Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41399) > Сторінка 158 з 690

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 69 138 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 207 276 345 414 483 552 621 690  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FES16BT-E3/45 FES16BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.86 грн
50+41.08 грн
100+40.38 грн
500+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES16BTHE3/45 FES16BTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16CT-E3/45 FES16CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 150V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES16CTHE3/45 FES16CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 150V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16DT-E3/45 FES16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.89 грн
50+75.28 грн
100+67.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES16DTHE3/45 FES16DTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16FT-E3/45 FES16FT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES16FTHE3/45 FES16FTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 16A TO220AC
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16GT-E3/45 FES16GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 16A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.67 грн
50+49.36 грн
100+44.23 грн
500+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES16GTHE3/45 FES16GTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16HT-E3/45 FES16HT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 500V 16A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16HTHE3/45 FES16HTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 500V 16A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16JT-E3/45 FES16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 16A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.07 грн
50+41.41 грн
100+41.37 грн
500+37.13 грн
1000+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES16JTHE3/45 FES16JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8AT-E3/45 FES8AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8ATHE3/45 FES8ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8BT-E3/45 FES8BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.05 грн
10+79.16 грн
100+61.71 грн
500+47.85 грн
1000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8BTHE3/45 FES8BTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8CTHE3/45 FES8CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8DT-E3/45 FES8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.85 грн
50+62.45 грн
100+49.49 грн
500+39.36 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8DTHE3/45 FES8DTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8FT-E3/45 FES8FT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8FTHE3/45 FES8FTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8GT-E3/45 FES8GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.05 грн
10+63.05 грн
100+49.04 грн
500+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8GTHE3/45 FES8GTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8HT-E3/45 FES8HT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8HTHE3/45 FES8HTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8JT-E3/45 FES8JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8JTHE3/45 FES8JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16AT-E3/45 FESB16AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16ATHE3/45 FESB16ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16BT-E3/45 FESB16BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16BTHE3/45 FESB16BTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16CT-E3/45 FESB16CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16CTHE3/45 FESB16CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16DTHE3/45 FESB16DTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16FT-E3/45 FESB16FT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16FTHE3/45 FESB16FTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16GT-E3/45 FESB16GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16GTHE3/45 FESB16GTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16JT-E3/45 FESB16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.47 грн
10+101.13 грн
100+80.54 грн
500+63.95 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB8DT-E3/45 FESB8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16AT-E3/45 FESF16AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16BT-E3/45 FESF16BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16CT-E3/45 FESF16CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 150V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16DT-E3/45 FESF16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tf-fesf16dt-e3-45.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.50 грн
50+63.44 грн
100+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16FT-E3/45 FESF16FT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16GT-E3/45 FESF16GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16HT-E3/45 FESF16HT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 500V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16JT-E3/45 FESF16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.70 грн
50+62.79 грн
100+62.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF8DT-E3/45 FESF8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60-E3/45 G2SB60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division irl620.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB80-E3/45 G2SB80-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division irl620.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA20-E3/45 G2SBA20-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20,60,80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60-E3/45 G2SBA60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20%2C60%2C80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60L-E3/45 G2SBA60L-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20,60,80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA80-E3/45 G2SBA80-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20,60,80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20-E3/45 G3SBA20-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20L-E3/45 G3SBA20L-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-E3/45 G3SBA60L-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16BT-E3/45 fes16jt.pdf
FES16BT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.86 грн
50+41.08 грн
100+40.38 грн
500+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES16BTHE3/45 fes16jt.pdf
FES16BTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16CT-E3/45 fes16jt.pdf
FES16CT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 150V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES16CTHE3/45 fes16jt.pdf
FES16CTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 150V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16DT-E3/45 fes16jt.pdf
