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SSM6N67NU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N67NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TC7SH08F,LJ(CT | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 25mA IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl von Elementen: Eins SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TC7SH08F,LJ(CT | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 0 Bauform - Logikbaustein: SOT-25 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 25mA IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl von Elementen: Eins SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK6P65W,RQ(S | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK7P65W,RQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.66 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK6P65W,RQ(S | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74LCX08FT(AJ) | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 74LCX Bauform - Logikbaustein: TSSOP-B hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 50mA IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-B usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl von Elementen: Vier SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74LCX08FT(AJ) | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 74LCX Bauform - Logikbaustein: TSSOP-B hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 50mA IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-B usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl von Elementen: Vier SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3K2615R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK17A65W,S5X(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK17A65W5,S5X(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2302,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2302,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2302,LXGF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2302,LXGF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TC4W66FU(TE12L,F) | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Bilateraler Schalter rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 18V Einschaltwiderstand, max.: 160ohm Einschaltwiderstand, typ.: 85ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-505 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: SPST euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TC4W66FU(TE12L,F) | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Bilateraler Schalter rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 18V Einschaltwiderstand, max.: 160ohm Einschaltwiderstand, typ.: 85ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-P usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: SPST euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TC4W66FU(TE12L,F) | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Bilateraler Schalter rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 18V Einschaltwiderstand, max.: 160ohm Einschaltwiderstand, typ.: 85ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-P usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: SPST euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TC4W66FU(TE12L,F) | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Bilateraler Schalter rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 18V Einschaltwiderstand, max.: 160ohm Einschaltwiderstand, typ.: 85ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-505 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: SPST euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CUHS20S30,H3F(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK14A65W,S5X(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK14A65W5,S5X(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1SS383(TE85L,F) | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Durchlassstoßstrom: 1A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 600mV hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 125°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP5814H(TP,E(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP5814H(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 5 kVrms tariffCode: 85423911 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) Isolationsspannung: 5kVrms euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP3431S(TP,E(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP3431S(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), 20 V, 450 mA, S-VSON-4, Oberflächenmontage tariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Laststrom: 450mA Lastspannung, max.: 20V Isolationsspannung: 500Vrms euEccn: NLR hazardous: false Durchlasswiderstand, max.: 1.2ohm I/O-Kapazität: 0.6pF rohsPhthalatesCompliant: TBA Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1nA usEccn: EAR99 |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP5814H(TP,E(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP5814H(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 5 kVrms tariffCode: 85423911 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) Isolationsspannung: 5kVrms euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP3431S(TP,E(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP3431S(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), 20 V, 450 mA, S-VSON-4, Oberflächenmontage tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1nA Isolationsspannung: 500Vrms Lasttyp: - euEccn: NLR Lastspannung, max.: 20V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 450mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 0.6pF Bauform MOSFET-Relais: S-VSON-4 Durchlasswiderstand, max.: 1.2ohm SVHC: Hexahydromethylphthalic anhydride [1], Hexahydro-4-methylphthalic anhydride [2], Hexahydro-1-methylphthalic anhydride[3] (21-Jan-2025) |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2S5.6ASL,L3F(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-962 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 32W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2S5.6ASL,L3F(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-962 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 32W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TMPM4K4FYBUG(DBB) | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M4F hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: LQFP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 12Kanäle Programmspeichergröße: 256KB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 120MHz euEccn: NLR MCU-Familie: TXZ+ RAM-Speichergröße: 18KB MCU-Baureihe: TMPM4K Anzahl der Ein-/Ausgänge: 51I/O(s) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: TXZ+ Family TMPM4K Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, UART, SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TRS10V65H,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TRS10V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 26 A, 27 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 27nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TRS10V65H,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TRS10V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 26 A, 27 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 27nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPD7212FN,L1XHF(S | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: Vollbrücke, 3 Phasen rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SSOP Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 6Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 0.21µs Ausgabeverzögerung: 0.21µs Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3J328R,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0249ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3J355R,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0301ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3K123TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6L39TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6L39TU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.6 A, 1.6 A, 0.087 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.087ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.087ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3J325F,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J325F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: U-MOSVI Series |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6K406TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3J352F,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6N24TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N24TU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.145 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIII Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.145ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3K122TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K122TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSIII Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3K336R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K336R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.095 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3J134TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J134TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.093 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3K116TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3J132TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J132TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.4 A, 0.017 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3J36FS,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.31ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6N37FU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N37FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIII Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6N67NU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N67NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6N37FU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N37FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIII Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3J112TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6N357R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N357R,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6J512NU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J512NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0162 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6K406TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6N39TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N39TU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.119 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3J15F,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: p-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3J36FS,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC4116-Y,LXHF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC4116-Y,LXHF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74LCX157FT(AJ) | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74157 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74LCX Bauform - Logikbaustein: TSSOP-B hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-B usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: 0 Logiktyp: Multiplexer euEccn: NLR Leitungskonfiguration: 0 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6N67NU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N67NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: TOSHIBA - SSM6N67NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 34.73 грн |
34+ | 24.69 грн |
100+ | 17.57 грн |
500+ | 12.98 грн |
1000+ | 8.89 грн |
TC7SH08F,LJ(CT |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC7SH08F,LJ(CT - Logik-IC, AND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SOT-25
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TC7SH08F,LJ(CT - Logik-IC, AND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SOT-25
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 5.13 грн |
1000+ | 3.01 грн |
TC7SH08F,LJ(CT |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC7SH08F,LJ(CT - Logik-IC, AND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SOT-25
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 0
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TC7SH08F,LJ(CT - Logik-IC, AND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SOT-25
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 0
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 28.79 грн |
60+ | 13.97 грн |
110+ | 7.61 грн |
500+ | 5.13 грн |
1000+ | 3.01 грн |
TK6P65W,RQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.89 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK6P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.89 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 73.22 грн |
15+ | 57.57 грн |
100+ | 40.33 грн |
500+ | 30.38 грн |
1000+ | 25.89 грн |
TK7P65W,RQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.66 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK7P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.66 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 75.06 грн |
500+ | 53.69 грн |
1000+ | 44.33 грн |
TK6P65W,RQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.89 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK6P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.89 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 40.33 грн |
500+ | 30.38 грн |
1000+ | 25.89 грн |
74LCX08FT(AJ) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 74LCX08FT(AJ) - Logik-IC, AND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP-B
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP-B
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-B
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 74LCX08FT(AJ) - Logik-IC, AND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP-B
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP-B
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-B
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 38.24 грн |
50+ | 25.69 грн |
100+ | 20.58 грн |
500+ | 15.54 грн |
1000+ | 11.48 грн |
74LCX08FT(AJ) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 74LCX08FT(AJ) - Logik-IC, AND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP-B
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP-B
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-B
