Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (357011) > Сторінка 1224 з 5951

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1190 1219 1220 1221 1222 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1229 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950 5951  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99327081558E0C7&compId=sum110p06-07l.pdf?ci_sign=5ea24de485d75dd7524211fc0d0996aece877698 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+291.45 грн
3+253.41 грн
7+178.89 грн
17+169.72 грн
500+166.96 грн
800+163.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 VISHAY 73045.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 272W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+297.37 грн
9+135.28 грн
23+122.93 грн
1600+119.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99315C9706860C7&compId=sum110p08-11l.pdf?ci_sign=b00849d55b9d0a4f8db1ee0b4ab972c332664d7c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+439.64 грн
4+292.47 грн
5+280.72 грн
11+266.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3 VISHAY sum40010el.pdf SUM40010EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3 VISHAY sum40012el.pdf SUM40012EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 VISHAY sum40014m.pdf SUM40014M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3 VISHAY sum45n25.pdf SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3 VISHAY sum50010e.pdf SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3 VISHAY sum50020e.pdf SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 VISHAY sum50020el.pdf SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3 VISHAY sum55p06.pdf SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.58 грн
13+85.32 грн
35+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 VISHAY sum60020e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 VISHAY sum60061el.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -150A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 218nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 VISHAY 72070.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.99 грн
10+143.85 грн
11+104.58 грн
29+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992FAB4382820C7&compId=SUM65N20-30.pdf?ci_sign=9d2b2265817dc4d6f5f9a79e0b86a3972be746f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3 VISHAY sum70030e.pdf SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 VISHAY sum70030m.pdf SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC883E5151B4143&compId=sum70040e.pdf?ci_sign=c848107692e3b9603eb0d66d31119a040f359295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+257.86 грн
7+184.82 грн
17+167.88 грн
50+161.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3 VISHAY sum70040m.pdf SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 VISHAY sum70042e.pdf SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 VISHAY sum70060e.pdf SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3 VISHAY sum70090e.pdf SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 VISHAY sum70101el.pdf SUM70101EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 VISHAY sum80090e.pdf SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3 VISHAY 71703.pdf SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90100E-GE3 VISHAY sum90100e.pdf SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 VISHAY sum90140e.pdf SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3 VISHAY sum90142e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3 VISHAY sum90220e.pdf SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 VISHAY sum90330e.pdf SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3 VISHAY sum90n03.pdf SUM90N03-2M2P-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 VISHAY sum90n10-8m2p.pdf SUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.66 грн
8+139.44 грн
22+132.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 VISHAY sum90p10.pdf SUM90P10-19L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+388.27 грн
5+255.95 грн
12+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 VISHAY sup10250e.pdf SUP10250E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+290.46 грн
7+177.97 грн
17+168.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP40010EL-GE3 VISHAY sup40010el.pdf SUP40010EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP40012EL-GE3 VISHAY sup40012el.pdf SUP40012EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010E-GE3 VISHAY sup50010e.pdf SUP50010E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020E-GE3 VISHAY sup50020e.pdf SUP50020E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020EL-GE3 VISHAY sup50020el.pdf SUP50020EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP53P06-20-E3 VISHAY sup53p06-20.pdf SUP53P06-20-E3 THT P channel transistors
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.39 грн
9+131.19 грн
23+123.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3 VISHAY sup57n20.pdf SUP57N20-33 THT N channel transistors
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+295.40 грн
9+129.35 грн
23+122.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3 VISHAY sup60020e.pdf SUP60020E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 VISHAY sup60030e.pdf SUP60030E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3 VISHAY sup70030e.pdf SUP70030E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3 VISHAY sup70040e.pdf SUP70040E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70042E-GE3 VISHAY sup70042e.pdf SUP70042E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70060E-GE3 VISHAY sup70060e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70090E-GE3 VISHAY sup70090e.pdf SUP70090E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70101EL-GE3 SUP70101EL-GE3 VISHAY sup70101el.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+286.51 грн
6+194.34 грн
16+176.14 грн
1000+170.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP80090E-GE3 SUP80090E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EE340EE33A143&compId=SUP80090E.pdf?ci_sign=17aaec80bfa62b442e9744c5d562085d85b11098 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 74A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 VISHAY SUP85N10-10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+489.04 грн
7+177.20 грн
18+161.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 VISHAY SUP%2CSUB85N10-10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+438.65 грн
7+184.82 грн
17+167.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21-E3 VISHAY sup85n15.pdf SUP85N15-21-E3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3 VISHAY sup90100e.pdf SUP90100E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3 VISHAY sup90140e.pdf SUP90140E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3 VISHAY sup90142e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90220E-GE3 VISHAY sup90220e.pdf SUP90220E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90330E-GE3 VISHAY sup90330e.pdf SUP90330E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-6M0P-E3 VISHAY sup90n06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 272W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90P06-09L-E3 SUP90P06-09L-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4C6D6C8B22469&compId=SUP90P06-09L-E3.pdf?ci_sign=39f8bf47fcff8cd168081a8b35b340c4af871734 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -67A; 250W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -67A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+481.13 грн
3+409.65 грн
4+348.61 грн
9+329.34 грн
50+316.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99327081558E0C7&compId=sum110p06-07l.pdf?ci_sign=5ea24de485d75dd7524211fc0d0996aece877698
