Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40147) > Сторінка 368 з 670

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 363 364 365 366 367 368 369 370 371 372 373 402 469 536 603 670  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-20ETS12S-M3 VS-20ETS12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20ets08s.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 20A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.92 грн
50+100.26 грн
100+88.02 грн
500+70.01 грн
1000+61.65 грн
2000+57.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-50WQ10FNTR-M3 VS-50WQ10FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-50wq10fn.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 183pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.10 грн
10+38.07 грн
100+32.64 грн
500+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWF12STR-M3 VS-8EWF12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewf12sm.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 5847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.63 грн
10+185.16 грн
100+148.49 грн
500+114.67 грн
1000+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWS08STR-M3 VS-8EWS08STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ews08sm.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.76 грн
10+159.32 грн
100+118.86 грн
500+94.84 грн
1000+81.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MURB1520TRLPBF VS-MURB1520TRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-murb1520-m3-1-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MURB2020CTTRLP VS-MURB2020CTTRLP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURB2020CT%28-1%29PbF.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VSKY20301608-G4-08 VSKY20301608-G4-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vsky20301608.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A CLP1608-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: CLP1608-2L
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 30 V
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SS24SHE3_B/H SS24SHE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss22s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+5.34 грн
3600+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-45HE3_A/H BYS10-45HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+6.16 грн
3600+5.40 грн
5400+5.12 грн
9000+4.52 грн
12600+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-35HE3_A/H BYS10-35HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+4.36 грн
3600+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-61HE3J_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-6600HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-6605HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-6605HE3J_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-6HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-7000HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-7001HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-71CHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS26SHE3_B/H SS26SHE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss26s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+5.43 грн
3600+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
SS26SHE3_B/H SS26SHE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss26s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
23+13.61 грн
100+12.21 грн
500+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3_B/I SS16HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3_B/I SS16HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.85 грн
24+12.84 грн
100+9.04 грн
500+6.88 грн
1000+5.13 грн
2000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3_B/H SS16HE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+3.95 грн
3600+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3_B/H SS16HE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 86077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.85 грн
25+12.69 грн
100+9.39 грн
500+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B20P-M3-08 BZD27B20P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 20V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
6000+7.49 грн
9000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B22P-M3-08 BZD27B22P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 22V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B24P-HE3-08 BZD27B24P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B24P-M3-08 BZD27B24P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B27P-M3-08 BZD27B27P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 27V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-M3-08 BZD27B36P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B39P-M3-08 BZD27B39P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 39V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B3V6P-M3-08 BZD27B3V6P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B3V9P-M3-08 BZD27B3V9P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
6000+7.49 грн
9000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B5V1P-M3-08 BZD27B5V1P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
6000+6.68 грн
9000+6.33 грн
15000+5.58 грн
21000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B20P-M3-08 BZD27B20P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 20V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 15 V
на замовлення 13842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
14+22.48 грн
100+13.48 грн
500+11.71 грн
1000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B22P-M3-08 BZD27B22P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 22V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B24P-HE3-08 BZD27B24P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.34 грн
12+26.15 грн
100+17.77 грн
500+12.51 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B24P-M3-08 BZD27B24P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.96 грн
13+24.39 грн
100+16.59 грн
500+11.68 грн
1000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B27P-M3-08 BZD27B27P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 27V 800MW DO219AB
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.34 грн
12+25.84 грн
100+17.57 грн
500+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-M3-08 BZD27B36P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B3V6P-M3-08 BZD27B3V6P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
на замовлення 8643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
16+19.34 грн
100+9.10 грн
500+8.40 грн
1000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B3V9P-M3-08 BZD27B3V9P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
на замовлення 25084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
14+22.48 грн
100+13.48 грн
500+11.71 грн
1000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B5V1P-M3-08 BZD27B5V1P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 24735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
19+16.36 грн
100+7.97 грн
500+7.38 грн
1000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C100P-E3-08 BZD27C100P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 100 V
Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 13113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.23 грн
22+14.37 грн
100+7.48 грн
500+6.64 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C10P-E3-08 BZD27C10P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 10V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 7.5 V
на замовлення 21906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.02 грн
21+14.68 грн
100+7.26 грн
