| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU320PBF | VISHAY |
IRFU320PBF THT N channel transistors |
на замовлення 906 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU420PBF | VISHAY |
IRFU420PBF THT N channel transistors |
на замовлення 1846 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFU9014PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251 Kind of package: tube Case: IPAK; TO251 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.2A Gate charge: 12nC On-state resistance: 0.5Ω Power dissipation: 25W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 852 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFU9024PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFU9110PBF | VISHAY |
IRFU9110PBF THT P channel transistors |
на замовлення 834 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU9120PBF | VISHAY |
IRFU9120PBF THT P channel transistors |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU9310PBF | VISHAY |
IRFU9310PBF THT P channel transistors |
на замовлення 2216 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFUC20PBF | VISHAY |
IRFUC20PBF THT N channel transistors |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFZ14PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 939 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFZ24PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRFZ44PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 344 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48RPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 291A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL510PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 6.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL640PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 241 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL640SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRL640STRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 794 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLD024PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 1.3W Drain current: 1.8A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLI640GPBF | VISHAY |
IRLI640GPBF THT N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLIZ44GPBF | VISHAY |
IRLIZ44GPBF THT N channel transistors |
на замовлення 377 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRLL110TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.93A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 760mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 519 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR014PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 31A On-state resistance: 0.28Ω Gate charge: 8.4nC Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR110PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 17A On-state resistance: 0.54Ω Gate charge: 6.1nC Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 554 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR120TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 31A On-state resistance: 0.27Ω Gate charge: 12nC Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1134 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLU014PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Mounting: THT Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.28Ω Gate-source voltage: ±10V Gate charge: 8.4nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2563 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLU110PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.3A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 0.54Ω Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 17A Gate charge: 6.1nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLZ14PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB Mounting: THT Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 43W Drain-source voltage: 60V On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhancement Drain current: 7.2A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLZ44PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Kind of package: tube Gate charge: 66nC On-state resistance: 28mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 435 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K10X7RF5UH5 | VISHAY |
Category: Ceramic capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Terminal pitch: 5mm Tolerance: ±10% Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Dielectric: X7R кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12633 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K10X7RF5UL2 | VISHAY |
Category: Ceramic capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Terminal pitch: 2.5mm Tolerance: ±10% Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Dielectric: X7R кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8257 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K15X7RF5TH5 | VISHAY |
Category: MLCC THT capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Dielectric: X7R Tolerance: ±10% Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Terminal pitch: 5mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5726 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K20X7RH5TH5 | VISHAY |
Category: MLCC THT capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 100V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 100V Dielectric: X7R Tolerance: ±10% Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Terminal pitch: 5mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| KBL02-E4/51 | VISHAY |
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 417 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBL04-E4/51 | VISHAY |
KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 407 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