SUM110P06-07L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.45 грн
3+253.41 грн
7+178.89 грн
17+169.72 грн
500+166.96 грн
800+163.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 73045.pdf
SUM110P06-08L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 272W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+297.37 грн
9+135.28 грн
23+122.93 грн
1600+119.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99315C9706860C7&compId=sum110p08-11l.pdf?ci_sign=b00849d55b9d0a4f8db1ee0b4ab972c332664d7c
SUM110P08-11L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.64 грн
4+292.47 грн
5+280.72 грн
11+266.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3 sum40010el.pdf
Виробник: VISHAY
SUM40010EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3 sum40012el.pdf
Виробник: VISHAY
SUM40012EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 sum40014m.pdf
Виробник: VISHAY
SUM40014M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3 sum45n25.pdf
Виробник: VISHAY
SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3 sum50010e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3 sum50020e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 sum50020el.pdf
Виробник: VISHAY
SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3 sum55p06.pdf
Виробник: VISHAY
SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.58 грн
13+85.32 грн
35+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -150A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 218nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 72070.pdf
SUM60N10-17-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.99 грн
10+143.85 грн
11+104.58 грн
29+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992FAB4382820C7&compId=SUM65N20-30.pdf?ci_sign=9d2b2265817dc4d6f5f9a79e0b86a3972be746f7
SUM65N20-30-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3 sum70030e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 sum70030m.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC883E5151B4143&compId=sum70040e.pdf?ci_sign=c848107692e3b9603eb0d66d31119a040f359295
SUM70040E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.86 грн
7+184.82 грн
17+167.88 грн
50+161.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3 sum70040m.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 sum70042e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 sum70060e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3 sum70090e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70101EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 sum80090e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3 71703.pdf
Виробник: VISHAY
SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90100E-GE3 sum90100e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 sum90140e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3 sum90142e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3 sum90220e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 sum90330e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3 sum90n03.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90N03-2M2P-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 sum90n10-8m2p.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.66 грн
8+139.44 грн
22+132.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 sum90p10.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90P10-19L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.27 грн
5+255.95 грн
12+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 sup10250e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP10250E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.46 грн
7+177.97 грн
17+168.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP40010EL-GE3 sup40010el.pdf
Виробник: VISHAY
SUP40010EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP40012EL-GE3 sup40012el.pdf
Виробник: VISHAY
SUP40012EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010E-GE3 sup50010e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP50010E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020E-GE3 sup50020e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP50020E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020EL-GE3 sup50020el.pdf
Виробник: VISHAY
SUP50020EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP53P06-20-E3 sup53p06-20.pdf
Виробник: VISHAY
SUP53P06-20-E3 THT P channel transistors
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.39 грн
9+131.19 грн
23+123.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3 sup57n20.pdf
Виробник: VISHAY
SUP57N20-33 THT N channel transistors
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.40 грн
9+129.35 грн
23+122.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3 sup60020e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP60020E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 sup60030e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP60030E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3 sup70030e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP70030E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3 sup70040e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP70040E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70042E-GE3 sup70042e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP70042E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70060E-GE3 sup70060e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70090E-GE3 sup70090e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP70090E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70101EL-GE3 sup70101el.pdf
SUP70101EL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.51 грн
6+194.34 грн
16+176.14 грн
1000+170.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP80090E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EE340EE33A143&compId=SUP80090E.pdf?ci_sign=17aaec80bfa62b442e9744c5d562085d85b11098
SUP80090E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 74A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10.pdf
SUP85N10-10-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.04 грн
7+177.20 грн
18+161.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP%2CSUB85N10-10.pdf
SUP85N10-10-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.65 грн
7+184.82 грн
17+167.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21-E3 sup85n15.pdf
Виробник: VISHAY
SUP85N15-21-E3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3 sup90100e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP90100E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3 sup90140e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP90140E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3 sup90142e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90220E-GE3 sup90220e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP90220E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90330E-GE3 sup90330e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP90330E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-6M0P-E3 sup90n06.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 272W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90P06-09L-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4C6D6C8B22469&compId=SUP90P06-09L-E3.pdf?ci_sign=39f8bf47fcff8cd168081a8b35b340c4af871734
SUP90P06-09L-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -67A; 250W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -67A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.13 грн
3+409.65 грн
4+348.61 грн
9+329.34 грн
50+316.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1190 1219 1220 1221 1222 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1229 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950 5951  [ Наступна Сторінка >> ]