наступна Сторінка >> ]