Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (364867) > Сторінка 1227 з 6082

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 608 1216 1222 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1229 1230 1231 1232 1824 2432 3040 3648 4256 4864 5472 6080 6082  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EA921BD106D0745&compId=IRFL210.pdf?ci_sign=7f6031d50a342dfa37944838da9382addd6ef919 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.61 грн
10+46.96 грн
100+36.00 грн
250+32.51 грн
500+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF VISHAY IRFL9014-DTE.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -14A
Drain current: -1.1A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6511 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.48 грн
50+47.36 грн
100+42.80 грн
250+38.62 грн
500+35.23 грн
1000+31.83 грн
2500+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF VISHAY IRFL9110PBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.88 грн
6+56.84 грн
10+50.75 грн
50+41.92 грн
100+38.43 грн
500+31.15 грн
1000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP048RPBF IRFP048RPBF VISHAY sihfp048.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.08 грн
25+160.23 грн
100+136.83 грн
500+124.21 грн
1000+120.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054PBF IRFP054PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE31FF9EB2469&compId=IRFP054PBF.pdf?ci_sign=d4305381c76283bc071e06a2d37597a7eacef970 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+342.78 грн
10+270.07 грн
25+235.81 грн
50+219.31 грн
100+205.73 грн
125+201.85 грн
250+191.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064PBF IRFP064PBF VISHAY IRFP064PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+266.49 грн
1000+238.83 грн
2500+205.73 грн
5000+194.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140PBF IRFP140PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB9B17D40E0E220D4&compId=irfp140.pdf?ci_sign=eedb8e5a9e6e15e33004653e8b02444d7a8f6a86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.11 грн
5+164.26 грн
10+146.53 грн
25+131.98 грн
50+119.36 грн
100+108.69 грн
250+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150PBF IRFP150PBF VISHAY IRFP150PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+286.35 грн
5+235.81 грн
10+207.67 грн
25+183.41 грн
50+168.85 грн
100+158.18 грн
125+155.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B20D6B4600469&compId=IRFP22N50APBF.pdf?ci_sign=bb16b270a5c69cc6bbf9737dedd7320eb5415255 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+407.57 грн
10+279.14 грн
25+250.37 грн
50+237.75 грн
100+225.14 грн
125+222.22 грн
200+214.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B23ADB673A469&compId=IRFP240PBF.pdf?ci_sign=854a52ba9a05bc8ed6e78b964013a295ce578df3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.39 грн
5+124.96 грн
10+100.92 грн
25+93.16 грн
50+89.28 грн
100+86.37 грн
250+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B264E39866469&compId=IRFP244PBF.pdf?ci_sign=728bb25c17a7c6c5adb2974fabf65c2499b27929 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.51 грн
5+181.39 грн
10+161.09 грн
25+145.56 грн
50+137.80 грн
100+131.01 грн
125+129.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY IRFP250PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.33 грн
5+193.49 грн
10+177.59 грн
25+166.91 грн
1000+152.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBF IRFP254PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B42288558D40C7&compId=IRFP254.pdf?ci_sign=3c01157832ea352f8fdcf89e051261da896780b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+263.35 грн
10+210.62 грн
25+187.29 грн
50+174.67 грн
100+163.03 грн
125+159.15 грн
250+146.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF VISHAY IRFP260.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.26 грн
25+225.73 грн
50+205.73 грн
100+196.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP264PBF IRFP264PBF VISHAY irfp264.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+495.36 грн
10+325.50 грн
25+284.33 грн
50+266.86 грн
100+251.34 грн
125+245.51 грн
375+227.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340PBF IRFP340PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F0EEE10126143&compId=IRFP340.pdf?ci_sign=dd0167b57f594821b66506409051635df87d75a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.9A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+305.16 грн
10+176.35 грн
125+161.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350PBF IRFP350PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A48DCDEB8F40D2&compId=IRFP350.pdf?ci_sign=42c456cab931f6c67622fcc61c2717bb182595b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+257.08 грн