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 74LCX08FT(AJ) - Logik-IC, AND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP-B
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP-B
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-B
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 20.58 грн |
500+ | 15.54 грн |
1000+ | 11.48 грн |
SSM3K2615R,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 38.49 грн |
27+ | 31.13 грн |
100+ | 17.41 грн |
500+ | 13.36 грн |
1000+ | 9.54 грн |
TK17A65W,S5X(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK17A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK17A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 194.97 грн |
10+ | 172.38 грн |
TK17A65W5,S5X(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK17A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.19 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK17A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.19 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 295.38 грн |
10+ | 286.18 грн |
RN2302,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2302,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: TOSHIBA - RN2302,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 2.02 грн |
1000+ | 1.65 грн |
RN2302,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2302,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: TOSHIBA - RN2302,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
304+ | 2.76 грн |
371+ | 2.26 грн |
378+ | 2.22 грн |
500+ | 2.02 грн |
1000+ | 1.65 грн |
RN2302,LXGF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2302,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: TOSHIBA - RN2302,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 4.27 грн |
1000+ | 3.51 грн |
RN2302,LXGF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2302,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: TOSHIBA - RN2302,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
143+ | 5.86 грн |
176+ | 4.77 грн |
179+ | 4.69 грн |
500+ | 4.27 грн |
1000+ | 3.51 грн |
TC4W66FU(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC4W66FU(TE12L,F) - ANALOGSCHALTER, SPST, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Bilateraler Schalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 18V
Einschaltwiderstand, max.: 160ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 85ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-505
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TC4W66FU(TE12L,F) - ANALOGSCHALTER, SPST, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Bilateraler Schalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 18V
Einschaltwiderstand, max.: 160ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 85ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-505
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 11.63 грн |
9000+ | 10.46 грн |
TC4W66FU(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC4W66FU(TE12L,F) - Bilateraler Schalter, 2 Kanäle, SPST, 85 Ohm, 3V bis 18V, SSOP-P-8, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Bilateraler Schalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 18V
Einschaltwiderstand, max.: 160ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 85ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-P
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TC4W66FU(TE12L,F) - Bilateraler Schalter, 2 Kanäle, SPST, 85 Ohm, 3V bis 18V, SSOP-P-8, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Bilateraler Schalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 18V
Einschaltwiderstand, max.: 160ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 85ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-P
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
54+ | 15.73 грн |
61+ | 13.72 грн |
TC4W66FU(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC4W66FU(TE12L,F) - Bilateraler Schalter, 2 Kanäle, SPST, 85 Ohm, 3V bis 18V, SSOP-P-8, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Bilateraler Schalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 18V
Einschaltwiderstand, max.: 160ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 85ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-P
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TC4W66FU(TE12L,F) - Bilateraler Schalter, 2 Kanäle, SPST, 85 Ohm, 3V bis 18V, SSOP-P-8, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Bilateraler Schalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 18V
Einschaltwiderstand, max.: 160ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 85ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-P
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 13.72 грн |
TC4W66FU(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC4W66FU(TE12L,F) - ANALOGSCHALTER, SPST, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Bilateraler Schalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 18V
Einschaltwiderstand, max.: 160ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 85ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-505
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TC4W66FU(TE12L,F) - ANALOGSCHALTER, SPST, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Bilateraler Schalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 18V
Einschaltwiderstand, max.: 160ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 85ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-505
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 11.63 грн |
9000+ | 10.46 грн |
CUHS20S30,H3F(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - CUHS20S30,H3F(T - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 2 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 410 mV
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - CUHS20S30,H3F(T - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 2 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 410 mV
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 19.25 грн |
500+ | 14.22 грн |
1000+ | 9.18 грн |
5000+ | 8.46 грн |
TK14A65W,S5X(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK14A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 281.16 грн |
10+ | 144.76 грн |
TK14A65W5,S5X(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK14A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 220.91 грн |
10+ | 167.36 грн |
100+ | 147.27 грн |
1SS383(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS383(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 45 V, 100 mA, 600 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Durchlassstoßstrom: 1A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 600mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - 1SS383(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 45 V, 100 mA, 600 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Durchlassstoßstrom: 1A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 600mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
usEccn: EAR99
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 6.44 грн |
TLP5814H(TP,E(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP5814H(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 5 kVrms
tariffCode: 85423911
