Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (35974) > Сторінка 160 з 600

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 60 120 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 180 240 300 360 420 480 540 600  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
1N4936GP-E3/54 1N4936GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4933gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.27 грн
11+ 26.59 грн
100+ 18.49 грн
500+ 13.55 грн
1000+ 11.01 грн
2000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
1N4937GP-E3/54 1N4937GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4933gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 14981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.27 грн
11+ 26.59 грн
100+ 18.49 грн
500+ 13.55 грн
1000+ 11.01 грн
2000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
1N4948GP-E3/54 1N4948GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4942gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 17294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.27 грн
11+ 26.59 грн
100+ 18.49 грн
500+ 13.55 грн
1000+ 11.01 грн
2000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
1N5059GP-E3/54 1N5059GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5059gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 27820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.88 грн
10+ 33.84 грн
100+ 23.53 грн
500+ 17.24 грн
1000+ 14.01 грн
2000+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N5061GP-E3/54 1N5061GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5059gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.88 грн
10+ 33.84 грн
100+ 23.53 грн
500+ 17.24 грн
1000+ 14.01 грн
2000+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N5062GP-E3/54 1N5062GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5059gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 22546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.88 грн
10+ 33.84 грн
100+ 23.53 грн
500+ 17.24 грн
1000+ 14.01 грн
2000+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N5397-E3/54 1N5397-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5391.pdf Description: DIODE DO15 600V 1.5A 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 14541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.67 грн
18+ 15.82 грн
100+ 7.71 грн
500+ 6.03 грн
1000+ 4.19 грн
2000+ 3.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N5399-E3/54 1N5399-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5391.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 85944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.67 грн
18+ 15.82 грн
100+ 7.71 грн
500+ 6.03 грн
1000+ 4.19 грн
2000+ 3.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N5615GP-E3/54 1N5615GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5615gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 10275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.88 грн
10+ 33.43 грн
100+ 23.25 грн
500+ 17.03 грн
1000+ 13.85 грн
2000+ 12.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N5618GP-E3/54 1N5618GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5614GP-1N5622GP.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
товар відсутній
1N5619GP-E3/54 1N5619GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5615gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
на замовлення 6878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.33 грн
10+ 39.16 грн
100+ 29.23 грн
500+ 21.55 грн
1000+ 16.66 грн
2000+ 15.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
1N5625GP-E3/54 1N5625GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5624-27.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
1N5627GP-E3/54 1N5627GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5624-27.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
товар відсутній
B140-E3/61T B140-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division b120.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 129172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.82 грн
16+ 17.4 грн
100+ 8.78 грн
500+ 6.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
B240A-E3/61T B240A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division packaging.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 11210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.54 грн
14+ 19.75 грн
100+ 11.88 грн
500+ 10.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
B340A-E3/61T B340A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division b330la.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 9376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.42 грн
11+ 25.48 грн
100+ 15.3 грн
500+ 13.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
B340LB-E3/52T B340LB-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division b340lb.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 40 V
на замовлення 15741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.84 грн
11+ 25.48 грн
100+ 17.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY255P-E3/54 BY255P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 11222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.12 грн
12+ 24.93 грн
100+ 17.36 грн
500+ 12.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY500-600-E3/54 BY500-600-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY500-100-800.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BYG10G-E3/TR BYG10G-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 8864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.1 грн
15+ 18.72 грн
100+ 11.25 грн
500+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.1 грн
15+ 18.72 грн
100+ 11.25 грн
500+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
BYG10M-E3/TR BYG10M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 88684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.1 грн
15+ 18.72 грн
100+ 11.25 грн
500+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
BYG10Y-E3/TR BYG10Y-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
на замовлення 17601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.4 грн
12+ 24.03 грн
100+ 16.71 грн
500+ 12.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
BYG20D-E3/TR BYG20D-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 38248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.82 грн
15+ 19.13 грн
100+ 11.5 грн
500+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
BYG20G-E3/TR BYG20G-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 5661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.82 грн
15+ 19.27 грн
100+ 11.55 грн
500+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
BYG21K-E3/TR BYG21K-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg21k.pdf Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 18614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.25 грн
14+ 20.24 грн
100+ 12.16 грн
500+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
