Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (364884) > Сторінка 1226 з 6082

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 608 1216 1221 1222 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1229 1230 1231 1824 2432 3040 3648 4256 4864 5472 6080 6082  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D0F843616469&compId=IRF710PBF.pdf?ci_sign=869a59766b0c020f529d2b5260aa15182097df0a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.16 грн
50+35.67 грн
1000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBF IRF710STRLPBF VISHAY sihf710s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.69 грн
10+66.81 грн
100+50.95 грн
800+44.15 грн
1600+42.60 грн
2400+41.73 грн
4000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF IRF720PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D44489CD2469&compId=IRF720PBF.pdf?ci_sign=7269d1a73dd53ce971382b41e70adbc14b8622af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 13A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.69 грн
10+66.71 грн
50+56.19 грн
100+52.98 грн
500+46.00 грн
1000+43.18 грн
2000+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY IRF730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.66 грн
50+50.59 грн
1000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.26 грн
10+125.97 грн
50+106.75 грн
250+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY IRF740APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+183.93 грн
10+133.02 грн
50+95.10 грн
100+86.37 грн
500+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY IRF740A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 686 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+218.42 грн
10+136.04 грн
50+94.13 грн
100+83.46 грн
500+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+213.19 грн
10+177.36 грн
25+138.77 грн
100+103.83 грн
250+94.13 грн
500+87.34 грн
800+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY IRF740LC.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.76 грн
10+130.00 грн
25+105.77 грн
50+88.31 грн
100+74.72 грн
500+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY IRF740PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.78 грн
10+93.72 грн
40+81.51 грн
50+80.54 грн
100+74.72 грн
150+72.78 грн
200+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY 91054.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.28 грн
10+88.68 грн
25+81.51 грн
50+77.63 грн
100+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.40 грн
10+118.91 грн
50+105.77 грн
250+98.01 грн
1000+92.19 грн
2000+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F187F06442143&compId=IRF820A.pdf?ci_sign=b1305f8472951e1ca082b6bf125e71843cdefed2 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.46 грн
10+68.53 грн
50+55.31 грн
100+53.37 грн
1000+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBF IRF820ASPBF VISHAY sihf820a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.99 грн
10+86.46 грн
50+71.23 грн
100+66.47 грн
250+60.26 грн
500+55.90 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF IRF820PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A064616B8E469&compId=IRF820PBF.pdf?ci_sign=3a3c47cff93513faa2fb73c4d6ecc1400c593917 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.61 грн
10+51.39 грн
50+40.47 грн
100+37.36 грн
250+34.45 грн
500+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.59 грн
5+112.87 грн
10+103.83 грн
50+92.19 грн
100+87.34 грн
250+81.51 грн
500+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83FEF34DB3A460D5&compId=irf830a.pdf?ci_sign=395df0d98f08b3000c932eb67dd4e33ff6072dff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.23 грн
10+86.36 грн
50+71.13 грн
100+66.28 грн
250+60.17 грн
500+55.70 грн
1000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.21 грн
50+94.73 грн
100+77.63 грн
500+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.73 грн
50+96.74 грн
100+89.28 грн
250+82.48 грн
500+77.63 грн
750+74.72 грн
1000+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.43 грн
10+108.84 грн
25+93.16 грн
50+86.37 грн
100+80.54 грн
250+74.72 грн
500+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.69 грн
4+96.74 грн
5+89.28 грн
10+84.43 грн
50+74.72 грн
100+70.84 грн
150+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.09 грн
5+98.76 грн
10+87.34 грн
50+71.81 грн
100+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF IRF9510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A16254EF56469&compId=IRF9510PBF.pdf?ci_sign=094ecfdf3c0a352c6462423756d424b809ffd5f6 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.25 грн
10+42.12 грн
50+36.00 грн
100+34.16 грн
250+31.83 грн
500+30.18 грн
1000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF IRF9510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90FA74E04D8143&compId=IRF9510S.pdf?ci_sign=da5f9f0d1192f1fcac73e28e1769abb28ee49627 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.77 грн
