Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (364391) > Сторінка 3419 з 6074

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 607 1214 1821 2428 3035 3414 3415 3416 3417 3418 3419 3420 3421 3422 3423 3424 3642 4249 4856 5463 6070 6074  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-90EPS08L-M3 VS-90EPS08L-M3 VISHAY vs-90epsl-m3.pdf Description: VISHAY - VS-90EPS08L-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 90 A, Einfach, 1.2 V, 915 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 915A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.83 грн
10+246.46 грн
100+214.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TR3D106K050C0550 TR3D106K050C0550 VISHAY tr3.pdf Description: VISHAY - TR3D106K050C0550 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+279.55 грн
10+188.98 грн
50+182.01 грн
100+160.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TP3D106K050C0550AS TP3D106K050C0550AS VISHAY VISH-S-A0024282169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%, 0.55 ohm, D
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.43 грн
10+135.86 грн
50+111.47 грн
100+96.23 грн
200+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
593D106X9050E8T 593D106X9050E8T VISHAY 3457704.pdf Description: VISHAY - 593D106X9050E8T - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE E
tariffCode: 0
Produkthöhe: 4mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 550mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.49 грн
400+233.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TP3D106K050C0550AS TP3D106K050C0550AS VISHAY 2899270.pdf Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE D
tariffCode: 0
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+91.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TR3D106K050C0450 TR3D106K050C0450 VISHAY tr3.pdf Description: VISHAY - TR3D106K050C0450 - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE D
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 0
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.45ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 580mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+289.13 грн
10+207.27 грн
25+199.43 грн
50+179.53 грн
100+145.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 VISHAY sud50n04.pdf Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 48644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+66.45 грн
16+57.22 грн
100+48.51 грн
500+41.16 грн
1000+37.55 грн
5000+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IHD3EB103L IHD3EB103L VISHAY 2050685.pdf Description: VISHAY - IHD3EB103L - INDUCTOR, 10MH, 250MA, AXIAL LEADED
tariffCode: 85339000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Induktivitätstoleranz: 0
Induktivität: 10mH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 250mA
DC-Widerstand, max.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: IHD Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+871.75 грн
10+832.56 грн
25+719.35 грн
50+617.83 грн
100+506.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSLP1206R0150FEA. WSLP1206R0150FEA. VISHAY Description: VISHAY - WSLP1206R0150FEA. - RESISTOR, CURRENT SENSE, 0.015 OHM, 1W 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [3216 Metric]
Widerstandstechnologie: Metal Strip
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstand: 0.015ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSLP Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+66.27 грн
25+37.45 грн
50+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60EF-GE3 SIHA22N60EF-GE3 VISHAY VISH-S-A0010124977-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.182 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.52 грн
10+238.62 грн
100+171.56 грн
500+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MAL215299705E3 MAL215299705E3 VISHAY 2875167.pdf Description: VISHAY - MAL215299705E3 - Aluminium-Elektrolytkondensatoren, SMD, Becher, radial - SMD, 15 µF, 450 V
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 22mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher, radial - SMD
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 6000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 110mA
Produktpalette: 152 CME Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 16mm
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.90 грн
5+309.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTCS0805E3104SMT NTCS0805E3104SMT VISHAY VISH-S-A0013031991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - NTCS0805E3104SMT - NTC-Thermistor, 100 kOhm, Baureihe NTCS, 3590 K, SMD, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85334010
Thermistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
Thermistor: NTC
Bauform - Thermistor: 0805 [Metrisch 2012]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Fühlerdurchmesser: -
Qualifikation: -
Widerstand (25°C): 100kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Thermische Zeitkonstante (in Luft): -
Anschlusslänge: -
NTC-Montage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
B-Konstante: 3590K
Toleranz B-Konstante: ±1%
NTC-Gehäusegröße: 0805 [Metrisch 2012]
Produktpalette: NTCS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Widerstandstoleranz (25°C): ±1%
Fühlermaterial: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.81 грн
500+44.07 грн
1000+36.47 грн
2000+32.02 грн
4000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1812Y474KXAAT VJ1812Y474KXAAT VISHAY VISH-S-A0008004061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ1812Y474KXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.47 µF, 50 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.58mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY 2816254.pdf Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+213.37 грн
10+156.76 грн
100+118.44 грн
500+102.70 грн
1000+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 SIR680LDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019740026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+225.56 грн
50+168.08 грн
100+121.05 грн
500+91.38 грн
1500+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0019859687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.04 грн
10+150.66 грн
100+108.86 грн
500+83.29 грн