25+200.54 грн
500+175.64 грн
5000+162.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBF IRFP440PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F301B67F1E143&compId=IRFP440.pdf?ci_sign=3aa4bec6fb06777b7fca835240631b66cb6b1d6a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 0.85Ω
Power dissipation: 150W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.72 грн
5+197.52 грн
25+137.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450APBF IRFP450APBF VISHAY IRFP450A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+304.11 грн
10+242.86 грн
25+205.73 грн
50+187.29 грн
100+174.67 грн
500+159.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450LCPBF IRFP450LCPBF VISHAY irfp450lc.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+303.07 грн
5+184.42 грн
10+154.30 грн
25+141.68 грн
50+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450PBF IRFP450PBF VISHAY irfp450.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.18 грн
5+188.45 грн
10+150.41 грн
25+109.66 грн
100+103.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460APBF IRFP460APBF VISHAY irfp460a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF VISHAY IRFP460LCPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP9140PBF IRFP9140PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B5E6DEDCD8469&compId=IRFP9140PBF.pdf?ci_sign=fe63890bc8f752c1803a1a8c1398b9d0e0f79383 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.31 грн
10+208.60 грн
25+180.50 грн
50+164.97 грн
100+148.47 грн
250+128.09 грн
375+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP9240PBF IRFP9240PBF VISHAY IRFP9240PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.39 грн
5+124.96 грн
10+100.92 грн
25+93.16 грн
50+89.28 грн
100+86.37 грн
250+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40PBF IRFPC40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9049E27BB76143&compId=IRFPC40.pdf?ci_sign=b5f63bdd85d075ad87e42ff3aee6625f712f6d08 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.3A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+446.24 грн
5+254.96 грн
25+206.70 грн
50+190.20 грн
125+169.82 грн
250+153.33 грн
500+138.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBF VISHAY IRFPC50APBF THT N channel transistors
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+377.27 грн
8+160.12 грн
20+151.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBF IRFPC50PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDBEF4E54D974600D5&compId=irfpc50.pdf?ci_sign=c6a27018a247a1b8ad7bf50f193d820b129afd09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+379.36 грн
10+301.31 грн
50+257.16 грн
100+242.60 грн
250+224.17 грн
500+209.61 грн
1000+196.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBF VISHAY irfpc60lc.pdf IRFPC60LCPBF THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+420.11 грн
5+240.66 грн
14+228.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBF IRFPC60PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0B5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfpc60.pdf?ci_sign=22340fbe8e01e0b60cc7372290316b84cbe0a5d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+406.53 грн
25+318.44 грн
1000+285.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBF IRFPE40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6A45732B6469&compId=IRFPE40PBF.pdf?ci_sign=2be6a196c5aa1e767fdd8423399d3019f87a0cc5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+344.87 грн
10+236.82 грн
25+200.88 грн
100+167.88 грн
200+152.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBF IRFPE50PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6D4093E1C469&compId=IRFPE50PBF.pdf?ci_sign=a53fd1de270b406dc255fa0b10a1c4ff346573d9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+222.60 грн
10+199.53 грн
25+181.47 грн
50+173.70 грн
100+165.94 грн
125+164.00 грн
250+161.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBF IRFPF50PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B7498A8A58469&compId=IRFPF50PBF.pdf?ci_sign=9ab5b0c810338a5b65aa21f514bc9e2d29affc7c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+352.18 грн
5+312.40 грн
10+288.21 грн
25+273.66 грн
75+255.22 грн
100+251.34 грн
200+239.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF IRFPG30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9098E01A228143&compId=IRFPG30.pdf?ci_sign=d193eca6bc1f838ab6b8616ddd8f0007ce569774 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.12 грн
25+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBF IRFPG40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD909CE1E4054143&compId=IRFPG40.pdf?ci_sign=065a5785508b5fbcd93384d2cd63143b8bd84dbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+302.02 грн
10+220.69 грн