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - TLP5814H(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 5 kVrms
tariffCode: 85423911
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
150+ | 126.23 грн |
500+ | 107.59 грн |
TLP3431S(TP,E(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP3431S(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), 20 V, 450 mA, S-VSON-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Laststrom: 450mA
Lastspannung, max.: 20V
Isolationsspannung: 500Vrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Durchlasswiderstand, max.: 1.2ohm
I/O-Kapazität: 0.6pF
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1nA
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - TLP3431S(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), 20 V, 450 mA, S-VSON-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Laststrom: 450mA
Lastspannung, max.: 20V
Isolationsspannung: 500Vrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Durchlasswiderstand, max.: 1.2ohm
I/O-Kapazität: 0.6pF
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1nA
usEccn: EAR99
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 299.57 грн |
25+ | 281.16 грн |
50+ | 248.64 грн |
100+ | 219.48 грн |
500+ | 215.17 грн |
TLP5814H(TP,E(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP5814H(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 5 kVrms
tariffCode: 85423911
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: TOSHIBA - TLP5814H(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 5 kVrms
tariffCode: 85423911
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 251.87 грн |
10+ | 196.64 грн |
25+ | 164.01 грн |
50+ | 146.86 грн |
100+ | 126.23 грн |
500+ | 107.59 грн |
TLP3431S(TP,E(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP3431S(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), 20 V, 450 mA, S-VSON-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1nA
Isolationsspannung: 500Vrms
Lasttyp: -
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 20V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 450mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.6pF
Bauform MOSFET-Relais: S-VSON-4
Durchlasswiderstand, max.: 1.2ohm
SVHC: Hexahydromethylphthalic anhydride [1], Hexahydro-4-methylphthalic anhydride [2], Hexahydro-1-methylphthalic anhydride[3] (21-Jan-2025)
Description: TOSHIBA - TLP3431S(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), 20 V, 450 mA, S-VSON-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1nA
Isolationsspannung: 500Vrms
Lasttyp: -
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 20V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 450mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.6pF
Bauform MOSFET-Relais: S-VSON-4
Durchlasswiderstand, max.: 1.2ohm
SVHC: Hexahydromethylphthalic anhydride [1], Hexahydro-4-methylphthalic anhydride [2], Hexahydro-1-methylphthalic anhydride[3] (21-Jan-2025)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 317.98 грн |
10+ | 299.57 грн |
25+ | 281.16 грн |
50+ | 248.64 грн |
100+ | 219.48 грн |
500+ | 215.17 грн |
DF2S5.6ASL,L3F(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2S5.6ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 13 V, SOD-962, 2 Pin(s), 3.5 V, 32 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-962
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF2S5.6ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 13 V, SOD-962, 2 Pin(s), 3.5 V, 32 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-962
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 4.18 грн |
239+ | 3.51 грн |
358+ | 2.34 грн |
500+ | 1.86 грн |
1000+ | 1.43 грн |
5000+ | 1.29 грн |
DF2S5.6ASL,L3F(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2S5.6ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 13 V, SOD-962, 2 Pin(s), 3.5 V, 32 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-962
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF2S5.6ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 13 V, SOD-962, 2 Pin(s), 3.5 V, 32 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-962
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 1.86 грн |
1000+ | 1.43 грн |
5000+ | 1.29 грн |
TMPM4K4FYBUG(DBB) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TMPM4K4FYBUG(DBB) - ARM-MCU, TXZ+ Family TMPM4K Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 120 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: TXZ+
RAM-Speichergröße: 18KB
MCU-Baureihe: TMPM4K
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 51I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TXZ+ Family TMPM4K Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, UART, SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TMPM4K4FYBUG(DBB) - ARM-MCU, TXZ+ Family TMPM4K Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 120 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: TXZ+
RAM-Speichergröße: 18KB
MCU-Baureihe: TMPM4K
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 51I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TXZ+ Family TMPM4K Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, UART, SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 244.34 грн |
10+ | 181.58 грн |
25+ | 169.87 грн |
50+ | 146.86 грн |
100+ | 130.54 грн |
TRS10V65H,LQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS10V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 26 A, 27 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TRS10V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 26 A, 27 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 256.06 грн |
10+ | 165.68 грн |
100+ | 134.72 грн |
500+ | 119.66 грн |
1000+ | 107.59 грн |
TRS10V65H,LQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS10V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 26 A, 27 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TRS10V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 26 A, 27 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 134.72 грн |
500+ | 119.66 грн |
1000+ | 107.59 грн |
TPD7212FN,L1XHF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPD7212FN,L1XHF(S - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, 3 Phasen, MOSFET, 30 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Vollbrücke, 3 Phasen
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 0.21µs
Ausgabeverzögerung: 0.21µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPD7212FN,L1XHF(S - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, 3 Phasen, MOSFET, 30 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Vollbrücke, 3 Phasen
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 0.21µs
Ausgabeverzögerung: 0.21µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 451.86 грн |
10+ | 271.95 грн |
25+ | 256.06 грн |
50+ | 222.23 грн |
100+ | 191.50 грн |
250+ | 170.70 грн |
500+ | 157.79 грн |
1000+ | 152.06 грн |
SSM3J328R,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0249 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0249ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0249 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0249ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 6.28 грн |
9000+ | 5.61 грн |