1000+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3 SIR638DP-T1-GE3 VISHAY sir638dp.pdf Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 730µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.28 грн
10+123.67 грн
25+111.47 грн
100+90.57 грн
500+72.63 грн
1000+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3 SIR680DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0003320271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+253.43 грн
50+169.82 грн
100+119.31 грн
500+90.57 грн
1500+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3 SIR580DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019629303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+172.43 грн
10+124.54 грн
100+95.80 грн
500+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-GE3 SIHD3N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.73 грн
13+67.84 грн
100+43.28 грн
500+33.56 грн
1000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000184592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.66 грн
10+132.37 грн
100+115.83 грн
500+87.34 грн
1000+79.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 SIRA20DP-T1-RE3 VISHAY sira20dp.pdf Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002523144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.51 грн
500+54.02 грн
1500+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668DP-T1-RE3 SIR668DP-T1-RE3 VISHAY sir668dp.pdf Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.83 грн
11+80.90 грн
100+75.59 грн
500+64.61 грн
1000+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3 SIR668ADP-T1-RE3 VISHAY sir668adp.pdf Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.24 грн
10+134.99 грн
100+94.06 грн
500+74.16 грн
1000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 SIR570DP-T1-RE3 VISHAY 3194653.pdf Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.76 грн
10+155.02 грн
100+125.41 грн
500+99.47 грн
1000+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3 SIR668ADP-T1-RE3 VISHAY sir668adp.pdf Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.76 грн
500+77.63 грн
1000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY 2816254.pdf Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.44 грн
500+102.70 грн
1000+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3 SIR580DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019629303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.80 грн
500+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3 SIR680DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0003320271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.31 грн
500+90.57 грн
1500+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3 SIR638DP-T1-GE3 VISHAY sir638dp.pdf Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.57 грн
500+72.63 грн
1000+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA80DP-T1-RE3 SIRA80DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0013439338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA80DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.30 грн
500+62.59 грн
1000+53.22 грн
5000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD5N50D-GE3 SIHD5N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0009403020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.69 грн
500+49.81 грн
1000+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-GE3 SIHD3N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+43.28 грн
500+33.56 грн
1000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 SIR510DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024282161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.98 грн
10+138.47 грн
100+101.02 грн
500+75.37 грн
1000+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 SIR510DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024282161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.02 грн
500+75.37 грн
1000+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 SIR570DP-T1-RE3 VISHAY 3194653.pdf Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.41 грн
500+99.47 грн
1000+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 SIR680LDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019740026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.05 грн
500+91.38 грн
1500+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000184592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+125.41 грн
25+103.64 грн
100+86.53 грн
500+73.60 грн
1000+68.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 SIRA20DP-T1-RE3 VISHAY sira20dp.pdf Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668DP-T1-RE3 SIR668DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0003320274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.59 грн
500+64.61 грн
1000+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0019859687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.86 грн
500+83.29 грн
1000+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603A5R6CXACW1BC VJ0603A5R6CXACW1BC VISHAY VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ0603A5R6CXACW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 50 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+3.82 грн
314+2.78 грн
500+2.08 грн
1000+1.82 грн
2000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603D5R6CXPAJ VJ0603D5R6CXPAJ VISHAY VISH-S-A0020776423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ0603D5R6CXPAJ - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 250 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 250V
Produktpalette: VJ HIFREQ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100JXGAT5Z VJ1206A100JXGAT5Z VISHAY 3965981.pdf Description: VISHAY - VJ1206A100JXGAT5Z - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 10 pF, 1 kV, 1206 [Metrisch: 3216], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch: 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ HVArc Guard Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW20101K00JNEF-DEL CRCW20101K00JNEF-DEL VISHAY Description: VISHAY - CRCW20101K00JNEF-DEL - RES, THICK FILM, 1K, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 0
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 0
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+31.26 грн
33+26.91 грн
50+18.72 грн
100+9.78 грн
250+8.73 грн
