Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (39442) > Сторінка 614 з 658

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 65 130 195 260 325 390 455 520 585 609 610 611 612 613 614 615 616 617 618 619 650 658  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TCKE805NA,RF(S TCKE805NA,RF(S TOSHIBA 3999375.pdf Description: TOSHIBA - TCKE805NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.71 грн
10+92.73 грн
50+77.93 грн
100+58.46 грн
250+53.69 грн
500+53.34 грн
1000+52.99 грн
2500+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(T SSM3K361R,LF(T TOSHIBA 3622436.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.24 грн
50+61.41 грн
100+53.44 грн
500+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(T SSM3K361R,LF(T TOSHIBA 3622436.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.44 грн
500+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B041FNG(Z,EL) TC78B041FNG(Z,EL) TOSHIBA 3621003.pdf Description: TOSHIBA - TC78B041FNG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 18V, 2mA, 6V bis 16.5V, SSOP-30
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2mA
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 18V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.20 грн
10+141.54 грн
25+116.32 грн
100+96.68 грн
500+80.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1 TPH4R008QM,LQ(M1 TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.72 грн
500+46.15 грн
1000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(S TW015N120C,S1F(S TOSHIBA 3760624.pdf Description: TOSHIBA - TW015N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8336.96 грн
5+7294.94 грн
10+6044.68 грн
50+5032.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F(S TW015Z120C,S1F(S TOSHIBA 3983294.pdf Description: TOSHIBA - TW015Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5562.31 грн
5+5009.17 грн
10+4455.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ(S TK22V65X5,LQ(S TOSHIBA 3934666.pdf Description: TOSHIBA - TK22V65X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.14 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.28 грн
10+239.15 грн
100+182.21 грн
500+166.17 грн
1000+150.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ(S TK22V65X5,LQ(S TOSHIBA 3934666.pdf Description: TOSHIBA - TK22V65X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.14 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.21 грн
500+166.17 грн
1000+150.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPL,E(T TLP3906(TPL,E(T TOSHIBA 3622594.pdf Description: TOSHIBA - TLP3906(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kVrms
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.03 грн
10+95.17 грн
25+90.29 грн
50+79.31 грн
100+69.17 грн
500+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPL,E(T TLP3906(TPL,E(T TOSHIBA 3622594.pdf Description: TOSHIBA - TLP3906(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kVrms
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.17 грн
500+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(S TK14G65W,RQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.26 грн
10+158.62 грн
100+120.39 грн
500+108.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(S TK14G65W,RQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.39 грн
500+108.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1F(S TW083Z65C,S1F(S TOSHIBA 3983301.pdf Description: TOSHIBA - TW083Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+976.13 грн
5+815.88 грн
10+655.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1F(S TW083N65C,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TW083N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPD1055FA,BXH(S TPD1055FA,BXH(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPD1055FA,BXH(S - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 10 Pin(s), WSON-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Eingang: CMOS, TTL
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: -0.3VDC
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 25VDC
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+160.36 грн
250+152.00 грн
500+147.12 грн
1000+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPD1055FA,BXH(S TPD1055FA,BXH(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPD1055FA,BXH(S - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 10 Pin(s), WSON-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Eingang: CMOS, TTL
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: -0.3VDC
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25VDC
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.72 грн
10+225.32 грн
25+207.43 грн
50+183.55 грн
100+160.36 грн
250+152.00 грн
500+147.12 грн
1000+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE712BNL,RF(S TCKE712BNL,RF(S TOSHIBA 3999374.pdf Description: TOSHIBA - TCKE712BNL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 13.2V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.95 грн
250+44.90 грн
500+44.62 грн
1000+44.34 грн
2500+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE712BNL,RF(S TCKE712BNL,RF(S TOSHIBA 3999374.pdf Description: TOSHIBA - TCKE712BNL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 13.2V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.37 грн
11+77.76 грн
50+65.24 грн
100+48.95 грн
250+44.90 грн
500+44.62 грн
1000+44.34 грн
2500+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65H,S1Q(S TRS8E65H,S1Q(S TOSHIBA 3973735.pdf Description: TOSHIBA - TRS8E65H,S1Q(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 23 A, 22 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.50 грн
10+270.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ(S TRS8V65H,LQ(S TOSHIBA 3973736.pdf Description: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.07 грн
500+86.86 грн
1000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ(S TRS8V65H,LQ(S TOSHIBA 3973736.pdf Description: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.85 грн