FES16DT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.89 грн
50+75.28 грн
100+67.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES16DTHE3/45 fes16jt.pdf
FES16DTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16FT-E3/45 fes16jt.pdf
FES16FT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 300V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES16FTHE3/45 fes16jt.pdf
FES16FTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 300V 16A TO220AC
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16GT-E3/45 fes16jt.pdf
FES16GT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 16A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.67 грн
50+49.36 грн
100+44.23 грн
500+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES16GTHE3/45 fes16jt.pdf
FES16GTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16HT-E3/45 fes16jt.pdf
FES16HT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 500V 16A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16HTHE3/45 fes16jt.pdf
FES16HTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 500V 16A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES16JT-E3/45 fes16jt.pdf
FES16JT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 16A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.07 грн
50+41.41 грн
100+41.37 грн
500+37.13 грн
1000+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES16JTHE3/45 fes16jt.pdf
FES16JTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8AT-E3/45 FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf
FES8AT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8ATHE3/45 FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf
FES8ATHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8BT-E3/45 FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf
FES8BT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.05 грн
10+79.16 грн
100+61.71 грн
500+47.85 грн
1000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8BTHE3/45 FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf
FES8BTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8CTHE3/45 FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf
FES8CTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8DT-E3/45 FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf
FES8DT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.85 грн
50+62.45 грн
100+49.49 грн
500+39.36 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8DTHE3/45 FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf
FES8DTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8FT-E3/45 FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf
FES8FT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8FTHE3/45 FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf
FES8FTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8GT-E3/45 FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf
FES8GT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.05 грн
10+63.05 грн
100+49.04 грн
500+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8GTHE3/45 FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf
FES8GTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8HT-E3/45 FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf
FES8HT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8HTHE3/45 FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf
FES8HTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FES8JT-E3/45 FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf
FES8JT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FES8JTHE3/45 FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf
FES8JTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16AT-E3/45 fes16jt.pdf
FESB16AT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16ATHE3/45 fes16jt.pdf
FESB16ATHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16BT-E3/45 fes16jt.pdf
FESB16BT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16BTHE3/45 fes16jt.pdf
FESB16BTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16CT-E3/45 fes16jt.pdf
FESB16CT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16CTHE3/45 fes16jt.pdf
FESB16CTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16DTHE3/45 fes16jt.pdf
FESB16DTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16FT-E3/45 fes16jt.pdf
FESB16FT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16FTHE3/45 fes16jt.pdf
FESB16FTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16GT-E3/45 fes16jt.pdf
FESB16GT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16GTHE3/45 fes16jt.pdf
FESB16GTHE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16JT-E3/45 fes16jt.pdf
FESB16JT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.47 грн
10+101.13 грн
100+80.54 грн
500+63.95 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB8DT-E3/45 FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf
FESB8DT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16AT-E3/45 fes16jt.pdf
FESF16AT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16BT-E3/45 fes16jt.pdf
FESF16BT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16CT-E3/45 fes16jt.pdf
FESF16CT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 150V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16DT-E3/45 tf-fesf16dt-e3-45.pdf
FESF16DT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.50 грн
50+63.44 грн
100+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16FT-E3/45 fes16jt.pdf
FESF16FT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 300V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16GT-E3/45 fes16jt.pdf
FESF16GT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16HT-E3/45 fes16jt.pdf
FESF16HT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 500V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF16JT-E3/45 fes16jt.pdf
FESF16JT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.70 грн
50+62.79 грн
100+62.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESF8DT-E3/45 FES%28F%2CB%298AT_thru_8JT.pdf
FESF8DT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60-E3/45 irl620.pdf
G2SB60-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB80-E3/45 irl620.pdf
G2SB80-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA20-E3/45 G2SBA20,60,80.pdf
G2SBA20-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60-E3/45 G2SBA20%2C60%2C80.pdf
G2SBA60-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60L-E3/45 G2SBA20,60,80.pdf
G2SBA60L-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA80-E3/45 G2SBA20,60,80.pdf
G2SBA80-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20-E3/45 g3sba20.pdf
G3SBA20-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20L-E3/45 g3sba20.pdf
G3SBA20L-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-E3/45 g3sba20.pdf
G3SBA60L-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 69 138 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 207 276 345 414 483 552 621 690  [ Наступна Сторінка >> ]