500+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW20102R00JNEF CRCW20102R00JNEF VISHAY dcrcwe3.pdf Description: VISHAY - CRCW20102R00JNEF - RES, THICK FILM, 2R, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 2ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+3.57 грн
278+3.14 грн
334+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y564KXQCW1BC VJ0603Y564KXQCW1BC VISHAY 2878571.pdf Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+19.25 грн
100+11.32 грн
500+9.58 грн
1000+7.33 грн
2000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y473JXQPW1BC VJ0603Y473JXQPW1BC VISHAY vjw1bcbascomseries.pdf Description: VISHAY - VJ0603Y473JXQPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+3.31 грн
363+2.40 грн
500+1.80 грн
2500+1.35 грн
7500+0.98 грн
15000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y564KXQCW1BC VJ0603Y564KXQCW1BC VISHAY 2878571.pdf Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.32 грн
500+9.58 грн
1000+7.33 грн
2000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 VISHAY si4497dy.pdf Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.99 грн
500+80.30 грн
1000+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 VISHAY si4497dy.pdf Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+220.33 грн
50+156.76 грн
100+107.99 грн
500+80.30 грн
1000+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A470KXBPW1BC VJ1206A470KXBPW1BC VISHAY 2620235.pdf Description: VISHAY - VJ1206A470KXBPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 47 pF, 100 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 10%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 47pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+14.20 грн
108+8.10 грн
500+6.53 грн
2500+5.42 грн
7500+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54. 1.5KE18A-E3/54. VISHAY VISH-S-A0017356990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 1.5KE18A-E3/54. - TVS-Diode, TRANSZORB 1.5KE Series, Unidirektional, 15.3 V, 25.2 V, DO-201, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 18.9V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB 1.5KE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 25.2V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.59 грн
22+41.45 грн
100+40.32 грн
500+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-GE3 SI7949DP-T1-GE3 VISHAY 73130.pdf Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.53 грн
10+117.57 грн
100+86.30 грн
500+58.87 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342ADT-T1-GE3 SIZ342ADT-T1-GE3 VISHAY 2898284.pdf Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.95 грн
18+50.16 грн
100+33.09 грн
500+23.94 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3 SIZ998BDT-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0012815765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.06 грн
15+59.22 грн
100+38.67 грн
500+28.63 грн
1000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3 SIZ998BDT-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0012815765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.36 грн
500+28.63 грн
1000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+77.33 грн
50+57.65 грн
100+39.36 грн
500+30.08 грн
1500+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539CDL-T1-GE3 SI1539CDL-T1-GE3 VISHAY VISHS99206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.80 грн
9000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VS-90EPS08L-M3 vs-90epsl-m3.pdf
VS-90EPS08L-M3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-90EPS08L-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 90 A, Einfach, 1.2 V, 915 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 915A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+459.83 грн
10+246.46 грн
100+214.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TR3D106K050C0550 tr3.pdf
TR3D106K050C0550
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TR3D106K050C0550 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+279.55 грн
10+188.98 грн
50+182.01 грн
100+160.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TP3D106K050C0550AS VISH-S-A0024282169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TP3D106K050C0550AS
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%, 0.55 ohm, D
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.43 грн
10+135.86 грн
50+111.47 грн
100+96.23 грн
200+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
593D106X9050E8T 3457704.pdf
593D106X9050E8T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 593D106X9050E8T - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE E
tariffCode: 0
Produkthöhe: 4mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 550mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.49 грн
400+233.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TP3D106K050C0550AS 2899270.pdf
TP3D106K050C0550AS
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE D
tariffCode: 0
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+91.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TR3D106K050C0450 tr3.pdf
TR3D106K050C0450
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TR3D106K050C0450 - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE D
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 0
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.45ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 580mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+289.13 грн
10+207.27 грн
25+199.43 грн
50+179.53 грн
100+145.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 sud50n04.pdf
SUD50N04-8M8P-4GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 48644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+66.45 грн
16+57.22 грн
100+48.51 грн
500+41.16 грн
1000+37.55 грн
5000+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IHD3EB103L 2050685.pdf
IHD3EB103L
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHD3EB103L - INDUCTOR, 10MH, 250MA, AXIAL LEADED
tariffCode: 85339000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Induktivitätstoleranz: 0
Induktivität: 10mH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 250mA
DC-Widerstand, max.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: IHD Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+871.75 грн
10+832.56 грн
25+719.35 грн
50+617.83 грн
100+506.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSLP1206R0150FEA.