10+126.90 грн
100+113.07 грн
500+86.86 грн
1000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62083APG(Z,HZW) TBD62083APG(Z,HZW) TOSHIBA 3937417.pdf Description: TOSHIBA - TBD62083APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Ausgangsspannung: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Treiber: PDIP
Ausgangsstrom: 500mA
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.86 грн
10+122.83 грн
50+95.99 грн
100+83.09 грн
250+73.21 грн
500+69.72 грн
1000+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(T SSM3J351R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J351R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.134 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.53 грн
50+35.71 грн
100+28.55 грн
500+21.00 грн
1500+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(M TPHR7404PU,L1Q(M TOSHIBA 3934819.pdf Description: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.20 грн
500+92.91 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(M TPHR7404PU,L1Q(M TOSHIBA 3934819.pdf Description: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.18 грн
10+159.43 грн
100+121.20 грн
500+92.91 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(T SSM3J338R,LF(T TOSHIBA 3622421.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0176 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.33 грн
50+25.95 грн
100+19.77 грн
500+14.88 грн
1500+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(T SSM3J338R,LF(T TOSHIBA 3622421.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0176 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0139ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.77 грн
500+14.88 грн
1500+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GM(TPR,E(T TLP172GM(TPR,E(T TOSHIBA 3980991.pdf Description: TOSHIBA - TLP172GM(TPR,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 350 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 50ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GAM(TPL,E(T TLP172GAM(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP172GAM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 65ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.14 грн
500+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GM(TPR,E(T TLP172GM(TPR,E(T TOSHIBA 3980991.pdf Description: TOSHIBA - TLP172GM(TPR,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 350 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 50ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.10 грн
12+72.48 грн
25+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GAM(TPL,E(T TLP172GAM(TPL,E(T TOSHIBA 3980990.pdf Description: TOSHIBA - TLP172GAM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 65ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.49 грн
10+91.92 грн
25+86.22 грн
50+76.29 грн
100+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X(S TK100E08N1,S1X(S TOSHIBA 3934614.pdf Description: TOSHIBA - TK100E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+409.97 грн
10+230.20 грн
100+229.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S TOSHIBA 3732411.pdf Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.87 грн
12+69.22 грн
100+48.48 грн
500+36.33 грн
1000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S TOSHIBA 3732411.pdf Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.48 грн
500+36.33 грн
1000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754H(TP,E(T TLP5754H(TP,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP5754H(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 5 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754H(TP,E(T TLP5754H(TP,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP5754H(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 5 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.46 грн
10+100.05 грн
25+87.04 грн
50+78.56 грн
100+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B027FTG(Z,EL) TC78B027FTG(Z,EL) TOSHIBA 3621002.pdf Description: TOSHIBA - TC78B027FTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 18V, 200mA, 9V bis 16V, VQFN-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 0
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 18V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.00 грн
10+92.73 грн
50+90.29 грн
100+77.80 грн
250+71.12 грн
500+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R4P06PL,RQ(S2 TK4R4P06PL,RQ(S2 TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.84 грн
10+116.32 грн
100+80.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R4P06PL,RQ(S2 TK4R4P06PL,RQ(S2 TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(M TPH3R203NL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 2700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.90 грн
11+80.86 грн
100+53.93 грн
500+36.41 грн
1000+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(M TPH3R203NL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 2700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.93 грн
500+36.41 грн
1000+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62783AFG(Z,EL) TBD62783AFG(Z,EL) TOSHIBA 3937426.pdf Description: TOSHIBA - TBD62783AFG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/-0.5Aout, 8 Ausgänge, SOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 50V
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62783APG(Z,HZW) TBD62783APG(Z,HZW) TOSHIBA 3937426.pdf Description: TOSHIBA - TBD62783APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/-0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: PDIP
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 50V
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.21 грн
10+87.04 грн
50+80.04 грн
100+67.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62783AFG(Z,EL) TBD62783AFG(Z,EL) TOSHIBA 3937426.pdf Description: TOSHIBA - TBD62783AFG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/-0.5Aout, 8 Ausgänge, SOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 50V