25+193.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF IRFPG50PBF VISHAY IRFPG50PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+266.49 грн
10+194.49 грн
25+169.82 грн
50+161.09 грн
100+153.33 грн
250+149.44 грн
500+146.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBF VISHAY sihfr014.pdf IRFR014PBF SMD N channel transistors
на замовлення 621 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.11 грн
47+24.55 грн
128+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBF IRFR024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B864924006469&compId=IRFR024PBF.pdf?ci_sign=71e8bc44d435e74e5706025275dbaf4d7233cac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.66 грн
10+52.70 грн
75+39.50 грн
150+36.10 грн
300+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.11 грн
10+52.30 грн
75+39.98 грн
150+36.49 грн
300+34.55 грн
375+33.48 грн
525+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 16nC
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.89 грн
20+39.40 грн
75+36.00 грн
525+33.09 грн
1050+32.02 грн
3000+30.37 грн
6000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.93 грн
25+51.80 грн
75+41.24 грн
150+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF IRFR210PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC45F2C81634143&compId=IRFR210.pdf?ci_sign=1df818316efe2c8a0a13ff77375c382048de8104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.89 грн
10+39.60 грн
75+35.23 грн
525+32.99 грн
6000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF IRFR220PBF VISHAY irfr220_IRFU220.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.48 грн
10+49.38 грн
75+35.03 грн
150+31.44 грн
300+28.92 грн
525+27.46 грн
1050+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBF IRFR224PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC47503E34F8143&compId=IRFR224.pdf?ci_sign=50ea11afa0dd4ab66a116a2b66eaf69a59bc4e08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.11 грн
7+43.53 грн
25+36.68 грн
75+34.16 грн
300+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310PBF IRFR310PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99239FF036480C7&compId=irfr310.pdf?ci_sign=6d5993c2421387655ce82c6df2600eef851824f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.6Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.84 грн
10+48.37 грн
75+42.12 грн
525+37.94 грн
1050+36.49 грн
3000+34.16 грн
5025+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF IRFR320PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B98C684A7C469&compId=IRFR320PBF.pdf?ci_sign=144c8f4193095ea2e371048f7313e2b4be60a4ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.93 грн
10+48.98 грн
75+41.44 грн
300+37.65 грн
375+37.07 грн
750+35.13 грн
1125+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBF IRFR320TRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.79 грн
10+47.77 грн
100+39.01 грн
500+35.13 грн
1000+33.58 грн
3000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBF IRFR420APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.13 грн
5+102.18 грн
10+82.68 грн
25+66.57 грн
50+58.61 грн
75+55.22 грн
150+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420PBF SMD N channel transistors
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.35 грн
32+36.78 грн
86+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.29 грн
37+31.05 грн
102+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF VISHAY sihfr430.pdf IRFR430APBF SMD N channel transistors
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.55 грн
34+34.35 грн
92+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF IRFR9014PBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.07 грн
50+41.72 грн
75+38.72 грн
150+35.61 грн
525+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF IRFR9024PBF VISHAY IRFR9024PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.33 грн
5+77.19 грн
10+65.11 грн
25+54.83 грн
50+49.01 грн
75+46.39 грн
150+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF VISHAY sihfr911.pdf IRFR9110PBF SMD P channel transistors
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.33 грн
41+28.53 грн
111+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF IRFR9220PBF VISHAY IRFR9220PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.78 грн
10+77.90 грн
50+58.90 грн
75+54.25 грн
525+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF VISHAY IRFR9220TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.51 грн
250+68.32 грн
500+60.26 грн
1000+53.47 грн
2000+45.71 грн
4000+37.46 грн
6000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.45 грн
10+65.10 грн
75+55.41 грн
150+51.24 грн
525+45.12 грн
1050+42.31 грн
2025+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.78 грн
5+86.46 грн
10+76.08 грн
50+61.52 грн
100+56.09 грн
500+45.03 грн