10+86.67 грн
50+71.91 грн
100+67.06 грн
250+60.84 грн
500+55.99 грн
1000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBF IRF9520SPBF VISHAY IRF9520S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY irf9530.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY IRF9530S.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 622 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.50 грн
10+66.51 грн
25+55.51 грн
50+53.76 грн
100+50.36 грн
250+48.71 грн
500+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF IRF9540PBF VISHAY IRF9540PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 457 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.41 грн
10+85.66 грн
50+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY IRF9540S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.47 грн
10+114.88 грн
50+95.10 грн
100+89.28 грн
200+82.48 грн
250+80.54 грн
500+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3DEB81760469&compId=IRF9610PBF.pdf?ci_sign=d39aeede662720961ed061dee5ebfdc3be985d46 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.78 грн
10+68.93 грн
50+60.84 грн
100+58.61 грн
250+55.80 грн
500+53.76 грн
1000+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF IRF9620PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.01 грн
10+77.60 грн
50+67.93 грн
500+61.14 грн
1000+59.20 грн
2000+57.25 грн
5000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.41 грн
10+111.86 грн
50+91.22 грн
100+82.48 грн
250+70.84 грн
500+60.17 грн
1000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.41 грн
10+111.86 грн
50+96.07 грн
100+89.28 грн
250+81.51 грн
500+74.72 грн
1000+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.15 грн
50+77.80 грн
100+69.58 грн
250+61.72 грн
500+55.51 грн
750+51.72 грн
1000+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.96 грн
5+81.63 грн
10+72.78 грн
50+65.02 грн
500+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF VISHAY irf9z34.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.99 грн
10+78.10 грн
50+67.93 грн
100+65.02 грн
250+60.94 грн
500+58.03 грн
1000+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF VISHAY IRF9Z34S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.61 грн
50+98.76 грн
500+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A511ACEBAE469&compId=IRFB11N50APBF.pdf?ci_sign=2b2cb56cacbcc1433d98753fa1640f894f4b75b0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.37 грн
10+152.17 грн
50+98.01 грн
100+87.34 грн
1000+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F396B97150143&compId=IRFB17N50L.pdf?ci_sign=cf2abb929dcd2c62d4d4c4ac9c6f35829b0ccd70 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+320.83 грн
10+276.12 грн
20+245.51 грн
50+218.34 грн
100+203.79 грн
1000+191.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F414831B90143&compId=IRFB18N50K.pdf?ci_sign=8d8c87da4e1dd23f4157d16250cae8a6a18df8f5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.58 грн
50+120.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3E47CAFE960C7&compId=IRFBC20.pdf?ci_sign=9bf1bd9dffbe75aa95db2faed31b00efd75d12aa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.88 грн
50+68.02 грн
100+58.61 грн
250+54.15 грн
500+46.48 грн
1000+42.60 грн
2000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.90 грн
10+99.95 грн
50+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA9BDB6174143&compId=IRFBC40LC.pdf?ci_sign=7a715f32bfcc31eb7b67f5e3fda6fe3fcc72b060 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.40 грн
10+104.80 грн
25+86.37 грн
50+80.54 грн
100+79.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7685A685A469&compId=IRFBC40PBF.pdf?ci_sign=3f3345541e9bbecb9217bd9348646ef1a5c42a45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.46 грн
50+71.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3F7C028F760C7&compId=IRFBE20.pdf?ci_sign=e50d3f6680978554c2460c053e905c8201585866 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.00 грн
10+92.71 грн
19+61.14 грн
51+58.22 грн
2000+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.26 грн
10+121.94 грн
50+101.89 грн
100+95.10 грн
250+84.43 грн
500+76.66 грн
1000+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY IRFBE30.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.45 грн
50+128.99 грн
100+118.39 грн
250+111.60 грн
500+105.77 грн
1000+100.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7BF025858469&compId=IRFBF20SPBF.pdf?ci_sign=a942efdaf3fa3a6517063a2200d35b25e73e0b55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 6.8A
Drain-source voltage: 900V
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.63 грн
10+69.87 грн
50+63.08 грн
250+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF IRFBF30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7F8E2DC9E469&compId=IRFBF30.pdf?ci_sign=c35b4d19349efa03f7c0a0a5e151c3028ead9b33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.78 грн
