Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR (66366) > Сторінка 631 з 1107
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TSM2312CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 480mW; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A Gate charge: 14nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 0.48W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: tape Case: SOT23 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSM2314CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A Gate charge: 14nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: tape Case: SOT23 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TSM2318CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
TSM2318CX-RFG SMD N channel transistors |
на замовлення 139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
TSM2323CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 800mW; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: tape Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.7A Gate charge: 19nC On-state resistance: 39mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSM240N03CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.1A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 398 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSM320N03CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSM320N03CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSM4806CS RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 28A Case: SOP8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 12.3nC Power dissipation: 2W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 162 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TSM4936DCS RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
TSM4936DCS-RLG Multi channel transistors |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| TSM500P02CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
TSM500P02CX-RFG SMD P channel transistors |
на замовлення 474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
TSM60NB380CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.4nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSM650P03CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.6A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 8nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSM850N06CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 340 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() +1 |
TSM900N06CW RPG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 4.17W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tape Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSS40U RGG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; 0603; SMD; 40V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: 0603 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.6A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() +1 |
TSS42U RG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; 0603; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: 0603 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TSZU52C10 RGG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
TSZU52C10-RGG SMD Zener diodes |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
TSZU52C12 RGG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.15W; 12V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode Type of diode: Zener Leakage current: 0.1µA Zener current: 5mA Power dissipation: 0.15W Tolerance: ±5% Zener voltage: 12V Case: 0603 Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Mounting: SMD кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSZU52C9V1 RGG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Zener diodes Description: Diode: Zener; 0.15W; 9.1V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.15W Zener voltage: 9.1V Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: 0603 Semiconductor structure: single diode Zener current: 5mA Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
UF4007 R0 | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns Capacitance: 17pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 104 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
UF4007 | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns Capacitance: 17pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 228 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
UGF2008GH | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; ITO220AB; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: ITO220AB Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
US1J F3 | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Capacitance: 10pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 531 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
US1M M2G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Capacitance: 10pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
US1MH | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Capacitance: 10pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 499 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
6A10GHR0G | Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case R-6 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
6A05G R0G | Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 50V 6A 2-Pin Case R-6 T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
6A05G R0 | Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 50V 6A 2-Pin Case R-6 T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SK110B R4 | Taiwan Semiconductor |
Diode Schottky 100V 1A 2-Pin SMB T/R |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SK110B M4G | Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky Si 100V 1A 2-Pin SMB T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 1N4756A R0G | Taiwan Semiconductor |
Zener Diode Single 47V 5% 80Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
MBR2045CT C0 | Taiwan Semiconductor |
Diode Schottky 45V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SMCJ48A V7G | Taiwan Semiconductor |
Diode TVS Single Uni-Dir 48V 1.5KW 2-Pin SMC T/R |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SMCJ48A | Taiwan Semiconductor |
Diode TVS Single Uni-Dir 48V 1.5KW 2-Pin SMC T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SMCJ36CA R7G | Taiwan Semiconductor |
Diode TVS Single Bi-Dir 36V 1.5KW 2-Pin SMC T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MCR100-8 A1G | Taiwan Semiconductor |
Small Signal Thyristors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MUR460 R0G | Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 4A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
MUR460S R7G | Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 600V 4A 2-Pin SMC T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SS34 V7G | Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R |
на замовлення 1128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SS34 R6G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SS34 R7G | Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
SS34 R6 | Taiwan Semiconductor |
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SS34 R7 | Taiwan Semiconductor | Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
SS34L RVG | Taiwan Semiconductor |
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SS36 V7G | Taiwan Semiconductor |