WSLP1206R0150FEA.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSLP1206R0150FEA. - RESISTOR, CURRENT SENSE, 0.015 OHM, 1W 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [3216 Metric]
Widerstandstechnologie: Metal Strip
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstand: 0.015ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSLP Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+66.27 грн
25+37.45 грн
50+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60EF-GE3 VISH-S-A0010124977-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHA22N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.182 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+313.52 грн
10+238.62 грн
100+171.56 грн
500+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MAL215299705E3 2875167.pdf
MAL215299705E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MAL215299705E3 - Aluminium-Elektrolytkondensatoren, SMD, Becher, radial - SMD, 15 µF, 450 V
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 22mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher, radial - SMD
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 6000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 110mA
Produktpalette: 152 CME Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 16mm
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+364.90 грн
5+309.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTCS0805E3104SMT VISH-S-A0013031991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTCS0805E3104SMT
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - NTCS0805E3104SMT - NTC-Thermistor, 100 kOhm, Baureihe NTCS, 3590 K, SMD, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85334010
Thermistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
Thermistor: NTC
Bauform - Thermistor: 0805 [Metrisch 2012]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Fühlerdurchmesser: -
Qualifikation: -
Widerstand (25°C): 100kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Thermische Zeitkonstante (in Luft): -
Anschlusslänge: -
NTC-Montage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
B-Konstante: 3590K
Toleranz B-Konstante: ±1%
NTC-Gehäusegröße: 0805 [Metrisch 2012]
Produktpalette: NTCS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Widerstandstoleranz (25°C): ±1%
Fühlermaterial: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.81 грн
500+44.07 грн
1000+36.47 грн
2000+32.02 грн
4000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1812Y474KXAAT VISH-S-A0008004061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ1812Y474KXAAT
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y474KXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.47 µF, 50 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.58mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 2816254.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+213.37 грн
10+156.76 грн
100+118.44 грн
500+102.70 грн
1000+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 VISH-S-A0019740026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR680LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+225.56 грн
50+168.08 грн
100+121.05 грн
500+91.38 грн
1500+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 VISH-S-A0019859687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA00DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.04 грн
10+150.66 грн
100+108.86 грн
500+83.29 грн
1000+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3 sir638dp.pdf
SIR638DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 730µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.28 грн
10+123.67 грн
25+111.47 грн
100+90.57 грн
500+72.63 грн
1000+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3 VISH-S-A0003320271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR680DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+253.43 грн
50+169.82 грн
100+119.31 грн
500+90.57 грн
1500+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3 VISH-S-A0019629303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR580DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+172.43 грн
10+124.54 грн
100+95.80 грн
500+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-GE3 VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD3N50D-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.73 грн
13+67.84 грн
100+43.28 грн
500+33.56 грн
1000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 VISH-S-A0000184592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR872ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.66 грн
10+132.37 грн
100+115.83 грн
500+87.34 грн
1000+79.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 sira20dp.pdf
SIRA20DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 VISH-S-A0002523144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA90DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.51 грн
500+54.02 грн
1500+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668DP-T1-RE3 sir668dp.pdf
SIR668DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.83 грн
11+80.90 грн
100+75.59 грн
500+64.61 грн
1000+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3 sir668adp.pdf
SIR668ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+187.24 грн
10+134.99 грн
100+94.06 грн
500+74.16 грн
1000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 3194653.pdf
SIR570DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.76 грн
10+155.02 грн
100+125.41 грн
500+99.47 грн
1000+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3 sir668adp.pdf
SIR668ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.76 грн
500+77.63 грн
1000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 2816254.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.44 грн
500+102.70 грн
1000+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3 VISH-S-A0019629303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR580DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.80 грн
500+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3 VISH-S-A0003320271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR680DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+119.31 грн
500+90.57 грн
1500+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3 sir638dp.pdf
SIR638DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.57 грн
500+72.63 грн
1000+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA80DP-T1-RE3 VISH-S-A0013439338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA80DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA80DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.30 грн
500+62.59 грн
1000+53.22 грн
5000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD5N50D-GE3 VISH-S-A0009403020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD5N50D-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.69 грн
500+49.81 грн
1000+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-GE3 VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD3N50D-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+43.28 грн