SSM3J355R,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J355R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0301 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0301ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: TOSHIBA - SSM3J355R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0301 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0301ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
39+ | 21.84 грн |
51+ | 16.57 грн |
100+ | 11.55 грн |
500+ | 8.70 грн |
1000+ | 6.31 грн |
SSM3K123TU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 40.83 грн |
33+ | 26.02 грн |
100+ | 17.24 грн |
500+ | 12.35 грн |
1000+ | 8.03 грн |
5000+ | 7.10 грн |
SSM6L39TU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L39TU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.6 A, 1.6 A, 0.087 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.087ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.087ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6L39TU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.6 A, 1.6 A, 0.087 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.087ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.087ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 18.16 грн |
500+ | 12.82 грн |
1000+ | 7.82 грн |
5000+ | 7.17 грн |
SSM3J325F,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J325F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: U-MOSVI Series
Description: TOSHIBA - SSM3J325F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: U-MOSVI Series
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 5.05 грн |
1000+ | 3.66 грн |
SSM6K406TU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 23.60 грн |
500+ | 17.87 грн |
1000+ | 12.98 грн |
SSM3J352F,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
56+ | 15.06 грн |
73+ | 11.46 грн |
106+ | 7.95 грн |
500+ | 5.98 грн |
1000+ | 4.38 грн |
SSM6N24TU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N24TU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6N24TU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 34.06 грн |
38+ | 22.34 грн |
100+ | 14.56 грн |
500+ | 11.03 грн |
1000+ | 7.60 грн |
SSM3K122TU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K122TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3K122TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 12.05 грн |
500+ | 9.09 грн |
1000+ | 6.60 грн |
SSM3K336R,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K336R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.095 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: TOSHIBA - SSM3K336R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.095 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 10.21 грн |
500+ | 7.77 грн |
1000+ | 5.59 грн |
SSM3J134TU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J134TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.093 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3J134TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.093 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 24.27 грн |
46+ | 18.41 грн |
100+ | 12.80 грн |
500+ | 9.71 грн |
1000+ | 7.03 грн |
SSM3K116TU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 32.05 грн |
35+ | 24.35 грн |
100+ | 16.90 грн |
500+ | 12.82 грн |
1000+ | 9.32 грн |
SSM3J132TU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J132TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.4 A, 0.017 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3J132TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.4 A, 0.017 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 40.75 грн |
28+ | 30.96 грн |
100+ | 21.51 грн |
500+ | 16.32 грн |
1000+ | 11.83 грн |
SSM3J36FS,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
97+ | 8.70 грн |
127+ | 6.61 грн |
182+ | 4.60 грн |
500+ | 3.50 грн |
1000+ | 2.51 грн |
SSM6N37FU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N37FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6N37FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 16.74 грн |
77+ | 10.96 грн |
117+ | 7.20 грн |
500+ | 5.44 грн |
SSM6N67NU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N67NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: TOSHIBA - SSM6N67NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 17.57 грн |
500+ | 12.98 грн |
1000+ | 8.89 грн |
SSM6N37FU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N37FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6N37FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 5.44 грн |
SSM3J112TU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
38+ | 22.34 грн |
50+ | 16.99 грн |
100+ | 11.80 грн |
500+ | 8.94 грн |
1000+ | 6.46 грн |
SSM6N357R,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N357R,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6N357R,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 38.41 грн |
31+ | 27.36 грн |
100+ | 19.50 грн |
500+ | 14.30 грн |
1000+ | 9.90 грн |
SSM6J512NU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J512NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0162 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: TOSHIBA - SSM6J512NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0162 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
26+ | 32.97 грн |
34+ | 25.10 грн |
100+ | 17.41 грн |
500+ | 13.21 грн |
1000+ | 9.54 грн |
SSM6K406TU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 44.68 грн |
25+ | 33.89 грн |
100+ | 23.60 грн |
500+ | 17.87 грн |
1000+ | 12.98 грн |
SSM6N39TU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N39TU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: TOSHIBA - SSM6N39TU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 16.23 грн |
500+ | 11.97 грн |
1000+ | 8.25 грн |
SSM3J15F,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3J15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
94+ | 8.95 грн |
145+ | 5.77 грн |
264+ | 3.18 грн |
500+ | 2.41 грн |
1000+ | 1.72 грн |
SSM3J36FS,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 3.50 грн |
1000+ | 2.51 грн |
2SC4116-Y,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC4116-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SC4116-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
62+ | 13.64 грн |
87+ | 9.62 грн |
148+ | 5.69 грн |
500+ | 4.35 грн |
1000+ | 3.16 грн |
2SC4116-Y,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC4116-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SC4116-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 4.35 грн |
1000+ | 3.16 грн |
74LCX157FT(AJ) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 74LCX157FT(AJ) - Multiplexer, 4 Kanäle, 1.65V bis 3.6Vin, TSSOP-B-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP-B
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-B
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: 0
Logiktyp: Multiplexer
euEccn: NLR
Leitungskonfiguration: 0
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 74LCX157FT(AJ) - Multiplexer, 4 Kanäle, 1.65V bis 3.6Vin, TSSOP-B-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP-B
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-B
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: 0
Logiktyp: Multiplexer
euEccn: NLR
Leitungskonfiguration: 0
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 16.82 грн |
500+ | 12.82 грн |
1000+ | 8.75 грн |