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.14 грн
10+128.52 грн
50+114.70 грн
100+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(T SSM3K329R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.096 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.89 грн
50+16.59 грн
100+9.60 грн
500+7.63 грн
1000+5.86 грн
5000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(T SSM3K318R,LF(T TOSHIBA TOSC-S-A0002810476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.82 грн
32+26.03 грн
100+12.93 грн
500+9.52 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(T SSM3K324R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.21 грн
59+13.99 грн
121+6.75 грн
500+5.82 грн
1000+4.95 грн
5000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(T SSM3K324R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.82 грн
1000+4.95 грн
5000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F(T SSM3K36MFV,L3F(T TOSHIBA 3622437.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K36MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(T SSM3K335R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.36 грн
500+8.84 грн
1000+5.37 грн
5000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(T SSM3K36FS,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.70 грн
45+18.30 грн
100+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(T SSM3K329R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.096 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.60 грн
500+7.63 грн
1000+5.86 грн
5000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(T SSM3K318R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.82 грн
32+26.03 грн
100+12.93 грн
500+9.52 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(T SSM3K333R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.25 грн
39+20.99 грн
100+9.92 грн
500+7.78 грн
1000+5.79 грн
5000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(T SSM3K335R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.53 грн
44+18.87 грн
100+12.36 грн
500+8.84 грн
1000+5.37 грн
5000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(T SSM3K333R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0257ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.92 грн
500+7.78 грн
1000+5.79 грн
5000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(T SSM3K36FS,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.70 грн
45+18.30 грн
100+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H480FNG(O,EL) TB67H480FNG(O,EL) TOSHIBA Description: TOSHIBA - TB67H480FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.99 грн
250+90.64 грн
500+83.67 грн
1000+75.30 грн
2500+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H481FNG(O,EL) TB67H481FNG(O,EL) TOSHIBA Description: TOSHIBA - TB67H481FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.99 грн
250+90.64 грн
500+83.67 грн
1000+75.30 грн
2500+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE805NA,RF(S 3999375.pdf
TCKE805NA,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE805NA,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.71 грн
10+92.73 грн
50+77.93 грн
100+58.46 грн
250+53.69 грн
500+53.34 грн
1000+52.99 грн
2500+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(T 3622436.pdf
SSM3K361R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.24 грн
50+61.41 грн
100+53.44 грн
500+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(T 3622436.pdf
SSM3K361R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.44 грн
500+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B041FNG(Z,EL) 3621003.pdf
TC78B041FNG(Z,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC78B041FNG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 18V, 2mA, 6V bis 16.5V, SSOP-30
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2mA
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 18V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.20 грн
10+141.54 грн
25+116.32 грн
100+96.68 грн
500+80.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1
TPH4R008QM,LQ(M1
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.72 грн
500+46.15 грн
1000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(S 3760624.pdf
TW015N120C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8336.96 грн
5+7294.94 грн
10+6044.68 грн
50+5032.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F(S 3983294.pdf
TW015Z120C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5562.31 грн
5+5009.17 грн
10+4455.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ(S 3934666.pdf
TK22V65X5,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK22V65X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.14 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+295.28 грн
10+239.15 грн
100+182.21 грн
500+166.17 грн
1000+150.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ(S 3934666.pdf
TK22V65X5,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK22V65X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.14 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+182.21 грн
500+166.17 грн
1000+150.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPL,E(T 3622594.pdf
TLP3906(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP3906(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kVrms
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.03 грн
10+95.17 грн
25+90.29 грн
50+79.31 грн
100+69.17 грн
500+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPL,E(T 3622594.pdf
TLP3906(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP3906(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kVrms
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.17 грн
500+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(S
TK14G65W,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.26 грн
10+158.62 грн
100+120.39 грн
500+108.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(S
TK14G65W,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+120.39 грн