KBL06-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 4A; Ifsm: 200A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 200A Version: flat Case: KBL Electrical mounting: THT Leads: wire Ø 1.3mm Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBL08-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 200A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 200A Version: flat Case: KBL Electrical mounting: THT Leads: wire Ø 1.3mm Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
KBL10-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 200A; flat Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 200A Version: flat Case: KBL Electrical mounting: THT Leads: wire Ø 1.3mm Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| KBU4D-E4/51 | VISHAY |
KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU4G-E4/51 | VISHAY |
KBU4G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 237 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU4K-E4/51 | VISHAY |
KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
KBU6M-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 6A; Ifsm: 250A; flat Case: KBU Max. forward voltage: 1V Version: flat Electrical mounting: THT Load current: 6A Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. off-state voltage: 1kV Max. forward impulse current: 250A Type of bridge rectifier: single-phase кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 313 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8B-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 8A; Ifsm: 300A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 100V Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8D-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 8A; Ifsm: 300A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8G-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 8A; Ifsm: 300A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8J-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 300A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 117 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8K-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 300A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8M-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 300A; flat Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KMKP 900-2,2IA | VISHAY |
Category: THT Film CapacitorsDescription: Capacitor: polypropylene; 2.2uF; 900VAC; 16A; Ø35x72mm; ±10% Type of capacitor: polypropylene Capacitance: 2.2µF Operating voltage: 900V AC Tolerance: ±10% Body dimensions: Ø35x72mm Diameter: 35mm Height: 72mm Max. operating current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LH1540AT | VISHAY |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; LH; 1-phase Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Max. operating current: 120mA Switched voltage: max. 350V Manufacturer series: LH Relay variant: 1-phase Operating temperature: -40...85°C Release time: 50µs Operate time: 130µs Control current max.: 50mA On-state resistance: 22Ω Insulation voltage: 5.3kV Case: DIP6 Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1628 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL101A-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 60V; 30mA Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15755 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL101C-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 30mA; 1ns Capacitance: 2.2pF Mounting: SMD Type of diode: Schottky switching Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: small signal Kind of package: 7 inch reel Reverse recovery time: 1ns Leakage current: 0.2µA Load current: 30mA Power dissipation: 0.4W Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 2A Max. off-state voltage: 40V Quantity in set/package: 2500pcs. Case: MiniMELF; SOD80 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5055 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL103A-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 0.2A; 10ns Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Max. forward impulse current: 15A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 50pF Reverse recovery time: 10ns Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.4W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2516 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL103B-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 10ns Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Max. forward impulse current: 15A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 50pF Reverse recovery time: 10ns Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.4W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL103C-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 20V; 0.2A; 10ns Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 20V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Max. forward impulse current: 15A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 50pF Reverse recovery time: 10ns Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.4W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL41-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 100V; 0.1A; 200mW Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.75A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 2pF Leakage current: 20µA Power dissipation: 0.2W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3247 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL4148-GS08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 4pF Case: MiniMELF; SOD80 Max. forward voltage: 0.86V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: 7 inch reel Power dissipation: 0.5W Max. load current: 0.5A Quantity in set/package: 2500pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 964923 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL4148-GS18 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 4pF Case: MiniMELF; SOD80 Max. forward voltage: 