Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41090) > Сторінка 451 з 685

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 408 446 447 448 449 450 451 452 453 454 455 456 476 544 612 680 685  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-15TQ060STRRHM3 VS-15TQ060STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15tq060shm3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 720pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NS8KT-E3/45 NS8KT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NS8KT-7000HE3/45 NS8KT-7000HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NS8KT-7002HE3/45 NS8KT-7002HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S22AHE3_A/I SM5S22AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s.pdf Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 101A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S22AHE3_A/I SM5S22AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s.pdf Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 101A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.45 грн
10+169.87 грн
100+124.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB33A-E3/5B P6SMB33A-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB33A-E3/5B P6SMB33A-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.48 грн
18+16.95 грн
100+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ18C-GS08 TLZ18C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tlz.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 16.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+3.06 грн
5000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ18C-GS08 TLZ18C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tlz.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 16.5 V
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.69 грн
25+12.00 грн
100+5.87 грн
500+4.59 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
GI751-E3/73 GI751-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gi750.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 6A P600
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+25.95 грн
600+22.52 грн
900+21.26 грн
1500+18.62 грн
2100+17.84 грн
3000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
GI751-E3/73 GI751-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gi750.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.79 грн
10+48.82 грн
100+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4702-E3-08 MMSZ4702-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz4681_to_mmsz4717.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 11.4 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.05 грн
6000+2.62 грн
9000+2.47 грн
15000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4702-E3-08 MMSZ4702-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz4681_to_mmsz4717.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 11.4 V
на замовлення 21812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.12 грн
48+6.30 грн
100+3.19 грн
500+2.88 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
VSS8D2M12-M3/H VSS8D2M12-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division vss8d2m12.pdf Description: DIODE SCHOTT 120V 1.9A SLIMSMAW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.9A
Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VSS8D2M12-M3/H VSS8D2M12-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division vss8d2m12.pdf Description: DIODE SCHOTT 120V 1.9A SLIMSMAW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.9A
Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.04 грн
14+21.45 грн
100+12.88 грн
500+11.20 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
VSS8D2M12HM3/I VSS8D2M12HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vss8d2m12.pdf Description: DIODE SCHOTT 120V 1.9A SLIMSMAW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.9A
Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VSS8D2M12HM3/I VSS8D2M12HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vss8d2m12.pdf Description: DIODE SCHOTT 120V 1.9A SLIMSMAW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.9A
Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
на замовлення 6890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.93 грн
13+23.85 грн
100+14.32 грн
500+12.44 грн
1000+8.46 грн
2000+7.79 грн
5000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ4V3C-G3/H PLZ4V3C-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 4.44V 960MW DO219AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±3.04%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.44 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.37 грн
9000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ4V3C-G3/H PLZ4V3C-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 4.44V 960MW DO219AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±3.04%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.44 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 20542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.25 грн
23+13.20 грн
100+6.46 грн
500+5.06 грн
1000+3.52 грн
2000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243C-E3-08 MMSZ5243C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243C-E3-08 MMSZ5243C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.69 грн
28+10.95 грн
100+6.82 грн
500+4.70 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4713-E3-08 MMSZ4713-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz4681_to_mmsz4717.pdf Description: DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 22.8 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.18 грн
6000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4713-E3-08 MMSZ4713-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz4681_to_mmsz4717.pdf Description: DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 22.8 V
на замовлення 8890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.47 грн
25+12.45 грн
100+6.10 грн
500+4.77 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ3V0A-G3/H PLZ3V0A-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 2.96V 960MW DO219AC
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ3V0A-G3/H PLZ3V0A-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 2.96V 960MW DO219AC
на замовлення 24028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ18AHE3_A/H SMCJ18AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ18AHE3_A/I SMCJ18AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B4V7-E3-08 BZT52B4V7-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 78 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.36 грн
6000+2.90 грн
9000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B4V7-E3-08 BZT52B4V7-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 78 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V2PM12-M3/H V2PM12-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2pm12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 2A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 120 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+6.00 грн
9000+5.26 грн
13500+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
V2PM12-M3/H V2PM12-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2pm12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 2A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 120 V
на замовлення 17749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.59 грн
18+17.40 грн
100+10.99 грн
500+7.69 грн
1000+6.84 грн