50+114.88 грн
250+103.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.15 грн
10+77.60 грн
50+63.08 грн
100+60.17 грн
250+56.28 грн
500+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF IRFD420PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A9BDD9A9A0469&compId=IRFD420PBF.pdf?ci_sign=57ea75df99819e42418198c0019a26e23b270646 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: DIP4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.97 грн
6+59.66 грн
25+45.61 грн
69+43.67 грн
500+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF VISHAY IRFD9014PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.38 грн
10+51.60 грн
25+47.16 грн
50+44.93 грн
100+42.70 грн
500+37.75 грн
1000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF IRFD9020PBF VISHAY sihfd902.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -1.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.93 грн
10+91.22 грн
50+69.87 грн
100+65.02 грн
200+62.11 грн
500+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.78 грн
10+69.63 грн
100+57.35 грн
200+54.54 грн
500+50.85 грн
1000+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF IRFD9210PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A482F2942300D2&compId=irfd9210.pdf?ci_sign=af6eda42cb6a95db7fd983107888411cde1b2422 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.25A
Gate charge: 8.9nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.33 грн
5+81.02 грн
10+67.64 грн
25+52.11 грн
100+34.93 грн
200+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF IRFD9220PBF VISHAY IRFD9220PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.36A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.34 грн
10+86.67 грн
50+79.57 грн
100+70.84 грн
500+60.17 грн
1000+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF IRFI510GPBF VISHAY sihfi510.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 18A
Drain current: 4.5A
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.76 грн
10+106.01 грн
50+71.91 грн
100+62.98 грн
250+54.34 грн
500+49.78 грн
1000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF IRFI540GPBF VISHAY IRFI540G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 48W
Gate charge: 72nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.83 грн
10+77.60 грн
50+66.96 грн
100+59.20 грн
250+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D0F843616469&compId=IRF710PBF.pdf?ci_sign=869a59766b0c020f529d2b5260aa15182097df0a
IRF710PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.16 грн
50+35.67 грн
1000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBF sihf710s.pdf
IRF710STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.69 грн
10+66.81 грн
100+50.95 грн
800+44.15 грн
1600+42.60 грн
2400+41.73 грн
4000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D44489CD2469&compId=IRF720PBF.pdf?ci_sign=7269d1a73dd53ce971382b41e70adbc14b8622af
IRF720PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 13A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.69 грн
10+66.71 грн
50+56.19 грн
100+52.98 грн
500+46.00 грн
1000+43.18 грн
2000+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF IRF730PBF.pdf
IRF730PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.66 грн
50+50.59 грн
1000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.26 грн
10+125.97 грн
50+106.75 грн
250+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF.pdf
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.93 грн
10+133.02 грн
50+95.10 грн
100+86.37 грн
500+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740A.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 686 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.42 грн
10+136.04 грн
50+94.13 грн
100+83.46 грн
500+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.19 грн
10+177.36 грн
25+138.77 грн
100+103.83 грн
250+94.13 грн
500+87.34 грн
800+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description IRF740LC.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.76 грн
10+130.00 грн
25+105.77 грн
50+88.31 грн
100+74.72 грн
500+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF.pdf
IRF740PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.78 грн
10+93.72 грн
40+81.51 грн
50+80.54 грн
100+74.72 грн
150+72.78 грн
200+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.28 грн
10+88.68 грн
25+81.51 грн
50+77.63 грн
100+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF.pdf
IRF740SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.40 грн
10+118.91 грн
50+105.77 грн
250+98.01 грн
1000+92.19 грн
2000+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F187F06442143&compId=IRF820A.pdf?ci_sign=b1305f8472951e1ca082b6bf125e71843cdefed2
IRF820APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
10+68.53 грн
50+55.31 грн
100+53.37 грн
1000+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBF sihf820a.pdf