500+108.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1F(S 3983301.pdf
TW083Z65C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW083Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+976.13 грн
5+815.88 грн
10+655.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1F(S
TW083N65C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW083N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPD1055FA,BXH(S
TPD1055FA,BXH(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPD1055FA,BXH(S - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 10 Pin(s), WSON-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Eingang: CMOS, TTL
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: -0.3VDC
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 25VDC
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+160.36 грн
250+152.00 грн
500+147.12 грн
1000+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPD1055FA,BXH(S
TPD1055FA,BXH(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPD1055FA,BXH(S - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 10 Pin(s), WSON-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Eingang: CMOS, TTL
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: -0.3VDC
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25VDC
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+297.72 грн
10+225.32 грн
25+207.43 грн
50+183.55 грн
100+160.36 грн
250+152.00 грн
500+147.12 грн
1000+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE712BNL,RF(S 3999374.pdf
TCKE712BNL,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE712BNL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 13.2V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.95 грн
250+44.90 грн
500+44.62 грн
1000+44.34 грн
2500+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE712BNL,RF(S 3999374.pdf
TCKE712BNL,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE712BNL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 13.2V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.37 грн
11+77.76 грн
50+65.24 грн
100+48.95 грн
250+44.90 грн
500+44.62 грн
1000+44.34 грн
2500+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65H,S1Q(S 3973735.pdf
TRS8E65H,S1Q(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS8E65H,S1Q(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 23 A, 22 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+272.50 грн
10+270.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ(S 3973736.pdf
TRS8V65H,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.07 грн
500+86.86 грн
1000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ(S 3973736.pdf
TRS8V65H,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.85 грн
10+126.90 грн
100+113.07 грн
500+86.86 грн
1000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62083APG(Z,HZW) 3937417.pdf
TBD62083APG(Z,HZW)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62083APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Ausgangsspannung: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Treiber: PDIP
Ausgangsstrom: 500mA
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.86 грн
10+122.83 грн
50+95.99 грн
100+83.09 грн
250+73.21 грн
500+69.72 грн
1000+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(T
SSM3J351R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J351R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.134 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.53 грн
50+35.71 грн
100+28.55 грн
500+21.00 грн
1500+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(M 3934819.pdf
TPHR7404PU,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.20 грн
500+92.91 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(M 3934819.pdf
TPHR7404PU,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+265.18 грн
10+159.43 грн
100+121.20 грн
500+92.91 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(T 3622421.pdf
SSM3J338R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0176 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.33 грн
50+25.95 грн
100+19.77 грн
500+14.88 грн
1500+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(T 3622421.pdf
SSM3J338R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0176 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0139ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.77 грн
500+14.88 грн
1500+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GM(TPR,E(T 3980991.pdf
TLP172GM(TPR,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP172GM(TPR,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 350 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 50ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GAM(TPL,E(T
TLP172GAM(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP172GAM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 65ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.14 грн
500+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GM(TPR,E(T 3980991.pdf
TLP172GM(TPR,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP172GM(TPR,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 350 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 50ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.10 грн
12+72.48 грн
25+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TLP172GAM(TPL,E(T 3980990.pdf
TLP172GAM(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP172GAM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 110 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 110mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 65ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+102.49 грн
10+91.92 грн
25+86.22 грн
50+76.29 грн
100+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X(S 3934614.pdf
TK100E08N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+409.97 грн
10+230.20 грн
100+229.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S 3732411.pdf
TK3P50D,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.87 грн
12+69.22 грн
100+48.48 грн