2000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ33-GS08 BAQ33-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division baq33.pdf Description: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ33-GS08 BAQ33-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division baq33.pdf Description: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ134-GS08 BAQ134-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division baq133.pdf Description: DIODE GEN PURP 60V 200MA SOD80
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ134-GS08 BAQ134-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division baq133.pdf Description: DIODE GEN PURP 60V 200MA SOD80
на замовлення 14917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ335-TR BAQ335-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division baq333.pdf Description: DIODE GP 125V 200MA MICROMELF
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ335-TR BAQ335-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division baq333.pdf Description: DIODE GP 125V 200MA MICROMELF
на замовлення 9007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4HM3_A/H MSS1P4HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+4.30 грн
9000+3.79 грн
13500+3.61 грн
22500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4HM3_A/H MSS1P4HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.13 грн
28+11.10 грн
100+7.45 грн
500+5.36 грн
1000+4.82 грн
2000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5HM3_A/H MSS1P5HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+4.90 грн
9000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5HM3_A/H MSS1P5HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.26 грн
17+18.30 грн
100+9.26 грн
500+7.09 грн
1000+5.26 грн
2000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6HM3_A/H MSS1P6HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.33 грн
9000+2.86 грн
13500+2.85 грн
22500+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6HM3_A/H MSS1P6HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.58 грн
31+9.90 грн
100+8.23 грн
500+5.71 грн
1000+4.52 грн
2000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2LHM3_A/H MSS1P2LHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6HM3J_A/H MSS1P6HM3J_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.0AHE3_A/I SMAJ7.0AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.0AHM3_A/H SMAJ7.0AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.0AHM3_A/I SMAJ7.0AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.5CAHE3_A/I SMAJ7.5CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 7.5VWM 12.9V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.5CAHM3_A/H SMAJ7.5CAHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 7.5VWM 12.9V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V3P6-M3/84A V3P6-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2.4A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.40 грн
6000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
V3P6-M3/84A V3P6-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2.4A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 µA @ 60 V
на замовлення 10456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.15 грн
16+19.87 грн
100+14.31 грн
500+10.50 грн
1000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P6-M3/85A SS3P6-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss3p5.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P6-M3/85A SS3P6-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss3p5.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.81 грн
22+13.95 грн
100+9.76 грн
500+7.55 грн
1000+6.21 грн
2000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-100-E3/96 BYM12-100-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+7.50 грн
3000+7.15 грн
10500+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-100-E3/96 BYM12-100-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 39690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.25 грн
25+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-400-E3/96 BYM11-400-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-400-E3/96 BYM11-400-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.59 грн
16+19.20 грн
100+12.97 грн
500+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-400-E3/97 BYM11-400-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-15TQ060STRRHM3 vs-15tq060shm3.pdf
VS-15TQ060STRRHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 720pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NS8KT-E3/45 ns8xt.pdf
NS8KT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NS8KT-7000HE3/45 ns8xt.pdf
NS8KT-7000HE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NS8KT-7002HE3/45 ns8xt.pdf
NS8KT-7002HE3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S22AHE3_A/I sm5s.pdf
SM5S22AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 101A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S22AHE3_A/I sm5s.pdf
SM5S22AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 101A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.45 грн
10+169.87 грн
100+124.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB33A-E3/5B p6smb.pdf
P6SMB33A-E3/5B
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB33A-E3/5B p6smb.pdf
P6SMB33A-E3/5B
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.48 грн
18+16.95 грн
100+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ18C-GS08 tlz.pdf
TLZ18C-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 16.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+3.06 грн
5000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ18C-GS08 tlz.pdf
TLZ18C-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 16.5 V
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.69 грн
25+12.00 грн
100+5.87 грн
500+4.59 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
GI751-E3/73 gi750.pdf
GI751-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 6A P600
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+25.95 грн
600+22.52 грн
900+21.26 грн
1500+18.62 грн
2100+17.84 грн
3000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
GI751-E3/73 gi750.pdf
GI751-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.79 грн
10+48.82 грн
100+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4702-E3-08 mmsz4681_to_mmsz4717.pdf
MMSZ4702-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 11.4 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.05 грн
6000+2.62 грн
9000+2.47 грн
15000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4702-E3-08 mmsz4681_to_mmsz4717.pdf
MMSZ4702-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 11.4 V
на замовлення 21812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.12 грн
48+6.30 грн
100+3.19 грн
500+2.88 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
VSS8D2M12-M3/H vss8d2m12.pdf
VSS8D2M12-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 120V 1.9A SLIMSMAW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.9A
Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VSS8D2M12-M3/H vss8d2m12.pdf
VSS8D2M12-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 120V 1.9A SLIMSMAW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.9A
Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.04 грн
14+21.45 грн
100+12.88 грн
500+11.20 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
VSS8D2M12HM3/I vss8d2m12.pdf
VSS8D2M12HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 120V 1.9A SLIMSMAW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.9A
Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VSS8D2M12HM3/I vss8d2m12.pdf
VSS8D2M12HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 120V 1.9A SLIMSMAW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.9A
Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