IRF820ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.99 грн
10+86.46 грн
50+71.23 грн
100+66.47 грн
250+60.26 грн
500+55.90 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A064616B8E469&compId=IRF820PBF.pdf?ci_sign=3a3c47cff93513faa2fb73c4d6ecc1400c593917
IRF820PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.61 грн
10+51.39 грн
50+40.47 грн
100+37.36 грн
250+34.45 грн
500+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.59 грн
5+112.87 грн
10+103.83 грн
50+92.19 грн
100+87.34 грн
250+81.51 грн
500+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83FEF34DB3A460D5&compId=irf830a.pdf?ci_sign=395df0d98f08b3000c932eb67dd4e33ff6072dff
IRF830APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.23 грн
10+86.36 грн
50+71.13 грн
100+66.28 грн
250+60.17 грн
500+55.70 грн
1000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840A.pdf
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.21 грн
50+94.73 грн
100+77.63 грн
500+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.73 грн
50+96.74 грн
100+89.28 грн
250+82.48 грн
500+77.63 грн
750+74.72 грн
1000+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.43 грн
10+108.84 грн
25+93.16 грн
50+86.37 грн
100+80.54 грн
250+74.72 грн
500+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.69 грн
4+96.74 грн
5+89.28 грн
10+84.43 грн
50+74.72 грн
100+70.84 грн
150+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.09 грн
5+98.76 грн
10+87.34 грн
50+71.81 грн
100+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A16254EF56469&compId=IRF9510PBF.pdf?ci_sign=094ecfdf3c0a352c6462423756d424b809ffd5f6
IRF9510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.25 грн
10+42.12 грн
50+36.00 грн
100+34.16 грн
250+31.83 грн
500+30.18 грн
1000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90FA74E04D8143&compId=IRF9510S.pdf?ci_sign=da5f9f0d1192f1fcac73e28e1769abb28ee49627
IRF9510SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.77 грн
10+86.67 грн
50+71.91 грн
100+67.06 грн
250+60.84 грн
500+55.99 грн
1000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBF IRF9520S.pdf
IRF9520SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF irf9530.pdf
IRF9530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF description IRF9530S.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 622 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.50 грн
10+66.51 грн
25+55.51 грн
50+53.76 грн
100+50.36 грн
250+48.71 грн
500+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF IRF9540PBF.pdf
IRF9540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 457 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.41 грн
10+85.66 грн
50+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBF IRF9540S.pdf
IRF9540SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.47 грн
10+114.88 грн
50+95.10 грн
100+89.28 грн
200+82.48 грн
250+80.54 грн
500+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3DEB81760469&compId=IRF9610PBF.pdf?ci_sign=d39aeede662720961ed061dee5ebfdc3be985d46
IRF9610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.78 грн
10+68.93 грн
50+60.84 грн
100+58.61 грн
250+55.80 грн
500+53.76 грн
1000+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61
IRF9620PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.01 грн
10+77.60 грн
50+67.93 грн
500+61.14 грн
1000+59.20 грн
2000+57.25 грн
5000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7
IRF9630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.41 грн
10+111.86 грн
50+91.22 грн
100+82.48 грн
250+70.84 грн
500+60.17 грн
1000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74
IRF9630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.41 грн
10+111.86 грн
50+96.07 грн
100+89.28 грн
250+81.51 грн
500+74.72 грн
1000+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f
IRF9Z24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.15 грн
50+77.80 грн
100+69.58 грн
250+61.72 грн
500+55.51 грн
750+51.72 грн
1000+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785
IRF9Z24SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.96 грн
5+81.63 грн
10+72.78 грн
50+65.02 грн
500+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF irf9z34.pdf
IRF9Z34PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.99 грн
10+78.10 грн
50+67.93 грн
100+65.02 грн
250+60.94 грн
500+58.03 грн
1000+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF IRF9Z34S.pdf
IRF9Z34SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.61 грн
50+98.76 грн
500+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A511ACEBAE469&compId=IRFB11N50APBF.pdf?ci_sign=2b2cb56cacbcc1433d98753fa1640f894f4b75b0
IRFB11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.37 грн
10+152.17 грн
50+98.01 грн
100+87.34 грн
1000+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F396B97150143&compId=IRFB17N50L.pdf?ci_sign=cf2abb929dcd2c62d4d4c4ac9c6f35829b0ccd70