Diode Schottky 60V 3A 2-Pin SMC |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SS36 R6 | Taiwan Semiconductor | Diode Schottky 60V 3A 2-Pin SMC T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SS36 R7G | Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 60V 3A 2-Pin SMC T/R |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SK34B R5G | Taiwan Semiconductor |
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMB T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SK34B R5G | Taiwan Semiconductor |
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMB T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
BC847C RFG | Taiwan Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BC856A RFG | Taiwan Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BC856A RF | Taiwan Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SS24 M4G | Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 40V 2A 2-Pin SMB T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SS24 R4 | Taiwan Semiconductor | Diode Schottky 40V 2A 2-Pin SMB T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SS24M RSG | Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 40V 2A 2-Pin Micro SMA T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
BAV103 L0 | Taiwan Semiconductor |
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BAV103 L0 | Taiwan Semiconductor |
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BAV103 L0G | Taiwan Semiconductor |
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BAV103 L1 | Taiwan Semiconductor |
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SS14 R2 | Taiwan Semiconductor |
Diode Schottky 40V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TSM2312CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 480mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 0.48W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 480mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 0.48W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.56 грн |
| 10+ | 50.29 грн |
| 100+ | 31.54 грн |
| 500+ | 24.45 грн |
| 1000+ | 23.39 грн |
| TSM2314CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.88 грн |
| 10+ | 47.26 грн |
| 50+ | 32.31 грн |
| 100+ | 27.85 грн |
| 500+ | 21.15 грн |
| TSM2318CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSM2318CX-RFG SMD N channel transistors
TSM2318CX-RFG SMD N channel transistors
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.28 грн |
| 45+ | 25.62 грн |
| 123+ | 24.26 грн |
| TSM2323CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.7A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.7A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.83 грн |
| 5+ | 71.55 грн |
| 50+ | 41.34 грн |
| 100+ | 35.32 грн |
| 250+ | 32.22 грн |
| TSM240N03CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.52 грн |
| 9+ | 36.68 грн |
| 25+ | 24.65 грн |
| 100+ | 22.22 грн |
| 1000+ | 17.66 грн |
| TSM320N03CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.12 грн |
| 25+ | 30.33 грн |
| 100+ | 26.01 грн |
| 500+ | 24.26 грн |
| TSM320N03CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.12 грн |
| 25+ | 30.33 грн |
| 100+ | 26.01 грн |
| 500+ | 24.26 грн |
| TSM4806CS RLG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 28A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.3nC
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 28A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.3nC
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.80 грн |
| 10+ | 30.53 грн |
| 100+ | 23.00 грн |
| 500+ | 19.21 грн |
| TSM4936DCS RLG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSM4936DCS-RLG Multi channel transistors
TSM4936DCS-RLG Multi channel transistors
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.61 грн |
| 33+ | 35.13 грн |
| 90+ | 33.29 грн |
| TSM500P02CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSM500P02CX-RFG SMD P channel transistors
TSM500P02CX-RFG SMD P channel transistors
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.86 грн |
| 50+ | 19.85 грн |
| 157+ | 19.02 грн |
| TSM60NB380CP ROG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.12 грн |
| 5+ | 144.11 грн |
| 25+ | 122.27 грн |
| 100+ | 109.66 грн |
| 1000+ | 108.69 грн |
| TSM650P03CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.58 грн |
| 11+ | 28.02 грн |
| 25+ | 23.10 грн |
| 100+ | 17.66 грн |
| 500+ | 16.30 грн |
| TSM850N06CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.62 грн |
| 14+ | 22.77 грн |
| 100+ | 18.44 грн |
| 500+ | 17.18 грн |
| 1000+ | 16.89 грн |
| TSM900N06CW RPG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 4.17W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 4.17W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.94 грн |
| 10+ | 33.15 грн |
| 25+ | 29.50 грн |
| TSS40U RGG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; 0603; SMD; 40V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: 0603
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; 0603; SMD; 40V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: 0603
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.99 грн |
| 19+ | 16.73 грн |
| 100+ | 9.30 грн |
| 500+ | 6.35 грн |
| 1000+ | 5.49 грн |
| 2000+ | 4.81 грн |
| 4000+ | 4.28 грн |
| TSS42U RG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; 0603; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: 0603
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; 0603; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: 0603
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 12.02 грн |
| 50+ | 7.26 грн |
| 250+ | 6.31 грн |
| 1000+ | 5.63 грн |
| 4000+ | 5.43 грн |
| TSZU52C10 RGG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSZU52C10-RGG SMD Zener diodes
TSZU52C10-RGG SMD Zener diodes
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.84 грн |
| 210+ | 5.50 грн |
| 575+ | 5.20 грн |
| TSZU52C12 RGG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 12V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Type of diode: Zener
Leakage current: 0.1µA
Zener current: 5mA
Power dissipation: 0.15W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 12V
Case: 0603
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 12V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Type of diode: Zener
Leakage current: 0.1µA
Zener current: 5mA
Power dissipation: 0.15W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 12V
Case: 0603
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 45+ | 6.93 грн |
| 100+ | 5.29 грн |
| 500+ | 5.01 грн |
| TSZU52C9V1 RGG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 9.1V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: 0603
Semiconductor structure: single diode
Zener current: 5mA
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 9.1V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: 0603
Semiconductor structure: single diode
Zener current: 5mA
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 30+ | 10.88 грн |
| 100+ | 9.22 грн |
| 500+ | 8.44 грн |
| UF4007 R0 |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Capacitance: 17pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Capacitance: 17pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.67 грн |
| 12+ | 25.60 грн |
| 25+ | 13.20 грн |
| 100+ | 8.25 грн |
| 250+ | 7.38 грн |