1000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF VISHAY sihfrc20.pdf IRFRC20PBF SMD N channel transistors
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.58 грн
31+37.46 грн
84+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4416A18130143&compId=IRFS11N50A.pdf?ci_sign=ff5d5f7ae0059c649da486f5e8f9d4f37b91fc8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.82 грн
5+180.38 грн
10+158.18 грн
50+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EA921BD106D0745&compId=IRFL210.pdf?ci_sign=7f6031d50a342dfa37944838da9382addd6ef919
IRFL210TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.61 грн
10+46.96 грн
100+36.00 грн
250+32.51 грн
500+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF description IRFL9014-DTE.pdf
IRFL9014TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -14A
Drain current: -1.1A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6511 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.48 грн
50+47.36 грн
100+42.80 грн
250+38.62 грн
500+35.23 грн
1000+31.83 грн
2500+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description IRFL9110PBF.pdf
IRFL9110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.88 грн
6+56.84 грн
10+50.75 грн
50+41.92 грн
100+38.43 грн
500+31.15 грн
1000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP048RPBF sihfp048.pdf
IRFP048RPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.08 грн
25+160.23 грн
100+136.83 грн
500+124.21 грн
1000+120.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE31FF9EB2469&compId=IRFP054PBF.pdf?ci_sign=d4305381c76283bc071e06a2d37597a7eacef970
IRFP054PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.78 грн
10+270.07 грн
25+235.81 грн
50+219.31 грн
100+205.73 грн
125+201.85 грн
250+191.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064PBF IRFP064PBF.pdf
IRFP064PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.49 грн
1000+238.83 грн
2500+205.73 грн
5000+194.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB9B17D40E0E220D4&compId=irfp140.pdf?ci_sign=eedb8e5a9e6e15e33004653e8b02444d7a8f6a86
IRFP140PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.11 грн
5+164.26 грн
10+146.53 грн
25+131.98 грн
50+119.36 грн
100+108.69 грн
250+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150PBF IRFP150PBF.pdf
IRFP150PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.35 грн
5+235.81 грн
10+207.67 грн
25+183.41 грн
50+168.85 грн
100+158.18 грн
125+155.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B20D6B4600469&compId=IRFP22N50APBF.pdf?ci_sign=bb16b270a5c69cc6bbf9737dedd7320eb5415255
IRFP22N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.57 грн
10+279.14 грн
25+250.37 грн
50+237.75 грн
100+225.14 грн
125+222.22 грн
200+214.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B23ADB673A469&compId=IRFP240PBF.pdf?ci_sign=854a52ba9a05bc8ed6e78b964013a295ce578df3
IRFP240PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.39 грн
5+124.96 грн
10+100.92 грн
25+93.16 грн
50+89.28 грн
100+86.37 грн
250+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B264E39866469&compId=IRFP244PBF.pdf?ci_sign=728bb25c17a7c6c5adb2974fabf65c2499b27929
IRFP244PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.51 грн
5+181.39 грн
10+161.09 грн
25+145.56 грн
50+137.80 грн
100+131.01 грн
125+129.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF.pdf
IRFP250PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.33 грн
5+193.49 грн
10+177.59 грн
25+166.91 грн
1000+152.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B42288558D40C7&compId=IRFP254.pdf?ci_sign=3c01157832ea352f8fdcf89e051261da896780b7
IRFP254PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.35 грн
10+210.62 грн
25+187.29 грн
50+174.67 грн
100+163.03 грн
125+159.15 грн
250+146.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description IRFP260.pdf
IRFP260PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.26 грн
25+225.73 грн
50+205.73 грн
100+196.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP264PBF irfp264.pdf
IRFP264PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.36 грн
10+325.50 грн
25+284.33 грн
50+266.86 грн
100+251.34 грн
125+245.51 грн
375+227.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F0EEE10126143&compId=IRFP340.pdf?ci_sign=dd0167b57f594821b66506409051635df87d75a1
IRFP340PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.9A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.16 грн
10+176.35 грн
125+161.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A48DCDEB8F40D2&compId=IRFP350.pdf?ci_sign=42c456cab931f6c67622fcc61c2717bb182595b7
IRFP350PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.08 грн
25+200.54 грн
500+175.64 грн
5000+162.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F301B67F1E143&compId=IRFP440.pdf?ci_sign=3aa4bec6fb06777b7fca835240631b66cb6b1d6a