0.86V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: 13 inch reel Power dissipation: 0.5W Max. load current: 0.5A Quantity in set/package: 10000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18772 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL4150GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 50V; 0.6A; 4ns Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.6A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 2.5pF Reverse recovery time: 4ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL4151-GS08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 2ns; MiniMELF,SOD80; Ufmax: 1V Case: MiniMELF; SOD80 Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Type of diode: switching Reverse recovery time: 2ns Leakage current: 50µA Load current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Max. forward impulse current: 2A Max. forward voltage: 1V Max. off-state voltage: 75V Quantity in set/package: 2500pcs. Kind of package: 7 inch reel Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 222 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| LL4154-M-18 | VISHAY |
LL4154-M-18 SMD universal diodes |
на замовлення 13318 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
LL42-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.65V Max. forward impulse current: 4A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IRFU320PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU320PBF THT N channel transistors
IRFU320PBF THT N channel transistors
на замовлення 906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.44 грн |
| 36+ | 32.02 грн |
| 99+ | 30.28 грн |
| IRFU420PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU420PBF THT N channel transistors
IRFU420PBF THT N channel transistors
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.01 грн |
| 36+ | 32.02 грн |
| 99+ | 30.08 грн |
| IRFU9014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.20 грн |
| 10+ | 55.22 грн |
| 75+ | 46.29 грн |
| 150+ | 44.44 грн |
| 375+ | 42.21 грн |
| 1050+ | 40.08 грн |
| 5025+ | 37.36 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.15 грн |
| 10+ | 56.53 грн |
| 75+ | 49.30 грн |
| 150+ | 47.55 грн |
| 300+ | 45.90 грн |
| 525+ | 44.44 грн |
| 750+ | 43.67 грн |
| IRFU9110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU9110PBF THT P channel transistors
IRFU9110PBF THT P channel transistors
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.33 грн |
| 43+ | 27.07 грн |
| 117+ | 25.62 грн |
| IRFU9120PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU9120PBF THT P channel transistors
IRFU9120PBF THT P channel transistors
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.32 грн |
| 38+ | 31.05 грн |
| 103+ | 29.11 грн |
| IRFU9310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU9310PBF THT P channel transistors
IRFU9310PBF THT P channel transistors
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.73 грн |
| 31+ | 37.36 грн |
| 85+ | 35.32 грн |
| IRFUC20PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFUC20PBF THT N channel transistors
IRFUC20PBF THT N channel transistors
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.93 грн |
| 26+ | 44.44 грн |
| 71+ | 42.02 грн |
| IRFZ14PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.93 грн |
| 50+ | 38.19 грн |
| 1000+ | 30.18 грн |
| IRFZ24PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFZ44PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.81 грн |
| 5+ | 114.88 грн |
| 25+ | 83.46 грн |
| 50+ | 79.57 грн |
| IRFZ48RPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.72 грн |
| 50+ | 139.07 грн |
| 100+ | 124.21 грн |
| 250+ | 112.57 грн |
| 500+ | 104.80 грн |
| 1000+ | 99.95 грн |
| IRL510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.33 грн |
| 10+ | 65.00 грн |
| 50+ | 52.11 грн |
| 100+ | 48.23 грн |
| 250+ | 44.35 грн |
| 500+ | 42.12 грн |
| 1000+ | 40.37 грн |
| IRL640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.41 грн |
| 10+ | 89.69 грн |
| 50+ | 75.69 грн |
| 100+ | 72.78 грн |
| 250+ | 71.81 грн |
| IRL640SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRL640STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.25 грн |
| 10+ | 120.93 грн |
| 100+ | 92.19 грн |
| 250+ | 85.40 грн |
| 500+ | 81.51 грн |
| 800+ | 79.57 грн |
| 2400+ | 74.72 грн |
| IRLD024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 157.80 грн |
| 10+ | 115.59 грн |
| 28+ | 41.63 грн |
| 76+ | 39.40 грн |
| IRLI640GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRLI640GPBF THT N channel transistors
IRLI640GPBF THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.54 грн |
| 16+ | 76.66 грн |
| 42+ | 71.81 грн |
| IRLIZ44GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRLIZ44GPBF THT N channel transistors
IRLIZ44GPBF THT N channel transistors
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 295.75 грн |
| 11+ | 112.57 грн |
| 29+ | 105.77 грн |
| IRLL110TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.70 грн |
| 50+ | 51.90 грн |
| 100+ | 46.77 грн |
| 250+ | 42.12 грн |
| 500+ | 38.43 грн |
| 1000+ | 34.55 грн |
| 2500+ | 29.50 грн |
| IRLR014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.93 грн |
| 10+ | 44.14 грн |
| 20+ | 37.65 грн |
| 50+ | 33.58 грн |
| 75+ | 32.41 грн |
| 300+ | 30.57 грн |
| IRLR110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.25 грн |
| 10+ | 43.13 грн |
| 75+ | 38.14 грн |
| 525+ | 34.84 грн |
| 2025+ | 32.61 грн |
| 5025+ | 31.15 грн |
| 11250+ | 29.79 грн |
| IRLR120TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.27Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.27Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.24 грн |
| 9+ | 37.69 грн |
| 25+ | 32.12 грн |
| 100+ | 28.82 грн |
| 500+ | 27.46 грн |
| IRLU014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 37.89 грн |
| 75+ | 32.70 грн |