BYG21M-E3/TR BYG21M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg21k.pdf description Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 124262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.82 грн
15+ 19.13 грн
100+ 11.5 грн
500+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
BYG22B-E3/TR BYG22B-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 59270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.12 грн
12+ 24.86 грн
100+ 17.28 грн
500+ 12.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
BYG22D-E3/TR BYG22D-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 70093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.12 грн
11+ 25.21 грн
100+ 17.5 грн
500+ 12.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg23m.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 383623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.08 грн
19+ 14.92 грн
100+ 8.95 грн
500+ 7.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
BYM10-1000-E3/96 BYM10-1000-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 131141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.54 грн
15+ 19.54 грн
100+ 11.7 грн
500+ 10.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
BYM11-1000-E3/96 BYM11-1000-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.69 грн
13+ 21.41 грн
100+ 12.87 грн
500+ 11.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
BYM13-40-E3/96 BYM13-40-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: GL41 (DO-213AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 17251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.71 грн
10+ 28.04 грн
100+ 19.48 грн
500+ 14.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
BYS10-45-E3/TR BYS10-45-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys10.pdf description Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 70742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.97 грн
15+ 18.99 грн
100+ 9.59 грн
500+ 7.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
BYV26EGP-E3/54 BYV26EGP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26dgp.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 15846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.01 грн
10+ 31.56 грн
100+ 21.84 грн
500+ 17.12 грн
1000+ 14.58 грн
2000+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
DF005S-E3/77 DF005S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.35 грн
10+ 43.44 грн
100+ 30.09 грн
500+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF04SA-E3/77 DF04SA-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfsa.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 7212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.6 грн
10+ 34.88 грн
100+ 24.16 грн
500+ 18.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
DF04S-E3/77 DF04S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.35 грн
10+ 43.44 грн
100+ 30.09 грн
500+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF06SA-E3/77 DF06SA-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfsa.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 8248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.6 грн
10+ 34.88 грн
100+ 24.16 грн
500+ 18.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
DF06S-E3/77 DF06S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 42608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.35 грн
10+ 43.44 грн
100+ 30.09 грн
500+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF08S-E3/77 DF08S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.35 грн
10+ 43.44 грн
100+ 30.09 грн
500+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF10SA-E3/77 DF10SA-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfsa.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 9852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.6 грн
10+ 34.88 грн
100+ 24.16 грн
500+ 18.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
DF10S-E3/77 DF10S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfs.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.35 грн
10+ 43.44 грн
100+ 30.09 грн
500+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
EGL34D-E3/98 EGL34D-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.25 грн
13+ 22.03 грн
100+ 15.36 грн
500+ 11.25 грн
1000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
EGL34G-E3/98 EGL34G-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.25 грн
13+ 22.03 грн
100+ 15.36 грн
500+ 11.25 грн
1000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
EGL41B-E3/96 EGL41B-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.99 грн
12+ 24.59 грн
100+ 14.74 грн
500+ 12.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
EGL41D-E3/96 EGL41D-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
на замовлення 7104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.73 грн
10+ 29.97 грн
100+ 20.41 грн
500+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
EGL41G-E3/96 EGL41G-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 12306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.99 грн
12+ 24.86 грн
100+ 14.94 грн
500+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
ES1A-E3/61T ES1A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 10024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.54 грн
16+ 17.89 грн
100+ 9.04 грн
500+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
ES1B-E3/61T ES1B-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf description Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 130384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.54 грн
16+ 17.89 грн
100+ 9.04 грн
500+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
ES2A-E3/52T ES2A-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.69 грн
12+ 23.55 грн
100+ 16.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
GF1A-E3/67A GF1A-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.42 грн
10+ 28.25 грн
100+ 21.09 грн
500+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1B-E3/67A GF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 22562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.42 грн
10+ 28.25 грн
100+ 21.09 грн
500+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1G-E3/67A GF1G-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 39090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.27 грн
11+ 26.66 грн
100+ 18.54 грн
500+ 13.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1J-E3/67A GF1J-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.42 грн
10+ 28.25 грн
100+ 21.09 грн
500+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1M-E3/67A GF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 63920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.73 грн
10+ 31.84 грн
100+ 22.11 грн
500+ 16.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
GL34G-E3/98 GL34G-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.54 грн
13+ 21.96 грн
100+ 15.28 грн
500+ 11.19 грн
1000+ 9.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
GL34J-E3/98 GL34J-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.54 грн