500+36.33 грн
1000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S 3732411.pdf
TK3P50D,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.48 грн
500+36.33 грн
1000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754H(TP,E(T
TLP5754H(TP,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP5754H(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 5 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754H(TP,E(T
TLP5754H(TP,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP5754H(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 5 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.46 грн
10+100.05 грн
25+87.04 грн
50+78.56 грн
100+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B027FTG(Z,EL) 3621002.pdf
TC78B027FTG(Z,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC78B027FTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 18V, 200mA, 9V bis 16V, VQFN-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 0
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 18V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.00 грн
10+92.73 грн
50+90.29 грн
100+77.80 грн
250+71.12 грн
500+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R4P06PL,RQ(S2
TK4R4P06PL,RQ(S2
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.84 грн
10+116.32 грн
100+80.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R4P06PL,RQ(S2
TK4R4P06PL,RQ(S2
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(M
TPH3R203NL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 2700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.90 грн
11+80.86 грн
100+53.93 грн
500+36.41 грн
1000+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(M
TPH3R203NL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 2700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.93 грн
500+36.41 грн
1000+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62783AFG(Z,EL) 3937426.pdf
TBD62783AFG(Z,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62783AFG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/-0.5Aout, 8 Ausgänge, SOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 50V
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62783APG(Z,HZW) 3937426.pdf
TBD62783APG(Z,HZW)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62783APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/-0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: PDIP
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 50V
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.21 грн
10+87.04 грн
50+80.04 грн
100+67.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62783AFG(Z,EL) 3937426.pdf
TBD62783AFG(Z,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62783AFG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/-0.5Aout, 8 Ausgänge, SOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 50V
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.14 грн
10+128.52 грн
50+114.70 грн
100+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(T
SSM3K329R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.096 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+24.89 грн
50+16.59 грн
100+9.60 грн
500+7.63 грн
1000+5.86 грн
5000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(T TOSC-S-A0002810476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SSM3K318R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.82 грн
32+26.03 грн
100+12.93 грн
500+9.52 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(T
SSM3K324R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+22.21 грн
59+13.99 грн
121+6.75 грн
500+5.82 грн
1000+4.95 грн
5000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(T
SSM3K324R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.82 грн
1000+4.95 грн
5000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F(T 3622437.pdf
SSM3K36MFV,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K36MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(T
SSM3K335R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.36 грн
500+8.84 грн
1000+5.37 грн
5000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(T
SSM3K36FS,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+22.70 грн
45+18.30 грн
100+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(T
SSM3K329R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.096 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.60 грн
500+7.63 грн
1000+5.86 грн
5000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(T
SSM3K318R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.82 грн
32+26.03 грн
100+12.93 грн
500+9.52 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(T
SSM3K333R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.25 грн
39+20.99 грн
100+9.92 грн
500+7.78 грн
1000+5.79 грн
5000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(T
SSM3K335R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.53 грн
44+18.87 грн
100+12.36 грн
500+8.84 грн
1000+5.37 грн
5000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(T
SSM3K333R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0257ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.92 грн
500+7.78 грн
1000+5.79 грн
5000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(T
SSM3K36FS,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+22.70 грн
45+18.30 грн
100+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H480FNG(O,EL)
TB67H480FNG(O,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67H480FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.99 грн
250+90.64 грн
500+83.67 грн
1000+75.30 грн
2500+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H481FNG(O,EL)
TB67H481FNG(O,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67H481FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.99 грн
250+90.64 грн
500+83.67 грн
1000+75.30 грн
2500+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 65 130 195 260 325 390 455 520 585 609 610 611 612 613 614 615 616 617 618 619 650 658  [ Наступна Сторінка >> ]