на замовлення 6890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.93 грн
13+23.85 грн
100+14.32 грн
500+12.44 грн
1000+8.46 грн
2000+7.79 грн
5000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ4V3C-G3/H plzseries.pdf
PLZ4V3C-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.44V 960MW DO219AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±3.04%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.44 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.37 грн
9000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ4V3C-G3/H plzseries.pdf
PLZ4V3C-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.44V 960MW DO219AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±3.04%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.44 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 20542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.25 грн
23+13.20 грн
100+6.46 грн
500+5.06 грн
1000+3.52 грн
2000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243C-E3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5243C-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243C-E3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5243C-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.69 грн
28+10.95 грн
100+6.82 грн
500+4.70 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4713-E3-08 mmsz4681_to_mmsz4717.pdf
MMSZ4713-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 22.8 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.18 грн
6000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4713-E3-08 mmsz4681_to_mmsz4717.pdf
MMSZ4713-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 22.8 V
на замовлення 8890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.47 грн
25+12.45 грн
100+6.10 грн
500+4.77 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ3V0A-G3/H plzseries.pdf
PLZ3V0A-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.96V 960MW DO219AC
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ3V0A-G3/H plzseries.pdf
PLZ3V0A-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.96V 960MW DO219AC
на замовлення 24028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ18AHE3_A/H smcj.pdf
SMCJ18AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ18AHE3_A/I smcj.pdf
SMCJ18AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B4V7-E3-08 bzt52.pdf
BZT52B4V7-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.7V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 78 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.36 грн
6000+2.90 грн
9000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B4V7-E3-08 bzt52.pdf
BZT52B4V7-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.7V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 78 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V2PM12-M3/H v2pm12.pdf
V2PM12-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 2A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 120 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+6.00 грн
9000+5.26 грн
13500+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
V2PM12-M3/H v2pm12.pdf
V2PM12-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 2A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 120 V
на замовлення 17749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.59 грн
18+17.40 грн
100+10.99 грн
500+7.69 грн
1000+6.84 грн
2000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ33-GS08 baq33.pdf
BAQ33-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ33-GS08 baq33.pdf
BAQ33-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ134-GS08 baq133.pdf
BAQ134-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 60V 200MA SOD80
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ134-GS08 baq133.pdf
BAQ134-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 60V 200MA SOD80
на замовлення 14917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ335-TR baq333.pdf
BAQ335-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 125V 200MA MICROMELF
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ335-TR baq333.pdf
BAQ335-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 125V 200MA MICROMELF
на замовлення 9007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4HM3_A/H mss1p4.pdf
MSS1P4HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+4.30 грн
9000+3.79 грн
13500+3.61 грн
22500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4HM3_A/H mss1p4.pdf
MSS1P4HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.13 грн
28+11.10 грн
100+7.45 грн
500+5.36 грн
1000+4.82 грн
2000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5HM3_A/H mss1p6.pdf
MSS1P5HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+4.90 грн
9000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5HM3_A/H mss1p6.pdf
MSS1P5HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.26 грн
17+18.30 грн
100+9.26 грн
500+7.09 грн
1000+5.26 грн
2000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6HM3_A/H mss1p6.pdf
MSS1P6HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.33 грн
9000+2.86 грн
13500+2.85 грн
22500+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6HM3_A/H mss1p6.pdf
MSS1P6HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.58 грн
31+9.90 грн
100+8.23 грн
500+5.71 грн
1000+4.52 грн
2000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2LHM3_A/H mss1p3l.pdf
MSS1P2LHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6HM3J_A/H mss1p6.pdf
MSS1P6HM3J_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.0AHE3_A/I smaj50a.pdf
SMAJ7.0AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.0AHM3_A/H smaj50a.pdf
SMAJ7.0AHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.0AHM3_A/I smaj50a.pdf
SMAJ7.0AHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.5CAHE3_A/I smaj50a.pdf
SMAJ7.5CAHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.5VWM 12.9V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.5CAHM3_A/H smaj50a.pdf
SMAJ7.5CAHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.5VWM 12.9V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V3P6-M3/84A v3p6.pdf
V3P6-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2.4A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.40 грн
6000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
V3P6-M3/84A v3p6.pdf
V3P6-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2.4A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 µA @ 60 V
на замовлення 10456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.15 грн
16+19.87 грн
100+14.31 грн
500+10.50 грн
1000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P6-M3/85A ss3p5.pdf
SS3P6-M3/85A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P6-M3/85A ss3p5.pdf
SS3P6-M3/85A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.81 грн
22+13.95 грн
100+9.76 грн
500+7.55 грн
1000+6.21 грн
2000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-100-E3/96 egl41.pdf
BYM12-100-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+7.50 грн
3000+7.15 грн
10500+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-100-E3/96 egl41.pdf
BYM12-100-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 39690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.25 грн
25+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-400-E3/96 bym1150.pdf
BYM11-400-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-400-E3/96 bym1150.pdf
BYM11-400-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.59 грн
16+19.20 грн
100+12.97 грн
500+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-400-E3/97 bym1150.pdf
BYM11-400-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 408 446 447 448 449 450 451 452 453 454 455 456 476 544 612 680 685  Наступна Сторінка >> ]