| IRLU110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLZ14PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 60V
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Drain current: 7.2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 60V
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Drain current: 7.2A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLZ44PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.26 грн |
| 10+ | 107.83 грн |
| 50+ | 93.16 грн |
| 100+ | 89.28 грн |
| 250+ | 83.46 грн |
| 500+ | 80.54 грн |
| 750+ | 77.63 грн |
| K104K10X7RF5UH5 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12633 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.81 грн |
| 31+ | 9.98 грн |
| 50+ | 6.83 грн |
| 100+ | 5.99 грн |
| 500+ | 4.60 грн |
| 1000+ | 4.17 грн |
| 2500+ | 3.84 грн |
| K104K10X7RF5UL2 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 2.5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 2.5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.59 грн |
| 32+ | 9.57 грн |
| 50+ | 6.75 грн |
| 100+ | 5.93 грн |
| 500+ | 4.55 грн |
| 1000+ | 4.13 грн |
| 2500+ | 3.93 грн |
| K104K15X7RF5TH5 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.72 грн |
| 39+ | 7.86 грн |
| 50+ | 6.00 грн |
| 100+ | 5.41 грн |
| 250+ | 4.73 грн |
| 500+ | 4.26 грн |
| 1000+ | 3.84 грн |
| K104K20X7RH5TH5 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 100V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 100V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 100V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 100V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.31 грн |
| 17+ | 18.74 грн |
| 50+ | 13.49 грн |
| 100+ | 11.94 грн |
| 250+ | 10.48 грн |
| 500+ | 9.51 грн |
| 1000+ | 9.12 грн |
| KBL02-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 345.91 грн |
| 8+ | 152.35 грн |
| 21+ | 143.62 грн |
| KBL04-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 306.20 грн |
| 8+ | 146.53 грн |
| 22+ | 138.77 грн |
| KBL06-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 4A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 4A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.08 грн |
| 10+ | 201.55 грн |
| 25+ | 175.64 грн |
| KBL08-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBL10-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 200A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 200A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 348.00 грн |
| 5+ | 290.23 грн |
| 10+ | 259.10 грн |
| 50+ | 217.37 грн |
| 120+ | 197.96 грн |
| 300+ | 181.47 грн |
| 600+ | 170.79 грн |
| KBU4D-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 315.61 грн |
| 8+ | 163.03 грн |
| 20+ | 154.30 грн |
| KBU4G-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU4G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU4G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 379.36 грн |
| 7+ | 182.44 грн |
| 18+ | 172.73 грн |
| KBU4K-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 339.64 грн |
| 8+ | 162.06 грн |
| 20+ | 153.33 грн |
| KBU6M-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 6A; Ifsm: 250A; flat
Case: KBU
Max. forward voltage: 1V
Version: flat
Electrical mounting: THT
Load current: 6A
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward impulse current: 250A
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 6A; Ifsm: 250A; flat
Case: KBU
Max. forward voltage: 1V
Version: flat
Electrical mounting: THT
Load current: 6A
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward impulse current: 250A
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 365.77 грн |
| 10+ | 268.06 грн |
| 50+ | 224.17 грн |
| 100+ | 210.58 грн |
| 250+ | 194.08 грн |
| KBU8B-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 345.91 грн |
| 10+ | 254.96 грн |
| 50+ | 235.81 грн |
| KBU8D-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 360.55 грн |
| 2+ | 332.55 грн |
| 10+ | 256.19 грн |
| 20+ | 224.17 грн |
| 50+ | 209.61 грн |
| KBU8G-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 292.62 грн |
| 5+ | 253.95 грн |
| 10+ | 241.63 грн |
| KBU8J-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 340.69 грн |
| 10+ | 278.13 грн |
| 25+ | 245.51 грн |
| 100+ | 213.49 грн |
| 250+ | 191.17 грн |
| 500+ | 180.50 грн |
| KBU8K-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 297.84 грн |
| 5+ | 260.00 грн |
| 10+ | 233.87 грн |
| 25+ | 209.61 грн |
| KBU8M-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 300A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 300A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 512.08 грн |
| 10+ | 360.77 грн |
| 100+ | 294.03 грн |
| 250+ | 274.63 грн |
| 500+ | 260.07 грн |
| 1000+ | 244.54 грн |
| 2500+ | 225.14 грн |
| KMKP 900-2,2IA |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 2.2uF; 900VAC; 16A; Ø35x72mm; ±10%
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 2.2µF
Operating voltage: 900V AC
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø35x72mm
Diameter: 35mm
Height: 72mm
Max. operating current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 2.2uF; 900VAC; 16A; Ø35x72mm; ±10%
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 2.2µF
Operating voltage: 900V AC
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø35x72mm
Diameter: 35mm
Height: 72mm
Max. operating current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4965.07 грн |
| 5+ | 4410.86 грн |
| 10+ | 4001.01 грн |
| 20+ | 3869.03 грн |
| 50+ | 3790.43 грн |
| LH1540AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; LH; 1-phase
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V
Manufacturer series: LH
Relay variant: 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 50µs
Operate time: 130µs
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 22Ω
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP6
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; LH; 1-phase