13+ 21.96 грн
100+ 15.28 грн
500+ 11.19 грн
1000+ 9.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
GL41G-E3/96 GL41G-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 9659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.27 грн
11+ 26.52 грн
100+ 18.43 грн
500+ 13.5 грн
Мінімальне замовлення: 9
GL41J-E3/96 GL41J-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
товар відсутній
1N4936GP-E3/54 1n4933gp.pdf
1N4936GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.27 грн
11+ 26.59 грн
100+ 18.49 грн
500+ 13.55 грн
1000+ 11.01 грн
2000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
1N4937GP-E3/54 1n4933gp.pdf
1N4937GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 14981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.27 грн
11+ 26.59 грн
100+ 18.49 грн
500+ 13.55 грн
1000+ 11.01 грн
2000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
1N4948GP-E3/54 1n4942gp.pdf
1N4948GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 17294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.27 грн
11+ 26.59 грн
100+ 18.49 грн
500+ 13.55 грн
1000+ 11.01 грн
2000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
1N5059GP-E3/54 1n5059gp.pdf
1N5059GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 27820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.88 грн
10+ 33.84 грн
100+ 23.53 грн
500+ 17.24 грн
1000+ 14.01 грн
2000+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N5061GP-E3/54 1n5059gp.pdf
1N5061GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.88 грн
10+ 33.84 грн
100+ 23.53 грн
500+ 17.24 грн
1000+ 14.01 грн
2000+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N5062GP-E3/54 1n5059gp.pdf
1N5062GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 22546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.88 грн
10+ 33.84 грн
100+ 23.53 грн
500+ 17.24 грн
1000+ 14.01 грн
2000+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N5397-E3/54 1n5391.pdf
1N5397-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE DO15 600V 1.5A 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 14541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.67 грн
18+ 15.82 грн
100+ 7.71 грн
500+ 6.03 грн
1000+ 4.19 грн
2000+ 3.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N5399-E3/54 1n5391.pdf
1N5399-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 85944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.67 грн
18+ 15.82 грн
100+ 7.71 грн
500+ 6.03 грн
1000+ 4.19 грн
2000+ 3.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N5615GP-E3/54 1n5615gp.pdf
1N5615GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 10275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.88 грн
10+ 33.43 грн
100+ 23.25 грн
500+ 17.03 грн
1000+ 13.85 грн
2000+ 12.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N5618GP-E3/54 1N5614GP-1N5622GP.pdf
1N5618GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
товар відсутній
1N5619GP-E3/54 1n5615gp.pdf
1N5619GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
на замовлення 6878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.33 грн
10+ 39.16 грн
100+ 29.23 грн
500+ 21.55 грн
1000+ 16.66 грн
2000+ 15.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
1N5625GP-E3/54 1N5624-27.pdf
1N5625GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
1N5627GP-E3/54 1N5624-27.pdf
1N5627GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
товар відсутній
B140-E3/61T b120.pdf
B140-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 129172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.82 грн
16+ 17.4 грн
100+ 8.78 грн
500+ 6.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
B240A-E3/61T packaging.pdf
B240A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 11210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.54 грн
14+ 19.75 грн
100+ 11.88 грн
500+ 10.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
B340A-E3/61T b330la.pdf
B340A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 9376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.42 грн
11+ 25.48 грн
100+ 15.3 грн
500+ 13.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
B340LB-E3/52T b340lb.pdf
B340LB-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 40 V
на замовлення 15741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.84 грн
11+ 25.48 грн
100+ 17.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY255P-E3/54 by251p.pdf
BY255P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 11222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.12 грн
12+ 24.93 грн
100+ 17.36 грн
500+ 12.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY500-600-E3/54 BY500-100-800.pdf
BY500-600-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BYG10G-E3/TR byg10.pdf
BYG10G-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 8864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.1 грн
15+ 18.72 грн
100+ 11.25 грн
500+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
BYG10J-E3/TR byg10.pdf
BYG10J-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.1 грн
15+ 18.72 грн
100+ 11.25 грн
500+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
BYG10M-E3/TR byg10.pdf
BYG10M-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 88684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.1 грн
15+ 18.72 грн
100+ 11.25 грн
500+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
BYG10Y-E3/TR byg10.pdf
BYG10Y-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
на замовлення 17601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.4 грн
12+ 24.03 грн
100+ 16.71 грн
500+ 12.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
BYG20D-E3/TR byg20d.pdf
BYG20D-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 38248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.82 грн
15+ 19.13 грн
100+ 11.5 грн
500+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
BYG20G-E3/TR byg20d.pdf
BYG20G-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 5661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.82 грн
15+ 19.27 грн
100+ 11.55 грн
500+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
BYG21K-E3/TR byg21k.pdf
BYG21K-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 18614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.25 грн
14+ 20.24 грн
100+ 12.16 грн
500+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
BYG21M-E3/TR description byg21k.pdf
BYG21M-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 124262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.82 грн
15+ 19.13 грн
100+ 11.5 грн
500+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
BYG22B-E3/TR byg22a.pdf
BYG22B-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 59270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.12 грн
12+ 24.86 грн
100+ 17.28 грн
500+ 12.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
BYG22D-E3/TR byg22a.pdf
BYG22D-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 70093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.12 грн