500+6.54 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C11P-E3-08 BZD27C11P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 11V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 8.2 V
на замовлення 25081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
11+28.36 грн
100+17.05 грн
500+14.82 грн
1000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C15P-HE3-08 BZD27C15P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 15V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.79 грн
16+20.03 грн
100+14.58 грн
500+11.35 грн
1000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C16P-E3-08 BZD27C16P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 16V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12 V
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.67 грн
27+11.62 грн
100+9.04 грн
500+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C16P-HE3-08 BZD27C16P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 16V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.31 грн
13+23.85 грн
100+19.02 грн
500+13.84 грн
1000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C180P-E3-08 BZD27C180P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 180V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 180 V
Impedance (Max) (Zzt): 400 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 130 V
на замовлення 28834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.76 грн
12+26.07 грн
100+18.11 грн
500+13.27 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C22P-E3-08 BZD27C22P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 22V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 16 V
на замовлення 27533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.44 грн
23+13.61 грн
100+9.17 грн
500+6.62 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C22P-HE3-18 BZD27C22P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 22V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C24P-E3-08 BZD27C24P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 18 V
на замовлення 30423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.23 грн
22+14.07 грн
100+9.46 грн
500+6.84 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C27P-E3-08 BZD27C27P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 27V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 20 V
на замовлення 30764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.99 грн
18+17.05 грн
100+9.17 грн
500+7.34 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C27P-HE3-08 BZD27C27P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 27V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
13+24.77 грн
100+17.19 грн
500+12.60 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C30P-E3-08 BZD27C30P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 30V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 22 V
на замовлення 18527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.37 грн
13+24.08 грн
100+16.76 грн
500+12.28 грн
1000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C30P-HE3-08 BZD27C30P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 30V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 22 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
13+24.85 грн
100+17.26 грн
500+12.65 грн
1000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C33P-E3-08 BZD27C33P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V
на замовлення 28988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.64 грн
23+13.53 грн
100+9.09 грн
500+6.58 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C33P-HE3-18 BZD27C33P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C33P-M3-18 BZD27C33P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27-M_Series.pdf Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETS12S-M3 vs-20ets08s.pdf
VS-20ETS12S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 20A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.92 грн
50+100.26 грн
100+88.02 грн
500+70.01 грн
1000+61.65 грн
2000+57.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-50WQ10FNTR-M3 vs-50wq10fn.pdf
VS-50WQ10FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 183pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.10 грн
10+38.07 грн
100+32.64 грн
500+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWF12STR-M3 vs-8ewf12sm.pdf
VS-8EWF12STR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 5847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.63 грн
10+185.16 грн
100+148.49 грн
500+114.67 грн
1000+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWS08STR-M3 vs-8ews08sm.pdf
VS-8EWS08STR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.76 грн
10+159.32 грн
100+118.86 грн
500+94.84 грн
1000+81.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MURB1520TRLPBF vs-murb1520-m3-1-m3.pdf
VS-MURB1520TRLPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MURB2020CTTRLP VS-MURB2020CT%28-1%29PbF.pdf
VS-MURB2020CTTRLP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VSKY20301608-G4-08 vsky20301608.pdf
VSKY20301608-G4-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A CLP1608-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: CLP1608-2L
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 30 V
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SS24SHE3_B/H ss22s.pdf
SS24SHE3_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+5.34 грн
3600+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-45HE3_A/H bys10.pdf
BYS10-45HE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+6.16 грн
3600+5.40 грн
5400+5.12 грн
9000+4.52 грн
12600+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-35HE3_A/H bys10.pdf
BYS10-35HE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+4.36 грн
3600+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-61HE3J_A/H SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-6600HE3_A/H SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-6605HE3_A/H SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-6605HE3J_A/H SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-6HE3_A/I SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-7000HE3_A/I SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-7001HE3_A/I SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-71CHE3_A/I SS12-SS16.Aug.4%2C2015.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS26SHE3_B/H ss26s.pdf
SS26SHE3_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+5.43 грн
3600+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
SS26SHE3_B/H ss26s.pdf
SS26SHE3_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.40 грн
23+13.61 грн
100+12.21 грн
500+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3_B/I ss12.pdf
SS16HE3_B/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3_B/I ss12.pdf
SS16HE3_B/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.85 грн
24+12.84 грн
100+9.04 грн
500+6.88 грн
1000+5.13 грн
2000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3_B/H ss12.pdf
SS16HE3_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+3.95 грн
3600+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3_B/H ss12.pdf
SS16HE3_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 86077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.85 грн
25+12.69 грн
100+9.39 грн
500+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B20P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B20P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 20V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.11 грн
6000+7.49 грн
9000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B22P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B22P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 22V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B24P-HE3-08 bzd27bseries.pdf