IRFB17N50LPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+320.83 грн
10+276.12 грн
20+245.51 грн
50+218.34 грн
100+203.79 грн
1000+191.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F414831B90143&compId=IRFB18N50K.pdf?ci_sign=8d8c87da4e1dd23f4157d16250cae8a6a18df8f5
IRFB18N50KPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4
IRFB9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.58 грн
50+120.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3E47CAFE960C7&compId=IRFBC20.pdf?ci_sign=9bf1bd9dffbe75aa95db2faed31b00efd75d12aa
IRFBC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.88 грн
50+68.02 грн
100+58.61 грн
250+54.15 грн
500+46.48 грн
1000+42.60 грн
2000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.90 грн
10+99.95 грн
50+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA9BDB6174143&compId=IRFBC40LC.pdf?ci_sign=7a715f32bfcc31eb7b67f5e3fda6fe3fcc72b060
IRFBC40LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.40 грн
10+104.80 грн
25+86.37 грн
50+80.54 грн
100+79.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7685A685A469&compId=IRFBC40PBF.pdf?ci_sign=3f3345541e9bbecb9217bd9348646ef1a5c42a45
IRFBC40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
50+71.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3F7C028F760C7&compId=IRFBE20.pdf?ci_sign=e50d3f6680978554c2460c053e905c8201585866
IRFBE20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.00 грн
10+92.71 грн
19+61.14 грн
51+58.22 грн
2000+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.26 грн
10+121.94 грн
50+101.89 грн
100+95.10 грн
250+84.43 грн
500+76.66 грн
1000+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30.pdf
IRFBE30SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.45 грн
50+128.99 грн
100+118.39 грн
250+111.60 грн
500+105.77 грн
1000+100.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7BF025858469&compId=IRFBF20SPBF.pdf?ci_sign=a942efdaf3fa3a6517063a2200d35b25e73e0b55
IRFBF20SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 6.8A
Drain-source voltage: 900V
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.63 грн
10+69.87 грн
50+63.08 грн
250+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7F8E2DC9E469&compId=IRFBF30.pdf?ci_sign=c35b4d19349efa03f7c0a0a5e151c3028ead9b33
IRFBF30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.78 грн
50+114.88 грн
250+103.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710
IRFBG20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.15 грн
10+77.60 грн
50+63.08 грн
100+60.17 грн
250+56.28 грн
500+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A9BDD9A9A0469&compId=IRFD420PBF.pdf?ci_sign=57ea75df99819e42418198c0019a26e23b270646
IRFD420PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: DIP4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.97 грн
6+59.66 грн
25+45.61 грн
69+43.67 грн
500+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF.pdf
IRFD9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.38 грн
10+51.60 грн
25+47.16 грн
50+44.93 грн
100+42.70 грн
500+37.75 грн
1000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF sihfd902.pdf
IRFD9020PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -1.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.93 грн
10+91.22 грн
50+69.87 грн
100+65.02 грн
200+62.11 грн
500+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c
IRFD9110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.78 грн
10+69.63 грн
100+57.35 грн
200+54.54 грн
500+50.85 грн
1000+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A482F2942300D2&compId=irfd9210.pdf?ci_sign=af6eda42cb6a95db7fd983107888411cde1b2422
IRFD9210PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.25A
Gate charge: 8.9nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.33 грн
5+81.02 грн
10+67.64 грн
25+52.11 грн
100+34.93 грн
200+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF IRFD9220PBF.pdf
IRFD9220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.36A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.34 грн
10+86.67 грн
50+79.57 грн
100+70.84 грн
500+60.17 грн
1000+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF sihfi510.pdf
IRFI510GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 18A
Drain current: 4.5A
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.76 грн
10+106.01 грн
50+71.91 грн
100+62.98 грн
250+54.34 грн
500+49.78 грн
1000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF IRFI540G.pdf
IRFI540GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 48W
Gate charge: 72nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.83 грн
10+77.60 грн
50+66.96 грн
100+59.20 грн
250+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 608 1216 1221 1222 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1229 1230 1231 1824 2432 3040 3648 4256 4864 5472 6080 6082  [ Наступна Сторінка >> ]