11+ 25.21 грн
100+ 17.5 грн
500+ 12.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
BYG23M-E3/TR byg23m.pdf
BYG23M-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 383623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.08 грн
19+ 14.92 грн
100+ 8.95 грн
500+ 7.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
BYM10-1000-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-1000-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 131141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.54 грн
15+ 19.54 грн
100+ 11.7 грн
500+ 10.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
BYM11-1000-E3/96 bym1150.pdf
BYM11-1000-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.69 грн
13+ 21.41 грн
100+ 12.87 грн
500+ 11.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
BYM13-40-E3/96 bym13.pdf
BYM13-40-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: GL41 (DO-213AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 17251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.71 грн
10+ 28.04 грн
100+ 19.48 грн
500+ 14.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
BYS10-45-E3/TR description bys10.pdf
BYS10-45-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 70742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.97 грн
15+ 18.99 грн
100+ 9.59 грн
500+ 7.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
BYV26EGP-E3/54 byv26dgp.pdf
BYV26EGP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 15846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.01 грн
10+ 31.56 грн
100+ 21.84 грн
500+ 17.12 грн
1000+ 14.58 грн
2000+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
DF005S-E3/77 dfs.pdf
DF005S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.35 грн
10+ 43.44 грн
100+ 30.09 грн
500+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF04SA-E3/77 dfsa.pdf
DF04SA-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 7212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.6 грн
10+ 34.88 грн
100+ 24.16 грн
500+ 18.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
DF04S-E3/77 dfs.pdf
DF04S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.35 грн
10+ 43.44 грн
100+ 30.09 грн
500+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF06SA-E3/77 dfsa.pdf
DF06SA-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 8248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.6 грн
10+ 34.88 грн
100+ 24.16 грн
500+ 18.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
DF06S-E3/77 dfs.pdf
DF06S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 42608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.35 грн
10+ 43.44 грн
100+ 30.09 грн
500+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF08S-E3/77 dfs.pdf
DF08S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.35 грн
10+ 43.44 грн
100+ 30.09 грн
500+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF10SA-E3/77 dfsa.pdf
DF10SA-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 9852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.6 грн
10+ 34.88 грн
100+ 24.16 грн
500+ 18.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
DF10S-E3/77 dfs.pdf
DF10S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.35 грн
10+ 43.44 грн
100+ 30.09 грн
500+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
EGL34D-E3/98 egl34.pdf
EGL34D-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.25 грн
13+ 22.03 грн
100+ 15.36 грн
500+ 11.25 грн
1000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
EGL34G-E3/98 egl34.pdf
EGL34G-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.25 грн
13+ 22.03 грн
100+ 15.36 грн
500+ 11.25 грн
1000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
EGL41B-E3/96 egl41.pdf
EGL41B-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.99 грн
12+ 24.59 грн
100+ 14.74 грн
500+ 12.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
EGL41D-E3/96 egl41.pdf
EGL41D-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
на замовлення 7104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.73 грн
10+ 29.97 грн
100+ 20.41 грн
500+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
EGL41G-E3/96 egl41.pdf
EGL41G-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 12306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.99 грн
12+ 24.86 грн
100+ 14.94 грн
500+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
ES1A-E3/61T es1.pdf
ES1A-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 10024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.54 грн
16+ 17.89 грн
100+ 9.04 грн
500+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
ES1B-E3/61T description es1.pdf
ES1B-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 130384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.54 грн
16+ 17.89 грн
100+ 9.04 грн
500+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
ES2A-E3/52T es2.pdf
ES2A-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.69 грн
12+ 23.55 грн
100+ 16.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
GF1A-E3/67A gf1.pdf
GF1A-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.42 грн
10+ 28.25 грн
100+ 21.09 грн
500+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1B-E3/67A gf1.pdf
GF1B-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 22562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.42 грн
10+ 28.25 грн
100+ 21.09 грн
500+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1G-E3/67A gf1x.pdf
GF1G-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 39090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.27 грн
11+ 26.66 грн
100+ 18.54 грн
500+ 13.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1J-E3/67A gf1.pdf
GF1J-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.42 грн
10+ 28.25 грн
100+ 21.09 грн
500+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
GF1M-E3/67A gf1x.pdf
GF1M-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 63920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.73 грн
10+ 31.84 грн
100+ 22.11 грн
500+ 16.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
GL34G-E3/98 gl34a.pdf
GL34G-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.54 грн
13+ 21.96 грн
100+ 15.28 грн
500+ 11.19 грн
1000+ 9.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
GL34J-E3/98 gl34a.pdf
GL34J-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.54 грн
13+ 21.96 грн
100+ 15.28 грн
500+ 11.19 грн
1000+ 9.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
GL41G-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41G-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 9659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.27 грн
11+ 26.52 грн
100+ 18.43 грн
500+ 13.5 грн
Мінімальне замовлення: 9
GL41J-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41J-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
товар відсутній
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 60 120 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 180 240 300 360 420 480 540 600  Наступна Сторінка >> ]