BZD27B24P-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B24P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B24P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B27P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B27P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B36P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B39P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B39P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 39V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B3V6P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B3V6P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.6V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B3V9P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B3V9P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.11 грн
6000+7.49 грн
9000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B5V1P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B5V1P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.65 грн
6000+6.68 грн
9000+6.33 грн
15000+5.58 грн
21000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B20P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B20P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 20V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 15 V
на замовлення 13842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
14+22.48 грн
100+13.48 грн
500+11.71 грн
1000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B22P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B22P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 22V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B24P-HE3-08 bzd27bseries.pdf
BZD27B24P-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.34 грн
12+26.15 грн
100+17.77 грн
500+12.51 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B24P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B24P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
13+24.39 грн
100+16.59 грн
500+11.68 грн
1000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B27P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B27P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 800MW DO219AB
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.34 грн
12+25.84 грн
100+17.57 грн
500+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B36P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B3V6P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B3V6P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.6V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
на замовлення 8643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
16+19.34 грн
100+9.10 грн
500+8.40 грн
1000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B3V9P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B3V9P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
на замовлення 25084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
14+22.48 грн
100+13.48 грн
500+11.71 грн
1000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B5V1P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B5V1P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 24735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.40 грн
19+16.36 грн
100+7.97 грн
500+7.38 грн
1000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C100P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C100P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 100 V
Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 13113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.23 грн
22+14.37 грн
100+7.48 грн
500+6.64 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C10P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C10P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 10V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 7.5 V
на замовлення 21906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.02 грн
21+14.68 грн
100+7.26 грн
500+6.54 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C11P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C11P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 8.2 V
на замовлення 25081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
11+28.36 грн
100+17.05 грн
500+14.82 грн
1000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C15P-HE3-08 bzd27series.pdf
BZD27C15P-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
16+20.03 грн
100+14.58 грн
500+11.35 грн
1000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C16P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C16P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12 V
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.67 грн
27+11.62 грн
100+9.04 грн
500+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C16P-HE3-08 bzd27series.pdf
BZD27C16P-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
13+23.85 грн
100+19.02 грн
500+13.84 грн
1000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C180P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C180P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 180V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 180 V
Impedance (Max) (Zzt): 400 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 130 V
на замовлення 28834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.76 грн
12+26.07 грн
100+18.11 грн
500+13.27 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C22P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C22P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 22V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 16 V
на замовлення 27533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
23+13.61 грн
100+9.17 грн
500+6.62 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C22P-HE3-18 bzd27series.pdf
BZD27C22P-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 22V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C24P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C24P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 18 V
на замовлення 30423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.23 грн
22+14.07 грн
100+9.46 грн
500+6.84 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C27P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C27P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 20 V
на замовлення 30764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.99 грн
18+17.05 грн
100+9.17 грн
500+7.34 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C27P-HE3-08 bzd27series.pdf
BZD27C27P-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
13+24.77 грн
100+17.19 грн
500+12.60 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C30P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C30P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 22 V
на замовлення 18527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.37 грн
13+24.08 грн
100+16.76 грн
500+12.28 грн
1000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C30P-HE3-08 bzd27series.pdf
BZD27C30P-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 22 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
13+24.85 грн
100+17.26 грн
500+12.65 грн
1000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C33P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C33P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V
на замовлення 28988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.64 грн
23+13.53 грн
100+9.09 грн
500+6.58 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C33P-HE3-18 bzd27series.pdf
BZD27C33P-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C33P-M3-18 BZD27-M_Series.pdf
BZD27C33P-M3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 363 364 365 366 367 368 369 370 371 372 373 402 469 536 603 670  [ Наступна Сторінка >> ]