500+33.56 грн
1000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 VISH-S-A0024282161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR510DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.98 грн
10+138.47 грн
100+101.02 грн
500+75.37 грн
1000+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 VISH-S-A0024282161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR510DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.02 грн
500+75.37 грн
1000+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 3194653.pdf
SIR570DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+125.41 грн
500+99.47 грн
1000+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 VISH-S-A0019740026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR680LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.05 грн
500+91.38 грн
1500+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 VISH-S-A0000184592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR872ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+125.41 грн
25+103.64 грн
100+86.53 грн
500+73.60 грн
1000+68.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 sira20dp.pdf
SIRA20DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668DP-T1-RE3 VISH-S-A0003320274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR668DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.59 грн
500+64.61 грн
1000+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 VISH-S-A0019859687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA00DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.86 грн
500+83.29 грн
1000+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603A5R6CXACW1BC VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ0603A5R6CXACW1BC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603A5R6CXACW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 50 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+3.82 грн
314+2.78 грн
500+2.08 грн
1000+1.82 грн
2000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603D5R6CXPAJ VISH-S-A0020776423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ0603D5R6CXPAJ
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603D5R6CXPAJ - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 250 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 250V
Produktpalette: VJ HIFREQ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100JXGAT5Z 3965981.pdf
VJ1206A100JXGAT5Z
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206A100JXGAT5Z - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 10 pF, 1 kV, 1206 [Metrisch: 3216], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch: 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ HVArc Guard Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW20101K00JNEF-DEL
CRCW20101K00JNEF-DEL
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW20101K00JNEF-DEL - RES, THICK FILM, 1K, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 0
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 0
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+31.26 грн
33+26.91 грн
50+18.72 грн
100+9.78 грн
250+8.73 грн
500+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW20102R00JNEF dcrcwe3.pdf
CRCW20102R00JNEF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW20102R00JNEF - RES, THICK FILM, 2R, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 2ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+3.57 грн
278+3.14 грн
334+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y564KXQCW1BC 2878571.pdf
VJ0603Y564KXQCW1BC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+19.25 грн
100+11.32 грн
500+9.58 грн
1000+7.33 грн
2000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y473JXQPW1BC vjw1bcbascomseries.pdf
VJ0603Y473JXQPW1BC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603Y473JXQPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+3.31 грн
363+2.40 грн
500+1.80 грн
2500+1.35 грн
7500+0.98 грн
15000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y564KXQCW1BC 2878571.pdf
VJ0603Y564KXQCW1BC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.32 грн
500+9.58 грн
1000+7.33 грн
2000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 si4497dy.pdf
SI4497DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.99 грн
500+80.30 грн
1000+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 si4497dy.pdf
SI4497DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+220.33 грн
50+156.76 грн
100+107.99 грн
500+80.30 грн
1000+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A470KXBPW1BC 2620235.pdf
VJ1206A470KXBPW1BC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206A470KXBPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 47 pF, 100 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 10%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 47pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+14.20 грн
108+8.10 грн
500+6.53 грн
2500+5.42 грн
7500+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54. VISH-S-A0017356990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1.5KE18A-E3/54.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1.5KE18A-E3/54. - TVS-Diode, TRANSZORB 1.5KE Series, Unidirektional, 15.3 V, 25.2 V, DO-201, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 18.9V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB 1.5KE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 25.2V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.59 грн
22+41.45 грн
100+40.32 грн
500+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-GE3 73130.pdf
SI7949DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.53 грн
10+117.57 грн
100+86.30 грн
500+58.87 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342ADT-T1-GE3 2898284.pdf
SIZ342ADT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.95 грн
18+50.16 грн
100+33.09 грн
500+23.94 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3 VISH-S-A0012815765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIZ998BDT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+94.06 грн
15+59.22 грн
100+38.67 грн
500+28.63 грн
1000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3 VISH-S-A0012815765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIZ998BDT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.36 грн
500+28.63 грн
1000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
SI3552DV-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.33 грн
50+57.65 грн
100+39.36 грн
500+30.08 грн
1500+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539CDL-T1-GE3 VISHS99206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1539CDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.80 грн
9000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 607 1214 1821 2428 3035 3414 3415 3416 3417 3418 3419 3420 3421 3422 3423 3424 3642 4249 4856 5463 6070 6074  [ Наступна Сторінка >> ]