IRFP440PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 0.85Ω
Power dissipation: 150W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.72 грн
5+197.52 грн
25+137.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450APBF IRFP450A.pdf
IRFP450APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.11 грн
10+242.86 грн
25+205.73 грн
50+187.29 грн
100+174.67 грн
500+159.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450LCPBF description irfp450lc.pdf
IRFP450LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.07 грн
5+184.42 грн
10+154.30 грн
25+141.68 грн
50+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450PBF irfp450.pdf
IRFP450PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.18 грн
5+188.45 грн
10+150.41 грн
25+109.66 грн
100+103.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460APBF irfp460a.pdf
IRFP460APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF.pdf
IRFP460LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP9140PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B5E6DEDCD8469&compId=IRFP9140PBF.pdf?ci_sign=fe63890bc8f752c1803a1a8c1398b9d0e0f79383
IRFP9140PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.31 грн
10+208.60 грн
25+180.50 грн
50+164.97 грн
100+148.47 грн
250+128.09 грн
375+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP9240PBF IRFP9240PBF.pdf
IRFP9240PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.39 грн
5+124.96 грн
10+100.92 грн
25+93.16 грн
50+89.28 грн
100+86.37 грн
250+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9049E27BB76143&compId=IRFPC40.pdf?ci_sign=b5f63bdd85d075ad87e42ff3aee6625f712f6d08
IRFPC40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.3A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+446.24 грн
5+254.96 грн
25+206.70 грн
50+190.20 грн
125+169.82 грн
250+153.33 грн
500+138.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBF
Виробник: VISHAY
IRFPC50APBF THT N channel transistors
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.27 грн
8+160.12 грн
20+151.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDBEF4E54D974600D5&compId=irfpc50.pdf?ci_sign=c6a27018a247a1b8ad7bf50f193d820b129afd09
IRFPC50PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.36 грн
10+301.31 грн
50+257.16 грн
100+242.60 грн
250+224.17 грн
500+209.61 грн
1000+196.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBF irfpc60lc.pdf
Виробник: VISHAY
IRFPC60LCPBF THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.11 грн
5+240.66 грн
14+228.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0B5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfpc60.pdf?ci_sign=22340fbe8e01e0b60cc7372290316b84cbe0a5d1
IRFPC60PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.53 грн
25+318.44 грн
1000+285.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6A45732B6469&compId=IRFPE40PBF.pdf?ci_sign=2be6a196c5aa1e767fdd8423399d3019f87a0cc5
IRFPE40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.87 грн
10+236.82 грн
25+200.88 грн
100+167.88 грн
200+152.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6D4093E1C469&compId=IRFPE50PBF.pdf?ci_sign=a53fd1de270b406dc255fa0b10a1c4ff346573d9
IRFPE50PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.60 грн
10+199.53 грн
25+181.47 грн
50+173.70 грн
100+165.94 грн
125+164.00 грн
250+161.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B7498A8A58469&compId=IRFPF50PBF.pdf?ci_sign=9ab5b0c810338a5b65aa21f514bc9e2d29affc7c
IRFPF50PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.18 грн
5+312.40 грн
10+288.21 грн
25+273.66 грн
75+255.22 грн
100+251.34 грн
200+239.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9098E01A228143&compId=IRFPG30.pdf?ci_sign=d193eca6bc1f838ab6b8616ddd8f0007ce569774
IRFPG30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.12 грн
25+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD909CE1E4054143&compId=IRFPG40.pdf?ci_sign=065a5785508b5fbcd93384d2cd63143b8bd84dbd
IRFPG40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.02 грн
10+220.69 грн
25+193.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF IRFPG50PBF.pdf
IRFPG50PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.49 грн
10+194.49 грн
25+169.82 грн
50+161.09 грн
100+153.33 грн
250+149.44 грн
500+146.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBF sihfr014.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR014PBF SMD N channel transistors
на замовлення 621 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.11 грн
47+24.55 грн
128+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B864924006469&compId=IRFR024PBF.pdf?ci_sign=71e8bc44d435e74e5706025275dbaf4d7233cac6
IRFR024PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.66 грн
10+52.70 грн