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V
Manufacturer series: LH
Relay variant: 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 50µs
Operate time: 130µs
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 22Ω
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP6
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.01 грн |
| 10+ | 185.42 грн |
| 50+ | 155.27 грн |
| 100+ | 131.98 грн |
| 500+ | 109.66 грн |
| LL101A-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 60V; 30mA
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 60V; 30mA
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15755 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.08 грн |
| 19+ | 16.22 грн |
| 100+ | 9.20 грн |
| 500+ | 6.21 грн |
| 1000+ | 5.21 грн |
| 2500+ | 4.12 грн |
| 5000+ | 3.44 грн |
| LL101C-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 30mA; 1ns
Capacitance: 2.2pF
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Kind of package: 7 inch reel
Reverse recovery time: 1ns
Leakage current: 0.2µA
Load current: 30mA
Power dissipation: 0.4W
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 40V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Case: MiniMELF; SOD80
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 30mA; 1ns
Capacitance: 2.2pF
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Kind of package: 7 inch reel
Reverse recovery time: 1ns
Leakage current: 0.2µA
Load current: 30mA
Power dissipation: 0.4W
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 40V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Case: MiniMELF; SOD80
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 5.23 грн |
| 67+ | 4.53 грн |
| 73+ | 4.04 грн |
| 100+ | 3.82 грн |
| 250+ | 3.44 грн |
| 500+ | 3.40 грн |
| LL103A-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.63 грн |
| 33+ | 9.17 грн |
| 50+ | 6.54 грн |
| 100+ | 5.74 грн |
| 500+ | 4.32 грн |
| 1000+ | 3.83 грн |
| 2500+ | 3.32 грн |
| LL103B-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.04 грн |
| 18+ | 17.53 грн |
| 20+ | 14.56 грн |
| 100+ | 8.77 грн |
| 500+ | 5.91 грн |
| 1000+ | 4.92 грн |
| 2500+ | 3.78 грн |
| LL103C-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 20V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 20V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.68 грн |
| 30+ | 10.08 грн |
| 100+ | 6.68 грн |
| 2500+ | 4.23 грн |
| 5000+ | 3.88 грн |
| 7500+ | 3.70 грн |
| 12500+ | 3.48 грн |
| LL41-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 100V; 0.1A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.75A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2pF
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 100V; 0.1A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.75A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2pF
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.86 грн |
| 33+ | 9.17 грн |
| 50+ | 6.95 грн |
| 100+ | 6.21 грн |
| 250+ | 5.30 грн |
| 500+ | 4.65 грн |
| LL4148-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: MiniMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.86V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: MiniMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.86V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 964923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 4.18 грн |
| 116+ | 2.62 грн |
| 228+ | 1.28 грн |
| 500+ | 0.62 грн |
| 1000+ | 0.49 грн |
| 2500+ | 0.40 грн |
| LL4148-GS18 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: MiniMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.86V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 13 inch reel
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.5A
Quantity in set/package: 10000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: MiniMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.86V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 13 inch reel
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.5A
Quantity in set/package: 10000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 93+ | 3.38 грн |
| 150+ | 2.02 грн |
| 160+ | 1.82 грн |
| 177+ | 1.65 грн |
| 193+ | 1.51 грн |
| 500+ | 1.02 грн |
| 1000+ | 0.82 грн |
| LL4150GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 50V; 0.6A; 4ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2.5pF
Reverse recovery time: 4ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 50V; 0.6A; 4ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2.5pF
Reverse recovery time: 4ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.36 грн |
| 46+ | 6.65 грн |
| 50+ | 5.92 грн |
| 100+ | 3.99 грн |
| 500+ | 2.89 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |
| 2500+ | 2.09 грн |
| LL4151-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 2ns; MiniMELF,SOD80; Ufmax: 1V
Case: MiniMELF; SOD80
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 2ns
Leakage current: 50µA
Load current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 75V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 2ns; MiniMELF,SOD80; Ufmax: 1V
Case: MiniMELF; SOD80
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 2ns
Leakage current: 50µA
Load current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 75V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.36 грн |
| 50+ | 6.05 грн |
| 56+ | 5.24 грн |
| 100+ | 3.75 грн |
| 500+ | 2.86 грн |
| 1000+ | 2.54 грн |
| 2500+ | 2.15 грн |
| LL4154-M-18 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL4154-M-18 SMD universal diodes
LL4154-M-18 SMD universal diodes
на замовлення 13318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.64 грн |
| LL42-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.95 грн |
| 19+ | 16.53 грн |
| 21+ | 13.97 грн |
| 100+ | 8.75 грн |
| 500+ | 6.59 грн |
| 1000+ | 5.92 грн |
| 2500+ | 5.20 грн |


