| 500+ | 6.99 грн |
| 1000+ | 6.60 грн |
| UF4007 |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Capacitance: 17pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Capacitance: 17pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.17 грн |
| 17+ | 18.24 грн |
| 25+ | 14.17 грн |
| 100+ | 10.19 грн |
| 500+ | 7.38 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| 2000+ | 5.82 грн |
| UGF2008GH |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; ITO220AB; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: ITO220AB
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 25ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; ITO220AB; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: ITO220AB
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 25ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.50 грн |
| 10+ | 54.83 грн |
| 25+ | 49.30 грн |
| US1J F3 |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.89 грн |
| 14+ | 21.97 грн |
| 25+ | 16.98 грн |
| 100+ | 15.24 грн |
| 500+ | 14.17 грн |
| US1M M2G |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 10pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 10pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 10.35 грн |
| 34+ | 9.07 грн |
| 100+ | 7.67 грн |
| 500+ | 7.38 грн |
| US1MH |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Capacitance: 10pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Capacitance: 10pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.22 грн |
| 17+ | 18.54 грн |
| 100+ | 10.87 грн |
| 500+ | 7.76 грн |
| 1000+ | 6.79 грн |
| 2500+ | 6.50 грн |
| 6A10GHR0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case R-6 T/R Automotive AEC-Q101
Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case R-6 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 6A05G R0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 50V 6A 2-Pin Case R-6 T/R
Diode Switching 50V 6A 2-Pin Case R-6 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 6A05G R0 |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 50V 6A 2-Pin Case R-6 T/R
Diode Switching 50V 6A 2-Pin Case R-6 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SK110B R4 |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 100V 1A 2-Pin SMB T/R
Diode Schottky 100V 1A 2-Pin SMB T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SK110B M4G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Schottky Si 100V 1A 2-Pin SMB T/R
Rectifier Diode Schottky Si 100V 1A 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N4756A R0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 47V 5% 80Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 T/R
Zener Diode Single 47V 5% 80Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2045CT C0 |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 45V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Diode Schottky 45V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCJ48A V7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode TVS Single Uni-Dir 48V 1.5KW 2-Pin SMC T/R
Diode TVS Single Uni-Dir 48V 1.5KW 2-Pin SMC T/R
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SMCJ48A |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode TVS Single Uni-Dir 48V 1.5KW 2-Pin SMC T/R
Diode TVS Single Uni-Dir 48V 1.5KW 2-Pin SMC T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCJ36CA R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode TVS Single Bi-Dir 36V 1.5KW 2-Pin SMC T/R Automotive AEC-Q101
Diode TVS Single Bi-Dir 36V 1.5KW 2-Pin SMC T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 12.69 грн |
| 253+ | 2.82 грн |
| 257+ | 2.77 грн |
| 261+ | 2.63 грн |
| 265+ | 2.40 грн |
| 270+ | 2.26 грн |
| 274+ | 2.22 грн |
| 500+ | 2.19 грн |
| MCR100-8 A1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Small Signal Thyristors
Small Signal Thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR460 R0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 4A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
Rectifier Diode Switching 600V 4A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR460S R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 600V 4A 2-Pin SMC T/R
Diode Switching 600V 4A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SS34 V7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R
Rectifier Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 18.36 грн |
| 40+ | 17.84 грн |
| 41+ | 17.76 грн |
| 100+ | 16.41 грн |
| 250+ | 14.98 грн |
| 500+ | 14.11 грн |
| 1000+ | 13.88 грн |
| SS34 R6G |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R
Rectifier Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SS34 R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R
Rectifier Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 45.21 грн |
| 19+ | 39.01 грн |
| 100+ | 29.13 грн |
| SS34 R6 |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SS34 R7 |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMC T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SS34L RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin Sub SMA T/R
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 149+ | 4.77 грн |
| 150+ | 4.76 грн |
| 250+ | 4.75 грн |
| SS36 V7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 60V 3A 2-Pin SMC
Diode Schottky 60V 3A 2-Pin SMC
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 89+ | 8.04 грн |
| 104+ | 6.89 грн |
| 105+ | 6.81 грн |
| 106+ | 6.51 грн |
| 107+ | 5.94 грн |
| 250+ | 5.62 грн |
| 500+ | 5.54 грн |
| SS36 R6 |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 60V 3A 2-Pin SMC T/R
Diode Schottky 60V 3A 2-Pin SMC T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SS36 R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 3A 2-Pin SMC T/R
Rectifier Diode Schottky 60V 3A 2-Pin SMC T/R
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 41.78 грн |
| 20+ | 35.91 грн |
| 25+ | 35.54 грн |
| 50+ | 33.93 грн |
| 100+ | 22.75 грн |
| SK34B R5G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMB T/R
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SK34B R5G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMB T/R
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC847C RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC856A RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC856A RF |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SS24 M4G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 2A 2-Pin SMB T/R
Rectifier Diode Schottky 40V 2A 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SS24 R4 |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 40V 2A 2-Pin SMB T/R
Diode Schottky 40V 2A 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SS24M RSG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 2A 2-Pin Micro SMA T/R
Rectifier Diode Schottky 40V 2A 2-Pin Micro SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAV103 L0 |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAV103 L0 |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BAV103 L0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAV103 L1 |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SS14 R2 |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 40V 1A 2-Pin SMA T/R
Diode Schottky 40V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
