75+39.50 грн
150+36.10 грн
300+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642
IRFR110PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.11 грн
10+52.30 грн
75+39.98 грн
150+36.49 грн
300+34.55 грн
375+33.48 грн
525+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac
IRFR120PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 16nC
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.89 грн
20+39.40 грн
75+36.00 грн
525+33.09 грн
1050+32.02 грн
3000+30.37 грн
6000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
IRFR1N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.93 грн
25+51.80 грн
75+41.24 грн
150+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC45F2C81634143&compId=IRFR210.pdf?ci_sign=1df818316efe2c8a0a13ff77375c382048de8104
IRFR210PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.89 грн
10+39.60 грн
75+35.23 грн
525+32.99 грн
6000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF description irfr220_IRFU220.pdf
IRFR220PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.48 грн
10+49.38 грн
75+35.03 грн
150+31.44 грн
300+28.92 грн
525+27.46 грн
1050+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC47503E34F8143&compId=IRFR224.pdf?ci_sign=50ea11afa0dd4ab66a116a2b66eaf69a59bc4e08
IRFR224PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.11 грн
7+43.53 грн
25+36.68 грн
75+34.16 грн
300+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99239FF036480C7&compId=irfr310.pdf?ci_sign=6d5993c2421387655ce82c6df2600eef851824f3
IRFR310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.6Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.84 грн
10+48.37 грн
75+42.12 грн
525+37.94 грн
1050+36.49 грн
3000+34.16 грн
5025+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B98C684A7C469&compId=IRFR320PBF.pdf?ci_sign=144c8f4193095ea2e371048f7313e2b4be60a4ef
IRFR320PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.93 грн
10+48.98 грн
75+41.44 грн
300+37.65 грн
375+37.07 грн
750+35.13 грн
1125+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8
IRFR320TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.79 грн
10+47.77 грн
100+39.01 грн
500+35.13 грн
1000+33.58 грн
3000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3
IRFR420APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.13 грн
5+102.18 грн
10+82.68 грн
25+66.57 грн
50+58.61 грн
75+55.22 грн
150+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420PBF SMD N channel transistors
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.35 грн
32+36.78 грн
86+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.29 грн
37+31.05 грн
102+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR430APBF SMD N channel transistors
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.55 грн
34+34.35 грн
92+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF IRFx9014.pdf
IRFR9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.07 грн
50+41.72 грн
75+38.72 грн
150+35.61 грн
525+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF IRFR9024PBF.pdf
IRFR9024PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.33 грн
5+77.19 грн
10+65.11 грн
25+54.83 грн
50+49.01 грн
75+46.39 грн
150+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF sihfr911.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9110PBF SMD P channel transistors
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.33 грн
41+28.53 грн
111+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF IRFR9220PBF.pdf
IRFR9220PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.78 грн
10+77.90 грн
50+58.90 грн
75+54.25 грн
525+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF.pdf
IRFR9220TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.51 грн
250+68.32 грн
500+60.26 грн
1000+53.47 грн
2000+45.71 грн
4000+37.46 грн
6000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d
IRFR9310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.45 грн
10+65.10 грн
75+55.41 грн
150+51.24 грн
525+45.12 грн
1050+42.31 грн
2025+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.78 грн
5+86.46 грн
10+76.08 грн
50+61.52 грн
100+56.09 грн
500+45.03 грн
1000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF sihfrc20.pdf
Виробник: VISHAY
IRFRC20PBF SMD N channel transistors
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.58 грн
31+37.46 грн
84+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4416A18130143&compId=IRFS11N50A.pdf?ci_sign=ff5d5f7ae0059c649da486f5e8f9d4f37b91fc8f
IRFS11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.82 грн
5+180.38 грн
10+158.18 грн
50+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 608 1216 1222 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1229 1230 1231 1232 1824 2432 3040 3648 4256 4864 5472 6080 6082  Наступна Сторінка >> ]